電力電子優(yōu)質(zhì)課程設(shè)計(jì)綜合任務(wù)書

1、電力電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)任務(wù)書一、課程設(shè)計(jì)日勺性質(zhì)和目日勺性質(zhì)：是電氣信息專業(yè)日勺必修實(shí)踐性環(huán)節(jié)。目勺：1、培養(yǎng)學(xué)生綜合運(yùn)用知識(shí)解決問(wèn)題勺能力與實(shí)際動(dòng)手能力；2、加深理解電力電子技術(shù)課程勺基本理論；3、初步掌握電力電子電路勺設(shè)計(jì)措施。二、課程設(shè)計(jì)勺題目/ （一）10KW 直流電動(dòng)機(jī)不可逆調(diào)速系統(tǒng)技術(shù)數(shù)據(jù)：直流電動(dòng)機(jī)：型號(hào)：Z371額定功率Pn=10KW額定電壓Un=220V額定電流IN =55A轉(zhuǎn)速 nN =1000r/min 極數(shù) 2P=4電樞電阻Rn =0.5Q電樞電感LD =7mH勵(lì)磁電壓Ul=220V勵(lì)磁電流Il=1.6A規(guī)定：調(diào)速范疇D=10/ （二）單相雙半波晶閘管整流電路勺設(shè)計(jì)（純電

2、阻負(fù)載）設(shè)計(jì)條件：1、電源電壓：交流100V/50Hz2、輸出功率：500W3、移相范疇0180/ （三）單相雙半波晶閘管整流電路勺設(shè)計(jì)（阻感負(fù)載）設(shè)計(jì)條件：1、電源電壓：交流100V/50Hz2、輸出功率：500W3、移相范疇090/ （四）單相雙半波晶閘管整流電路日勺設(shè)計(jì)（反電勢(shì)、電阻負(fù)載）設(shè)計(jì)條件：1、電源電壓：交流100V/50Hz2、輸出功率：500KW3、移相范疇301504、反電勢(shì)：E=70V/ （五）單相全控橋式晶閘管整流電路勺設(shè)計(jì)（純電阻負(fù)載）設(shè)計(jì)條件：1、電源電壓：交流100V/50Hz2、輸出功率：500W3、移相范疇0180/ （六）單相全控橋式晶閘管整流電路勺設(shè)計(jì)（阻

3、感負(fù)載）設(shè)計(jì)條件：1、電源電壓：交流100V/50Hz2、輸出功率：500W3、移相范疇0 90/ （七）單相全控橋式晶閘管整流電路勺設(shè)計(jì)（反電勢(shì)、電阻負(fù)載）設(shè)計(jì)條件：1、電源電壓：交流100V/50Hz2、輸出功率：500KW3、移相范疇301504、反電勢(shì)：E=70V/ （八）單相半控橋式晶閘管整流電路勺設(shè)計(jì)（阻感負(fù)載）設(shè)計(jì)條件：1、電源電壓：交流100V/50Hz2、輸出功率：500W3、移相范疇0180/ （九）單相半控橋式晶閘管整流電路勺設(shè)計(jì)（反電勢(shì)、電阻負(fù)載）2、輸出功率：500KW3、移相范疇301504、反電勢(shì)：E=70V/ （十）單相半控橋式晶閘管整流電路日勺設(shè)計(jì)（帶續(xù)流二極

4、管）（阻感負(fù)載）設(shè)計(jì)條件：1、電源電壓：交流100V/50Hz2、輸出功率：500W3、移相范疇0180/ （ 一）單相半控橋式晶閘管整流電路勺設(shè)計(jì)（帶續(xù)流二極管）（反電勢(shì)、電阻負(fù)載）設(shè)計(jì)條件：1、電源電壓：交流100V/50Hz2、輸出功率：500KW3、移相范疇301504、反電勢(shì)：E=70V/ （十二）MOSFET降壓斬波電路設(shè)計(jì)（純電阻負(fù)載）設(shè)計(jì)條件：1、輸入直流電壓：Ud=100V2、輸出功率：300W3、開(kāi)關(guān)頻率5KHz4、占空比10%90%5、輸出電壓脈率：不不小于10%/ （十三）IGBT降壓斬波電路設(shè)計(jì)（純電阻負(fù)載）設(shè)計(jì)條件：1、輸入直流電壓：Ud=100V2、輸出功率：30

5、0W3、開(kāi)關(guān)頻率5KHz4、占空比10%90%5、輸出電壓脈率：不不小于10%/ （十四）MOSFET升壓斬波電路設(shè)計(jì)（純電阻負(fù)載）設(shè)計(jì)條件：1、輸入直流電壓：Ud=50V2、輸出功率：300W3、開(kāi)關(guān)頻率5KHz4、占空比10%50%5、輸出電壓脈率：不不小于10%/ （十五）IGBT升壓斬波電路設(shè)計(jì)（純電阻負(fù)載）設(shè)計(jì)條件：1、輸入直流電壓：Ud=50V2、輸出功率：300W3、開(kāi)關(guān)頻率5KHz4、占空比10%50%5、輸出電壓脈率：不不小于10%/ （十六）MOSFET單相橋式無(wú)源逆變電路設(shè)計(jì)（純電阻負(fù)載）設(shè)計(jì)條件：1、輸入直流電壓：Ud=100V2、輸出功率：300W3、輸出電壓波形：1KHz方波/ （十七）IGBT單相橋式無(wú)源逆變電路設(shè)計(jì)（純電阻負(fù)