15條電源開發(fā)實用設計和調(diào)試經(jīng)驗

1、【W(wǎng)ord版本下載可任意編輯】 條電源開發(fā)實用設計和調(diào)試經(jīng)驗 這樣做可以使小板與 PCB 大板之間嚴密貼合，不會有浮高現(xiàn)象。 17. 電路設計，肖特基的散熱片可以接到輸出正極線路，這樣鐵封的肖特基就不用絕緣墊和絕緣粒。 18. 電路調(diào)試，15W 以上功率的 RCD 吸收不要用 1N4007，因為 1N4007 速度慢 300uS，壓降也大1.3V，老化過程中溫度很高，容易失效造成炸機。 19. 電路調(diào)試，輸出濾波電容的耐壓致少需符合1.2倍余量，避勉量產(chǎn)有損壞現(xiàn)象。 之前是犯了這個很低級的錯誤，14.5V 輸出用16V 耐壓電容，量產(chǎn)有1%的電容失效不良。 20. 電路設計，大電容或其它電容做

2、成臥式時，底部如有跳線需放在負極電位，這樣跳線可以不用穿套管，節(jié)省成本。 21. 整流橋堆、二極管或肖特基，晶元大小元件承認書或在 BOM 表要有描述，如67mil(理由：管控供給商送貨一致性，防止供給商偷工減料，影響產(chǎn)品效率)。 令人煩惱的就是供給商做手腳，導致一整批試產(chǎn)的產(chǎn)品過不了六級能效，原因就是肖特基內(nèi)部晶元用小導致。 22. 電路設計，Snubber 電容，因為有異音問題，優(yōu)先使用 Mylar 電容，這是處理異音的方法之一。 23. 電路設計，啟動電阻如果使用在整流前，要加串一顆幾百 K 的電阻。電阻短路時,不會造成 IC 和 MOSFET 損壞。 24. 電路設計，高壓大電容并一顆

3、103P 瓷片電容位置，理由：對輻射30-60MHz 都有一定的作用?？臻g允許的話，可以給 PCB Layout 留一個位置，方便 EMI 整改。 25. 在開展 EMS 項目測試時，需測試出產(chǎn)品的 程序，直到產(chǎn)品損壞為止。 例如 ESD 雷擊等，一定要打到產(chǎn)品損壞為止，并做好相關(guān)記錄，看產(chǎn)品余量有多少，做到心中有數(shù)。 26. 電路設計，異常測試時，短路開路某個元件如果還有輸出電壓則要開展 LPS 測試，過流點不能超過8A(超過 8A 是不能申請 LPS)。 “電路圖”電路圖 27. 安規(guī)開殼樣機，所有可選插件元件要裝上供拍照用，L、N 線和 DC 線與 PCB 要點白膠固定。 這個是經(jīng)常犯的一個毛病，經(jīng)常一股勁的把樣品送到第三方機構(gòu)，后面來來回回改來改去的。 28. 電路調(diào)試，冷機時 PSR 需1.15倍電流能開機，SSR 需1.3倍電流能開機，防止老化后啟動不良。PSR 現(xiàn)在很多芯片都可以實現(xiàn) “零恢復” OCP 電流，比方 ME8327N，具有 “零恢復” OCP 電流功能。 29. 電路設計，請注意使用的 Y 電容總?cè)萘?不能超過222P, 因為有漏電流的影響。針對不同安規(guī)，漏電流要求也不一樣，在設計時需特別留意。 30. 反激拓補構(gòu)造，變壓器 B 值需小于3500高斯，如果變壓器飽和一切動作將會失控，如下左圖為正常，右圖為飽和。 “” “” 變壓器的磁飽和一定要確