電大光伏檢測與分析形考作業(yè)任務(wù)0104網(wǎng)考試題及

1、最新電大光伏檢測與分析形考作業(yè)任務(wù)01-04網(wǎng)考試題及答案100%!過考試說明：光伏檢測與分析形考共有4個任務(wù)。任務(wù)1至任務(wù)4是客觀題，任務(wù)1至任務(wù)4需在考試中多次抽取試卷，直到出現(xiàn) 01任務(wù)_0001、02任務(wù)_0001、03任務(wù)_0001、04任務(wù)_0001試卷，就可以按照該套試卷答案答題。做 考題時，利用本文檔中的查找工具，把考題中的關(guān)鍵字輸?shù)讲檎夜ぞ叩牟檎覂?nèi)容框內(nèi)，就可迅速查找到該題答案。本 文庫還有其他教學(xué)考一體化答案，敬請查看。01任務(wù)01 任務(wù)_0001一、單項選擇題（共 10道試題，共20分。）.緩沖劑一般是（）。A.強(qiáng)酸強(qiáng)堿B.弱酸弱堿C.弱酸D.弱堿. 一般認(rèn)為利用金屬與半

2、導(dǎo)體的點接觸整流原理來測 量導(dǎo)電類型的方法適用于室溫電阻率在（）的硅單晶。A.小于 1000 ? cmB. 1 1000 ? cmC.大于 1000 ? cmD.以上皆不是.目前國內(nèi)外廣泛采用（）測量半導(dǎo)體硅單晶電阻率。A.兩探針法B.四探針法C.擴(kuò)展電阻法D.范德堡法.用冷熱探筆法測量（）半導(dǎo)體時，冷端帶正電，熱端帶負(fù)電。P型N型PN 型D.以上皆不是.半導(dǎo)體器件廠就是用一定型號的（）來生產(chǎn)出所需要的半導(dǎo)體元件。A.單晶B.多晶C.非晶D.以上皆不是.漩渦缺陷的A缺陷比B缺陷（）。A.大B.小C. 一樣大小D.未知.（）是半導(dǎo)體中最主要的缺陷，它屬于線缺陷。A.空位B.位錯C.層錯D.雜質(zhì)沉

3、淀.（）是最簡單的點缺陷。A.空位B.填隙原子C.絡(luò)合體D.外來原子.三探針法屬于利用半導(dǎo)體的（）來測量導(dǎo)電類型的方法。A.溫差電效應(yīng)B.整流效應(yīng)C.以上二種皆可D.以上二種皆不可.（）是影響硅器件的成品率的一個重要因素，也是影響器件性能的穩(wěn)定性和可靠性的重要因素。半導(dǎo)體中非平衡少子載流子壽命的大小對半導(dǎo)體器件的A.點缺陷（）有直接影響。B.線缺陷A.太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率C.面缺陷B.晶體管的放大倍數(shù)D.微缺陷C.開關(guān)管的開關(guān)時間D.太陽能電池的填充因子二、多項選擇題（共 10道試題，共30分。）6.1.半導(dǎo)體硅的常用腐蝕劑主要后（）。國內(nèi)外半導(dǎo)體硅單晶導(dǎo)電類型的測量具體方法有（）。A.

4、Sirtl 腐蝕液A.冷熱探筆法B. Dash腐蝕液B.三探針法C. Wright 腐蝕液C.單探針點接觸整流法D. Shimmel腐蝕液D.冷探筆法7.2.直流光電導(dǎo)技退法的缺點主要后（）。半導(dǎo)體晶體缺陷中的宏觀缺陷主要后（）。A.對樣品有幾何形狀和幾何尺寸的要求A.星形結(jié)構(gòu)B.要求制備符令一定要求的歐姆接觸B.雜質(zhì)析出C.測量下限較局C.系屬結(jié)構(gòu)D.儀器線路比較復(fù)雜D.8.點缺陷局頻光電導(dǎo)技退法的缺點主要后（）。3.A.儀器線路比較復(fù)雜高頻光電導(dǎo)衰退法的優(yōu)點主要有（）。B.干擾比較大A.樣品無需切割成一定的幾何形狀C.測試方法比較簡單B.測量時不必制作歐姆電極D.依靠電容耦合C.樣品較少受

5、到污染9.D.應(yīng)用廣泛半導(dǎo)體晶體缺陷中的微觀缺陷主要啟（）。4.A.點缺陷陷阱效應(yīng)對少數(shù)載流子壽命測量的影響可以采用（）。B.位錯A.使整個樣品加底光照C.層錯B.加底光照后用氤燈閃光進(jìn)行照射D.雜質(zhì)沉淀C.將硅單晶加熱到 5070c10.D.將硅單晶加熱到 6080 c穩(wěn)態(tài)法測量非平衡少數(shù)載流子壽命，主要米用的方法有5.( )。A.光電導(dǎo)衰退法B.擴(kuò)散長度法C.光磁法D.光脈沖法三、判斷題(共10道試題，共20分。)漩渦缺陷的A缺陷比B缺陷大得多，而數(shù)量上少兩個數(shù)量級。A.錯誤B.正確半導(dǎo)體的陷阱中心數(shù)量是變化的。A.錯誤B.正確硅單晶在不同腐蝕液中，P型硅的電極電位比 N型硅的高。A.錯誤

6、B.正確用冷熱探筆法測量 N型半導(dǎo)體時，冷端帶負(fù)電，熱端帶正電。A.錯誤B.正確腐蝕液的成分對腐蝕速度影響最大。A.錯誤B.正確測量半導(dǎo)體硅單晶導(dǎo)電類型時，通常要對表面進(jìn)行噴砂處理或進(jìn)行研磨處理。A.錯誤B.正確用冷熱探筆法測量半導(dǎo)體硅單晶導(dǎo)電類型時，熱探筆的溫度要適當(dāng)，以4050c為宜。A.錯誤B.正確被腐蝕的半導(dǎo)體電極電位低的是負(fù)極，電極電位高的是正極，正級被腐蝕溶解。A.錯誤B.正確半導(dǎo)體體內(nèi)的缺陷可用金相顯微鏡進(jìn)行觀察和計數(shù)。A.錯誤B.正確當(dāng)半導(dǎo)體內(nèi)注入了非平衡載流子后，一方面依靠體內(nèi)的雜質(zhì)和缺陷作為復(fù)合中心，另一方面依靠表面能級作為復(fù)合 中心。A.錯誤B.正確四、連線題(共10道試

7、題，共30分。)將下列不同電阻率的測量電流范圍對應(yīng)。(1)樣品電阻率1000A.樣品電流V 1(2)樣品電阻率301000 B.樣品電流v 0.1(3)樣品電阻率130C.V 0.01CBA將下列半導(dǎo)體硅的常用腐蝕劑液體試劑的濃度一一對應(yīng)。HCLA.冰醋酸(2) HAcB.36%(1) Shimmle 腐蝕液A.1015min(3)H2O2C.30%(2) Wright腐蝕液B.20 min以上ACAC(3 ) Sirtl 腐蝕液C.5minCBJ遇下列利置目陽軍方法肥減一對應(yīng)商探針法A.”口IL四擇髓民P=cJ*直施喉針法選翱和C.”號3ABC將下列半導(dǎo)體晶體缺陷類型一一對應(yīng)。(1)宏觀缺陷

8、A.雜質(zhì)沉淀(2)微觀缺陷B.星形結(jié)構(gòu)(3)表面機(jī)械損傷C.加工損傷(1) B(2) A(3) C5.將下列微觀缺陷種類與說法一一對應(yīng)。(1)空位 A.晶格點陣上的原子由于熱運(yùn)動或輻照離開其平衡位置跑到晶格的空隙中或晶體的表面(2)填隙原子 B.占據(jù)晶格空隙處的多余原子(3)絡(luò)合體C.空位與雜質(zhì)原子相結(jié)合而形成的復(fù)合體ABC將下列硅的腐蝕劑與腐蝕時間對應(yīng)。(3 ) A將卜列不同電阻率的測量電流范圍對應(yīng)。(1)樣品電阻率V 0.01A.樣品電流V 100(2)樣品電阻率0.011B.樣品電流V 10(3)樣品電阻率130C.V 1(1) A(2) B(3 ) C8.將下列硅的腐蝕劑與腐蝕時間對應(yīng)

9、(1) Sirtl 腐蝕液A.1015min(2) Dash腐蝕液B.20 min以上(3 ) Secco 腐蝕液C.116h(1) A(2) B(3 ) C9.將下列電阻率測量方法與電阻率值對應(yīng)。答題框中填寫答案對應(yīng)的選項即可(1)冷熱探筆法A.10-4104 ? cm(2)整流法B.11000 Q? cm(3)兩探針法C.1000Q?cm以下(1)冷熱探筆法C(2)整流法B(3)兩探針法A10.將下列半導(dǎo)體硅的常用腐蝕劑液體試劑的濃度一一對應(yīng)。HFA.70%HNO3B.49%H2O2C.30%BAC02任務(wù)02 任務(wù)_0001一、單項選擇題（共 10道試題，共20分。）樣品制備中選擇樣品厚

10、度的原則是使吸收峰處的透射率為（）。10%-70%10%-80%20%-70%20%-80%直拉單晶中氧含量頭部與尾部相比（）。A.較高B.相同C.較低D.無法判斷雙光束光柵紅外分光光度計，測碳的分辨率應(yīng)不大于 （）K系輻射線可以細(xì)分為及，他們輻射的強(qiáng)度比約為（）1:12:13:14:1X射線劑量用倫琴表示，符號用r,根據(jù)國際放射學(xué)會議規(guī) 定，普通人的安全劑量應(yīng)為每周不超過（） r。0.20.30.40.5晶面間距可用字母d表示，以下哪項表達(dá)式為立方晶系的晶面間距（）。拋光時，拋光液 HF與體積比為（）。1:11:21:41:6紅外線通過樣品時，對于硅單晶反射率R為（）。10%20%30%40

11、%X射線在醫(yī)療診斷方面得到廣泛應(yīng)用，主要是依賴其（）。A.感光作用B.電離作用C.穿透性強(qiáng)D.衍射作用參比樣品應(yīng)不含有被測雜質(zhì)，一般要求氧和碳原子含量在（）以下。二、多項選擇題（共 10道試題，共30分。）拋光時對于樣品表面有（）要求。A.無劃道B.無淺坑C.無氧化D.無溝道以下（）選項都需要考慮晶體取向的影響。A.單晶材料制備B.單晶片的制備C.器件的制作D.管芯劃片方向在立方晶系中，“珊晶面和0期晶面間的夾角為（XX射線的衍射法精確度高，它受以下（）因素影響。X射線束的發(fā)散性X射線束準(zhǔn)直性C.轉(zhuǎn)角鼓輪讀數(shù)輪刻度的精度D.天氣溫度布喇格定律成立需滿足以下（）條件。Id sin OnKA.B.

12、入射角等于反射角C.入射線反射線和反射晶面的法線在同一平面,線和衍射線處法線兩側(cè)D曳1絕對值只能!于我小于，某樣品受到紅外線照射時，會產(chǎn)生以下（）現(xiàn)象。A.反射B.折射C.吸收D.透過硅單晶光點定向測試中運(yùn)用的儀器設(shè)備有以下（）A.光點定向儀B.光源C.光屏D. X光X射線主要有以下（）性質(zhì)。A.感光作用B.熒光作用C.電離作用D.衍射作用X射線定向儀主要有以下（）部分組成。X射線發(fā)生部分X射線檢測部分C.樣品臺且入射D.轉(zhuǎn)角測量部分且入射樣品加工主要包括以下()步驟。A.取樣B.研磨C.拋光D.連接電腦測試系統(tǒng)三、判斷題(共10道試題，共20分。)X射線是一種電磁波，與可見光相同，但波長要長

13、得多。A.錯誤B.正確晶向偏離度是指晶體生長方向偏離晶軸的角度。A.錯誤B.正確激光照射和中子轟擊等可以產(chǎn)生X射線。A.錯誤B.正確晶體定向是研究晶體各種物理性質(zhì)的基礎(chǔ)。A.錯誤B.正確測定硅中碳含量時，必須使用差別法。A.錯誤B.正確在硅單晶中，氧的分布以替位的形式存在。A.錯誤B.正確氧和碳在硅晶體中都呈螺旋紋狀分布。A.錯誤B.正確硅單晶中摻雜雜質(zhì)的溶度相比氧和碳來說相對較低。A.錯誤B.正確較大的光照面積比較容易得到要求的光學(xué)晶面。A.錯誤B.正確在晶體取向的表示方法中，三條晶軸的順序按左手螺旋定則來確定。A.錯誤B.正確四、連線題(共10道試題，共30分。)隨下JU幅由蠟的特恬一靦一

14、(11 4卅始需tl面呈許多板有里邊的西方ah筑.小坑的四個始疑加生融椒源陰%“助G敷蛛面氨移糊慚.0喇0胞表面呈許多手蹣.箱頂角與外懶M隨雌艇CBA將下列利用晶體外觀來判斷晶體生長方向的關(guān)系一一對應(yīng)。111A)二條軸對稱的棱線100B)三條軸對稱的棱線110 C)四條軸對稱的棱線BCA腋聃護(hù)畫附口下也,清取1登星物瞰鼾瓦 口也A)從電畋場修選才授由滿堂容(2)1B)隨出t幽微值被儺叱翱毓星博蠅蝴埴留C)叫娓豺CAB獻(xiàn)緘曲品啊懈編椿，aiWHtft熊義一時瓦(1旭u邈悻麻獷嬲率TCJ艘摔JCBA靜就殿立;崛四陶ISHKi艇，釉奸第一脆一臼桂唱幽聯(lián)彩砂電遮-氧翻膏撕動(3灌國醐曲軸林動1105

15、汨1AB(3 ) C7.加鬻S齷町跚，廉池率1頌E”E)硅厚工偏離彳道瓊格橫卑615CH領(lǐng)子雕第盤的方雌m將以下X射線定向儀主要構(gòu)成部分一一對應(yīng)。(1) X射線發(fā)生部分(2) X射線檢測部分(3)樣品臺時率計)吸盤)X射線管)蓋革計數(shù)管和計數(shù)BC(3 ) A8.硅百氧吸收峰的強(qiáng)弱與波長關(guān)系，清一一對應(yīng).4A)加515力即t?強(qiáng)c)弱a由于晶胞參數(shù)關(guān)系， 在立方晶體中，某些晶面和晶向是相互垂且的,苗對應(yīng)。(1)100晶向A) 111晶面(2)111晶向B) 100晶面(3)110晶向C) 110晶面BAC6.BA(3 ) C.加心，森幽日崛11 內(nèi)QP5t-B)嗎子電外舁%仃空先違蜉率.AB(3

16、 ) C招下歹泣方星森隨i面間的夫扃關(guān)系時昆一喇（叫 ）爐好火網(wǎng)【喇加/明（110）（110）0 4 個第；BCA03任務(wù)03 任務(wù)_0001一、單項選擇題（共 10道試題，共20分。）反滲透裝置是超純水治水系統(tǒng)中提純的（）部分。A.預(yù)脫鹽B.清洗C.軟化D.維護(hù)超純水制水處理系統(tǒng)再生部分選擇（）水泵。A.高壓B.低壓C.耐酸堿的ABS水泵D.未知離子交換樹脂是一種高分子化合物，是由（）和活性基團(tuán)兩部分組成。A.樹脂的骨架B.陰樹脂C.陽樹脂D.堿性樹脂對三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的分析采用蒸發(fā)法使用微量高純水和SiHCL3作用產(chǎn)生少量（）水解物，對痕量雜質(zhì)元素有吸附作用。SiO2SiHHCLSiRO

17、反滲透技術(shù)是利用（）為動力的膜分離過濾技術(shù)。A.吸附力B.離子交換C.電力D.壓力差全自動軟化過濾器設(shè)計過濾體材質(zhì)選用（）。A.炭鋼B.玻璃C.鋼鐵D. FRP增強(qiáng)玻璃鋼內(nèi)襯 PE對三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的分析主要試劑鹽酸是優(yōu)級純再經(jīng)（）提純兩次。A.有機(jī)玻璃蒸發(fā)器B.石英亞沸蒸儲器C.聚四氟乙烯D.聚乙烯蒸儲器露點法測定氣體中的水分職業(yè)中，本崗位存在的危險源是（）。A.液氮低溫凍傷B.潛在氫氣泄露引起的爆炸C.溫度過高D.沒有明顯危險源1253放射線同位素的量越多，放出的射線的強(qiáng)度（）。A.越小B.不變C.越大D.隨機(jī)變化二、多項選擇題（共 10道試題，共30分。）自動軟化系統(tǒng)出現(xiàn)下述情況之一（

18、）就必須進(jìn)行化學(xué)清洗。A.裝置的純水量比初期投運(yùn)時或上一次清洗后降低5%-10%B.裝置的單次的濃縮比比初期投運(yùn)時或上一次清洗后降低10%-20%寸C.裝置各段的壓力差值為初期投運(yùn)時或上一次清洗后的1-2倍D.裝置需要長期停運(yùn)時用保護(hù)溶液保護(hù)前X射線形貌技術(shù)的試驗方法有（）。A.透射形貌法B.反射形貌法.異常透射法.雙晶光譜儀法下列哪三項是天然水的三大雜質(zhì)（）。A.懸浮物質(zhì)B.揮發(fā)物質(zhì)C.膠體物質(zhì)D.溶解物質(zhì)高純水的檢測時，測量方法有（）。A.靜置測量法B.反滲透測量法C.蒸發(fā)測量法D.流動測量法純水制備系統(tǒng)運(yùn)行控制注意事項，以下表述錯誤的是（ ）。A.軟化器工作時，自動啟動原水增壓泵，其他高

19、壓泵都處于停止?fàn)顟B(tài)B.無論何時，反滲透系統(tǒng)都要將膿水調(diào)節(jié)閥和進(jìn)水調(diào)節(jié)閥完全關(guān)閉C.離子交換床在工作的任何時侯，混床進(jìn)水壓力大于160PaD.設(shè)備第一次使用時，所 制純水應(yīng)至少排放 1h后再收集RO系統(tǒng)清洗條件有（）。A.裝置的純水量比初期投運(yùn)時或上一次清洗后降低5% 10%寸B.裝置的單次的濃縮比比初期投運(yùn)時或上一次清洗后降低10%- 20%寸C.裝置各段的壓力差值為初期投運(yùn)時或上一次清洗后的1 2倍D.裝置需長期停運(yùn)時用保護(hù)溶液保護(hù)前影響樹脂再生的主要因素有（）。A.再生劑的類型、強(qiáng)度、濃度、流速、酸、堿液與離子交換樹脂接觸的時間等B.終點PH值的大小C.離子交換樹脂的分離、反洗效果、混合程

20、度、清潔衛(wèi)D.雜質(zhì)量的多少三氯氫硅中硼的分析試劑表述錯誤的是（）。a純水lOOmQ以上的離子交換水 A.B.氫氟酸 優(yōu)級純氫氟酸，再經(jīng)自制的聚乙烯蒸儲器蒸 儲一次，經(jīng)分析合格后備用C. 5%甘露醇溶液存入聚乙烯瓶中D.直徑6mm勺光譜Z（無 B）石墨電極 9.露點法測定氣體中水分的過程控制表述正確有（）。A.用金屬導(dǎo)管將被測氣體導(dǎo)入露點瓶，出口氣體經(jīng)石蠟液封瓶放空測定前要趕氣1hB.測定時，在封底銅管內(nèi)加入制冷劑，在插入一直-80 C低溫溫度計小心攪拌，使溫度下降，注意觀察，當(dāng)噴口所對的銅管表面出現(xiàn)露斑，即讀出溫度值，這就是測得的露 點溫度C.測定流速控制在 250300ml/minD.通常測

21、-34 C以下氣體觀察到的是霜點，根據(jù)實驗測 得霜點和露點相應(yīng)溫度差約4c10.中子活化分析的特點有（）。A.靈敏度高B.分析速度快，精度高C.非破壞性分析D.不易沾污和不受試劑空白的影響三、判斷題（共10道試題，共20分。）混床交換在再生處理時，陰離子交換樹脂和陽離子交換樹脂充分混合。A.錯誤B.正確色譜法基本原理是基于時間的差別進(jìn)行分離。A.錯誤B.正確為了使氫離子和氫氧根離子完全結(jié)合成水，陰、陽樹脂必須交換出等量的離子。A.錯誤B.正確對三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的分析采用化學(xué)藥劑提純法。A.錯誤B.正確制取高純水時一般采用強(qiáng)堿型陰離子交換樹脂。A.錯誤B.正確硅單晶中線度小于10-4cm的缺陷

22、稱為微陷A.錯誤B.正確新樹脂使用前應(yīng)進(jìn)行預(yù)處理：膨脹處理和變形處理。A.錯誤B.正確活性炭過濾器在作為反滲透裝置的前處理是是受本身進(jìn)水溫度、PH值和有機(jī)混合物的影響的。A.錯誤B.正確9.對應(yīng)。只有多介質(zhì)過濾器處于運(yùn)行時才能對活性炭過濾器進(jìn)行(1)強(qiáng)酸型離子交換樹脂A.5%-10%日常維護(hù)。鹽酸溶液3000mlA.錯誤(2)強(qiáng)堿型離子交換樹脂B. 5%-10%B.正確氫氧化鈉溶液2500ml10.(3)干樹脂C.4%-5%Nacl溶液浸泡露點法檢測氣體中的水分是通常測-34 C以下氣體觀察到(1) B的是露點。(2) AA.錯誤(3) CB.正確4.將下列質(zhì)譜分析造成其誤差較高的因素與原因?qū)?/p>

23、應(yīng)。四、連線題(共10道試題，共30分。)(1)雜質(zhì)不均勻A.與兀素本身性質(zhì)、1.樣品中兀素的選擇及離子源火花條件有關(guān)將下列天然水中雜質(zhì)三大部分情況對應(yīng)。(2)各兀素電離效率B.因為質(zhì)譜分析一次(1)懸浮物質(zhì)A.溶膠、硅膠、鐵、只消耗少量樣品，不能代表整個樣品雜質(zhì)含量鋁(3)譜線黑度C.受到很多因素，如(2)膠體物質(zhì)B.細(xì)菌、泥沙、黏土離子質(zhì)里影響等具他/、容物質(zhì)(1) B(3)溶解物質(zhì)C. Ca、Mg Na、Fe、(2) AMn的酸式碳酸鹽(3) C(1) B5.(2) A將下列多介質(zhì)過濾器工作原理與內(nèi)容對應(yīng)。(3) C(1)反洗A.將原水泵停止，閥門關(guān)閉，2.讓多介質(zhì)自然下沉，使沙層排列平

24、整將下歹U RO膜污染原因與適應(yīng)藥液 對應(yīng)。(2)靜止B.原水由進(jìn)口進(jìn)入控制閥，(1)碳酸鹽結(jié)垢A.1.5%EDTA溶液從閥芯的上部經(jīng)閥體內(nèi)，并由頂部進(jìn)入罐體(2)有機(jī)物污染及硫酸鹽結(jié)構(gòu)B.1%富爾馬林溶液(3)正洗C.水從底部進(jìn)入石英砂過濾(3)細(xì)菌污染C.3%檸檬酸溶液層后由上部排除(1) C(1) C(2) A(2) A(3) B(3) B3.6.將卜列混床冉生中操作步驟 對應(yīng)。將下列離子交換樹脂的類型與變型用化學(xué)試劑用量濃度(1)逆洗分層A.再生劑為5%勺NaOH用量為樹脂體積的3-5倍，從上口進(jìn)入，控制一定 流速，維持液面順流通過(2)強(qiáng)堿性陰離子交換樹脂再生 B. 水從底部進(jìn)入，

25、上口排出，樹脂均勻地松弛蓬松開來， 可加大水流速以沖 不出樹脂為原 則，洗至出水清高度(3)強(qiáng)酸性陽離子交換樹脂再生C.再生劑為5%鹽酸，用酸量為陽離子交換樹脂體積的2-3倍BACIHT將下步吉氫注中建置猴的化學(xué)光譜犒由王瞥詢嶼要求一一對應(yīng)一111 1O人伍純酹甜的+髓丘懾艇能石起超i解襟蜀搗(3)鎖內(nèi)標(biāo)KCL戟件班告,C一后毫升含鎖0LM悶，鼠.肝埋血.ACB詹國汽相例髓SB干法艮相粉蹄荊情智明三受詢E一對匾(Dgffil用心檢砥”心5a氣北室口。況士0，BAC將下列露點法測定氣體中的水分時職業(yè)健康安全進(jìn)行控制對應(yīng)。(1)危險源A.意把氫氣引出室外(2)分析氫氣露點時用大氣趕走氣B.液氮低溫

26、凍傷(3) 酒 精 放 置C.要放在陰涼地方BA(3 ) C將下列自動軟化系統(tǒng)工藝過程一一對應(yīng)。(1)反洗 A.再生用鹽液在一定濃度、流量下，流經(jīng)失效的樹脂層，使其恢復(fù)原有的交換能力(2)再生吸鹽+慢洗B.向再生劑箱中注入溶液再生一次所需鹽量的水(3)再生劑箱注水C.樹脂失效后，在進(jìn)行再生之前，先用水自上而下流出CA) B04任務(wù)04 任務(wù)_0001一、單項選擇題(共 10道試題，共20分。)下列哪一項不是天然水的三大雜質(zhì)之一()。A.懸浮物質(zhì)B.揮發(fā)物質(zhì)C.膠體物質(zhì)D.溶解物質(zhì)氣相色譜法測定干法H2的組分崗位存在的環(huán)境因素是( )。A.液氮低溫凍傷B.潛在氫氣泄露引起的爆炸C.溫度過高D.沒

27、有明顯危險源露點法測定氣體中水分的設(shè)備環(huán)境要求是保持工作環(huán)境高純衛(wèi)生，溫度 4-40度，相對濕度小于（），現(xiàn)場整潔，無腐蝕性氣體，不得有電路和火種。90%85%95%92%RO反滲透技術(shù)是利用（）為動力的膜分離過濾技術(shù)。A.吸附力B.離子交換C.電力D.壓力差人們通常將水分為純水和（）。A.超純水B.蒸儲水C.高氧水D.海水離子交換樹脂是一種高分子化合物，是由樹脂的骨架和（）兩部分組成。A.活性基團(tuán)B.陽樹脂C.陰樹脂D.氫氧根離子對三氯氫硅中痕量雜質(zhì)的分析采用蒸發(fā)法使用微量高純水和SiHCL3作用產(chǎn)生少量（）水解物，對痕量雜質(zhì)元素有吸附作用。SiO2SiHHCLSi純水制備系統(tǒng)混床的再生反洗

28、的目的是（）。A.使陰陽離子交換樹脂更緊密B.使陰陽離子交換樹脂分層C.去除雜質(zhì)D.無目的以下那一項不是三氯氫硅中痕量磷的氣象色譜測定步驟中，在溫度680度和石英石的催化作用下，樣品及其含磷雜質(zhì)分別被氫還原產(chǎn)物（）。A.混合氯代硅烷B.氯化氫C.磷化氫D.水制取高純水時一般采用（）交換樹脂和（）交換樹脂。A.強(qiáng)酸型陽離子強(qiáng)堿型陰離子B.強(qiáng)堿型陰離子強(qiáng)酸型陽離子C.強(qiáng)酸型陽離子強(qiáng)酸型陰離子D.強(qiáng)堿型陽離子強(qiáng)堿型陽離子二、多項選擇題（共 10道試題，共30分。）RO系統(tǒng)清洗過程中 RO膜污染原因與使用藥劑搭配錯誤的是（）。A.碳酸鹽結(jié)垢用3%寧檬酸溶液B.有機(jī)物污染及硫酸鹽垢用1.5%EDTA容液

29、C.細(xì)菌污染用3%寧檬酸溶液D.碳酸鹽結(jié)垢用1%富爾馬林溶液混床的再生具體操作步驟正確的是有（）。A.逆洗水從底部進(jìn)入，上口排出，樹脂均勻松弛膨脹開來，可加大水流速以沖不出樹脂為原則。B.強(qiáng)堿性陰離子交換樹脂再生劑為20%勺NAOH用量為樹脂體積的3-5倍C.清洗陰離子交換樹脂當(dāng)堿液琳完后，再淋洗附在陰離子交換樹脂上的堿液。D.強(qiáng)酸性陽離子交換樹脂再生劑為5嗨k酸，用酸量為陽離子交換樹脂體積的 2-3倍以下DUI純水制備系統(tǒng)中多介質(zhì)過濾器注意事項敘述錯誤的是（）。A.原水箱回流閥完全關(guān)閉，保護(hù)原水泵B.日常維護(hù)過程中，每次反洗時先用壓縮空氣使濾料充分松動，并且要把控制閥旋到對應(yīng)位置才能開啟原水

30、增壓泵。C.石英砂濾材一般35年更換或添加D.每周檢測一次沙慮出水SDI值，SDI小于5,則有問題離子交換法制備純水時，新樹脂的預(yù)處理方式是 （）。A.膨脹處理B.混合處理C.變形處理D. 稀釋處理自動軟化系統(tǒng)注意事項下述敘述正確的是（）。A.逆洗時進(jìn)口水壓維持在 0.5-1bar 。以利沖洗B.如果進(jìn)水太快，罐中的介質(zhì)會損失，在緩慢進(jìn)水的同時，應(yīng)能聽到空氣慢慢從排水管排出的聲音。C.只有石英砂過濾器控制閥和活性炭過濾器控制閥均在運(yùn)行位置時，軟化過濾器才能進(jìn)行設(shè)備的日常維護(hù)。D.如果整套設(shè)備連續(xù)供水，卻能確定每天的用水量，可混床的再生中是兩種樹脂充分混合的方法有（）。A.自然混合法B.用真空泵

31、進(jìn)行混合，自上口抽氣，打開下口閥門進(jìn)氣，用空氣攪動陰陽離子交換樹脂達(dá)到充分混合的目的C.加入混合劑使之混合D.用壓縮空氣自底部進(jìn)入，上口排除高純水的檢測時，測量方法有（）。A.靜置測量法B.反滲透測量法C.蒸發(fā)測量法D.流動測量法X射線形貌技術(shù)的試驗方法有（）。A.透射形貌法B.反射形貌法C.異常透射法D.雙晶光譜儀法下列哪三項是天然水的三大雜質(zhì)（）。A.懸浮物質(zhì)B.揮發(fā)物質(zhì)C.膠體物質(zhì)D.溶解物質(zhì)自動軟化系統(tǒng)反洗的目的是（）。A.通過反洗，試運(yùn)行中壓緊的樹脂層松動，有利于樹脂顆粒與再生液充分接觸B.是樹脂表面積累的懸浮物及碎樹脂隨反洗水排出，從而是交換器的水流阻力不會越來越大將多功能控制閥設(shè)

32、為自動狀態(tài)。D.提高軟化效果C.將多功能控制閥設(shè)為自動狀態(tài)。D.提高軟化效果三、判斷題(共10道試題，共20分。)為了使氫離子和氫氧根離子完全結(jié)合成水，陰、陽樹脂必須交換出等量的離子。A.錯誤B.正確只有多介質(zhì)過濾器處于運(yùn)行時才能對活性炭過濾器進(jìn)行日常維護(hù)。A.錯誤B.正確硅單晶中線度小于10-4cm的缺陷稱為微陷。A.錯誤B.正確對三氯氫硅中硼的分析采用蒸發(fā)法。A.錯誤B.正確RO系統(tǒng)清洗過程應(yīng)密切注意清洗液溫度上升，不得超過35 CoA.錯誤B.正確氣相色譜法測定干法 H2的組成存在的環(huán)境因素是潛在的液氮低溫凍傷。A.錯誤B.正確制取高純水時一般采用強(qiáng)酸型陽離子交換樹脂。A.錯誤B.正確露點法檢測氣體存在的危險是氫氣泄露引起的燃燒核爆炸。A.錯誤B.正確離子交換法制備純水用陰樹脂可以得到高純水。A.錯誤B.正確純水制備系統(tǒng)反滲透系統(tǒng)要把濃水調(diào)節(jié)閥和進(jìn)水調(diào)節(jié)閥完全關(guān)閉。A.錯誤B.正確四、連線題(共10道試題，共30分。)將下列活性炭過濾器工作原理對應(yīng)。(1)反洗A.向卜穿過過濾料層，經(jīng)下布水器收集返回中心。管運(yùn)行B.原水由進(jìn)