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文檔簡介

1、LD耦合模擬演示版本：1.0作者：徐白時間：2015-5-9目錄TOC o 1-5 h z第一章緒論3 HYPERLINK l bookmark10 o Current Document 第二章半導體激光與光纖耦合的理論4 HYPERLINK l bookmark12 o Current Document 2.1半導體激光器輸出光束特性4 HYPERLINK l bookmark14 o Current Document 2.2光纖的基本理論52.3光纖耦合條件6第三章10WLD耦合模擬73.1光路結構及器件參數73.2耦合模擬73.3光路優(yōu)化9第四章大功率LD耦合模擬11 HYPERLINK

2、 l bookmark4 o Current Document 4.1光路結構11 HYPERLINK l bookmark6 o Current Document 4.2耦合模擬12第五章結論17。昔卑誤欲工詢部北工呂黠務并胡aiMOEM甲場N亞軌馬率北工呂黠aiMOlWW修議工馬51辛早呂黠G1曲蔭MOE弓MOI徑X61U9Z宙I坐革傘第二章半導體激光與光纖耦合的理論21半導體激光器輸出光束特性溫度對半導體輸出功率的影響很大，溫度越高，LD的輸出功率越低。這就使得LD的有源層非常薄，厚度大約只有1pm,寬度一般在幾十到幾百pm。由于有源層非常狹窄，激光在傳輸的過程中就會發(fā)生衍射，光束會變得

3、發(fā)散，如圖1所示。EnEL8-15EnEL8-15圖表1半導體激光器出射光斑示意圖半導體激光器的桶中功率（PIB）定義為：光強下降到最大光強的1/2處所對應的角度，即半亮全寬時的全角發(fā)散角。垂直發(fā)散角用e丄表示，水平發(fā)散角用q表示。對于激光與光纖的耦合，發(fā)散角越小，調整的容忍度越大，越有利于高效率的耦合。我們選擇的LD芯片為Oclaro的SES12-915-02，其輸出的中心波長為910nm，輸出功率12W,e丄為58,0n為10.5。22光纖的基本理論圖表2圖表2光纖的結構光纖的一般結構如圖2所示，纖芯與包層為其結構主體。最外的涂覆層用于保護光纖，纖芯的折射率為ni，包層折射率為n2,n】n2,因此光束在纖芯與包層的交界面可以發(fā)生全反射而實現低損傳播。為了滿足全反射的實現條件，對照射到光纖端面的角度有要求，通過推算不難得到以下的公式：j2(11)NA-nosin(po-、應-巴(11)其中NA為光纖的數值孔徑，n0為空氣折射率，簡單計算可以取lg0為入射光束與水平方向的夾角，大于此數值的光束由于不能發(fā)生

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