晶圓處理工程用語

1、晶圓處理工程用語D1基本、共同用語編號用語（英文/中文）用語說明D1001unloader卸載機、卸貨機是將被加工對象（work）從所定位置取出之機構D1002Indexer指針器，索引器是指發(fā)送機（sender）與接收機（receiver）之總稱。在處理之前后，亦有使用同一匣盒使遮光罩（mask），晶圓等基板收納位置不會變化之單面匣式（uni-cassette）方式。D1003Waferautomatictransfersystem晶圓自動傳送系統(tǒng)是指將晶圓每次一片或每次多片，從匣盒自動轉移至各處理裝置之裝置。此一裝置是由匣盒載物臺（cassettestage）、晶圓搬運機器人，以及該接口所

2、構成，大都與匣盒搬運機械人搭配使用。D1004Waferhoist晶圓交接升降裝置系指有關晶圓輸送機構之晶圓交接升降機構。大都與附屬在輸送機構先端之晶圓承接臂成對搭配使用，位在交接之制程位置，由晶圓承接部分與驅動該部分之上下機構所組成。D1005Waferholder晶圓保持器系指有關形成薄膜之半導體制造裝置，在各種處理或晶圓輸送時，用來保持晶圓之裝置部分。D1006X-Ystage/X-Ytable從橫移動載物臺/從橫移動載物盤是指可將被加工對象（work）加以從橫方向移動，且可決定其精確位置之機構。D1007materialsafetydatasheet材料安全數(shù)據清單MSDS是指記錄化學

3、物質之物性、毒性、可燃性，反應性及處理方法之安全性數(shù)據清單。為確保使用瓦斯或藥品處理裝置在操作時之安全為目的，通常與使用說明書等附加在一起。D1008Orientationflatarrangeequipment晶圓定向平面擺齊裝置是指將匣盒內晶圓之定向平面加以擺齊在一個方向之裝置。為要檢查晶圓轉移傳送是否確實，或為要使晶圓在各處理裝置內之定向決定，能順利所使用之裝置。D1009cassette/magazine晶圓匣盒/晶圓收納盒是指將晶圓被加工對象整齊加以收納之裝置。為使晶圓加工對象在各制程上能容易進行搭載及卸在載為目的，所使用之匣盒。類同之用語有magazine一語。D1010casse

4、tte-to-cassettehandling匣盒間轉運處理系指從供給側晶圓匣盒，將晶圓每次一片自動加以取出，輸送至處理室處理后，將晶圓逐片收納在收納側晶圓匣盒之處理方式。D1011Availability利用度，利用率系指針對計劃運輸時間，實際可正常運輸時間之比率。D1012Substrate基板，基片是指成為處理對象之空白遮光罩（maskblank），晶圓等材料總稱.D1013Carrierbox指為要輸送或保管晶圓之容器.在制造過程上務編號用語（英文/中文）用語說明編號用語（英文/中文）用語說明運載盒必保持晶圓不至受到容器排放瓦斯之污染，輸送盒材質之鑒定至為重要目前，輸送盒以使用聚丙稀(

5、polypropylene)樹脂及聚碳酸脂(polycarbonate)的樹脂為主.D1014Clustertool組合設備公具指將不同裝置廠家之設備或不同制程之結合，或能將半導體裝置制造商獨特之制造模塊，加以裝配之多加工室(multichamber)制造裝置。是以美國半導體制造裝置廠家為中心之團體MESA(ModularEquipmentStandardArchitecture)所提倡者。D1015Pre-purge是指要使用熱處理爐、反應室或瓦斯配管系統(tǒng)之前，將純性瓦斯引進加以凈化之操作。D1016Costofownership是將半導體制造相關設備之投資，或將營運之經濟性評價基準，以經營

6、位皆加以模型化者。將制造裝置之壽命周期成本(lifecyclecost)，以裝置價格、生產性、可靠性及成品率等加以考量，而算出每一晶圓良品成本之方法。D1017Magneticcoupledfeedthrough磁耦合旋轉饋通是指利用N極S極之磁性結合力，將外旋轉驅動力傳達到真空氣氛內之旋轉機構。是一種非接觸旋轉，因多半在真空與大氣間隔著一道墻壁之構造，其真空密封壽叩為無限大，對超冋真空性能之維持很有效。D1018Magneticlevitationtransfer磁懸浮輸送是指利用磁性反斥力之非接觸性輸送機構。是由控制磁懸浮之控制電磁鐵、線性馬達及懸浮體等所構成，例如遮光罩或晶圓等之基片搭載

7、在懸浮體上來移動。在真空中使用時，因屬非接觸，無振動、無潤滑油及全然不產生灰塵，具有可獲得潔凈真空等大特點。D1019Robotforusinginvacuum真空機械人是指在真空室內，為要移送基板單體所使用輸送機構之總稱。為防止例如遮光罩，晶圓等基板受到微粒之污染，采用振動部極低之機構。就其功能而言，一般具有直進、旋轉、上下移動等功能。D1020Throughput生產量，工作數(shù)是單位時間內所能處理之遮光罩或晶圓等基板之工作數(shù)量。D1021Slowvent緩慢通氣是指將真空裝置之真空槽，恢復到大氣壓之過程中，經由調節(jié)電導閥，可以很小之導入速度緩慢加以通氣。其目的在于防止微粒飛揚。Softve

8、nt軟性通氣編號用語(英文/中文)用語說明D1022Slowpumping/slowroughing緩慢排氣是指將真空裝置從大氣壓開始真空排氣過程中，經由調節(jié)電導閥以很小之排氣速度緩慢加以排氣。其目的在于防止微粒飛揚。類似之用語有軟性排氣(softroughing)。Softroughmg軟性排氣D1023Electrostaticchuck靜電夾頭，靜電夾盤是在載物臺上設立介電層，對載物臺與晶圓間施加電壓，經由發(fā)生在兩者間之庫倫力，將晶圓加以吸住之機構。為要保持晶圓及溫度控制，可以在載物臺或輸送系統(tǒng)等。D1024Sender發(fā)送機是指將收納處理前之遮光罩或晶圓等基板之匣盒，加以搭載并將基板輸

9、送至處理裝置之機構。D1025Soaktime熱煉時間系指將退火裝置或真空蒸鍍裝置之加熱對象物，以不致蒸發(fā)之溫度加以維持之時間。就退火而言，指維持所希望時間，就真空蒸鍍法而言，指預備加熱溫升排氣之時間。D1026Softlanding軟性著陸旨在橫型之熱氧化裝置，熱擴散裝置及熱CVD裝置，將搭載晶元之晶舟，輸入或輸出制成反應管之際，不至于接觸管內壁，具有可抑制產生微粒功能之搬運裝置。D1027Turbomolecularpump渦輪式分子泵指具有汽渦輪機形之葉片，經由咼速旋轉之轉子，將與其葉片表面碰撞氣體分子給與運動量，以輸送氣體之運動量輸送式真空泵?？稍诜肿恿黝I域有動作。D1028Dummy

10、wafer仿真晶元，虛設晶圓指當裝置在試運轉中，分批處理晶圓時為要湊齊片數(shù)，或為承載效應等對策所使用，指實際沒有形成IC圖案的晶圓.D1029Chip?die芯片/小芯片指將用來制作無源(被動。組件、有源(主動)組件，或被制成集成電路為前提之半導體或絕緣物細片。有時亦可稱為(片狀器件)。請參閱cf.JIS.請參閱圖E-1002.D1030Turn-around-time一貫制程所需時間指將工件之完成產品所需要之時間。如何將產品提早完成，Q-TAT(QUICKTAT)D1031Dryvacuumpump干式真空泵指作為渦輪式分子泵或低溫泵(cryopump)(oilfree)指出加工，系瓦斯通路

11、不會混入油分之不沾油泵。通常可從大氣壓減壓至10-3PaD1032Batchprocessing分批處理系指每次可見多數(shù)片晶圓加以處理之方式。D1033Buffer緩衡容器系指可在裝置內暫時收納遮光罩或晶圓等基板之單兀。通常可分為使用載運閘盒，或使用專用治具者?；逯M出有先進先出(FIFO)，有后進先出(LIFO)之2種方式。D1034Footprint腳印系指將裝置設置在平面時，從正上方加以投影之總設置面積。編號用語(英文/中文)用語說明D1035Processinducedparticlecounter制程感應粒子計數(shù)器系指具有嚴格之試料氣體防漏機構，將試料流通路內鼻子殘留雜質徹底加以除

12、去之光散射式粒子計數(shù)器。系用來監(jiān)視半導體組件制造原料瓦斯，CVD或注入粒子裝置等減壓槽中之浮游粒子數(shù)。D1036Beltlesstransfersystem無帶式輸送系統(tǒng)是指將遮光罩或晶圓等基板背面，以諸如真空機械人或磁浮等非用直接輸送帶之基板輸送機構之總稱。以采用橡皮輸送帶或金屬性彈性帶之輸送，無法防止來自輸送帶材質之污染，因此今后均以無帶式輸送主流。D1037Singlewaferprocessing單晶圓處理方式是指將晶圓一片一片加以處理之方式。D1038Multi-chambervacuumsystem多式真空系統(tǒng)是指關于布線工程、薄膜形成工程等，經由將各個不冋制程適當加以搭配在一起，

13、且在一貫之氣氛下加以處理，為提升制程之總功能為目的，所構成之多室真空裝置。此一真空裝置有以輸送室為中心，在其周圍將制程室配制成放射狀型。以及以輸送室為中央，而將制程室配置在兩側之線形型等兩種。D1039Mechanicalchuck機械式夾頭是指利用機械爪具或環(huán)形吸盤等，將晶圓外周部加以機械式保持、安裝之機構。D1040Receiver接受匣盒是指搭載處理后之遮光罩，晶圓等基板之收納匣盒，及將基板由處理裝置取出之機構。D1041Recipe處理程序是指為要進行晶圓制程之處理控制，對制程裝置之制程次序，及控制參數(shù)（溫度，壓力，瓦斯之種類及流量，時間等控制目標值）等相關裝置個別之處理程序。D104

14、2Loader裝載機、裝料機指將加工對象（work）放置與所定位置或安裝之機構。D1043load-lockchamber加載互瑣真空室是不得將處理室暴露于大氣中，可進行晶圓之裝入與取出為目的之真空室。在處理室之前后或任一方配置一個閥，經由閥與真空排氣系統(tǒng)動作之搭配，可以經常保持處理室在真空狀態(tài)。D1044rapidthermalprocess快速熱處理是有關熱處理，為提升產量（throughput）等目的，將溫度作快速上升或下降等操作或制程。D1045in-situ就地，在現(xiàn)場，自然（環(huán)境）以往都將起當作另外制程進行之處理，卻將其編入其它制程內，諸如：in-situcleaning,in-s

15、itudoping,及in-situmonitoring可分另U當作就地清潔，自然（環(huán)境）摻雜，及現(xiàn)場監(jiān)視等使用。D1046Opencassette開放式晶圓匣是屬于可收納晶圓而在裝置間搬運之容器，由可支持晶圓之部位，與搬運時將容器本體加以把持之部位，以及由此等支持體所組成，其晶圓收納部成為開放狀態(tài)之晶圓搬運容器。編號用語（英文/中文）用語說明D1047Kinematiccoupling運動舉上之耦合在載物臺上配置有位于三角形頂點之三個凸狀，且具有3次元曲面之突出頭，在各個突出頭套上設在被載物體之3個顛倒V字形之嵌合罩，是用來進行位置決定之機構。被使用作300mm之晶圓搬運機(wafercar

16、rier)。具有較大之調準范圍與經由自動求心之較咼位置決定精確度為其特點。D1048Swiftstartupsystem快速啟動系統(tǒng)關于半導體等生產啟動，從初期階段起冋時將各裝置加以設置，邊決定制程條件，邊快速提高到全能生產時能力之快速生產啟動方法。D1049Thermalbudget熱預算系指在制程中，晶圓所受到的總熱量。是溫度及暴露于該溫度全時間的函數(shù)。D1050PIDtemperaturecontrolPID溫度控制是典型制程溫度控制方式之一種。使用P為比例，1為積分，D為微分等3種基本演算，將目標值與現(xiàn)有值間的差值變換成控制量者。針對PID各參數(shù)變更，可較為容易地預測其控制特性的變化。

17、D1051Pod密閉夾式容器為達成高度局部潔凈化需要，且降低潔凈室的營運成本為目的，是用作保存及輸送如晶圓等被處理體密閉容器的總稱。經由以下主要構成要素的選擇，可以考量有如下四種組合，容器內部可保持晶圓的匣盒部分，與容器為一體構造，(即匣盒部分為可拆開式或無法拆開式)。其開口部位在前面或底面者。D1052Processintegration加工整合，整合處理當靠量抑制加工研發(fā)的投資結果，在半導體制造裝置內，以一定的條件或環(huán)境下，將多項加工連續(xù)反復加以處理，在同一晶圓上重復加工，可以提升合格率或生產效率的技術。列如可以列舉以in-situ將蝕刻或濺射等，施加一連串的處理，且加以回收之多室裝置等。

18、D2薄膜形成用語編號用語(英文/中文)用語說明D2001Thinfilmdepositionsystem薄膜沉積系統(tǒng)是指有關半導體制造工程，可形成絕緣膜，電極布線膜，及半導體膜之裝置總稱。有關薄膜之形成原理可大略分成真空蒸鍍裝置，濺鍍(sputtering)系統(tǒng)等PVD(physicalVaporDeposition)系統(tǒng),CVD(ChemicalVaporDeposition)系統(tǒng)，及磊晶(epitaxial)生長系統(tǒng)。編號用語(英文/中文)用語說明D2002Injector注入器系指諸如CVD系統(tǒng)，磊晶生長系統(tǒng)等反映室內，注入瓦斯之噴出部。也可稱為噴嘴。nozzle噴嘴D2003Wafer

19、heatingmechanism晶圓加熱機構系指為加熱晶圓所護套加熱器，紅外線燈加熱器等的總稱。隨著晶圓之大口徑化，需要面內有均勻加熱性能，進年來在發(fā)熱體與晶圓背面間，使用He或Ar等瓦斯作為熱媒體，此一媒體加熱已成為重要技術。D2004SpinonglasscoatingSOG涂敷SOG涂布是指為要層間絕緣膜或平坦化，所使用涂敷有SOG(spinon-glass)膜之敷層。此一敷層使用將SiOx溶解于酒精俗稱調味料之藥液。敷層后進行硬化烘焙(400-700)使溶劑揮發(fā)。因藥液之粘度很高，有使用噴嘴洗滌及帽套洗滌機構之必要。D2005Overhang突出部分，懸垂物是指有關組件之穿孔(thro

20、ughhole)等，其段差部之縱橫比(aspectratio)較大時，上部段差部角較下部底面之膜厚為大，形成如冋雨檐突出部分之膜。D2006Shutter快門光匣是指位在薄膜形成裝置之蒸發(fā)源與晶圓間，所設置之遮斷板。薄膜形成中為打開。D2007Stepcoverage階躍式覆蓋率是指位在LSI等半導體組件薄膜表面上，有微細段差部之膜復蓋狀態(tài)。因有段差部之復蓋狀態(tài)，直接影響到布線之不正常斷線，成為產品合格率，品質下降之原因。D2008Planarization平坦化是指隨著布線之多層化，可以將縱向構造之段差凹凸情況，加以緩和之技術。就絕緣膜之平坦化法而言，有鍍膜(coating)法，偏濺射(bi

21、assputtering)法，平坦化熱處理(reflow)法、背面蝕刻(etchback)法，及剝離(liftoff)法。就金屬膜之平坦化法而言，有偏濺射法、CVD選擇生長法等。對于CMP法所能獲得跨于晶圓全面之平坦化，特別稱為全面平坦化。D2009Void空隙，空洞當將晶圓加熱時鋁等金屬膜構造將產生變化。此時，將有壓縮應力作用于布線材料膜，為緩和此一應力過程，將在表面上產生突起之結晶粒，在溫度下降之過程為要緩和張力，而在結晶粒界所產生之空隙。D2010Polyimidecoating聚酸亞胺涂敷是指為要形成保護膜、層間絕緣膜，所加以之涂敷聚酸亞胺膜。因聚酸亞胺粘性很高(1000-2000CP

22、)使用揮發(fā)性較低溶劑NMP(N-methylpydolidon)。涂敷后，為溶劑之揮發(fā)而在400C中進行硬化烘焙。編號用語(英文/中文)用語說明D2011Mousehole是指在組件圖案之段差部形成薄膜之際，由于側老鼠洞壁與平面間之膜質之不冋，往后在蝕刻制程中由部分系在咼速蝕刻下進行，而產生蛀蟲狀之洞穴。D2012Reflow圓滑熱處理，平坦化熱處理技術是指隨著LSI組件之積體化，為緩和較復雜之段差縱向構造，經由高溫熱處理謀求平坦化為目的，所使用之技術。將含有磷8-12%（重量百分比）之PSG膜,以CVD法加以沉積，經由大約1000C之咼溫熱處理，利用PSG之流動性將晶圓表面加以平坦化。為降低

23、玻璃之軟化點，亦利用對PSG膜摻入硼雜質之BPSG膜。注：PSG（phrasestructuregrammer）文句構造文法。D2013Wafercoolingstage晶圓冷卻夾片臺是指將編排在半導體制造裝置內之高溫晶圓，加以冷卻之夾片臺。亦稱為冷卻站（coolingstation）,氧化、退火裝置或抗蝕刻處理裝置，亦有此一設備。D2014Ferroelectricthinfilm鐵電薄膜強誘電體薄膜是指使用與電容器的PAT*1、BST*2、SBT*3等強電介體薄膜。是由MOCVD法，溶液汽化CVD法，濺射法，solgel法及涂敷法等所形成。注：*1：pbxZr1xTiO3;*2:BaxSr

24、1一xTiO3;*3:SrBi2Ta2O9.D2015Plasmatrap離子噴鍍系統(tǒng)是指在CVD裝置，為要保護真空泵等，利用等離子體去除所反應副生物的裝置。21真空蒸鍍裝置用語編號用語（英文/中文）用語說明D2101Vacuumevaporationsystem真空蒸鍍系統(tǒng)真空蒸著裝置是指在低于10-2Pa壓力的真空裝置內放置蒸發(fā)源，并在其周圍放置晶圓，經由加熱蒸發(fā)源使材料（金屬或某種化合物），在真空中將晶圓加以蒸鍍的裝置，蒸發(fā)源原子（或分子）由蒸發(fā)源汽化直接在晶圓基板上沉積凝積。D2102Resistanceheatingevaporation電阻加熱真空蒸鍍系統(tǒng)抵抗加熱真空蒸著裝置此一裝

25、置可以分類成以W,Ta,Mo等高熔點金屬，所制成加熱器或BN等復合材料加以通電，使蒸發(fā)材料直接加熱蒸發(fā)的直接加熱式裝置，以及由坩堝與發(fā)熱體所構成的間接加熱式裝置等2種。此一系統(tǒng)的真空蒸鍍裝置中，構造最簡單具備有能量上最穩(wěn)定狀態(tài)的特點。D2103Electronbeamevaporationsystem電子束蒸鍍系統(tǒng)系指將電子束照射于蒸發(fā)材料使其加熱，有利用其蒸發(fā)擊力來蒸鍍之裝置。就此一方法而言，坩堝因置于水中冷卻，坩堝材料中之雜質，混入蒸鍍膜之可能性較小，此法亦使用于咼融點物質，半導體或氧化物之蒸鍍。編號用語（英文/中文）用語說明D2104Inductionheatingevaporation

26、系指利用蒸發(fā)材料本身所感應之高頻電流，作為system感應加熱蒸鍍系統(tǒng)咼周波誘導加熱真空蒸著裝置加熱源之真空蒸鍍裝置。此一方法僅對電感應材料有效，而不能適用于絕緣體。此法可利用于不受荷電粒子損傷之蒸鍍裝置。D2105Ionplatingsystem離子噴鍍系統(tǒng)系指將晶圓置于陰極側，產生輝光放電，從蒸發(fā)源將蒸發(fā)原子加以電離化或激勵，加速后撞擊在基板上，且加以堆積之真空蒸鍍裝置。經由此法可以獲得密接性很強之被膜。具有可得膜質很優(yōu)良之化合物被膜等特點。D2106IonizedclusterbeamevaporationSystem成團離子線束蒸鍍系統(tǒng)系指在咼真空中，將102103個原子聚集成團加以電

27、離化，且加速撞擊堆積在晶圓上之裝置。以成團蒸發(fā)源作為蒸發(fā)源，且將蒸汽容器之蒸汽出口做成小噴嘴，促使容器內外壓力差很大以便噴出。此時，蒸汽在斷熱膨脹之過程下形成一團一團。成團之電離化，系利用熱電子放射燈絲與陽極，經由電子撞擊來進行。D2107Depositionrate蒸鍍速率系指每單位時間內，在晶圓上生成之膜厚。就真空蒸鍍法而言，稱為蒸鍍速率，就濺射法而言，稱為濺束鍍速率，就CVD法而言，可稱為沉積速率。D2108Evaporationsource蒸發(fā)源系指有關真空蒸鍍法中，將作為膜材料之蒸發(fā)材料，加以蒸發(fā)之加熱源。此一蒸發(fā)源以電阻加熱蒸發(fā)源，電子束蒸發(fā)源，感應加熱蒸發(fā)源為代表。D2109Ev

28、aporationmaterial蒸發(fā)材料系指經由蒸發(fā)源加熱使之蒸發(fā)，所稱為膜之物質。D2110Rotaryandrevolutionaryjig自轉公轉夾具系指有關蒸鍍裝置，所使用晶圓固定夾具之一種.針對蒸發(fā)源配置多數(shù)個（通常為3個）圓頂狀晶圓固定夾具，在蒸鍍中，因可進行各圓頂夾具之自轉與公轉，可得跨于廣大面積厚度均一之膜，同時階躍式覆蓋范圍具佳。D2111Domejig圓頂夾具系指內側能保持多數(shù)晶圓之圓頂狀晶圓固定器。在其中心軸設置蒸發(fā)源，且經由將圓頂加以公轉，可同時對多數(shù)之晶圓附著鈞一之膜。D2112Thicknesscontrol膜厚控制系在成膜制程中，經由厚膜計（水晶振蕩式，原子吸光

29、式及光學式等）來監(jiān)控膜及蒸鍍速度，使能成為所定膜厚，或保持一定之蒸鍍速度等控制。D2113Laserablation鐳射燒蝕系利用咼密度之光子照射，切斷蒸發(fā)材料表面之化學結合，使其蒸發(fā)而形成薄膜者。22濺鍍裝置用語編號用語(英文/中文)用語說明D2201Sputteringsystem濺鍍系統(tǒng)在真空中引進放電用瓦斯，若對電極間施加電壓，將產生輝光放電。此時等離子體(plasma)中之正離子撞襲到陰極之靶表面，而將靶原子掏出來。系指利用此一濺射現(xiàn)象，在晶圓上形成薄膜之成膜裝置。放電瓦斯使用氬氣(Ar)。D2202Diodesputteringsystem二極管濺鍍系統(tǒng)系指具有由一對陰極與陽極所成

30、之2極冷陰極輝光放電管構造之濺鍍裝置。陰極相當于靶子，而陽極兼作基板固定器之功能。產生輝光放電后，等離子體中之氬正離子撞擊到靶子表面，將靶原子掏出來，而將設置在陽極之晶圓上，形成薄膜。D2203DCdiodesputteringsystem直流二極管濺鍍系統(tǒng)系指具有由一對陰極與陽極所成之2極冷陰極輝光放電管構造，在電極間施加直流電壓，使產生輝光放電，在此系指利用位在陰極上靶子之濺射現(xiàn)象，來進行形成薄膜之濺鍍裝置。靶子材料只限于導電體。D2204RFdiodesptutteringsystem高頻二極管濺鍍系統(tǒng)指具有一對陰極與陽極所成之2極冷陰極輝光放電管構造，電極間主要施加13.56MHz之高

31、頻電壓，使之產生輝光放電，而利用位在陰極靶子表面濺射現(xiàn)象，來進行形成薄膜之濺鍍裝置。離子產生效率交直流2極方式為優(yōu)。除了金屬、半導體外，當然亦可使用于絕緣體，因而被廣泛使用。D2205Magnetronsputteringsystem直接電磁場型濺鍍系統(tǒng)在濺射法中，是指施加于陰極之電場與成直交之磁場搭配所構成裝置之總稱。電子受磁場之作用開始作擺線運動(trochoidalmotion)，因要推進很長之距離，而與瓦斯分子間之碰撞頻度大增，克維持咼離子電流密度放電，因此可作到咼速濺鍍。D2206Magnetronsputteringsystem磁控管濺鍍系統(tǒng)是指經由磁控管原理施加交叉之點磁場，使從

32、陰極產生之電子進行擺線運動，在靶子表面形成咼密度等離子體，可以較低電壓來提高濺鍍速度之高功率效率濺鍍裝置。從與潘寧(Penning)冷陰極放電同一原理，來進行產生離子潘寧磁控應用，而稱為磁控管濺射法。D2207Planarmagnetronsputteringsystem平面磁控管濺鍍系統(tǒng)是指磁力線由平板狀靶子之背面出來，再回到靶子側之構造，具有此一陰極構造之磁控管型濺鍍裝置。磁場在靶上成為環(huán)形(racetrack)狀構造，電子一旦進入該空間就被封閉在內無法跑出來。D2208Coaxialmagnetronsputteringsystem同軸磁控管濺鍍系統(tǒng)是指陰極與陽極具有同軸圓筒狀構造之磁控

33、管型濺鍍裝置。在中心圓筒狀之靶子內部，收納有多數(shù)個圓筒狀磁鐵，經由在靶子表面產生平行之磁場，可維持磁控管放電。亦有將陰極與陽極相反配置之反向同軸磁控管濺射方式。編號用語(英文/中文)用語說明D2209Sputter-gunsputteringsystem是針對具有圓錐臺狀之靶子，在其背后配置磁通濺射槍濺鍍系統(tǒng)路，而可在靶表面產生平行磁場之構造，是指具有此一陰極構造之磁控管型濺鍍裝置。靶子形狀具有特征，是屬于使用效率很優(yōu)異之靶子。D2210Facingtargetsputtering(FTS)system相面對靶子濺鍍系統(tǒng)是指有2個互相面對之平板陰極，與沿著其中心軸之磁場，搭配而成磁控管型之濺鍍

34、裝置。電子被封閉在相面對之陰極間，產生高密度之等離子體。對磁性體之咼速濺鍍很有效。D2211Thermoionicassistedtriodesputteringsystem三極管熱離子輔助濺鍍系統(tǒng)是指利用熱陰極放電之濺鍍裝置。因具有電子供應燈絲，相面對陽極及陰極等3極，而稱為熱離子輔助三極管濺射方式。因熱離子產生機構獨立，具有將靶電壓在廣泛圍內，單獨加以控制之特點。D2212Thermoinicassistedtetrodesputteringsystem四極管熱離子輔助濺鍍系統(tǒng)是在三極管熱離子輔助濺鍍裝置中，在燈絲前側附加熱電子控制用柵極，而成為四極管熱離子輔助濺鍍裝置。是為提升熱離子之控

35、制性，由三極管熱離子輔助濺鍍裝置，進一步加以發(fā)展出來者。D2213Ionbeamsputteringsystem離子束濺鍍系統(tǒng)是指針對置于高真空氣氛中之靶子，將從獨立離子源以咼能加速引出來之離子加以撞擊，可在10-：Pa以下低瓦絲壓力下，進行成膜之濺鍍裝置。D2214Biassputteringsystem偏壓濺鍍系統(tǒng)是指以負偏壓施加于晶圓為特點之濺鍍裝置。離子之一部將流入基板，雖然在成膜過程中晶圓面，因受到離子之沖擊將吸附在膜面之雜志瓦斯驅離出來，除能進行純水作用外，其它可當作對階躍式覆蓋范圍(stepcoverage)之改善，以及膜面平坦化效應之改善等為目的，加以利用。D2215React

36、ivesputteringsystem反應性濺鍍系統(tǒng)是指隨著一種化學反應而產生之化合物薄膜(氧化膜或氮化膜等)，可附加在素材之濺鍍裝置。除了氬氣外，將活性瓦斯引入濺鍍室，列如對素材如加以濺射金屬，可形成金屬化合物之薄膜。D2216Co-sputteringsystem共同濺鍍系統(tǒng)是指將2種以上具有不同成分兀素指靶，同時加以濺鍍，可獨立將個別功率加以控制，能制作經由此一組成所能控制之膜濺鍍裝置?？衫糜谀纬捎?種以上之元素合金或化合物薄膜。D2217ElectronCouplingResonance(ECR)sputteringsystem電子耦合諧振濺鍍系統(tǒng)是指施加微波與磁場，使之產生電子回

37、旋加速器共振放電，籍以進行將等離子體(plasma)與靶電位，獨立加以控制之濺鍍裝置。D2218Cathode/targetelectrode陰極/靶電極在濺鍍裝置中，是將靶子設置在陰極表面被加以濺鍍。此一型裝置之陰極有時亦可稱為靶電極(targetelectrode)。D2219Collimatesputtering準直濺鍍是指對從橫尺寸比(aspectratio)較大之接觸孔(contacthole。加以鍍膜之際。為使至底部亦能或充分之膜厚，在靶子與晶圓間插入格子狀板，具有強制地提高垂直成分機構之建設。編號用語(英文/中文)用語說明D2220Sputteringrate系指有關濺鍍裝置，每

38、單位時間之成膜厚度。濺鍍速率D2221Sputteringyield濺射二次放射系數(shù)系指針對每一個入射離子或中性粒子，從靶子表面被掏出來之原子或分子數(shù)目之統(tǒng)計性比例。濺射二次放射系數(shù)，依離子之種類，能量之大小，離子入射角，靶子材質，靶子結晶構造及面方位而變化。D2222Target靶子系指在濺鍍裝置中，設置于陰極表面，被離子撞擊成膜之材料物質。D2223Efficiencyoftargetutilization靶子利用效率系指針對使用前之靶容積，對消耗容積之比例。位在磁控管陰極上靶材料之消耗，系被夾在磁極之特定領域（浸蝕領域）內進行。此一浸蝕領域之消耗深度，可以確定靶子之壽命。D2224Bac

39、kingplate支撐板系指在濺鍍裝置中，將靶子固定在陰極時，所用之靶固定板。利用例如磁控管濺鍍裝置這樣大電流密度放電之場合，為防止靶本身之溫度上升，將靶子連接固定在支撐板上，藉以充分冷卻支撐板本身。D2225Pre_sputtering系指在濺鍍裝置中，在晶圓成膜之前，靶子表面污染層之去除，或為靶表面之安定為目的，所進行之預先濺鍍處理。通常將快門光閘關閉狀態(tài)下進行濺射。D2226Forcefillprocess系指濺射法等對覆蓋之洞穴進行A1布線之際，在加熱狀態(tài)下，將靶與基板間距離離遠一點，且可在低壓下安定加以放電之濺射法。D2227Longthrowsputteringmethod系屬于提

40、升根本覆蓋范圍之一種方法，為僅將濺射粒子之垂直成分能到達基板，將靶與基板間距離離遠一點，且可在低壓下安定加以放電之濺射法。23CVD裝置用語編號用語（英文/中文）用語說明D2301Chemicalvapordepositionsystem化學汽相沉積系統(tǒng)系指將可構成薄膜材料之兀素，一種或數(shù)種之化合物瓦斯、單體瓦斯供給晶圓，經由汽相或在晶圓表面之化學反應，可形成所希望薄膜之裝置。若擬激勵瓦斯，通常要使用熱能或等離子體放電。最近以光（雷射光或紫外線等）激勵之CVD裝置亦漸接近實用化。D2302ThermalCVDsystem熱激勵CVD系統(tǒng)熱CVD裝置系指以熱能作為激勵CVD反應之裝置總稱。就熱之

41、發(fā)生源而言，電阻加熱方式與紅外線燈加熱方式。因受反應室內瓦斯壓力，又可分成大氣壓CVD裝置，與低壓CVD裝置。編號用語（英文/中文）用語說明D2303AtmosphericpressureCVD系指反應室內壓力，為大氣壓之CVD裝置。其system大氣壓CVD系統(tǒng)常壓CVD裝置特點為沉積速度快，比較上其階躍式覆蓋范圍較佳。D2304LowpressureCVDsystem低壓CVD系統(tǒng)減壓CVD裝置/低壓CVD裝置系指將反應室保持在減壓（低壓）狀態(tài)之CVD裝置。其特點為可進行晶圓表面之均一反應，比較上其階躍式覆蓋范圍較佳。為此已下過很多功夫。D2305VerticallowpressureCV

42、Dsystem垂直型低壓CVD系統(tǒng)縱型減壓CVD裝置系指將反應管及加熱器，配置成垂直之低壓CVD裝置。與水平型比較設置面積較小，因負載鎖定（loadlocking）化容易，逐漸成為主流。D2306MetalorganicCVDsystem有機金屬CVD系統(tǒng)有機金屬CVD裝置/MOCVD裝置系指利用有機金屬化合物之熱分解反應，來制作化合物半導體膜之CVD裝置。與經由汽相磊生成法，所生長化合物半導體單結晶之MOVPE裝置，雖有所分但裝置構成上有很多類同點。Organo-metallicCVDsystem有機金屬CVD系統(tǒng)OMCVD裝置D2307PlasmaenhancedCVDsystem等離子體

43、增強CVD系統(tǒng)系指在低壓下，經反應性瓦斯之等離子體放電分解，可形成薄膜之CVD裝置之總稱。與熱激勵CVD法不同，具有可在較低溫CVD反應之特點。將等離子體之產生能量，若以頻率為主加以分頻時，有高頻等離子體，微波等離子體，ECR等離子體等各種裝置。D2308RFplasmaenhancedCVDsystem高頻等離子體增強CVD系統(tǒng)系指在低壓下，經由反應性瓦斯之高頻輝光放電分解，可形成薄膜之CVD裝置。經由裝置構造，可分頻為電容性耦合型及電感性耦合型。D2309CapacitivecoupledplasmaenhancedCVDsystem電容性耦等離子體增強CVD系統(tǒng)系指對設置在石英反應管之外

44、側或內側相面對電極間，施加電壓產生低壓反應瓦斯之等離子體，經由等離子體分解可在晶圓上，形成薄膜之CVD裝置。D2310MultipleparallelplateelectrodeplasmaenhancedCVDsystem多平行電極等離子體增強型CVD系統(tǒng)系指對石英反應管內插入多數(shù)平行電極板，在此電極上設置有多數(shù)成垂直之晶圓，具有此一構造之電容性耦合型等離子體CVD裝置。在相面對平行電極板間，施加高頻功率產生低壓反應瓦斯之等離子體，而形成薄膜D2311DiodeparallelplateenhancedCVDsystem二極管平行板等離子增強型CVD系統(tǒng)系指反應室內有2片平行電極板相對，在內

45、建有加熱器之一側電極板上設置晶圓，在互相面對之電極間施加高頻電壓，使之產生低壓反應瓦斯之等離子體，使晶圓上形成薄膜之電容性耦合型等離子體CVD裝置。編號用語（英文/中文）用語說明D2312Coaxialcylindricalplasma指對圓筒型外部電極內部，配置同軸狀多面體之enhancedCVDsystem同軸圓筒型等離子增強型CVD系統(tǒng)晶圓固定電極，此一電容性耦合等離子體增強型CVD裝置。在二電極間施加高頻電壓，使之產生低壓反應瓦斯之等離子體，而在晶圓上形成薄膜。D2313InductivecoupledplasmaenhancedCVDsystem電感性耦等離子體增強CVD系統(tǒng)系指繞在

46、石英反應管外側之線圈施加咼頻電壓，使之產生低壓反應瓦斯之等離子體，使設置在反應管內之晶圓上，形成薄膜之等離子體CVD裝置。D2314MicrowaveplasmaenhancedCVDsystem微波等離子體增強型CVD系統(tǒng)系指具有由微波導波管，與產生等離子體瓦斯導入口，經由微波激勵之等離子體放電室，所構成之等離子體CVD裝置。在經由微波所產生等離子流之下游，引進反應瓦斯，可在內建有加熱器（susceptor）內，于低溫形成薄膜。亦有將反應瓦斯直接引進等離子體放電裝置之方法。D2315AfterglowmicrowaveplasmaenhancedCVDsystem隔離型微波等離子體增強型CV

47、D系統(tǒng)系指將經由微波將等離子體產生室與成膜室加以隔離，期間以輸送通路加以連接之微波等離子體增強型CVD裝置。因晶圓沒有暴露在等離子體下，具有不受等離子體影響之低損害成膜之特點。D2316ElectronCouplingResonance(ECR)plasmaenhancedCVDsystemECR等離子體增強型CVD系統(tǒng)是指由微波導波管連接而在周圍設有磁場產生機構之等離子體室,與收納晶圓之反應室，所構成之CVD裝置.經由2.45GHz之微波與875G之磁場，利用離子源來產生咼密度之等離子體，將反應性瓦斯加以分解，于低溫下在晶圓上形成薄膜D2317PhotoassistedCVDsystem光輔

48、助型CVD系統(tǒng)光CVD裝置是指經由光能將氣體分子加以分解,于低溫在晶圓片上形成薄膜之CVD裝置因所使用光源，可分類成雷射CVD裝置與紫外線燈CVD裝置.D2318LaserassistedCVDsystem雷射輔助型CVD裝置是指經由雷射光能將氣體分子加以分解，與低溫在晶圓片上形成薄膜之CVD裝置因所使用雷射（由電子激勵）,與紅外線雷射（由振動激勵）等CVD裝置.D2319UltravioletlampheatingCVDsystem紫外線燈加熱型CVD系統(tǒng)是指由紫外線燈光裝置，與內建有晶圓片加熱器之反應室，所構成之CVD裝置紫外線光源要使用可產生200nm-300nm之紫外線，或200nm以

49、下之真空紫外線波長范圍之燈泡總之，反應分子之光分解，是利用瓦斯分子之位能（potentialenergy）吸收紫外線，將其提高到電子激勵狀態(tài)，然后加以分解之原理.。D2320Liquidsourcedeliverysystem液體源輸送系統(tǒng)系指將Si或金屬化合物等液體源，加以汽化并連續(xù)輸送一定量至反應室之裝置。慣用之起泡方法，系將輸送量以汽化瓦斯之流量加以控制之方法（直接法）與以液體之流量加以控制，然后加以汽化之方法已被研發(fā)，依反應室之壓力條件，或液體源之蒸汽壓，分開使用。編號用語（英文/中文）用語說明D2321Radiofrequencyworkcoil系指當將Si或GaAs等之半導體晶圓加

50、以加熱之高頻工作線圈際，為要加熱搭載此等被加熱體之承受器，在其近旁所配置之感應線圈。對感應線圈施加高頻電壓，由于被加熱體屬于導體，因受電磁感應而產生渦電流，而以渦電流所產生之熱來加熱被加熱體。D2322Coldwall冷壁在CVD裝置中，系利用內建在反應室中來自加熱器，或紫外線燈泡之放射熱或高頻加熱，將晶圓加以加熱之方法。因反應室之內壁溫度不致成為高溫，與熱壁相對而稱為冷壁。D2323Depositionrate沉積速度系指在晶圓片上每單位時間之生長膜厚。使用于CVD成膜方法之場合較多。D2324Chambercleaning反應室清除是指將附著在反映室內之反應殘渣加以清除之方法。就干蝕刻(d

51、ryetching)法而言，有利用瓦斯之化學蝕刻(chemicaletching)法，與等離子體清除(plasmacleaning)法。D2325TEOS-O3atmosphericpressureCVDmethodTEOS-O3大氣壓CVD法TEOS-O3CVD法是指以屬于液體源之TEOS*作為反應源，以O3作為氧化劑，在大氣壓下形成SiO2膜之CVD法。具有優(yōu)越之階躍式覆蓋范圍，與高生產量(through-out)為期特點。有時以B、P作為殘雜(dopant)。*tertraetylorthosilicate:SiQClCHJq，冠其頭一字而稱為TEOS。D2326Reactiontube

52、反應管是指在CVD裝置或磊晶生長裝置等熱處理裝置中，反應部形狀為管狀者。是以高純度石英管被用作反應管材。D2327Reactionchamber/reactor反應室/反應器是指在CVD、磊晶生長裝置等所用之成膜室。可以收納晶圓、晶圓保持架(waferholder)及承授Depositionchamber沉積室，蒸鍍室器(susceptor).特別以咼純度石央制作之管狀者，稱為反應管。反應室有時亦稱為沉積室。D2328Plasmacleaning等離子體清除，電漿清除是指在CVD裝置中，經由反應氣體離子體之產生，將附著于反應室內之膜，加以清除之方法。D2329PlasmaTEOSCVDmeth

53、od等離子體TEOSCVD法是指對低壓CVD之反應室輸送TEOS作為反應瓦斯，經由對電極間施加高頻電壓來產生等離子體，而在晶圓片上形成SiO2膜之方法。有時以B、P作為摻雜劑。D2330Pre-cleaningchamber預先清除室是指在蒸鍍或沉積前，將晶圓片表面加以清除之專用處理室。大都使用于多室腔型之裝置。D2331Hotwall熱壁是指在CVD裝置中，利用由反應室之外側加熱器，來進行加熱反應器內晶圓之方法。因此反應室內壁溫度為高溫，而稱為熱壁。編號用語(英文/中文)用語說明D2332MetalCVDmethod是指利用金屬化合物之熱分解，來形成金屬膜之金屬CVD法CVD法。為對應于細微圖案之布線、填坑及平坦化，可選擇WCVD、覆蓋（blanket）WCVD已被實用化。其它作為位障（barrier）層之形成或布線材料，已經研發(fā)了好多種金屬之成膜方法。D2333Excludingbacksidedeposition防止背面沉積系指可防止在晶圓背面生成薄膜之構造及其方法。在金屬CVD法中，反應瓦斯會迂回到晶圓背面，進行不完全成膜，此法大都為防止因剝離有時會產生微粒時使用。D2335D