半導(dǎo)體行業(yè)分析研究報(bào)告

1、半導(dǎo)體行業(yè)分析研究報(bào)告目 錄 HYPERLINK l _TOC_250024 半導(dǎo)體設(shè)備推動(dòng)芯片制造業(yè)的發(fā)展 4 HYPERLINK l _TOC_250023 半導(dǎo)體設(shè)備推動(dòng)摩爾定律的實(shí)現(xiàn) 4 HYPERLINK l _TOC_250022 不同的設(shè)備在芯片制造過程中分工明確 4 HYPERLINK l _TOC_250021 半導(dǎo)體設(shè)備市場高度集中 6 HYPERLINK l _TOC_250020 市場空間隨下游半導(dǎo)體變化 6 HYPERLINK l _TOC_250019 細(xì)分領(lǐng)域市場多為寡頭壟斷 7 HYPERLINK l _TOC_250018 半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)需要理解的三個(gè)問題 1

2、0 HYPERLINK l _TOC_250017 為何設(shè)備企業(yè)在客戶集中度很高的情況下仍擁有定價(jià)權(quán)？ 10 HYPERLINK l _TOC_250016 工藝復(fù)雜和分工細(xì)化提升設(shè)備廠商話語權(quán) 10 HYPERLINK l _TOC_250015 設(shè)備廠商承擔(dān)了晶圓廠的前期研發(fā)任務(wù) 10 HYPERLINK l _TOC_250014 設(shè)備定制化帶來極高客戶粘性和轉(zhuǎn)換成本 10 HYPERLINK l _TOC_250013 為何光刻一家獨(dú)大，刻蝕寡頭壟斷？ HYPERLINK l _TOC_250012 光刻和刻蝕技術(shù)更替的差異帶來市場格局不同 HYPERLINK l _TOC_25001

3、1 光刻：新舊技術(shù)替代帶來完全壟斷 HYPERLINK l _TOC_250010 刻蝕：新舊技術(shù)共存形成寡頭競爭 12 HYPERLINK l _TOC_250009 為何近些年來刻蝕設(shè)備的價(jià)值占比不斷上升？ 15 HYPERLINK l _TOC_250008 光刻機(jī)的技術(shù)瓶頸推動(dòng)刻蝕機(jī)市場發(fā)展 15 HYPERLINK l _TOC_250007 芯片設(shè)計(jì)的變化帶來刻蝕設(shè)備需求的提升 16 HYPERLINK l _TOC_250006 展望未來，國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備正在逆襲 17 HYPERLINK l _TOC_250005 工程師紅利助力我國企業(yè)的追趕式研發(fā) 17 HYPERLINK l

4、 _TOC_250004 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中國轉(zhuǎn)移和存儲(chǔ)器國產(chǎn)化是重大機(jī)遇 18半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)向中國，突破國內(nèi)客戶是第一步 18 HYPERLINK l _TOC_250003 存儲(chǔ)器國產(chǎn)化為我國刻蝕機(jī)廠商帶來機(jī)遇 20 HYPERLINK l _TOC_250002 從專一突破到平臺(tái)整合是我國企業(yè)應(yīng)借鑒的成長之路 21 HYPERLINK l _TOC_250001 風(fēng)險(xiǎn)提示 22 HYPERLINK l _TOC_250000 相關(guān)報(bào)告匯總 23插圖目錄圖：晶圓加工過程示意圖 5圖：典型晶圓加工廠的廠房區(qū)域布局 6圖：全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額和集成電路銷售額（單位：億美元） 7圖：2017年半導(dǎo)體

5、設(shè)備和晶圓廠設(shè)備市場份額 7圖：2018年光刻機(jī)市場份額 8圖：2018年刻蝕機(jī)市場份額 8圖：2018年VD市場份額 8圖：2018年D市場份額 8圖：2017年MP市場份額 8圖： 離子注入機(jī)全球市場份額 8圖：前道晶圓檢測(cè)設(shè)備市場份額 9圖： 207年后道檢測(cè)設(shè)備市場份額 9圖： 典型的MS剖面示意圖和部分刻蝕工藝的作用 13圖： 198-202年全球刻蝕設(shè)備銷售額（單位：百萬美元） 14圖： 198-202年全球刻蝕設(shè)備份額變化 14圖： 207-218年全球刻蝕設(shè)備份額變化 14圖： 201-217年各類設(shè)備在晶圓廠中的價(jià)值占比 15圖： 全球刻蝕市場規(guī)模（億美元） 15圖： 利用刻

6、蝕提升制造精度的方法示意圖 16圖： 不同制程中刻蝕工藝的步驟數(shù)示意圖 16圖： 2DNND和3DNAD設(shè)備價(jià)值占比 17圖： 2DNND和3DNAD示意圖 17圖： ameseach歷年下游客戶占比 17圖： 全球的半導(dǎo)體設(shè)備銷售額和中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額（億美元） 19圖： 中國芯片市場規(guī)模和中國芯片本土制造市場規(guī)模（億美元） 20圖： 長江存儲(chǔ)刻蝕機(jī)中標(biāo)總數(shù)量占比（截止220年2月底） 21圖： 長江存儲(chǔ)介質(zhì)刻蝕設(shè)備中標(biāo)數(shù)量占比（220年2月底） 21圖： 長江存儲(chǔ)硅刻蝕設(shè)備中標(biāo)數(shù)量占比（220年2月底） 21表格目錄表：單個(gè)芯片集成元件數(shù)量的演進(jìn) 4表：2018年前六大半導(dǎo)體設(shè)備公司

7、主要產(chǎn)品分布 9表：全球前六大半導(dǎo)體設(shè)備廠商歷年市場份額 9表：歷代主流光刻機(jī)的主要特點(diǎn) 12表：2019年前道光刻機(jī)全球出貨量 12表：兩種主要等離子干法刻蝕技術(shù)的對(duì)照 13表：部分半導(dǎo)體設(shè)備的海外領(lǐng)先企業(yè)和國內(nèi)追趕企業(yè) 18表：2018年底全球晶圓加工產(chǎn)能分布（8寸當(dāng)量） 19半導(dǎo)體設(shè)備動(dòng)芯片造業(yè)的展半導(dǎo)體設(shè)備推動(dòng)摩爾定律實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體是指在某些條件下導(dǎo)電某些條件下不導(dǎo)電的一類材料生活中常用“半導(dǎo)體”一詞來泛指半導(dǎo)體電子元器。集成電路是最重要的一類半導(dǎo)體器件，又稱為芯片。1906 年美國人福雷斯特Lee e Frest）發(fā)明了世界上第一個(gè)真空三極管197 年貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了固態(tài)晶體管1957

8、年位于美國加州的仙童半導(dǎo)體公archdeconductor制造出第一個(gè)商用平面晶體管。1959 年，仙童公司和德州儀器公司eas nstruents）分別在硅片和鍺片上完成了微縮電路的制造，集成電路就此誕生。自問世以來，單個(gè)芯片上集成的元件數(shù)量不斷增長1965 年英特爾nte）創(chuàng)始人之一戈登摩爾Gordon oore）提出，在價(jià)格不變的情況下一塊集成電路上可容納的元器件的數(shù)目將每18-24 個(gè)月增加一倍，性能也將提升一倍，這就是著名的摩爾定律。自20 世紀(jì)60 年到21 世紀(jì)的前十幾，摩爾定律完美詮釋了集成電路的發(fā)展歷程。摩爾定律的背后是半導(dǎo)體設(shè)備的不斷精進(jìn)集成電路多以單晶硅為基底材料成千上萬

9、的元器件和導(dǎo)經(jīng)過一些列工藝“雕刻”在硅片，完成這“雕刻”步驟的工具就是半導(dǎo)體設(shè)“雕刻”精度的提帶來元器件尺寸的縮小，現(xiàn)今的工藝尺寸是以納米級(jí)計(jì)量的集合了全球頂尖制造技術(shù)的半導(dǎo)設(shè)備在過去半個(gè)世紀(jì)中不斷推動(dòng)著人工業(yè)文的進(jìn)步。表：單個(gè)芯片集成元件數(shù)量的演進(jìn)分類誕生時(shí)間元件數(shù)量小規(guī)模集成電路（）20 世紀(jì)60年代前期2100中規(guī)模集成電路（S）20 世紀(jì)60年代中期1001000大規(guī)模集成電路（LS）20 世紀(jì)70年代前期100010 萬超大規(guī)模集成電路（LS）20 世紀(jì)70年代后期10 萬100 萬特大規(guī)模集成電路（ULS）20 世紀(jì)90年代前期100 萬1000 萬巨大規(guī)模集成電路（S）20 世紀(jì)

10、90年代中期1000 萬以上資料來源：東興證券研究所不同的設(shè)備在芯片制造過中分工明確半導(dǎo)體設(shè)備主要可以分為前道設(shè)備和后道設(shè)備，前道設(shè)備是指晶圓加工設(shè)備，后道設(shè)備是指封裝測(cè)試設(shè)備。前道設(shè)備完成芯片的核心制造后道設(shè)備完成芯片的包裝和整體性能測(cè)試因此前道設(shè)備通常技術(shù)難度更高。圖：晶圓加工過程示意圖資料來源半導(dǎo)體制造技術(shù)，東興證券研究所前道的晶圓加工藝包括氧化、擴(kuò)散、退火、離子注入、薄沉積、光刻、刻蝕化學(xué)機(jī)械平坦化C）等，這些工藝并不是單一順序執(zhí)行，而是在制造每一個(gè)元件時(shí)選擇性地重復(fù)進(jìn)行。一個(gè)完整晶圓加過程中，一些工可能執(zhí)行幾百，整個(gè)流程可能需要上千個(gè)步驟通常耗六到八個(gè)星期。這些工藝的大體作用如下：氧

11、化退火工藝的主要作用是使材料的特定部分具所需的穩(wěn)定性質(zhì)；擴(kuò)散離子注入工藝的主要作用是使材料的特定區(qū)擁半導(dǎo)體特或其他需求的物理化學(xué)性；薄膜沉積工藝包括L、D 等）的主要作用是在現(xiàn)有材料的表制作新一層材料，以后續(xù)加工；光刻的作用是通過光照在材料表面以光刻膠留存的形式標(biāo)記出設(shè)計(jì)版（掩膜版的形態(tài)，為刻蝕做準(zhǔn)備；刻蝕的作用是將光刻標(biāo)記出來應(yīng)去除的區(qū)域通物理或化的方法去除，以完成功能外形的制造；MP工藝的作用是對(duì)材料進(jìn)行表面加工，通常在沉積和刻蝕等步驟之后；清洗的作用清上一工藝遺的雜質(zhì)或缺陷為下一工藝創(chuàng)造條；量測(cè)的作用主要是晶圓制造過程中的質(zhì)量把控。集成電路就在沉積、光刻、刻蝕、拋光等步驟的不斷重復(fù)中成型

12、整個(gè)制造工藝環(huán)環(huán)相扣任一步驟出現(xiàn)問題，都可能造成整個(gè)晶圓不可逆的壞，因此每一項(xiàng)工藝設(shè)要求都很嚴(yán)格。如果把芯片比作一幅平面雕刻作品那光刻機(jī)是打草稿的畫筆刻蝕機(jī)則是雕刻刀沉積的薄膜則是用來雕刻的材料光刻的精度直接決定了元器件刻畫的尺寸而刻和薄膜沉的精度則決定了光刻的尺寸能否實(shí)際加工，因此光、刻蝕和薄膜沉積設(shè)備芯片加工過程中最重要的三類主設(shè)備，占前道設(shè)備的近70。圖：典型晶圓加工廠的廠房區(qū)域布局資料來源半導(dǎo)體制造技術(shù)，東興證券研究所注：剪頭代表硅片流程后道設(shè)備可以分封裝設(shè)備測(cè)試設(shè)，其中封裝設(shè)備包括劃片機(jī)、裝片機(jī)、鍵合機(jī)等，測(cè)試設(shè)備包括中測(cè)機(jī)、終測(cè)機(jī)、分選機(jī)等。后道設(shè)備的功能較易理解，劃片機(jī)將整個(gè)晶圓

13、切割成單獨(dú)的芯片顆粒，裝片機(jī)和鍵合機(jī)等完成芯片的封裝，測(cè)試設(shè)備則負(fù)責(zé)各個(gè)階段的性能測(cè)試和良品篩選。半導(dǎo)體設(shè)備市場高度集中市場空間隨下游半導(dǎo)體變化根據(jù)日本半導(dǎo)體制造業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)2018 年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為645 億美。世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)協(xié)T的數(shù)據(jù)顯示2018 年全球半導(dǎo)體銷售額為468 億元其中集成電路633億元2019 年由于存儲(chǔ)器降價(jià)明顯全球半導(dǎo)體銷額下滑為400 億美元，其中集成電路334 億美元。近些年來半導(dǎo)體設(shè)備的銷售額與集成電路銷售額的波動(dòng)大體同，也體現(xiàn)了行業(yè)資本投資存在一定周期性。圖：全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額和集成電路銷售額（單位：億美元）存儲(chǔ)器邏輯芯片模擬芯片微處理器右軸：半導(dǎo)體

14、設(shè)備000000000901234567890123456780資料來源：日本半導(dǎo)體制造業(yè)協(xié)會(huì)，SS，in，東興證券研究所細(xì)分領(lǐng)域市場多為寡頭壟斷半導(dǎo)體設(shè)備中晶圓加工設(shè)備價(jià)值占比超過80其余為封裝和測(cè)試設(shè)備在晶圓加工設(shè)備中光刻機(jī)刻蝕機(jī)和薄膜沉積設(shè)備三類主要設(shè)備合計(jì)價(jià)值占比接近70。圖：2017 年半導(dǎo)體設(shè)備和晶圓廠設(shè)備市場份額資料來源：SEMI，中微公司招股說明書，東興證券研究所全球半導(dǎo)體設(shè)備市場高度壟斷，其中最重要的設(shè)備制造廠商包括阿斯麥（L、應(yīng)用材料（pped ateras東京電（okyo ectron泛林半導(dǎo)（Lamesearch科磊半導(dǎo)（L-encor迪恩士（E、日立高新tach、泰瑞

15、達(dá)eradye、愛德萬dvntes）等等。這些廠商通常專注于某個(gè)領(lǐng)域，并在擅長的領(lǐng)域擁有較高的市場份額。圖：2018 年光刻機(jī)市場份額圖：2018 年刻蝕機(jī)市場份額其他阿斯麥阿斯麥其他應(yīng)用材料東京電泛林資料來源：Gartner，鯨準(zhǔn)9集成電路行業(yè)研究報(bào)告，東興證券研究所資料來源：Gartner，鯨準(zhǔn)9集成電路行業(yè)研究報(bào)告，東興證券研究所圖：2018 年VD市場份額圖：2018 年D市場份額vc 其他其他%泛林東京電子%其他%泛林東京電子%資料來源：Gartner，鯨準(zhǔn)9集成電路行業(yè)研究報(bào)告，東興證券研究所資料來源：Gartner，鯨準(zhǔn)9集成電路行業(yè)研究報(bào)告，東興證券研究所圖：2017 年MP市

16、場份額圖：離子注入機(jī)全球市場份額密其他荏原應(yīng)用材荏原應(yīng)用材其他AxcAxcs應(yīng)用材資料來源電子產(chǎn)品世界，東興證券研究所資料來源：前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，東興證券研究所圖：前道晶圓檢測(cè)設(shè)備市場份額圖：2017 年后道檢測(cè)設(shè)備市場份額科磊日立其他泰瑞達(dá)應(yīng)用材料資料來源：中國產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)，東興證券研究所資料來源：華商情報(bào)網(wǎng)，東興證券研究所表：2018 年前六大半導(dǎo)體設(shè)備公司主要產(chǎn)品分布阿斯麥應(yīng)用材料泛林東京電子科磊SN光刻機(jī)涂膠顯影刻蝕機(jī)清洗熱處理LDCDPD離子注入CP前道檢測(cè)資料來源：東興證券研究所表：全球前六大半導(dǎo)體設(shè)備廠商歷年市場份額2009201020120122013201420152016201

17、72018應(yīng)用材料171%179%156%173%181%174%182%188%192%176%阿斯麥103%141%160%140%176%165%148%142%148%160%東京電子109%124%126%122%105%118%112%114%127%135%泛林56%71%57%73%100%103%125%119%140%134%科磊64%58%64%72%71%61%60%61%55%53%SCREEN79%61%64%59%59%47%45%49%41%41%合計(jì)份額582%634%627%639%691%670%673%673%703%698%資料來源：Blooberg，

18、東興證券研究所主要的設(shè)備廠商中，阿斯麥在光刻機(jī)領(lǐng)域擁有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，應(yīng)用材料、東京電子和泛林半導(dǎo)體則在刻蝕和薄膜沉積等領(lǐng)域寡頭壟斷，而科磊和迪恩士等則利用其在某項(xiàng)領(lǐng)域的技術(shù)優(yōu)勢(shì)獲得一定市場份額。從市場份額情況可以看出光刻機(jī)、刻蝕機(jī)和沉積設(shè)備三類主設(shè)備廠商擁有絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)。半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)需要解的三問題為何設(shè)備企業(yè)在客戶集中度很高的情況下仍擁有定價(jià)權(quán)？2018 年全球半導(dǎo)體設(shè)備銷售額為645 億美，僅四家晶圓廠（臺(tái)積電，三星，海力士，美光）的采購額就接近40 億美元半導(dǎo)體設(shè)備的客戶集中度極高依照產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟(jì)學(xué)的一般規(guī)律客戶集中度越高行業(yè)的定價(jià)權(quán)越弱然而半導(dǎo)體設(shè)備卻打破了這個(gè)規(guī)律近年來半導(dǎo)體設(shè)備的增速往往快于整

19、個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的增速，半導(dǎo)體設(shè)備在整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中擁有越來越多的定價(jià)權(quán)。我們認(rèn)為主要原因有三點(diǎn)：產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)雜，技術(shù)進(jìn)步快，轉(zhuǎn)換成本高工藝復(fù)雜和分工細(xì)化提升設(shè)備廠商話語權(quán)在通常的制造產(chǎn)業(yè)鏈中，如果客戶集中度高，上游設(shè)備廠的議價(jià)能力往往會(huì)大幅減弱。電池產(chǎn)業(yè)鏈就是個(gè)很好的例子，雖然電池生產(chǎn)商集中程度和半導(dǎo)體類似，但電池設(shè)備生廠商的議價(jià)能力非常弱，有時(shí)電池廠商與設(shè)備生產(chǎn)商共同開發(fā)出一款設(shè)備，專利歸屬電池廠而非設(shè)備商。但半導(dǎo)體設(shè)備從未出現(xiàn)過類似的情況。在制造業(yè)中產(chǎn)業(yè)鏈步驟越多上游材料設(shè)備的話語權(quán)越強(qiáng)電池生產(chǎn)與半導(dǎo)體生產(chǎn)最大的區(qū)別在于其生產(chǎn)步驟數(shù)量。電池生產(chǎn)只需要幾十步流程，電池生產(chǎn)商在生產(chǎn)自己產(chǎn)品的同時(shí)，完全有

20、余力去做上游的設(shè)備和材料。然而半導(dǎo)體的生產(chǎn)流程動(dòng)輒需要幾千步，圓廠將產(chǎn)品經(jīng)過幾千步的工藝過程制造出來，良率達(dá)到一定的標(biāo)準(zhǔn)，需要花費(fèi)大量的精力，沒有余力去做上游設(shè)備及材料的開發(fā)。因此，晶圓加工廠寧愿為設(shè)備廠商讓渡更多利潤，來獲得設(shè)備廠最新的產(chǎn)品和持續(xù)的技術(shù)支持，設(shè)備廠商從而擁有更高的定價(jià)權(quán)。設(shè)備廠商承擔(dān)了晶圓廠的前期研發(fā)任務(wù)半導(dǎo)體生產(chǎn)步驟復(fù)雜是半導(dǎo)體設(shè)備利潤率高的原因之一但半導(dǎo)體設(shè)備廠和下游晶圓制造廠相互配合的研發(fā)模式是設(shè)備行業(yè)常年高利潤的另一個(gè)原因。半導(dǎo)體設(shè)備的供應(yīng)對(duì)于晶圓加工廠來說不僅僅是產(chǎn)能的提升，更是制程精進(jìn)的基礎(chǔ)，設(shè)備企業(yè)對(duì)于晶圓加工廠來說更像是外置的研發(fā)中心。如今的芯片加工以納米為尺

21、度，在微觀世界中很多基礎(chǔ)理論還尚未完善，設(shè)備精度的每一次提升都伴隨著大 量的基礎(chǔ)理論和應(yīng)用技術(shù)的研究在晶圓加工過程中動(dòng)輒上千步的晶圓加工工藝開發(fā)已然令晶圓廠應(yīng)接不暇，將設(shè)備研發(fā)的任務(wù)和風(fēng)險(xiǎn)轉(zhuǎn)交給設(shè)備廠商是晶圓廠更明智的選因此晶圓廠不但不會(huì)試圖壓低設(shè)備廠商 的利潤，還會(huì)主動(dòng)提供資金和資源支持新設(shè)備的研。設(shè)備定制化帶來極高客戶粘性和轉(zhuǎn)換成本設(shè)備出廠到晶圓產(chǎn)線通常還需要一段時(shí)間的安裝和調(diào)試。由于晶圓加工工藝各有不同，部分設(shè)備是高度定制化的，設(shè)備需要針對(duì)晶圓廠要求進(jìn)行特殊的研發(fā)和設(shè)置。完整的工藝開發(fā)需要設(shè)備廠和晶圓廠合作完成，已經(jīng)成熟的工藝如果更換設(shè)備，會(huì)需要重新投入大量的人力和財(cái)力，并且承擔(dān)未知的風(fēng)

22、險(xiǎn)，因此晶圓廠對(duì)于設(shè)備通常具有較高粘性。為何光刻一家獨(dú)大，刻蝕寡頭壟斷？一方面半導(dǎo)體設(shè)備整體市場規(guī)模不大各類設(shè)備市場規(guī)模多在幾十億美元最高的光刻和刻蝕也只到百億美元的規(guī)模；另一方面，半導(dǎo)體設(shè)備屬于技術(shù)門檻極高的行業(yè)，需要較多的技術(shù)積累和持續(xù)的高研發(fā)投。因此，無論是整個(gè)行業(yè)還是某個(gè)子領(lǐng)域，市場均呈現(xiàn)高度集中。然而我們發(fā)，同作為主設(shè)備，光刻與刻蝕的競爭格局卻不太相同，在光刻領(lǐng)域呈乎完全壟斷競爭格局，然而在刻蝕領(lǐng)域卻呈現(xiàn)寡頭競爭的競爭格局，我們認(rèn)為導(dǎo)致這種競爭格局的根本原因在于這兩個(gè)領(lǐng)域的技術(shù)變遷特點(diǎn)不同。光刻和刻蝕技術(shù)更替的差異帶來市場格局不同浸潤式光刻是干法光刻的替代技術(shù)光刻技術(shù)限制集成電路制程

23、發(fā)展晶圓廠為了獲得更高分辨率的光刻機(jī)煞費(fèi)苦心80 年代，尼康在光刻領(lǐng)域占有壟斷地位，此時(shí)光刻領(lǐng)域以干法光刻為主2000 年，更高分辨率的浸潤式光刻代了干法光刻，因此阿斯麥也取代了尼康佳能在光刻領(lǐng)域的霸主地位。IP刻蝕并不是P刻蝕的替代技術(shù)而是各有所長側(cè)重了不同工藝步驟P技術(shù)是刻蝕底層器件的， P技術(shù)是刻蝕上層線路的。集成電路結(jié)構(gòu)中既有底層器件又有上層線路IP在發(fā)明之初就與P技術(shù)共存。集成電路的底層器件只有一層，光刻技術(shù)在20nm以上可以在底層器件上做到絕對(duì)精確，所以只需要用一次P工藝，然而集成電路的上層線路卻有幾十層之?dāng)?shù)，需要用到幾十次P刻蝕，所以20nm以前的刻蝕設(shè)備以P為主擅長P刻蝕的應(yīng)用

24、材料一家獨(dú)然而20nm以下由于光刻的精度達(dá)到了極限，需要用多重刻薄膜的技術(shù)在集成電路的底層器件上實(shí)現(xiàn)要求的精度，P 在底層器件上的使用次數(shù)一下暴增，這就造成了近年擅長P 刻蝕的泛林半導(dǎo)體超越了應(yīng)用材料，成為刻蝕領(lǐng)域的龍頭。然而的需求一直還存在，并沒有被P取代，所以應(yīng)用材料仍舊保有一定的刻蝕領(lǐng)域的市場份額。光刻：新舊技術(shù)替代帶來完全壟斷荷蘭的阿斯麥?zhǔn)枪饪虣C(jī)市場上的霸主市占率超過70雖然尼康和佳能還擁有一定市場份額但在主流的邏輯芯片加工領(lǐng)域，尼康和佳能完全無力和阿斯麥競爭。在200 之前，光刻機(jī)市場還不是這樣的局面60 年代，尼康和佳能開始制造光刻機(jī)，彼時(shí)的光刻機(jī)的復(fù)雜程度和相機(jī)差不多1984 年

25、阿斯麥成立時(shí)，光刻機(jī)還是尼康的天下，市場份額一度超過50，而阿斯麥的份額常年不超過10。90 年代光刻機(jī)開始了光源波長的競光刻機(jī)將掩膜版上的圖形刻畫到晶圓上利用的就是光走直線性質(zhì)。但是微觀世界光的衍作用會(huì)使光線不一定走直線這直接影響光刻機(jī)的最高分辨，若要提高分辨率就需要縮小光源的波長到90 年代末13nm波長的（深紫外光光刻機(jī)也已經(jīng)研制成功但人們遲遲沒能完成下一代的157nm 波長產(chǎn)品的研發(fā)。就在此時(shí)，時(shí)任臺(tái)積電研發(fā)副經(jīng)理的林本堅(jiān)提出了利用水的折射縮短光波長的方案即后來“浸沒式光刻但是業(yè)界龍頭尼康不愿意放棄前期在57nm波長研發(fā)上投入的巨額成本，拒絕了林本堅(jiān)的方案，只有阿斯麥決定押注這個(gè)方向。

26、204 年，阿斯麥和臺(tái)積電共同研發(fā)的浸沒式光刻機(jī)誕生，由于是在成熟的193nm 技術(shù)上改進(jìn)的，設(shè)備穩(wěn)定性和改造成本明顯優(yōu)于尼康同時(shí)推出的157nm干式刻蝕機(jī)阿斯麥的市場份額隨之大幅提升，從原來的不到10到2009年達(dá)到了0，成為絕對(duì)的領(lǐng)先者尼康在此關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)上的決策錯(cuò)誤使其在短短幾年時(shí)間內(nèi)失去了行業(yè)領(lǐng)先的地。真正奠定阿斯麥霸主地位的是13.5nm長（極紫外光）光刻機(jī)的研發(fā)V光刻機(jī)早在90 年代就已經(jīng)提出由于其技術(shù)難度高英特爾說服美國政府成立了ELLC 這個(gè)合作研發(fā)組織由于美國政府的阻撓，尼康被排除在外而阿斯麥則在做出一些列承諾后加入組織V光刻機(jī)的研發(fā)可謂集中了歐洲和美國的最先進(jìn)技術(shù)英特爾三星臺(tái)積

27、電等也紛紛入股阿斯麥獨(dú)立研發(fā)的尼康也無力再參與競爭209 年歷時(shí) 20 年研發(fā)的V光刻機(jī)終于應(yīng)用于產(chǎn)線，它的誕生將大幅縮減7nm和5nm制程的工藝步驟。如今用于先進(jìn)制程邏輯芯片的浸沒式193nV和EV光刻機(jī)基本被阿斯麥壟斷尼康和佳能只在193nm以下的領(lǐng)域擁有一定份額，這些設(shè)備主要用于對(duì)制程需求不高的領(lǐng)域，如存儲(chǔ)器、模擬芯片、功率半導(dǎo)體以及普通邏輯芯片等。表：歷代主流光刻機(jī)的主要特點(diǎn)應(yīng)用年代光源波長（m）設(shè)備類型最小分辨率可實(shí)現(xiàn)制程1980 年代早期汞燈光源g-line436接觸式接近式230nm1990 年代初期汞燈光源i-line365接觸式接近式220nm1990 年代后期F準(zhǔn)分子激光D

28、UV248掃描投影式80nm2000 年代初期rF準(zhǔn)分子激光DUV193進(jìn)步掃描投影式65nm55nm2000 年代中期rF準(zhǔn)分子激光DUV193（等效34）浸沒式進(jìn)步掃描投影38nm10nm2010 年代期EUV光源EUV13513nm3nm資料來源：東興證券研究所表：2019 年前道光刻機(jī)全球出貨量光源波長阿斯麥尼康佳能合計(jì)EUV135nm2626ri等效134nm8293rF193nm221335248nm65434103i-line365nm341850102合計(jì)2294684359資料來源：阿斯麥尼康/佳能公司9年年報(bào)，東興證券研究所刻蝕：新舊技術(shù)共存形成寡頭競爭在全球的刻蝕設(shè)寡企業(yè)

29、共有三家，分別是泛林半導(dǎo)體、應(yīng)用材料和東京電子而這三家也占據(jù)了薄膜沉積市場的主要份額。這樣的市場格局自是經(jīng)過多次技術(shù)變革和整合淘汰形成的。在20 世紀(jì)80 年代，全球至少有20 家刻蝕設(shè)備制造商，彼時(shí)市占率最高的企業(yè)是應(yīng)用材料，泛林半導(dǎo)體尚不足以與其抗衡。經(jīng)過從90 年代以后十幾年的發(fā)展泛林和東京電的市場份額逐步趕超應(yīng)用材料200 年以后泛發(fā)展成為市場份額獨(dú)占半數(shù)以上的刻蝕龍頭。想要復(fù)盤這個(gè)過程，就不得不從刻蝕機(jī)的技術(shù)發(fā)展歷程說起?？涛g機(jī)發(fā)展到干法刻蝕階段以后，最重要的技術(shù)就是等離子體刻蝕。按等離子體的生成方式，可以分容性耦合等離子體（/apactvey uped asa、感性耦合等離子體（/

30、nductvey ouped asa由于等離子體產(chǎn)生的方式不同刻蝕機(jī)的結(jié)構(gòu)性能和特點(diǎn)也存在較大的差異其中P屬于中密度等離子體P則屬于高密度等離子體CP技術(shù)的發(fā)明早于但由于其特點(diǎn)的不同兩類技術(shù)并非相互取代而是相互補(bǔ)充的關(guān)P的等離子密度雖然較低但能量較高適合刻蝕氧化物氮氧化物等較硬的介質(zhì)材料CP的等離子密度高，能量低，可以獨(dú)立控制離子密度和能量，有更靈活的調(diào)控手段，適合刻蝕單晶硅、多晶硅等硬度不高或較薄的材料。表：兩種主要等離子干法刻蝕技術(shù)的對(duì)照技技術(shù)特點(diǎn)主要應(yīng)用CCP等離子密度：等離子能量：可調(diào)節(jié)性：較CP等離子密度：等離子能量：可調(diào)節(jié)性：可單獨(dú)調(diào)節(jié)密度和能量資料來源：東興證券研究所圖：典型的M

31、S剖面示意圖和部分刻蝕工藝的作用資料來源半導(dǎo)體制造技術(shù)，中微公司招股說明書等，東興證券研究所介質(zhì)刻蝕：氧化硅、氮化硅等，形成線金屬刻蝕：鋁、鎢等硅刻蝕：單晶硅、多晶硅、硅化物等，刻器件等離子體刻蝕大規(guī)模應(yīng)用起始于20 世紀(jì)80 年代，此時(shí)的產(chǎn)品主要是P設(shè)備。應(yīng)用材料1981 年正式推出P干法刻蝕產(chǎn)品很快取得市占率第一的地彼時(shí)泛林半導(dǎo)體剛剛成立到198 年應(yīng)用材料在刻蝕市場占據(jù)37的市場份額，泛林半導(dǎo)體占據(jù)12，獲泛林部分技術(shù)授權(quán)的東京電子則擁有8的份額。到了90 年代P 的概念開始引入，由于感性耦合的等離子體具有更高的密度和更低的能量，可控性明顯強(qiáng)于隨著集成電路對(duì)精細(xì)加工需求的增P迎來巨大的需

32、求市泛林的P產(chǎn)品性和操作便捷性優(yōu)于應(yīng)用材料。在隨后的幾年里，泛憑借P產(chǎn)品的成市場份額逐年提升1993 年達(dá)到30，首次超過應(yīng)用材料，就此奠定了刻蝕產(chǎn)品龍頭的地位90 年代后的十幾年，應(yīng)用材料的P市場份額在波動(dòng)中保持穩(wěn)定，泛林半導(dǎo)體一躍成為市占率第一的龍。圖：19882002 年全球刻蝕設(shè)備銷售額（單位：百萬美元）應(yīng)用材料泛林半導(dǎo)體子立089012345678901資料來源：Gartner，東興證券研究所圖：19882002 年全球刻蝕設(shè)備份額變化應(yīng)用材料泛林半導(dǎo)體東京電子日立其他89012345678901資料來源：Gartner，東興證券研究所圖：20072018 年全球刻蝕設(shè)備份額變化應(yīng)用

33、材料泛林半導(dǎo)體東京電子其他78901234567資料來源：heInforation etwork，Gartner，東興證券研究所為何近些年來刻蝕設(shè)備的價(jià)值占比不斷上升？2017 刻蝕設(shè)備在產(chǎn)線中的價(jià)值占比達(dá)到4左右取代光刻機(jī)成為晶圓加工廠投資額最高的設(shè)備018年刻蝕機(jī)銷售額超過100 億美元。自012 年以來，刻蝕機(jī)在晶圓廠設(shè)備中的價(jià)值占比逐步提升，與之對(duì)應(yīng)的是光刻機(jī)的價(jià)值占比下滑這其中的主要原因來自光刻機(jī)技術(shù)瓶頸和芯片結(jié)構(gòu)變化帶來的晶圓加工工序的調(diào)整。圖：20012017 年各類設(shè)備在晶圓廠中的價(jià)值占比刻蝕光刻表面清洗檢測(cè)設(shè)備CD其他沉積1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 1 2 3 4

34、 5 6 資料來源：SEMI，中微公司招股說明書，東興證券研究所圖：全球刻蝕市場規(guī)模（億美元）全球刻蝕市場規(guī)模0678901234567資料來源：SEMI，東興證券研究所光刻機(jī)的技術(shù)瓶頸推動(dòng)刻機(jī)市場發(fā)展193nm波長V深紫外光產(chǎn)品200 年左右就已經(jīng)誕生其理論上的最高精度為5n即便后來采用浸沒式光刻使得光線經(jīng)過液體折射后等效波長縮小至134n其理論上的最高精度也僅提升到28n那么在光刻機(jī)技術(shù)停滯不前的十幾年中，芯片的工藝制程又是如何提升的呢？想要繼續(xù)提提升制程大體有兩個(gè)思路即雙重光刻蝕或多重薄刻蝕具體采用哪種思路則根據(jù)工藝需求來決定但無論用哪種思路都離不開刻蝕步驟的增。從5nm制程開始每一次制

35、程的精進(jìn)都需要大幅增加刻蝕的步驟7nm制程中刻蝕步驟比2nm增加了3 倍因此近些年來刻蝕設(shè)備是半導(dǎo)體設(shè)備中增長最快的領(lǐng)。圖：利用刻蝕提升制造精度的方法示意圖資料來源：中微公司招股說明書，東興證券研究所圖：不同制程中刻蝕工藝的步驟數(shù)示意圖資料來源：東興證券研究所注：不同芯片工藝步數(shù)會(huì)有一定差異芯片設(shè)計(jì)的變帶來刻蝕設(shè)備需求的提升存儲(chǔ)器是半導(dǎo)體銷售額中占比最大的一類芯片AM和AD 占據(jù)超過90的存儲(chǔ)份額。存儲(chǔ)器雖然不需要最先進(jìn)的制程制造但也都達(dá)到了1Xnm級(jí)（即十幾納米刻蝕設(shè)備使用量明顯增加并2016年以后，各大原廠均進(jìn)入了3D AD 量產(chǎn)的時(shí)代3D AD 采用將存儲(chǔ)單元堆疊的布局，需要更多的通孔和

36、導(dǎo)線等的刻蝕，相比于2D AD 的制造3D AD 中刻蝕設(shè)備的支持占比由約15提升到約50。以泛林半導(dǎo)體的財(cái)報(bào)披露數(shù)據(jù)來看，來自存儲(chǔ)器廠商的營收貢獻(xiàn)量從2012 年的40左右提升至2019 年的 70左右主要來刻蝕設(shè)備出貨的變化。因此3DD 的量再次提升了刻蝕設(shè)備的需求。此外，隨著TV封技術(shù)的應(yīng)，刻蝕設(shè)備也應(yīng)用于芯片封裝產(chǎn)線3D 封裝被認(rèn)為是在摩爾定律失效的情況下提升芯片性能的有效方式，隨著3D 封裝的推廣，刻蝕設(shè)備可能得到更多的應(yīng)用。圖：2D D和3D D設(shè)備價(jià)值占比圖：2D D和3D D示意圖刻蝕沉積清洗檢測(cè)光刻其他D NDD ND資料來源：東京電子公司官網(wǎng)，東興證券研究所資料來源：中微公

37、司招股說明書，東興證券研究所圖：amesearch歷年下游客戶占比存儲(chǔ)器代工廠邏輯M2345678資料來源：mesearch公司-9年財(cái)報(bào)，東興證券研究所展望未來，產(chǎn)半導(dǎo)設(shè)備正逆襲工程師紅利助力我國企業(yè)的追趕式研發(fā)近些年來我國已經(jīng)開始在各類設(shè)備中開展追趕式研發(fā)，在技術(shù)難度最高的主設(shè)備中，刻蝕機(jī)走在替代的最前列。我國企業(yè)受益于工程師紅利，相比國外企業(yè)，擁有研發(fā)效率高，研發(fā)風(fēng)險(xiǎn)更低等優(yōu)勢(shì)，因此在半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)技術(shù)趕超的可能性不低。表：部分半導(dǎo)體設(shè)備的海外領(lǐng)先企業(yè)和國內(nèi)追趕企業(yè)設(shè)備市場領(lǐng)先者國內(nèi)追趕者光刻機(jī)阿斯麥、尼康、佳能上海微電子刻蝕機(jī)泛林、應(yīng)用材料、東京電子中微公司、北方華創(chuàng)CD應(yīng)用材料、

38、泛林、東京電子北方華創(chuàng)PD應(yīng)用材料、Eaec、Ulac北方華創(chuàng)離子注入應(yīng)用材料、celis中信科CP應(yīng)用材料、荏原華海清科、中電45 所氧化爐日立、東京電子北方華創(chuàng)、中電48 所測(cè)試機(jī)泰瑞達(dá)、愛德萬、科利登、科休長川科技、華峰測(cè)控探針臺(tái)東京電子、東京精密長川科技資料來源：東興證券研究所首先，追趕研發(fā)風(fēng)相對(duì)更低。領(lǐng)先企業(yè)在新產(chǎn)品研發(fā)的過程中通常要承擔(dān)兩個(gè)類型的風(fēng)險(xiǎn)一類是技術(shù)研發(fā)失敗的風(fēng)險(xiǎn)一類是對(duì)市場技術(shù)路線判斷失誤的風(fēng)。由于高研發(fā)投入帶來的沉沒成本，市場判斷失誤往往會(huì)是企業(yè)失去優(yōu)勢(shì)。對(duì)技術(shù)追趕者來說，技術(shù)路線市場方已經(jīng)被先行者確，研發(fā)風(fēng)險(xiǎn)會(huì)相對(duì)低一。先行者為了保持其優(yōu)勢(shì)往往申請(qǐng)大量相關(guān)領(lǐng)域的專利

39、，追趕者主要的難集在如何在規(guī)避現(xiàn)有專利限制的情況下實(shí)現(xiàn)技術(shù)貫通。其次，我國企人工成本低，研發(fā)效率高。雖然半導(dǎo)體設(shè)備成本中直接人工占比較低，廠的競爭力來自于研的效，研的人工成本依然會(huì)直接影響公司的競爭力。據(jù)估計(jì)，美日等發(fā)達(dá)國家一般工程師的平均薪水是國內(nèi)的三到四倍，國內(nèi)廠商在研發(fā)團(tuán)隊(duì)組建時(shí)成本優(yōu)明，對(duì)于資金并不雄厚的追趕者來說這是一個(gè)不可忽視的利好只要在某項(xiàng)重點(diǎn)領(lǐng)域中實(shí)現(xiàn)對(duì)于國外企業(yè)的比較優(yōu)勢(shì)，我國企業(yè)就有機(jī)會(huì)實(shí)現(xiàn)技術(shù)替代。此外，受國情因素的影響，我國研發(fā)人員工作時(shí)長普遍高于發(fā)達(dá)國家的現(xiàn)象也是客觀存在的，這也有利于國內(nèi)企業(yè)研發(fā)效率的提升。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中國轉(zhuǎn)移和存儲(chǔ)器國產(chǎn)化是重大機(jī)遇半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈轉(zhuǎn)向

40、中國，突破國內(nèi)客戶是第一步替代大趨勢(shì)創(chuàng)造有利市場環(huán)。海外龍頭企業(yè)的快速成長期伴隨著全球半導(dǎo)體市場的高速增長2000 年以后，全球設(shè)備市場增速有所放緩，但中國大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)剛剛起步2005 年中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額約13 億美元208 年上升至131 億美元，全球占比從4增長至20，尤以2016 年以后投增加明顯國際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)）估計(jì)， 2020 年中國半導(dǎo)體設(shè)備投額可能達(dá)到200 億美，是全球投資最高的國。圖：全球的半導(dǎo)體設(shè)備銷售額和中國大陸半導(dǎo)體設(shè)備銷售額（億美元）全球陸05678901234567%資料來源：ind，東興證券研究所根據(jù)C nsghts 的報(bào)告208 年底中國大陸的晶圓廠

41、產(chǎn)能26.1 萬片/月，占全的125，比207 年底的10.8增加了.7 個(gè)百分點(diǎn)208 年中國本土制造的芯片價(jià)值量約占本土銷售額的5到203 年可能提升至20。隨著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈向中國的轉(zhuǎn)移，抓住國內(nèi)客戶是國產(chǎn)設(shè)備企業(yè)實(shí)現(xiàn)突破的第一步。表：2018 年底全球晶圓加工產(chǎn)能分布（8寸當(dāng)量）國家地區(qū)產(chǎn)能（千片月）全球占比中國臺(tái)灣4126218%韓國4033213%日本3168168%北美2426128%中國大陸2361125%歐洲13860%其他164687%總計(jì)18897資料來源：CInsights，東興證券研究所圖：中國芯片市場規(guī)模和中國芯片本土制造市場規(guī)模（億美元）市場規(guī)模造0000089

42、012345678資料來源：CInsights，東興證券研究所國內(nèi)用戶的對(duì)國產(chǎn)廠的支持是空前的。在自由的市場中下游客很愿意犧牲自身的經(jīng)濟(jì)利益去培植新的供應(yīng)，因而寡頭企業(yè)擁有的大量客戶資源和用戶反饋信息其他競爭者難以逾越的優(yōu)，這在以研發(fā)為主導(dǎo)的高技術(shù)行業(yè)尤為明顯。但是，對(duì)中國來說自公的市場也許并不能輕易獲得208 年的美國制裁中興事件讓人們猛然驚醒即便是和平年代我們也可能失去核心產(chǎn)品的供給，而隨后到來的華為事件“實(shí)體清”更是讓全社會(huì)形成共識(shí)，關(guān)乎國民經(jīng)濟(jì)的核心技術(shù)和供應(yīng)鏈必須掌控在自己手中。半導(dǎo)體設(shè)備和材料位于制造業(yè)生態(tài)鏈的頂端，一旦美國將制裁力量伸向設(shè)備和材料領(lǐng)域，我國制造業(yè)的損失將是極其慘重

43、的在這種情況下培育我國自己的半導(dǎo)體設(shè)備和材料制造商成為整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)的共識(shí)個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈讓渡一部分利益去支持國內(nèi)設(shè)備廠商研發(fā)成為現(xiàn)實(shí)可能。存儲(chǔ)器國產(chǎn)化為我國刻蝕機(jī)廠商帶來機(jī)遇首先存儲(chǔ)器并不需要最先進(jìn)的制程現(xiàn)有的193nm浸沒式光刻機(jī)已經(jīng)足夠短期內(nèi)不會(huì)出現(xiàn)因V的應(yīng)用而減少刻蝕工藝的情況。以當(dāng)前設(shè)備市場的形勢(shì)看，光刻機(jī)替代的難度較大，同為主設(shè)備的刻蝕機(jī)是率先替代的好方向。其次存儲(chǔ)器晶圓廠帶來了刻蝕設(shè)備最大的增量投資新建存儲(chǔ)器產(chǎn)線中刻蝕機(jī)的價(jià)值量達(dá)到50根據(jù)計(jì)劃長江存儲(chǔ)總投資將達(dá)到160 億元人民幣合肥長鑫投資過150 億元人民幣為國內(nèi)刻蝕機(jī)廠商提供可觀的增量市場。第三，新建廠商還未形成客戶粘性由于國內(nèi)的

44、長江存儲(chǔ)和合肥長鑫均屬于全新興建的廠商，與所有設(shè)備廠商均不存在以往的合作，國企業(yè)響應(yīng)迅速的優(yōu)勢(shì)將有所體現(xiàn)。在用戶的有意培養(yǎng)下，國內(nèi)刻蝕機(jī)廠商有望與存儲(chǔ)器廠商共同成長。中微公司和北方華創(chuàng)是我國刻蝕機(jī)企業(yè)，在國內(nèi)客戶的認(rèn)證中已經(jīng)取得一定成績截至2020 年2 月底，長江存儲(chǔ)已公布的中標(biāo)信中中微公司的刻蝕機(jī)中標(biāo)數(shù)量占比15僅次于泛林半導(dǎo)體排名第二高于東京電子和應(yīng)用材料分領(lǐng)域來看中微公司在其擅長的介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域中排名第二份額均遠(yuǎn)高于全球市場份額。圖：長江存儲(chǔ)刻蝕機(jī)中標(biāo)總數(shù)量占比（截止220 年2月底）荊藍(lán) 北方華%sn %盛美%N %日立Adr%東京電%中微公%AMsrch%資料來源：必聯(lián)網(wǎng)，東興證券研

45、究所圖：長江存儲(chǔ)介質(zhì)刻蝕設(shè)備中標(biāo)數(shù)量占（020年2月底） 圖：長江存儲(chǔ)硅刻蝕設(shè)備中標(biāo)數(shù)量占比（20年2月底）荊藍(lán) 盛美 日立Ad % % rs%東京電子%sn%AM北方華創(chuàng)%Ad rs %中微公%srch%東京電%AMsrch.%資料來源：必聯(lián)網(wǎng)，東興證券研究所資料來源：必聯(lián)網(wǎng)，東興證券研究所從專一突破到平臺(tái)整合是我國企業(yè)應(yīng)借鑒的成長之路專注某一領(lǐng)域做大做強(qiáng)，再并購整合其他業(yè)務(wù)是應(yīng)用材料和泛林半導(dǎo)體的等國際巨頭共同的成長路徑。應(yīng)用材料在成立之初作為設(shè)備生產(chǎn)商業(yè)績?cè)鲩L迅速1974 年公司收購一家硅片生產(chǎn)公司將公司的業(yè)務(wù)拓展至硅片制造領(lǐng)域。然而這次收購并沒有未公司帶來應(yīng)有的收益，反而因半導(dǎo)體行業(yè)的

46、不景氣使公司連續(xù)三年虧損197 年新上任的O 決定出售硅片業(yè)專注半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)經(jīng)過改革后公司重回快速增長，到192 年成為世界第一大半導(dǎo)體設(shè)備公司0 年代以后應(yīng)用材料通過一些列收購將業(yè)務(wù)擴(kuò)展至量測(cè)P等領(lǐng)域，并鞏固和增強(qiáng)了其在沉積、刻蝕、離子注入等主設(shè)備領(lǐng)域的地位，成為擁有產(chǎn)品線最全面的半導(dǎo)體設(shè)備龍頭。泛林半導(dǎo)體在成立之初專注于刻蝕設(shè)備的生產(chǎn)初步取得一定市場份額后在90 年代將業(yè)務(wù)拓展至D 和F（顯示面板）領(lǐng)域。但是業(yè)務(wù)的拓展并沒有為公司帶來應(yīng)有的收益，反而分散了公司的業(yè)務(wù)焦點(diǎn)，導(dǎo)致1998 年公司損1.5 億美元。經(jīng)過痛徹思考后，公司決定在止D 和FD 業(yè)務(wù)，整合資源專心研發(fā)刻蝕設(shè)備2007

47、 年以后，公司在刻蝕領(lǐng)域的地位無可撼動(dòng)，這才重新將業(yè)務(wù)拓展至清洗和D 等領(lǐng)域。我國企業(yè)在追趕之初同樣應(yīng)該參照國際巨頭的成長模式集中力量專注于某一領(lǐng)域的研究在主設(shè)備廠商中，相比于全平臺(tái)式布局專一某一領(lǐng)域的策略更接近于國際巨頭在初期的發(fā)展路徑刻蝕設(shè)備作為三大設(shè)備之一，進(jìn)入客戶產(chǎn)線后可擁有一定的話語權(quán)，甚至影響客戶對(duì)其他設(shè)備的采購。國內(nèi)走在前列的刻蝕設(shè)備廠商，有希望在刻蝕機(jī)領(lǐng)域率先形成對(duì)國際巨頭的威脅，并且更有可能在未來整合國內(nèi)資源，集中優(yōu)勢(shì)進(jìn)行國際客戶突破。風(fēng)險(xiǎn)提示外部環(huán)境發(fā)生重大變化，我國半導(dǎo)體行業(yè)下游需求不及預(yù)期，長江存儲(chǔ)擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度不及預(yù)期，國內(nèi)晶圓代工廠擴(kuò)產(chǎn)進(jìn)度不及預(yù)期，海外客戶拓展不及預(yù)期。

48、在燃料電池環(huán)節(jié)，國外的核心技術(shù)，比如質(zhì)子交換膜的生產(chǎn)工藝，是不會(huì)直接給國內(nèi)企業(yè)的，因此這一環(huán)節(jié)最可能的方案是低端車型使用自主研發(fā)的性能有待提升的燃料電池系統(tǒng)，而高端車型則直接購買國外性能領(lǐng)先的燃料電池系統(tǒng)。在國內(nèi)補(bǔ)貼與其他相關(guān)政策以及市場的驅(qū)動(dòng)下，國內(nèi)技術(shù)突破之后，國產(chǎn)化燃料電池系統(tǒng)將迎來更大需求，但這應(yīng)該是 10 年-20 年的技術(shù)積累之后的場景了。20世紀(jì)90年代以來，介入治療迅速發(fā)展，該技術(shù)是在醫(yī)學(xué)影像（如CT、MRI、US、X射線等）的引導(dǎo)下，將特制的導(dǎo)管、導(dǎo)絲等精密器械，引入人體，對(duì)體內(nèi)病態(tài)進(jìn)行診斷和局部治療。該技術(shù)為許多以往臨床上認(rèn)為不治或難治之癥，開辟了新的有效治療途徑。介入治療

49、的醫(yī)生把導(dǎo)管或其它器械置入到人體幾乎所有的血管分支和其它管腔結(jié)構(gòu)（消化道、膽道、氣管、鼻腔等）以及某些特定部位，對(duì)許多疾病實(shí)施局限性治療，該技術(shù)還特別適用于那些失去手術(shù)機(jī)會(huì)或不宜手術(shù)的肝、肺、胃、腎、盆腔、骨與軟組織惡性腫瘤。醫(yī)療機(jī)器人也受到智能機(jī)械領(lǐng)域研究人員的重視。來自意大利圣安娜大學(xué)的生物機(jī)器人研究所主任Paolo Dario表示，全球有超過300家醫(yī)院在應(yīng)用達(dá)芬奇手術(shù)機(jī)器人，其精準(zhǔn)、微創(chuàng)的手術(shù)效果廣受外科醫(yī)生和患者歡迎。而該研究所更是開始從被動(dòng)治療走向主動(dòng)預(yù)防，希望在未來的三年內(nèi)能夠研發(fā)出兩款膠囊機(jī)器人，如果這種膠囊機(jī)器人用于糖尿病人即可使其免除注射胰島素的痛苦。韓國先進(jìn)科學(xué)技術(shù)院（K

50、AIST）的 Dong-soo Kwon教授則展示了針對(duì)達(dá)芬奇機(jī)器人的缺陷而做的研究和改進(jìn)，據(jù)其介紹，韓國自1999年起開始研究醫(yī)療機(jī)器人，目前的研發(fā)重點(diǎn)是單通道手術(shù)機(jī)器人，其研發(fā)的六自由度模塊化醫(yī)療機(jī)器人具有比達(dá)芬奇更好的靈活性、操作簡單、物美價(jià)廉等優(yōu)點(diǎn)，目前已經(jīng)開始著手商業(yè)化，并通過給狗做膽囊切除手術(shù)進(jìn)行了活體實(shí)驗(yàn)。在燃料電池環(huán)節(jié)，國外的核心技術(shù)，比如質(zhì)子交換膜的生產(chǎn)工藝，是不會(huì)直接給國內(nèi)企業(yè)的，因此這一環(huán)節(jié)最可能的方案是低端車型使用自主研發(fā)的性能有待提升的燃料電池系統(tǒng)，而高端車型則直接購買國外性能領(lǐng)先的燃料電池系統(tǒng)。在國內(nèi)補(bǔ)貼與其他相關(guān)政策以及市場的驅(qū)動(dòng)下，國內(nèi)技術(shù)突破之后，國產(chǎn)化燃料電

51、池系統(tǒng)將迎來更大需求，但這應(yīng)該是 10 年-20 年的技術(shù)積累之后的場景了。20世紀(jì)90年代以來，介入治療迅速發(fā)展，該技術(shù)是在醫(yī)學(xué)影像（如CT、MRI、US、X射線等）的引導(dǎo)下，將特制的導(dǎo)管、導(dǎo)絲等精密器械，引入人體，對(duì)體內(nèi)病態(tài)進(jìn)行診斷和局部治療。該技術(shù)為許多以往臨床上認(rèn)為不治或難治之癥，開辟了新的有效治療途徑。介入治療的醫(yī)生把導(dǎo)管或其它器械置入到人體幾乎所有的血管分支和其它管腔結(jié)構(gòu)（消化道、膽道、氣管、鼻腔等）以及某些特定部位，對(duì)許多疾病實(shí)施局限性治療，該技術(shù)還特別適用于那些失去手術(shù)機(jī)會(huì)或不宜手術(shù)的肝、肺、胃、腎、盆腔、骨與軟組織惡性腫瘤。醫(yī)療機(jī)器人也受到智能機(jī)械領(lǐng)域研究人員的重視。來自意大

52、利圣安娜大學(xué)的生物機(jī)器人研究所主任Paolo Dario表示，全球有超過300家醫(yī)院在應(yīng)用達(dá)芬奇手術(shù)機(jī)器人，其精準(zhǔn)、微創(chuàng)的手術(shù)效果廣受外科醫(yī)生和患者歡迎。而該研究所更是開始從被動(dòng)治療走向主動(dòng)預(yù)防，希望在未來的三年內(nèi)能夠研發(fā)出兩款膠囊機(jī)器人，如果這種膠囊機(jī)器人用于糖尿病人即可使其免除注射胰島素的痛苦。韓國先進(jìn)科學(xué)技術(shù)院（KAIST）的 Dong-soo Kwon教授則展示了針對(duì)達(dá)芬奇機(jī)器人的缺陷而做的研究和改進(jìn)，據(jù)其介紹，韓國自1999年起開始研究醫(yī)療機(jī)器人，目前的研發(fā)重點(diǎn)是單通道手術(shù)機(jī)器人，其研發(fā)的六自由度模塊化醫(yī)療機(jī)器人具有比達(dá)芬奇更好的靈活性、操作簡單、物美價(jià)廉等優(yōu)點(diǎn)，目前已經(jīng)開始著手商業(yè)

53、化，并通過給狗做膽囊切除手術(shù)進(jìn)行了活體實(shí)驗(yàn)。? 伴隨著因特網(wǎng)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步網(wǎng)游企業(yè)借助微端化、跨平臺(tái)、網(wǎng)絡(luò)化等渠道拓展了網(wǎng)游玩家獲取的渠道和范圍極大地促進(jìn)了游戲玩家的數(shù)量和市場規(guī)模與此同時(shí)大量新的開發(fā)工具和技術(shù)的出現(xiàn)降低了游戲的開發(fā)成本提高了游戲的開發(fā)效率擴(kuò)大了游戲邊界同時(shí)加速了游戲的傳播速度（4）產(chǎn)業(yè)鼓勵(lì)政策大力支持行業(yè)發(fā)展? 隨著國家大力發(fā)展文化創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)， 網(wǎng)絡(luò)游戲行業(yè)在國內(nèi)市場發(fā)展將獲得更多的政策性支持和更多的資源投入，這將為網(wǎng)絡(luò)游戲市場發(fā)展奠定基礎(chǔ)。文化部發(fā)布的文化部“十三五”時(shí)期文化產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃提出，培育一批具有較強(qiáng)品牌影響力和國際競爭力的骨干游戲企業(yè)，大力推進(jìn)游戲產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級(jí)，推動(dòng)

54、網(wǎng)絡(luò)游戲、電子游戲等游戲門類協(xié)調(diào)發(fā)展，預(yù)計(jì)到 2020年，游戲業(yè)市場規(guī)模達(dá)到 3,000 億元左右。網(wǎng)絡(luò)游戲出版作為文化創(chuàng)意產(chǎn)業(yè)的重要組成部分，將在企業(yè)布局、資金支持、配套建設(shè)、政策扶持等多方面得到更多的組織保障和政策支持，整個(gè)行業(yè)將持續(xù)健康繁榮發(fā)展。近年來，國內(nèi)研發(fā)機(jī)構(gòu)非常重視智能手術(shù)機(jī)器人精密操作與狀態(tài)感知技術(shù)的創(chuàng)新性研發(fā)，在部分領(lǐng)域已經(jīng)達(dá)到國際先進(jìn)水平。在精密操作方面，對(duì)操作精度影響最大的關(guān)鍵部分是遠(yuǎn)端運(yùn)動(dòng)中心(RCM)機(jī)構(gòu)，2018年上海交通大學(xué)開發(fā)了應(yīng)用于單孔腔鏡手術(shù)機(jī)器人的RCM機(jī)構(gòu)，可在受限的空間中實(shí)現(xiàn)靈巧操作，確保微創(chuàng)手術(shù)過程中手術(shù)器械與病人的手術(shù)切口不發(fā)生拉扯，以保障手術(shù)安全

55、。在狀態(tài)感知方面，2018年南開大學(xué)采用人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)，針對(duì)骨科手術(shù)機(jī)器人，構(gòu)建了基于力觸覺、聲音振動(dòng)等信息的成像識(shí)別系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)對(duì)骨骼、肌肉等不同人體組織的自動(dòng)識(shí)別，為監(jiān)測(cè)機(jī)器人安全操作提供智能化的實(shí)時(shí)反饋保障。能夠感知用戶需求的機(jī)器人離我們還有多遠(yuǎn)？從本屆CES展上可以看出，不遠(yuǎn)了。以優(yōu)必選在2019 CES中展出的Walker機(jī)器人為例。這款機(jī)器人可謂是本次CES展會(huì)上的明星產(chǎn)品，一經(jīng)亮相就受到了不少國內(nèi)外媒體的圍觀和報(bào)道。這機(jī)器人由優(yōu)必選全自主研發(fā)，是一個(gè)大型仿人服務(wù)機(jī)器人，它身高1.45米，重量：77kg。機(jī)器人的造型呆萌，給人一種很強(qiáng)的親切感。它的四肢包括手指部位都可以像人一樣靈

56、活轉(zhuǎn)動(dòng)，此外它還有包括視覺、聽覺等等的感知能力，內(nèi)置AI，可實(shí)現(xiàn)全方位的人機(jī)交互。伴隨國民經(jīng)濟(jì)水平增長的還有我國肥胖人口數(shù)量。世界衛(wèi)生組織 WHO 規(guī)定 BMI 指數(shù)大于30 即為肥胖。根據(jù)柳葉刀醫(yī)學(xué)研究統(tǒng)計(jì)，2017 年中國成年男性人口 10.8%以及女性人口14.9%人群為肥胖人群，總體肥胖人群約占 5%。這意味著我國有超過 4300 萬男性肥胖者與 4600萬女性肥胖者。根據(jù)美國疾控中心的統(tǒng)計(jì)，2017 年美國肥胖人數(shù)占總?cè)丝诘?39.8%，數(shù)量約為 9330 萬人。盡管與肥胖第一大國美國相比，我國肥胖人口比例不高，但總體數(shù)量卻較為龐大。從補(bǔ)貼形式看，大多國家把補(bǔ)貼放在了消費(fèi)環(huán)節(jié)，以購置

57、稅費(fèi)抵免或者購置補(bǔ)貼的形式發(fā)放，僅德國將補(bǔ)貼放在了開發(fā)制造環(huán)節(jié)。前者屬于需求端的刺激，后者屬于供給端刺激。供給側(cè)（生產(chǎn)制造領(lǐng)域）補(bǔ)貼促進(jìn)企業(yè)研發(fā)新車型，有利于在無形中促進(jìn)企業(yè)形成研發(fā)能力，就算補(bǔ)貼斷了，多年的技術(shù)積累不會(huì)隨著補(bǔ)貼停止而消失。因此從這個(gè)角度看，德國將研發(fā)補(bǔ)貼放在生產(chǎn)領(lǐng)域不無道理。國內(nèi)補(bǔ)貼政策也可借鑒此類方法，在補(bǔ)貼政策上實(shí)行多途徑刺激，在消費(fèi)端和研發(fā)端同時(shí)給予補(bǔ)貼，既保證政策效果也利于產(chǎn)業(yè)技術(shù)積淀。教育管理者大多身在深宮，不能完全深入市場，深入學(xué)校，深入家長之中，深入學(xué)生之中，所以他們得到的數(shù)據(jù)和信息有限，做出的決定也必然落后，甚至不符合現(xiàn)狀，經(jīng)常出現(xiàn)“一刀切”的執(zhí)行方案，昨天還

58、正常，今天就關(guān)門，這樣的處理方法什么問題都不能解決，還依然有眾多家長學(xué)生得不到良好的教育，或者失去了教育的權(quán)利。問題始終存在，關(guān)鍵在于處理解決問題的思路，要站在廣大群眾的一邊，想著如何為他們排憂解難，真切地了解他們的需求，努力幫他們實(shí)現(xiàn)期望，而不是頭疼醫(yī)腳，拍腦袋隨意做決定。2018年，我國向亞洲地區(qū)出口中藥材 18.54萬噸，出口額 9.71億美元，占我國中藥材出口總額的 80%。其中，日本、中國香港、韓國是亞洲地區(qū)的主要出口市場，主要出口品種有人參、枸杞子、茯苓、半夏、地黃等。2018年，日本超越中國香港成為我中藥材出口的第一大市場，出口占比達(dá)21.67%。我國對(duì)歐洲、北美洲等地區(qū)的出口占

59、比則相對(duì)較小。通過對(duì)機(jī)床行業(yè)定義及分類分析，近幾年，我國機(jī)床工具行業(yè)的發(fā)展速度從未低于15%(年增長率)，以上運(yùn)行，年銷售額從400多億元增加到2000多億元，連續(xù)八年多的增長使我國機(jī)床工具行業(yè)從規(guī)模上已進(jìn)入世界前三名。雖然還有這樣或那樣的不足，但我國機(jī)床工具行業(yè)已趨于成熟，今后的發(fā)展將是以創(chuàng)新、提升、優(yōu)化為主要模式。對(duì)于膜法而言，在海水淡化操作過程中，由于海水溫度、 pH、離子濃度等變化，海水中鈣、鎂離子可能生成碳酸鹽、硫酸鹽、氫氧化物沉淀，堵塞膜孔，降低膜的透水率，因此需要在水中添加阻垢緩釋劑、清潔劑、絮凝劑、阻垢分散劑等藥劑，為減少結(jié)垢沉積對(duì)反滲透膜的影響。對(duì)于蒸餾法來講，容易產(chǎn)生鍋垢從

60、而降低蒸發(fā)效率，可以通過海水進(jìn)行預(yù)處理來減少影響，向原水中加入聚磷酸鹽、有機(jī)磷酸，膦基聚羧酸等進(jìn)行水質(zhì)軟化，對(duì)鈣，鎂離子以及其他金屬離子螯合作用使其不易沉淀，阻止水垢的形成。通過對(duì)機(jī)床行業(yè)定義及分類分析，近幾年，我國機(jī)床工具行業(yè)的發(fā)展速度從未低于15%(年增長率)，以上運(yùn)行，年銷售額從400多億元增加到2000多億元，連續(xù)八年多的增長使我國機(jī)床工具行業(yè)從規(guī)模上已進(jìn)入世界前三名。雖然還有這樣或那樣的不足，但我國機(jī)床工具行業(yè)已趨于成熟，今后的發(fā)展將是以創(chuàng)新、提升、優(yōu)化為主要模式。目前，為了支持燃料電池汽車發(fā)展，各國積極建設(shè)氫能源燃料電池汽車配套設(shè)施。根據(jù)規(guī)劃，到 2020 年，到 2030 年將建