湖北省洪湖市文泉中學(xué)高二化學(xué)選修三導(dǎo)學(xué)案第三章第四節(jié)離子晶體(第二課時)

1、學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精高二化學(xué)HX1603-025選修3第三章第四節(jié)離子晶體導(dǎo)教學(xué)設(shè)計（第2課時）編寫人:傅芳審察人：徐萍編寫時間:2016-04-02班級姓名組名【學(xué)習(xí)目標(biāo)】經(jīng)過解析數(shù)據(jù)和信息，能說明晶格能的大小與離子晶體性質(zhì)的關(guān)系.【知識鏈接】1構(gòu)成離子晶體的粒子是，粒子之間的相互作用是，這些粒子在晶體中（能或不能夠)自由搬動,所以離子晶體(能或不能夠）導(dǎo)電,離子晶體中的配位數(shù)是指_.2._是決定離子晶體結(jié)構(gòu)的重要因素。其他,離子晶體的結(jié)構(gòu)還取決于_。【學(xué)習(xí)過程】.晶格能閱讀教材P80晶格能及談?wù)?、解析?8可得出哪些結(jié)論？，晶格能的大小與離子晶體的熔點有什么關(guān)系？離子晶體的晶格能與哪

2、些因素有關(guān)？1、定義：_2、規(guī)律：（1）離子電荷越,離子半徑越,離子晶體的晶格能越大.（2）晶格能越大，形成的離子晶體越，熔點越，硬度越。學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精3。巖漿晶出規(guī)則的影響因素：閱讀P81科學(xué)視野(1)晶格能(主要）：晶格能越，越早析出晶體。(2）濃度:越早達(dá)到,越易析出。例1。NaF、NaI、MgO晶體均為離子晶體,依照以下數(shù)據(jù)，這三種晶體的熔點高低序次是物質(zhì)NaFNaIMgO離子電荷數(shù)112離子間距離2.313.182.10/10-10mA。B。C。D。例2為什么Al2O3和MgO常作耐火資料？【當(dāng)堂檢測】1以下不屬于影響離子晶體結(jié)構(gòu)的因素的是(）A晶體中正、負(fù)離子的半徑比B

3、離子晶體的晶格能C晶體中正、負(fù)離子的電荷比D離子鍵的純粹程度2離子晶體之間的決定于離子鍵的大小，以下按離子鍵由大到小排列的是學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精ANaFNaClNaBrNaIBNa2ONa2SNaClNaICNaClCaCl2MgCl2AlCl3DMgCO3CaCO3SrCO3BaCO33下表是幾種碳酸鹽的分解溫度和陽離子半徑碳酸鹽MgCO3CaCO3SrCO3BaCO3熱分解溫40290011721360度/陽離子半6699112135徑/pm解析上表能夠得出A離子晶體中陽離子的半徑越大，越易分解B離子晶體中陽離子的半徑越小，越易分解C離子晶體中陽離子的半徑越大，結(jié)合碳酸根中的氧離子越

4、簡單D離子晶體中陽離子的半徑越小,結(jié)合碳酸根中的氧離子越簡單4共價鍵、離子鍵和范德華力是構(gòu)成物質(zhì)粒子間的不同樣作用方式，以下物質(zhì)中,只含有上述一種作用的是(）A干冰B氯化鈉C氫氧化鈉碘5以下關(guān)于金屬晶體和離子晶體的說法中錯誤的選項是()A都可采用“親密積聚結(jié)構(gòu)B都含離子C一般擁有較高的熔點和沸點D都能導(dǎo)電6以下說法中必然正確的選項是(）學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精A固態(tài)時能導(dǎo)電的物質(zhì)必然是金屬晶體B熔融狀態(tài)能導(dǎo)電的晶體必然是離子晶體C水溶液能導(dǎo)電的晶體必然是離子晶體D固態(tài)不導(dǎo)電而熔融態(tài)導(dǎo)電的晶體必然是離子晶體7.以下關(guān)于晶格能的說法中正確的選項是（）A晶格能指形成1mol離子鍵放出的能量B晶格能

5、指破壞1mol離子鍵所吸取的能量C晶格能指氣態(tài)離子結(jié)合成1mol離子晶體時所放出的能量晶格能的大小與晶體的熔點、硬度都沒關(guān)8氧化鈣在2973K時消融，而氯化鈉在1074K時消融，兩者的離子間距離和晶體結(jié)構(gòu)都近似,有關(guān)它們?nèi)埸c差別較大的原因表達(dá)不正確的選項是（)A氧化鈣晶體中陰、陽離子所帶的電荷數(shù)多B氧化鈣的晶格能比氯化鈉的晶格能大C氧化鈣晶體的結(jié)構(gòu)種類與氯化鈉晶體的結(jié)構(gòu)種類不同樣D在氧化鈣與氯化鈉的離子間距離近似的情況下,晶格能主要由陰、陽離子所帶電荷的多少決定9如圖是氯化銫晶體的晶胞(晶體中最小的重復(fù)結(jié)構(gòu)單元),已知晶體中2個近來的Cs核間距為acm，氯化銫（CsCl）的相對分子質(zhì)量為M，N

6、A為阿伏加德羅常數(shù)，則氯化銫晶體的密度為（）A8M3NAa333gcmB。錯誤!gcmC.錯誤!gcm錯誤!3D.gcm學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精10以下關(guān)于物質(zhì)熔點的排列序次，不正確的選項是(）AHIHBrHClHFBCI4CBr4CCl4CF4CNaClNaBrKBrD金剛石碳化硅晶體硅11關(guān)于晶體的以下說法正確的選項是A在晶體中只要有陰離子就必然有陽離子（）B在晶體中只要有陽離子就必然有陰離子C離子晶體的熔點必然比金屬晶體的高D分子晶體的熔點必然比金屬晶體的低12以下7種物質(zhì):白磷(P4）；水晶;氯化銨;氫氧化鈣；氟化鈉；過氧化鈉；石墨,固態(tài)下都為晶體，回答以下問題(填寫序號）:(1）不

7、含金屬離子的離子晶體是_，只含離子鍵的離子晶體是_，既有離子鍵又有非極性鍵的離子晶體是_，既有離子鍵又有極性鍵的離子晶體是_.2）既含范德華力又有非極性鍵的晶體是_，消融時既要戰(zhàn)勝范德華力又要破壞化學(xué)鍵的是_，消融時只破壞共價鍵的是_。13A、B為兩種短周期元素，A的原子序數(shù)大于B，且B原子的最外層電子數(shù)為A原子最外層電子數(shù)的3倍.A、B形成的化合物是中學(xué)化學(xué)常有的化合物，該化合物熔融時能導(dǎo)電。試回答以下問題：（1)A、B的元素符號分別是_、_。學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精2)用電子式表示A、B元素形成化合物過程：_。(3）A、B所形成的化合物的晶體結(jié)構(gòu)與氯化鈉晶體結(jié)構(gòu)相似，則每個陽離子周圍吸引

8、了_個陰離子;晶體中陰、陽離子數(shù)之比為:_。（4）A、B所形成化合物的晶體的熔點比NaF晶體的熔點_，其判斷的原因是_.【本節(jié)小結(jié)】一、離子晶體1離子晶體中陰、陽離子交替出現(xiàn)，層與層之間若是滑動，同性離子相鄰而使斥力增大概使不牢固，所以離子晶體無延展性.2離子晶體不導(dǎo)電，但在熔融狀態(tài)或水溶液中能導(dǎo)電.3離子晶體難溶于非極性溶劑而易溶于極性溶劑。4離子晶體的熔、沸點取決于構(gòu)成晶體的陰、陽離子間隔子鍵的強(qiáng)弱，而離子鍵的強(qiáng)弱，又可用離子半徑衡量,平時情況下，同種種類的離子晶體，離子半徑越小，離子鍵越強(qiáng),熔、沸點越高。5離子晶體中不用然含有金屬陽離子,如NH4Cl為離子晶體，不含有金屬陽離子，但必然含有陰離子。學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精6幾種晶體的比較晶體金屬晶體離子晶體分子晶原子晶體種類體基本金屬陽離陰離子、子、自由分子原子微粒陽離子電子金剛石、碳化硅多數(shù)的(SiC）、晶物質(zhì)離子化合非金屬體硅、二氧金屬單質(zhì)單質(zhì)和化硅等少種類物共價化數(shù)的非金合物屬單質(zhì)和共價化合物硬度和密度較大，硬度和密硬度和硬度和密物理熔、沸點度較大，密度較度大，熔、性質(zhì)較高，有熔、沸點小,熔、沸沸點高延展性，較高點較低有光彩決定金屬鍵強(qiáng)離子鍵強(qiáng)范德華共價鍵的熔、沸弱弱（或晶力（或氫強(qiáng)弱學(xué)必求其心得，業(yè)必貴于專精點高格能大鍵）的強(qiáng)低的小)弱因素熔融或溶某些