紅外探測器知識

1、31311312dd/nnW/cmcmdncm/Wcm/Wd/d*313*bb*bbK*cm/W*314*b/b/bbb*/W/W*315dIIid316*pp*,p*(,)bb光譜響應率*/p31732321322(MCT)等，光伏型本征探MCT。體。在非本征材料中，只有一種載流子提供導電率，nSiX、GeX。鍺、硅323ddlded324Iee3253261.5um。光電倍增管就是一種利用光電發(fā)射效應的探測器，可用327量子阱紅外光子探測器（QWIP）是由非常薄的與其它光子探測器相比，QWIP33331332嚴格地說，利用輻射熱效應而引起電阻變化的熱探測器應稱之為測熱輻射計入射輻射功率增量

2、，W;d探測元溫度增量，K;e探測元有效熱導，WK探測元熱容，JKdCe333ddddP/C效應。Peltier334CidddiidddeeeeeCeede/eee3434135湊，輕便，功耗也大幅度下降。用于戰(zhàn)術應用的光導HgCdTe200。英國也較大，所以并不合適制成大陣列。因此，70年代，HgCdTePbS、PbTe、PtSi342工作溫度（K）1.5601331210165251225832343關，這樣可對某特定波長的響應最優(yōu)化。光伏HgCdTe外應用，可以在更高的溫度下工作，甚至室溫或室溫以上。光伏HgCdTe1000Hz，而在高增益情況下，1/f2）元長線列器件。PtSi路做在

3、探測器/讀出芯片四周的單片結構。售。PtSi光譜區(qū)，PtSi0.1%1%。因此，PtSi2）InSb3）非本征硅探測器10%50%。非本征硅探測器主要用于低背景天文應用。4）PbS3%10%，量子效率最高可達35351的噪聲功率(噪聲電壓平方)，也可表示為單位根號帶寬內(nèi)的噪聲電壓。即n的噪聲功率(噪聲電壓平方)，也可表示為單位根號帶寬內(nèi)的噪聲電壓。即n352P()/(Pd*d()/dd*.對于受白噪聲(噪聲大小與頻率無關)限制的探測器,*.對于受其他形式噪聲限制的*ndd也稱調制噪聲或閃爍噪聲,3533531oFoFiN/iiN/ooFFNNFFNNiFNoiNN(NF)iiFNiFNNFNi

4、ii35321，即前放輸出的信噪比盡量接近探測器輸出的信噪比。這樣即前放在放大過程中EnInEEEEEInnEEEEEEoptE/Inopt3533型導電溝道。P噪聲電壓、噪聲電流的頻譜?？梢钥闯?，它們的最佳源電阻不同。BJT最低，JFET3534rrieienneeiiii36361e/()()eed如果電子頻帶不夠寬，檢測到的信號必定小于峰值,()dde)dd/2/3。代入dddd362d探測器輸iiniiiiniiW/Wd/Wiidiiiiinini/inPd363N)dd()do()dooNo()doooo/oodNNN*dNNdNdddNWdFo敏度，需要引入最小可分辨溫差（MRTD

5、）的概念。364NJlooood)l()dFdoJoF：系統(tǒng)瞬時視場立體角,o37371功能很有好處，但是，Z372讀出集成電路（ROIC）是把焦平面的各種功能集成在單一的半導體芯片中的高集成度測器端依次傳輸?shù)阶钌俚妮敵龆?。ROIC加緩沖放大的自積分電路(SFD)電容反饋跨阻放大器（CTIA）入阻抗增加，導致偏置不穩(wěn)。另外，每一積分周期后DI前，光電流必須按比例減小。CM電路都具有這樣的功能，CM更小的電流。CM電阻反饋跨阻放大器（RTIA）3733731電阻反饋跨阻抗放大器（RTIA）是連續(xù)輸出與輸入（光子）電流成正比的信號，送至采樣/保持和多路傳輸電路。/iphphpheinen3732電

6、容反饋跨阻抗放大器（CTIA）3733電容上積分，此電容主要由探測器電容形成，但也包括互連和MOSFET374374137423743NN3753751重復，實現(xiàn)信號電荷包的轉移。在轉移過程中，CCD3752（phcm376電荷。因此，NECdetdetqq積分器地傳遞函數(shù)會降低噪聲功率帶寬。NECidet/detdd（Arms）qIdRtRtdetdet/det（Arms）det3776080dB。要獲得大的動態(tài)范圍，必須增加信號的飽和值和盡可能減小基準噪聲。對給定12133783781器件的主要技術參數(shù)如下:預冷時間(分鐘)表328842）焦平面結構和讀出電路28841Mhz。故采用多路并行輸出的辦法，該器件共有存貯池的深度。PH存貯池之間設置了隔板，在積分時間內(nèi)，PH越長，C2存貯的電荷就越多。因此，PH的原理與此相仿，積分周期結束時，PH無比例分配/無撇除4）級注入上一幀的光生電荷后，各自開始下一幀的積分。第1累加。因此，最后轉移到輸出級的電荷是延時9幀的1像元電荷、以及當前幀的423782作為熱敏型室溫焦平面面陣的范例。