細(xì)看IMEC納米級先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的突破_第1頁
細(xì)看IMEC納米級先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的突破_第2頁
細(xì)看IMEC納米級先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的突破_第3頁
細(xì)看IMEC納米級先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的突破_第4頁
細(xì)看IMEC納米級先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的突破_第5頁
已閱讀5頁,還剩4頁未讀, 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、細(xì)看IMEC納米級先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的突破來源:EETTAIWAN EETTAIWAN2013年10月23日 09:57 HYPERLINK :/ elecfans /article/90/156/2013/1023329653_a.html l comment t _self 0分享導(dǎo)讀高解析度相機(jī)晶片 CMOS成像器實現(xiàn)ultra-HD的解析度。 邁向奈米科技之旅 IMEC已規(guī)劃了邁向5nm元件的半導(dǎo)體開發(fā)藍(lán)圖。 超越FinFET 在10nm節(jié)點(diǎn)之后,IMEC認(rèn)為垂直關(guān)鍵詞: HYPERLINK :/ elecfans /tags/FinFET/ t _blank FinFET HYPERLI

2、NK :/ elecfans /tags/%E5%8D%8A%E5%AF%BC%E4%BD%93/ t _blank 半導(dǎo)體 HYPERLINK :/ elecfans /tags/%E6%99%BA%E8%83%BD%E6%89%8B%E6%9C%BA/ t _blank 智能手機(jī) HYPERLINK :/ elecfans /tags/CMOS/ t _blank CMOS半導(dǎo)體技術(shù)研究可望為廣泛的醫(yī)療電子、通訊、顯示器、數(shù)位相機(jī)等領(lǐng)域帶來進(jìn)步與創(chuàng)新。這是IMEC研究機(jī)構(gòu)的研究人員們針對其最新研究成果所描繪的未來愿景。透過本文圖集,讀者將得以一窺其中的部份研發(fā)進(jìn)展。電子產(chǎn)業(yè)的研發(fā)(R&D)

3、支出持續(xù)攀升(見下圖) 。然而,針對先進(jìn)研究部份越來越高的比重持續(xù)出現(xiàn)在世界各地的外部組織,如IMEC。電子產(chǎn)業(yè)研發(fā)(R&D)支出持續(xù)攀升智慧型手機(jī)實現(xiàn)芯片上實驗室以智慧型手機(jī)為輔助的晶片上實驗室(lab on a chip)上圖顯示透過一款僅有手指般大小的微型元件,能夠?qū)⑨t(yī)療檢測作業(yè)帶到病床邊進(jìn)行。量子技術(shù)的飛躍性進(jìn)展可望為當(dāng)今的定點(diǎn)照護(hù)(PoC)系統(tǒng)帶來突破(如下圖)。量子技術(shù)進(jìn)展為當(dāng)今的PoC系統(tǒng)帶來突破細(xì)胞分離晶片細(xì)胞分離晶片細(xì)胞分離晶片能夠找出隱藏在數(shù)十億血液細(xì)胞之間的少量癌細(xì)胞。細(xì)胞分離晶片能夠找出隱藏在數(shù)十億血液細(xì)胞之間的少量癌細(xì)胞MEMS實現(xiàn)細(xì)胞分離在MEMS元件上形成的磁泡開

4、關(guān)位于細(xì)胞分離晶片核心的是一種成于MEMS元件上的磁泡開關(guān)。持續(xù)追蹤生物訊號智慧貼片可感應(yīng)與回報重要的健康相關(guān)數(shù)據(jù)。軟性電子導(dǎo)入新應(yīng)用軟性電子可用于LED手套軟性電子可用于LED手套,治療重覆壓迫性損傷(上圖),或應(yīng)用在可卷曲的有機(jī)發(fā)光二極體(OLED)顯示器(下圖)。軟性電子應(yīng)用在可卷曲的OLED顯示器多核心板卡IMEC與英特爾(Intel)在雙方合作的Exascale實驗室中采用多核心的 Xeon Phi 協(xié)同處理器,加速人類基因組測序??缛牍鈱W(xué)領(lǐng)域IMEC發(fā)布了一項低量的制程技術(shù),可制造出25Gbit矽光子元件原型。它包括了低損耗(2.5dB/cm)條狀波導(dǎo)、2.5dB插入損耗的光閘耦合器、50GHz鍺波導(dǎo)光電二極體,以及25Gb/s的 Mach-Zhender干涉儀與環(huán)形調(diào)變器。高解析度相機(jī)晶片CMOS成像器實現(xiàn)ultra-HD的解析度。邁向奈米科技之旅IMEC已規(guī)劃了邁向5nm元件的半導(dǎo)體開發(fā)藍(lán)圖。超越FinFET在10nm節(jié)點(diǎn)之后,IMEC認(rèn)為垂直與穿隧電晶體將取代日前的FinFET。新式圖案化技術(shù)晶片制造商需要更先進(jìn)的極紫外光微影與定向自組裝技術(shù)在5nm節(jié)點(diǎn)時,晶片制造商將需要增強(qiáng)其極紫外光微影技術(shù)以及定向自組裝技術(shù)(上圖) 。實驗室的技術(shù)原型

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論