半導(dǎo)體二極管的特性及主要參數(shù)

1、半導(dǎo)體二極管的特性及主要參數(shù)第1頁，共11頁，2022年，5月20日，1點37分，星期二一、 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)構(gòu)成：PN 結(jié) + 引線 + 管殼 = 二極管符號：VD分類：按材料分硅二極管鍺二極管按結(jié)構(gòu)分點接觸型面接觸型點接觸型正極引線觸絲N 型鍺片外殼負極引線負極引線 面接觸型N型鍺PN 結(jié) 正極引線鋁合金小球底座金銻合金平面型正極引線負極引線集成電路中平面型PNP 型支持襯底第一章半導(dǎo)體二極管第2頁，共11頁，2022年，5月20日，1點37分，星期二第3頁，共11頁，2022年，5月20日，1點37分，星期二二、二極管的伏安特性O(shè)uV /ViV /mA正向特性Uth死區(qū)電壓iV = 0

2、Uth = 0.5 V 0.1 V(硅管)(鍺管)U UthiV 急劇上升0 U Uth Uth = (0.6 0.8) V硅管 0.7 V(0.1 0.3) V鍺管 0.2 V反向特性IRU BR反向擊穿UBR U 0 iV = IR 0.1 A(硅) 幾十 A (鍺)U UBR反向電流急劇增大(反向擊穿)第一章半導(dǎo)體二極管第4頁，共11頁，2022年，5月20日，1點37分，星期二反向擊穿類型：電擊穿熱擊穿特別注意： 溫度對二極管的特性有顯著影響。當(dāng)溫度升高時，正向特性曲線向左移，反向特性曲線向下移。變化規(guī)律是：在室溫附近，溫度每升高1，正向壓降約減小22.5mV，溫度每升高10，反向電流

3、約增大一倍。 PN 結(jié)未損壞，斷電即恢復(fù)。 PN 結(jié)燒毀。第一章半導(dǎo)體二極管第5頁，共11頁，2022年，5月20日，1點37分，星期二溫度對二極管特性的影響604020 0.0200.42550IV / mAUV / V20C80CT 升高時，UV(th)以 (2 2.5) mV/ C 下降第一章半導(dǎo)體二極管第6頁，共11頁，2022年，5月20日，1點37分，星期二硅管的伏安特性鍺管的伏安特性604020 0.02 0.0400.40.82550IV / mAUV / VIV / mAUV / V0.20.4 25 50510150.010.020第一章半導(dǎo)體二極管第7頁，共11頁，202

4、2年，5月20日，1點37分，星期二三、 二極管的主要參數(shù)1. IF 最大整流電流(最大正向平均電流)2. URM 最高反向工作電壓，為 UBR / 2 3. IR 反向飽和電流(越小單向?qū)щ娦栽胶?IVUVU (BR)I FURMO4. fM 最高工作頻率(超過時單向?qū)щ娦宰儾?第一章半導(dǎo)體二極管第8頁，共11頁，2022年，5月20日，1點37分，星期二影響工作頻率的原因 PN 結(jié)的電容效應(yīng) 結(jié)論：1. 低頻時，因結(jié)電容很小，對 PN 結(jié)影響很小。 高頻時，因容抗減小，使結(jié)電容分流，導(dǎo)致單向 導(dǎo)電性變差。2. 結(jié)面積小時結(jié)電容小，工作頻率高。第一章半導(dǎo)體二極管第9頁，共11頁，2022年，5月20日，1點37分，星期二四、二極管電路的分析方法1、理想模型特性uViV符號及等效模型SS2、恒壓降模型uViVUthuv = Uth0.7 V (Si)0.2 V (Ge)Uth3、二極管的折線近似模型uvivUthUI斜率1/ rDrvUth第一章半導(dǎo)體二極管第10頁，共11頁，2022年，5月20日，1點37分，星期二4、小信號模型如果二極管在它的伏安特性的某一小范圍內(nèi)工作，例如靜態(tài)工作點Q（此時有。 如果二極管在它的伏安特性的某一小范圍內(nèi)工作，例如靜態(tài)工作點Q 附近工作，則可把伏安特性看成一條直線，其