存儲器技術精品課件

1、存儲器技術第1頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二Home內容簡介3.存儲器簡介第2頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二Home重點與難點3.存儲器簡介第3頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二HomeNext3.1 存儲器簡介1點擊演示！1.存儲器分類第4頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二HomeNext3.1 存儲器簡介2點擊演示！內存儲器按其在微機系統(tǒng)中的位置可分成兩大類： HomeNextBack第5頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二2.存儲器的主要性能指標HomeBack33.1 存

2、儲器簡介 存儲容量 存取速度 可靠性 功耗 性能/價格比第6頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二1.靜態(tài)讀寫存儲器 （SRAM）13.2 讀寫存儲器 (以6264芯片為例)8K8bit的CMOS RAM芯片HomeNext第7頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二6264芯片與系統(tǒng)的連接23.2 讀寫存儲器D0D7A0A12WEOECS1CS2A0A12MEMWMEMR譯碼電路高位地址信號D0D7 HomeNextHomeNextBack第8頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二6264芯片與系統(tǒng)的連接33.2 讀寫存儲器D0D7A0A1

3、2WEOECS1CS2A0A12MEMWMEMR譯碼電路高位地址信號D0D7 HomeNextHomeNextBack第9頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二2.動態(tài)讀寫存儲器 （DRAM）43.2 讀寫存儲器特點：DRAM是靠MOS電路中的柵極電容來存儲信息的，由于電容上的電荷會逐漸泄漏，需要定時充電以維持存儲內容不丟失（稱為動態(tài)刷新），所以動態(tài)RAM需要設置刷新電路，相應外圍電路就較為復雜。刷新定時間隔一般為幾微秒幾毫秒DRAM的特點是集成度高（存儲容量大，可達1Gbit/片以上），功耗低，但速度慢（10ns左右），需要刷新。DRAM在微機中應用非常廣泛，如微機中的內存

4、條（主存）、顯卡上的顯示存儲器幾乎都是用DRAM制造的。HomeNextHomeNextBack第10頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二53.2 讀寫存儲器典型的動態(tài)存儲器芯片2164A2164A：64K1采用行地址和列地址來確定一個單元；行列地址分時傳送，共用一組地址線；地址線的數量僅為同等容量SRAM芯片的一半。10001 0 0 0列地址HomeNextHomeNextBack第11頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二63.2 讀寫存儲器動態(tài)存儲器芯片2164A的工作原理三種操作： 數據讀出 數據寫入 刷新將存放于每位中的信息讀出再照原樣寫入原單

5、元的過程。HomeNextHomeNextBack第12頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二3.可重寫的只讀存儲器（EPROM）73.2 讀寫存儲器特點： 可多次編程寫入； 掉電后內容不丟失； 內容的擦除需用紫外線擦除器。HomeNextHomeNextBack第13頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二83.2 讀寫存儲器8K8bit芯片，其引腳與SRAM 6264完全兼容地址信號：A0 A12數據信號：D0 D7輸出信號：OE片選信號：CE編程脈沖輸入：PGM典型的EPROM 2764HomeNextHomeNextBack第14頁，共25頁，2022

6、年，5月20日，16點5分，星期二93.2 讀寫存儲器EPROM 2764的工作方式編程寫入的特點：每出現(xiàn)一個編程負脈沖就寫入一個字節(jié)數據數據讀出編程寫入擦除標準編程方式快速編程方式工作方式HomeNextHomeNextBack第15頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二4.電擦除可編程只讀存儲器（EEPROM）103.2 讀寫存儲器特點： 可在線編程寫入； 掉電后內容不丟失； 內容的擦除需用電擦除器。HomeNextHomeNextBack第16頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二3.2 讀寫存儲器8K8bit芯片13根地址線（A0 A12）8位數據線

7、（D0 D7）輸出允許信號（OE）寫允許信號（WE）選片信號（CE）狀態(tài)輸出端（READY/BUSY）典型的EEPROM 98C64A11HomeNextHomeNextBack第17頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二3.2 讀寫存儲器EEPROM 98C64A的工作方式12數據讀出編程寫入擦除字節(jié)寫入：每一次BUSY正脈沖寫 入一個字節(jié)自動頁寫入：每一次BUSY正脈寫 入一頁（1 32字節(jié)）字節(jié)擦除：一次擦除一個字節(jié)片擦除：一次擦除整片HomeNextHomeNextBack第18頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二5.閃速EEPROM（FLASH）

8、133.2 讀寫存儲器特點： 通過向內部控制寄存器寫入命令的方法來控制芯片的工作方式，而非用引腳的信號來控制芯片的工作。應用： BIOS，便攜式閃存硬盤HomeNextHomeNextBack第19頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二HomeBack3.2 讀寫存儲器FLASH的工作方式14數據讀出編程寫入 擦 除讀單元內容讀內部狀態(tài)寄存器內容讀芯片的廠家及器件標記數據寫入，寫軟件保護字節(jié)擦除，塊擦除，片擦除擦除掛起第20頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二HomeNext3.3 存儲器擴展技術1位擴展擴展每個存儲單元的位數字擴展擴展存儲單元的個數字位擴

9、展二者的綜合用多片存儲芯片構成一個需要的內存空間，它們在整個內存中占據不同的地址范圍，任一時刻僅有一片（或一組）被選中。第21頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二HomeNext2HomeNextBack3.3 存儲器擴展技術位擴展存儲器的存儲容量等于： 單元數每單元的位數當構成內存的存儲器芯片的字長小于內存單元的字長時，就要進行位擴展，使每個單元的字長滿足要求。位擴展方法： 將每片的地址線、控制線并聯(lián)，數據線分別引出。位擴展特點：存儲器的單元數不變，位數增加。字節(jié)數字長第22頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二HomeNext3HomeNextBack

10、3.3 存儲器擴展技術字擴展擴展的含義：地址空間的擴展。芯片每個單元中的字長滿足，但單元數不滿足。擴展原則：每個芯片的地址線、數據線、控制線并聯(lián)，僅片選端分別引出，以實現(xiàn)每個芯片占據不同的地址范圍。第23頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二HomeNext4HomeNextBack3.3 存儲器擴展技術字位擴展根據內存容量及芯片容量確定所需存儲芯片數；進行位擴展以滿足字長要求；進行字擴展以滿足容量要求。若已有存儲芯片的容量為LK，要構成容量為M N的存儲器，需要的芯片數為： （M / L） （N / K）第24頁，共25頁，2022年，5月20日，16點5分，星期二本章小 結通過本章的學習：熟悉存儲器的分類及各類存儲器的特點和使用場合； 熟悉半導體存儲器芯片的結構；掌握S