摻雜對薄膜的影響

1、AnwellPAnwellP&MGroup1Maki ng the IMPOSSIBLE possible1Maki ng the IMPOSSIBLE possible、P 層摻雜關于薄膜性能的影響CH 摻雜關于薄膜性能的影響4CH /SiH流量比關于薄膜沉積速率的影響44（a）報道來源：汪沁等.p-i-n 型非晶硅薄膜電池p 層材料制備及光學能研究J.大連理工大學學報，2011，54（ 1）： S1-S4.1 不同捧委比例卜的沉枳越率結論：隨著摻雜比（CH4/SiH4）（299kJ/mol）相比而言較高（413kJ/mol）,；其二，而言具有較低的吸附系數(shù)。CH/SiH流量比關于薄膜電學性

2、能（電導率）的影響44（a）PECV 法治備P 及多晶硅薄膜。薄膜樣本光學禁帶寬度、薄換厚度與光電導率的計算數(shù)值REeV1/5幔度伽REeV1/5幔度伽光電導2/51.98m3/52.16455/5223120.9106.75.65X101.88X101.&OX01014114.20.722Maki ng the IMPOSSIBLE possible2Maki ng the IMPOSSIBLE possible1/52/53/54/55/53-8 C 比/Si 比的關系結論：隨著甲烷摻雜濃度的增大，電導率逐漸降低，說明摻碳關于電導率有預 制的作用。CH/SiH流量比關于薄膜光學性能（光學帶

3、隙、透過率）的影響44CH/SiH流量比關于薄膜光學帶隙的影響443-8 光學帶隙與CH+/SiH,的關系（a）3-8 光學帶隙與CH+/SiH,的關系結論：隨著甲烷摻雜濃度的增大，薄膜的光學帶隙逐漸增大。原因是隨著碳 摻雜的增大，C-H 鍵和C-Si 鍵逐漸增多，C-H 鍵和C-Si 鍵的鍵能相比于Si-Si 鍵鍵能都要高， 因此隨著 C 摻量的增加高能鍵密度也增加，導致光學帶隙增大。3Maki ng the IMPOSSIBLE possible3Maki ng the IMPOSSIBLE possibleCH/SiH流量比關于薄膜透過率的影響44PECV法治備P多晶硅薄膜。波 K /n

4、rnUi 的溥腿遙過率圖諂I#R-I/5;2#R-2/5;3#R-3/5;曲R*4/S;5#尺一5F5結論：隨著C 摻雜含量的增加，薄膜的透過率也逐漸增大。原因是 C 摻量 的增加，導致光學帶隙的增大，使薄膜吸收邊向短波長方向移動， 透射率也就增 大。BH摻雜關于薄膜性能的影響B(tài) 2耳摻雜關于薄膜沉積速率的影響.硼摻雜關于熱絲CVJ.,2012,32(6):509-513.“w“w0.440.420.40(I.3K-.36-0.3斗-0.32344 薄膜沉枳速率與摻朵比例的關系結論：隨著硼烷摻雜濃度增加，薄膜的沉積速率逐漸降低。122 BH 摻雜關于薄膜電學性能的影響26.J.學報，2003,

5、9(2):150-154.6(Ml mi0.1JO2LLO 価 t.OOfi MW6Fig* 4 VarieU nt I 呻 ariihm wf film conu( liviu oping ratio 1B：H&/SiH+4 樣晶電導率關于址隨硼烷R 的變化規(guī)律Maki ng the IMPOSSIBLE possibleAnwellAnwellP&MGroup PAGE 5 PAGE 5Maki ng the IMPOSSIBLE possible.硼摻雜關于熱絲CVJ,2012,32(6):509-513.H Y 率。再摻孕比側的天系結論：隨著硼烷摻雜濃度的增加，薄膜的電導率增大，光暗電

6、導比大幅度降 低，原因是隨著硼烷摻雜的增加，薄膜中的載流子濃度增大，電導率就會增加。BH 摻雜關于薄膜光學性能(消光系數(shù)和吸收細數(shù)、光學帶隙、26折射率)的影響B(tài) 6摻雜關于薄膜消光系數(shù)和吸收細數(shù)的影響.摻硼pJ.,2010,28:296-304.AnwellPAnwellP&MGroup PAGE 7Maki ng the IMPOSSIBLE possible PAGE 7Maki ng the IMPOSSIBLE possible300 m 700 WU WO I woInmSO 700 8WlWE4H iV.Kli9A*Kllh閹雲(yún)協(xié)河繃烷的里：II；*韻?品直懂做鳳監(jiān)價濁結論：隨著

7、波長的增大，消光系數(shù)和吸收系數(shù)都在減少；隨著硼烷摻雜濃度 的升高,薄膜的消光系數(shù)和吸光系數(shù)都在增大。所以低濃度摻雜有利于讓更多的 光經過窗口層，提高電池性能。BH 摻雜關于薄膜光學帶隙的影響26.硼摻雜關于熱絲CVJ,2012,32(6):509-513.6 薄膜光學帶隙陷與摻雜比例的關系研究。9 58 51Xi .119 58 51Xi 珂烷，硅烷十甲辭量比10 C H 簿饌）t 學帶隙人BaHy （SiHcKH*流龜比關系罔，BH 摻雜關于薄膜折射率的影響26（a）.摻硼p J. ，2010,28:296-304.J 卜罔關烷廉卑比沉険的牢間齪誹帛阿折劇辜曲線結論：隨著摻雜濃度的增加，薄膜

8、的折射率先增大后降低。AnwellPAnwellP&MGroup二、N 層摻雜關于薄膜性能的影響Pf摻雜關于薄膜性能的影響PH 摻雜關于薄膜沉積速率的影響3PIN。Bt| lit kii11o If UM用4.6 n層沉積速率葩梅朵詼段變化圈結論：隨著PH 摻雜量的增大，沉積速率變化不大。PH 摻雜關于薄膜電學性能的影響3PIN制備及研究。Maki ng the IMPOSSIBLE possibleAnwellPAnwellP&MGroupp=2CWn-joorp=2CWn-joorFT =12Mccmgg41T 11i tit4J n 展暗電導率曲抄雜報度變化圖1I樣本暗電導率及結構有瘁度

9、與琪播雜靈度的關系arkconuctivityanstructure1I樣本暗電導率及結構有瘁度與琪播雜靈度的關系arkconuctivityanstructure(irrinepenenceofopingcontcnr11石0-40.30.73L0 L3S1.5Mcinm-rance (Hlcrin O16017arkconuctivityn(Scm-1)U M 0 3口M0.201220.222.4? x 1(? S41 - 10 1A (IK 7 |0J2.7a itr1PIN備與特性研究研究。Maki ng the IMPOSSIBLE possible9AnwellAnwellP&M

10、Group10f101”10 T IT ITr II IF I 0OS1.012141.68a-SiH4PHl/SiH4PH+/SiH4(%)結論：隨著PH3摻量的不斷增加，薄膜的電阻率逐漸減少，電導率逐漸增大， 這是因為PH3摻量增加，導致薄膜中的載流子增大，電阻率就會降低，電導率就 會增大。但隨著摻雜量的再度增加，薄膜的電阻率不再降低，電導率不再增大， 這是因為當PH 摻3雜過量時，部分磷原子取代 H原子直接形成Si-P鍵,減少了 缺陷態(tài)密度而使得薄膜的導電性能下降。2.1.3 PH摻雜關于薄膜光學性能的影響3PH摻雜關于薄膜透光率的影響3PECV1#=0.4%,2#=0.5%,3#=0.75%4#=1.0%,5#=1.25%, 6#=1.50%。Maki ng theIMPOSSIBLE possible10 PAGE 11 PAGE 11Maki ng the IMPOSSIBLE possibleaClJtiqaCl結論：罔 3平同瞬播朵濃摩