進(jìn)入10萬級車間要求

進(jìn)入10萬級無塵車間須知一、無塵室須知進(jìn)入無塵室前，必須知會管理人，并通過基本訓(xùn)練。進(jìn)入無塵室嚴(yán)禁吸煙，吃（飲）食，外來雜物（如報(bào)章，雜志，鉛筆...等）不可攜入，并嚴(yán)禁嘻鬧奔跑及團(tuán)聚談天。進(jìn)入無塵室前，需在規(guī)定之處所脫鞋，將鞋置于鞋柜內(nèi)，外衣置于衣柜內(nèi)，私人物品置于私人柜內(nèi)，柜內(nèi)不可放置食物。進(jìn)入無塵室須先在更衣室，將口罩，無塵帽，無塵衣以及鞋套按規(guī)定依程序穿戴整齊，再經(jīng)空氣洗塵室洗塵，并踩踏除塵地毯（洗塵室地板上）方得進(jìn)入。戴口罩時，應(yīng)將口罩戴在鼻子之上，以將口鼻孔蓋住為原則，以免呼吸時污染芯片。穿著無塵衣，無塵帽前應(yīng)先整理服裝以及頭發(fā)，以免著上無塵衣后，不得整理又感不適。整肅儀容后，先戴無塵帽，無塵帽的穿戴原則系：（1） 頭發(fā)必須完全覆蓋在帽內(nèi)，不得外露。（2） 無塵帽之下擺要平散于兩肩之上，穿上工作衣后，方不致下擺脫出，裸露肩頸部。無塵帽戴妥后，再著無塵衣，無塵衣應(yīng)尺口寸合宜，才不致有褲管或衣袖太短而裸露皮膚之虞，穿衣時應(yīng)注意帽之下擺應(yīng)保平整之狀態(tài)，無塵衣不可反穿。穿著無塵衣后，才著鞋套，拉上鞋套并將鞋套整平，確實(shí)蓋在褲管之上。戴手套時應(yīng)避免以光手碰觸手套之手掌及指尖處（防止鈉離子污染），戴上手套后，應(yīng)將手套之手腕置于衣袖內(nèi)，以隔絕污染源。無塵衣著妥后，經(jīng)洗塵，并踩踏除塵毯，方得進(jìn)入無塵室。不論進(jìn)入或離開無塵室，須按規(guī)定在更衣室脫無塵衣，不可在其它區(qū)域?yàn)橹?，尤不可在無塵室內(nèi)邊走邊脫。無塵衣，鞋套等，應(yīng)定期清洗，有破損，脫線時，應(yīng)即換新。脫下無塵衣時，其順序與穿著時相反。脫下之無塵衣應(yīng)吊好，并放于更衣室內(nèi)上層柜子中；鞋套應(yīng)放置于吊好的無塵衣下方。更衣室內(nèi)小柜中，除了放置無塵衣等規(guī)定物品外，不得放置其它物品。除規(guī)定紙張及物品外，其它物品一概不得攜入無塵室。無塵衣等不得攜出無塵室，用畢放置于規(guī)定處所?？谡峙c手套可視狀況自行保管或重復(fù)使用。任何東西進(jìn)入無塵室，必須用灑精擦拭干凈。任何設(shè)備的進(jìn)入，請知會管理人，在無塵室外擦拭干凈，方可進(jìn)入。未通過考核之儀器，禁止使用，若遇緊急情況，得依緊急處理步驟作適當(dāng)處理，例如關(guān)閉水、電、氣體等開關(guān)。無塵室內(nèi)絕對不可動火，以免發(fā)生意外。二、無塵室操作須知處理芯片時，必須戴上無纖維手套，使用清洗過的干凈鑷子挾持芯片，請勿以手指或其它任何東西接觸芯片，遭碰觸污染過的芯片須經(jīng)清洗，方得繼續(xù)使用：任何一支鑷子前端(即挾持芯片端)如被碰觸過，或是鑷子掉落地上，必須拿去清洗請勿用紙巾或布擦拭臟鑷子。芯片清洗后進(jìn)行下一程序前，若被手指碰觸過，必須重新清洗。把芯片放置于石英舟上，準(zhǔn)備進(jìn)爐管時，若發(fā)現(xiàn)所用鑷子有污損現(xiàn)象或芯片上有顯眼由鑷子所引起的污染，必須將芯片重新清洗，并立即更換干凈的鑷子使用。芯片必須放置盒中，蓋起來存放于規(guī)定位置，盡可能不讓它暴露。避免在芯片上談話，以防止唾液濺于芯片上，在芯片進(jìn)擴(kuò)散爐前，請?zhí)貏e注意，防止上述動作產(chǎn)生，若芯片上沾有纖維屑時，用氮?dú)鈽寚娭蔫F弗龍(Teflon)晶舟，石英舟(QuartzBoat)等載具(Carrier)上，取出芯片時，必須垂直向上挾起，避免刮傷芯片，顯微鏡鏡頭確已離芯片，方可從吸座上移走芯片。芯片上，若已長上氧化層，在送黃光室前切勿用鉆石刀在芯片上刻記。操作時，不論是否戴上手套，手絕不能放進(jìn)清洗水槽。使用化學(xué)站或烤箱處理芯片時，務(wù)必將芯片置放于鐵弗龍品舟內(nèi)，不可使用塑料盒。擺置芯片于石英舟時，若芯片掉落地上或手中則必須重新清洗芯片，然后再進(jìn)氧化爐。請勿觸摸芯片盒內(nèi)部，如被碰觸或有碎芯片污染，必須重作清洗。手套，廢紙及其它雜碎東西，請勿留置于操作臺，手套若燒焦、磨破或纖維質(zhì)變多必須換新。非經(jīng)指示，絕不可開啟不熟悉的儀器及各種開關(guān)閥控制鈕或把手。奇怪的味道或反應(yīng)異常的溶液，顏色，聲響等請即通知相關(guān)人員。儀器因操作錯誤而有任何損壞時，務(wù)必立刻告知負(fù)責(zé)人員或老師。芯片盒進(jìn)出無塵室須保持干凈，并以保鮮膜封裝，違者不得進(jìn)入。無塵室內(nèi)一律使用原子筆及無塵筆記本做記錄，一般紙張與鉛筆不得攜入。三、 黃光區(qū)操作須知濕度及溫度會影響對準(zhǔn)工作，在黃光區(qū)應(yīng)注意溫度及濕度，并應(yīng)減少對準(zhǔn)機(jī)附近的人，以減少濕、溫度的變化。上妥光阻尚未曝光完成之芯片，不得攜出黃光區(qū)以免感光。己上妥光阻，而在等待對準(zhǔn)曝光之芯片，應(yīng)放置于不透明之藍(lán)黑色品盒之內(nèi)，盒蓋必須蓋妥。光罩使用時應(yīng)持取邊緣，不得觸及光罩面，任何狀況之下，光罩銘膜不得與他物接觸，以防刮傷，光罩之落塵可以氮?dú)鈽尨抵?。曝光時，應(yīng)避免用眼睛直視曝光機(jī)汞燈。四、 鑷子使用須知進(jìn)入實(shí)驗(yàn)室后，應(yīng)先戴上手套后，再取鑷子，以免沾污。唯有使用干凈的鑷子，才可持取芯片，鑷子一旦掉在地上或被手觸碰，或因其它原因而遭污染，必須拿去清洗，方可再使用。鑷子使用后，應(yīng)放于各站規(guī)定處，不可任意放置，如有特殊制程用鑷子，使用后應(yīng)自行保管，不可和實(shí)驗(yàn)室內(nèi)各站之鑷子混合使用。持鑷子應(yīng)采"握筆式”姿勢挾取芯片。挾取芯片時，順序應(yīng)由后向前挾取，放回芯片時，則由前向后放回，以免刮傷芯片表面。挾取芯片時，"短邊”（鋸狀頭）置于芯片正面，”長邊”（平頭）置于芯片背面，挾芯片空白部分，不可傷及芯片。嚴(yán)禁將鑷子接觸酸槽或D.IWater水槽中。鑷子僅可做為挾取芯片用，不準(zhǔn)做其它用途。五、化學(xué)藥品使用須知化學(xué)藥品的進(jìn)出須登記，并知會管理人，并附上物質(zhì)安全資料表（MSDS）于實(shí)驗(yàn)室門口。2.使用化學(xué)藥品前，請?jiān)斪x物質(zhì)安全資料表（MSDS），并告知管理人。換酸前必先穿著防酸塑料裙，戴上防酸長袖手套，頭戴護(hù)鏡，腳著塑料防酸鞋，始可進(jìn)行換酸工作。不得任意打開酸瓶的蓋子，使用后立即鎖緊蓋子。稀釋酸液時，千萬記得加酸于水，絕不可加水于酸。勿嘗任何化學(xué)藥品或以嗅覺來確定容器內(nèi)之藥品。不明容器內(nèi)為何種藥品時，切勿搖動或倒置該容器。所有化學(xué)藥品之作業(yè)均須在通風(fēng)良好或排氣之處為之。操作各項(xiàng)酸液時須詳讀各操作規(guī)范。酸類可與堿類共同存于有抽風(fēng)設(shè)備的儲柜，但絕不可與有機(jī)溶劑存放在一起。廢酸請放入廢酸桶，不可任意傾倒，更不可與有機(jī)溶液混合。廢棄有機(jī)溶液置放入有機(jī)廢液桶內(nèi)，不可任意傾倒或倒入廢酸桶內(nèi)。勿任意更換容器內(nèi)溶液。欲自行攜入之溶液請事先告知經(jīng)許可后方可攜入，如果欲自行攜入之溶液具有危險(xiǎn)性時，必須經(jīng)評估后方可攜入，并請于容器上清楚標(biāo)明容器內(nèi)容物及保存期限。廢液處理：廢液分酸、堿、氫氟酸、有機(jī)、等，分開處理并登記，回收桶標(biāo)示清楚，廢液桶內(nèi)含氫氟酸等酸堿，絕對不可用于觸碰。漏水或漏酸處理：漏水或漏酸時，為確保安全，絕對不可用于觸碰，先將電源總開關(guān)與相關(guān)閥門關(guān)閉，再以無塵布或酸堿吸附器處理之，并報(bào)備管理人。六、 化學(xué)工作站操作操作時須依規(guī)定，戴上橡皮手套及口罩。不可將塑料盒放入酸槽或清洗槽中。添加任何溶液前，務(wù)必事先確認(rèn)容器內(nèi)溶劑方可添加。在化學(xué)工作站工作時應(yīng)養(yǎng)成良好工作姿勢，上身應(yīng)避免前傾至化學(xué)槽及清洗槽之上方，一方面可防止危險(xiǎn)發(fā)生，另一方面亦減少污染機(jī)會?；瘜W(xué)站不操作時，有蓋者應(yīng)隨時將蓋蓋妥，清洗水槽之水開關(guān)關(guān)上。化學(xué)藥品濺到衣服、皮膚、臉部、眼睛時，應(yīng)即用水沖洗濺傷部位15分鐘以 上，且必須皮膚顏色恢復(fù)正常為止，并立刻安排急救處理。化學(xué)品外泄時應(yīng)迅速反應(yīng)，并做適當(dāng)處理，若有需要撤離時應(yīng)依指示撤離。各化學(xué)工作站上使用之橡皮手套，避免觸碰各機(jī)臺及工作臺，及其它器具等物，一般操作請戴無塵手套。七、 RCAMethodDIWater 5minH2SO4:H2O2=3:1 煮10~20min75~85°C，去金屬、有機(jī)、油DIWater 5minHF:H2O 10~30sec，去自然氧化層（NativeOxide)5minDIWater5minNH4OH:H2O2;H2O=1:1:5煮10~20min75~85°C，去金屬有機(jī)DIWater 5minHCl:H2O2:H2O=1:1:6 煮10~20min 75~85 C 去離子DIWater 5minSpinDry八、清洗注意事項(xiàng)有水則先倒水，H2O2最后倒，數(shù)字比為體積比。有機(jī)與酸堿絕對不可混合，操作平臺也務(wù)必分開使用。酸堿溶液等冷卻后倒入回收槽，并以DIWater沖玻璃杯5min。酸堿空瓶以水清洗后，并依塑料瓶，玻璃瓶分開置于室外回收筒。氫氟酸會腐蝕骨頭，若碰到立即用葡萄酸鈣加水涂抹，再用清水沖洗干凈，并就醫(yī)。碰到其它酸堿則立即以DIWater大量沖洗。清洗后之Wafer盡量放在DIWater中避免污染。簡易清洗步驟為1-2-9-10；清洗SiO2步驟為1-2-10；清洗Al以HCl:H2O=1:1。去除正光阻步驟為1-2-10,或浸入ACE中以超音波振蕩。每個玻璃杯或槽都有特定要裝的溶液，蝕刻、清洗、電鍍、有機(jī)絕不能混合。廢液回收分酸、堿、氫氟酸、電鍍、有機(jī)五種，分開回收并記錄，傾倒前先檢查廢棄物兼容性表，確定無誤再傾倒。無塵室系統(tǒng)使用操作方法首先打開控制器面板上的【電熱運(yùn)轉(zhuǎn)】、【加壓風(fēng)車運(yùn)轉(zhuǎn)】、【浴塵室運(yùn)轉(zhuǎn)】、【排氣風(fēng)車運(yùn)轉(zhuǎn)】等開關(guān)。注意:大溫度控制器及濕度控制器可由黃色鈕調(diào)整，一般溫度控制為20CDB，濕度控制為50%RH。大左側(cè)的控制器面板上電壓切換開關(guān)為【RU】，電流切換開關(guān)為【T】。右側(cè)的控制器面板上電壓切換開關(guān)為【RS】，電流切換開關(guān)為【OFF】。將箱型空氣調(diào)節(jié)機(jī)的送風(fēng)關(guān)關(guān)打開，等送風(fēng)穩(wěn)定后再將冷氣暖氣開關(guān)打開，此時紅色燈會亮起，表示正常運(yùn)作。汪意:太冷氣的起動順序?yàn)閴嚎s機(jī)【NO.2】。大溫度調(diào)節(jié)為指針指向紅色暖氣【5】。大分流開關(guān)AIRVALVE為【ON】。無塵室使用完畢后，要先將箱型空氣調(diào)節(jié)機(jī)關(guān)閉，按【停止】鍵即可。再將控制器面板上的【電熱運(yùn)轉(zhuǎn)】、【加壓風(fēng)車運(yùn)轉(zhuǎn)】、【浴塵室運(yùn)轉(zhuǎn)】、【排氣風(fēng)車運(yùn)轉(zhuǎn)】等開關(guān)依序關(guān)閉。氣體鋼瓶使用操作方法用把手逆時針打開氣體鋼瓶到底，將【0UTLET】打開PURGE關(guān)閉。由黑色轉(zhuǎn)鈕調(diào)整氣體鋼瓶的壓力（psi），順時針方向?yàn)樵黾樱鏁r針方向?yàn)闇p少。將N2鋼瓶調(diào)整為40psi（黃光室內(nèi)為20psi）,AIR鋼瓶調(diào)整為80psi（黃光室內(nèi)為60psi）。氣體鋼瓶使用完畢后，用把手順時針關(guān)閉氣體鋼瓶到底，將【OUTLET】關(guān)閉【PURGE］打開將管路內(nèi)的氣體排出后將【purge］關(guān)閉。純水系統(tǒng)使用操作方法閥門控制(1)閥門（VALVE）V1、V2、V3、V4、V6、V8、V10、V12、V13、V14、(1)V16、V17、V19應(yīng)保持全開。閥門V5、V7、V11、V18、V21應(yīng)保持全關(guān)。閥門V9、V20為調(diào)壓作用，不可全開或全關(guān)。閥門中V5為砂濾機(jī)之BY-PASS，V15為U.V燈之BY-PASS，V18為DI桶之BY-PASS，V21為RO膜之BY-PASS。自動造水步驟1：如上【閥門控制】將各球閥門開關(guān)定位。步驟2：控制箱上，各切換開關(guān)保持在【OFF】位置。步驟3：將控制箱上【系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)】開關(guān)切換至【ON】位置。步驟4：電磁閥1激活先做初期排放。步驟5：電磁閥2激活造水。步驟6：此時，PUMP1、PUMP2依序激活，系統(tǒng)正常造水，RO產(chǎn)水經(jīng)管路進(jìn)入儲水桶(TANK)，當(dāng)水滿后控制箱上高液位指示燈亮，系統(tǒng)自動停機(jī)，并于儲水桶水位下降至低液位時再激活造水。系統(tǒng)用水將控制箱上之【夜間循環(huán)-停-用水】切換開關(guān)切換至【用水】，此時PUMP3輸送泵浦激活，TANK內(nèi)之純水經(jīng)幫浦輸送至U.V、DI桶及精密過濾后，供現(xiàn)場各使用點(diǎn)使用。夜間循環(huán)控制箱上之【夜間循環(huán)-停-用水】切換開關(guān)，主要在配合每日下班或連續(xù)假日停止供水后管路之衛(wèi)生考慮，其步驟為：停止供水59分鐘后，系統(tǒng)再自動供水1分鐘。此后每隔59分鐘供水循環(huán)1分鐘至夜間循環(huán)【?！繛橹?。

5.系統(tǒng)偵測5.系統(tǒng)偵測本系統(tǒng)中附有各項(xiàng)壓力表、流量計(jì)及導(dǎo)電度計(jì)，作為系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)之控制，其功能如下：壓力表1：砂濾機(jī)進(jìn)水壓力壓力表2：RO進(jìn)水壓力壓力表3：RO排水壓力壓力表4：DI進(jìn)水壓力壓力表5：供水回流壓流量計(jì)1：RO排水流量流量計(jì)2：RO產(chǎn)水流量另外，控制箱(機(jī)房)附有二段式LED導(dǎo)電度顯示屏，原水及產(chǎn)水分別切換顯示。系統(tǒng)維護(hù)HF-RD系統(tǒng)，應(yīng)定期更新之耗材：砂濾機(jī)應(yīng)定期逆時。預(yù)濾應(yīng)每1-2個月更新。膜管應(yīng)視其去除率及產(chǎn)水量做必要之清洗或更新。樹脂混床視比電阻值更新。精密過濾約每2-4個月更新。故障排除現(xiàn)象可能因素排除方法系統(tǒng)停機(jī)、系統(tǒng)無法激活1.外電源異常2.系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)開關(guān)未按下3.系統(tǒng)電路故障4.馬達(dá)/泵浦故障1.檢查系統(tǒng)電源電路2.按下系統(tǒng)運(yùn)轉(zhuǎn)開關(guān)通知廠商4.更新馬達(dá)/泵浦低產(chǎn)水量1.膜管排水量太高2.壓力不足3.膜管阻塞1.調(diào)整排水閥V92.清洗膜管或更新膜管低比電阻1.樹脂功能下降2.RO去除率下降1.更換樹脂2.更換RO膜組光罩對準(zhǔn)機(jī)使用操作方法曝光機(jī)簡介在半導(dǎo)體制程中，涂布光阻后的芯片，須經(jīng)UV紫外光照射曝光顯影，此臺曝光機(jī)為OAI200系列，整合光罩對準(zhǔn)、UV紫外光曝光顯影、UV紫外光測量裝置及光罩夾持裝置。OAI200系列為一入門型光罩對準(zhǔn)儀，可以手動操作更改各項(xiàng)使用參數(shù)，如曝光時間、曝光強(qiáng)度及曝光功率等等。對于中高階的線寬有很好的顯影效果，此系列最大可使用四口寸的芯片，最大的曝光功率為1KW。曝光機(jī)使用步驟檢查氮?dú)怃撈俊碅IR60psi〉〈N220psi〉以及黃光室的氮?dú)忾y、空氣閥是否有開啟。開啟曝光機(jī)下方延長線的紅色總開關(guān)，再開啟曝光機(jī)、顯微鏡。接上隧道式抽風(fēng)馬達(dá)電源，進(jìn)行曝光機(jī)抽風(fēng)步驟，并檢查曝光機(jī)上方汞燈座后面進(jìn)風(fēng)口是否有進(jìn)氣。如果風(fēng)量微小或者無進(jìn)氣，則無法開啟汞燈的電源〈會有警報(bào)聲〉。確定進(jìn)風(fēng)口有進(jìn)氣后，才可開啟曝光機(jī)下方的汞燈電源供應(yīng)器ON/OFF開關(guān)。按住汞燈電源供應(yīng)器之START鍵，約1~3秒鐘，此時電流值會上升〈代表汞燈點(diǎn)亮，開始消耗電流〉，馬上放掉按鍵，汞燈即被點(diǎn)亮。汞燈點(diǎn)亮后，至少須待機(jī)30分鐘，使Lightsource系統(tǒng)穩(wěn)定。假使汞燈無法點(diǎn)亮，請不要作任何修護(hù)動作。待系統(tǒng)穩(wěn)定后，把電源供應(yīng)器上的電壓、電流值填到紀(jì)錄表上，每一次開燈使用都要登記作為紀(jì)錄。6.旋開光罩夾具之螺絲，光罩之正面〈鍍銘面〉朝下，對準(zhǔn)三個基準(zhǔn)點(diǎn)，6.壓下【MASKVAC.】鍵，使真空吸住光罩，再鎖好螺絲以固定光罩。注意：大MASKHolder必須放下時才能放置光罩。扳動【MASKFRAMEUP/DOWN】可使MASKHolder升起或放下。太先用氮?dú)獯倒庹趾蚆ASKHolder，光罩正面朝下，對準(zhǔn)黑邊鐵框，手勿接觸光罩，壓下【MASKVAC.】鍵，使真空吸住光罩，鎖上旁邊兩個黑鐵邊。大檢查放置芯片的圓形基座CHUNK是否有比光罩低些，防止光罩壓破芯片。扳起【MASKFRAMEUP/DOWN】鍵，使MASKHolder上升，放置芯片到CHUNK上，將【SUBVAC.】鍵扳至ON，使真空吸住芯片，扳下【MASKFRAMEUP/DOWN】鍵，使MASKHolder放下。扳動臺邊鈕(BallLockButton)為Unlock，順時針方向慢慢旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)鈕(Zknob)，使芯片基座上升，直到傳動皮帶感覺已拉緊即可，然后逆時針旋轉(zhuǎn)ZKnob約15格，扳動臺邊鈕(BallLockButton)為Lock。注意：大Zknob每格約15microns。大逆時針方向旋轉(zhuǎn)Zknob，會使放置芯片基座下降，其目的是為了作對準(zhǔn)時，讓芯片和光罩有些許的距離，使芯片與光罩不會直接摩擦。大若不須對準(zhǔn)時，可以不使用逆時針方向旋轉(zhuǎn)Zknob。太旋轉(zhuǎn)Zknob時，不論順時針或逆時針轉(zhuǎn)動，當(dāng)皮帶打滑時，代表芯片基座已和光罩接觸，此時不可逆時針旋轉(zhuǎn)，而導(dǎo)致內(nèi)部螺栓松脫。大CHUNK"Z"ADJUST一般為15A~20A之間，且電流越小皮帶越松。移動顯微鏡座，全光罩上方，作芯片與光罩的對準(zhǔn)校正。如須調(diào)整芯片的位置，可使用芯片基座旁的微調(diào)桿，校正芯片座X、Y及仇10.100SEC1000SECRESETEXPOSESEC曝光機(jī)面板左側(cè)如下圖：注意：大曝光秒數(shù)有兩種設(shè)定，一種為1000SEC,一種為100SEC。當(dāng)按下1000SEC時，計(jì)數(shù)器最大可設(shè)999秒的曝光時間；按下100SEC時，計(jì)數(shù)器最大可設(shè)99.9秒的曝光時間。大再設(shè)定曝光秒數(shù)時要先測量汞燈的亮度，先按LAMPTEST再按住把手上的按鈕移動基座至曝光機(jī)左端底，后然將OAI306UVPOWERMETER放置于CHUNK上即可，完畢后按RESET，而且可多測幾個不同的位置，觀看汞燈的亮度是否均勻，所測得的單位為mw/cm2，乘時間（SEC）即變可mJ的單位。設(shè)定好曝光秒數(shù)后，即可進(jìn)行曝光的程序。扳動【CONTACTVAC.】至ON，【N2PURGE】至ON，則芯片和光罩之間會產(chǎn)生些許的真空。注意:大【CONTACTVACADJUST】的范圍一般為紅色-25kpa左右。按住把手上的按鈕，此時基座才可移動，移至曝光機(jī)左端底，放開按鈕，則曝光機(jī)會自動進(jìn)行曝光的動作。曝光完成后，即可將基座移回曝光機(jī)右端。扳動扳動【N2PURGE］為OFF。再扳動【CONTACTVAC.】至OFF，儀器會充氮?dú)馄乒庹峙c芯片間的真空，方便使用者拿出芯片。逆時針旋轉(zhuǎn)Zknob，降下芯片基座至最低點(diǎn)。松開光罩固定的黑邊鐵框，拉起【MASKVAC.】鈕，即可破除MASKHolder的真空，光罩即可取出。扳起【MASKFRAMEUP/DOWN】為UP，使MASKHolder升起。扳動【SUBVAC.】為OFF，使用芯片夾取出芯片，再扳【MASKFRAMEUP/DOWN］為DOWN。如須進(jìn)行再一次的曝光，則可重復(fù)上述步驟。完成所有的曝光程序后，先關(guān)掉顯微鏡光源產(chǎn)生器，再關(guān)掉汞燈電源供應(yīng)器?！搓P(guān)燈后一小時內(nèi)不可再開啟汞燈，已延長汞燈壽命〉先關(guān)隧道式抽風(fēng)馬達(dá)電源，關(guān)掉曝光機(jī)的開關(guān)【SYSTEMON/OFF】為OFF，再關(guān)掉曝光機(jī)下方的延長線總開關(guān)。待曝光機(jī)冷卻后，最后再關(guān)掉墻上氮?dú)忾y及空氣閥。熱蒸鍍機(jī)使用操作方法開機(jī)步驟開機(jī)器背面的總電源開關(guān)。開冷卻水，需先激活D.IWater系統(tǒng)。開RP，熱機(jī)2分鐘。開三向閥切至F.V的位置，等2分鐘。開DP，熱機(jī)30分鐘（熱機(jī)同時即可進(jìn)行Sample之清洗與裝載，以節(jié)省時間）。裝載開Vent，進(jìn)氣之后立刻關(guān)閉。開ChamberoLoadingSample、Boat及金屬。以Shutter擋住Sampleo關(guān)Chamber，關(guān)門時務(wù)必注意門是否密合，因機(jī)器年久失修，通常須用于壓緊門的右上角。抽真空初抽（1）三向閥切至R.V位置（最好每隔幾分鐘就切換到F.V一下，以免DP內(nèi)的幫浦油氣分子擴(kuò)散進(jìn)入chamber中)。真空計(jì)VAP-5顯示至5'10-2torr時三向閥切至F.V,等30秒。細(xì)抽M.VON，記錄時間。IONGAUGEON,壓下Fil點(diǎn)燃燈絲(需要低于10-3Torr以下才抽氣完成)。蒸鍍壓力約2'10-5Torr時，開始加入液態(tài)氮。壓力低于2'10-6Torr時，記錄壓力及抽氣時間并關(guān)掉IONGAUGE。HeaterPowerON(確定Power調(diào)整鈕歸零)。選擇BOAT1orBOAT2。蒸鍍開始，注意電流需慢慢增加。注意:大鍍金時，儀表上電流約100A,鍍Al時電流可稍微小些，約70~80A。大當(dāng)BOAT高熱發(fā)出紅光時，應(yīng)立即關(guān)閉觀景窗，以免金屬附著在觀景窗的玻璃上。太空鍍幾秒將待鍍金屬表面清干凈后即可打開Shutter，開始蒸鍍。大蒸鍍完成后，立刻關(guān)閉HeaterPower，等10~15分鐘讓BOAT冷卻及蒸鍍后的金屬冷卻，避免立即和空氣接觸而氧化，才可vent破真空。破真空SubstrateHold溫度需要降至常溫。IONGAUGE【POWER】OFF。M.VOFF。DPOFF冷卻30~60分鐘。開Vent（進(jìn)氣后立刻關(guān)閉）。開Chamber，取出Sample及BOAT。關(guān)Chamber，注意將門關(guān)緊。關(guān)機(jī)關(guān)F.V。開R.V，抽至0.01Torr之后關(guān)閉。開F.V，30秒后三向閥切至關(guān)閉之位置。RPOFF。關(guān)總電源。關(guān)冷卻水。關(guān)氮?dú)狻Ｗ⒁猓捍笳翦儠r，電流應(yīng)緩慢增大，且不可太大，以免金屬在瞬間大量氣化，使厚度不易控制。太若接續(xù)他人使用，液態(tài)氮可少灌一點(diǎn)兒，約三分之一筒即可。氧化爐管使用操作方法氧化爐管簡介本實(shí)驗(yàn)室所采用之氧化爐管為LentonLTF1200水平管狀式爐子，可放2英口寸硅品圓，加熱區(qū)大于50cm，最高溫度可達(dá)1200°C并可連續(xù)24hr，最大操作溫度為1150°C，溫控方式采用PID微電腦自動溫度控制器。目的將硅芯片曝露在高溫且含氧的環(huán)境中一段時間后，我們可以在硅芯片的表面生長一層與硅的附著性良好，且電性符合我們要求的絕緣體-SiO2。注意:大在開啟氧化爐之前，必須先確定【HEAT】Switch設(shè)定為【0】關(guān)閉的狀態(tài)。Switch在有電源供應(yīng)時【1】將會發(fā)光，而氧化爐也將開始加熱。大如果過溫保護(hù)裝置是好的，請確定警報(bào)點(diǎn)的設(shè)定于目前的使用過程中為恰當(dāng)?shù)亍Ｈ绻^熱保護(hù)裝置是好的，蜂嗚器會有聲音，在過溫控制操作中有警報(bào)一致的程序。大為了改善石英玻璃管或襯套熱量的碰撞，其加熱速率最大不能超過3°Cpermin。大為了減少熱流失，必須確定正確的操作程序，適當(dāng)?shù)氖褂媒^緣栓和放射遮蔽可以密封石英玻璃管。大在操作氧化爐時不要在最大溫度下關(guān)閉氧化爐，以延長氧化爐的壽命。操作步驟：檢查前一次操作是否有異常問題發(fā)生，并填寫操作記錄。檢查機(jī)臺狀態(tài)控制面板狀態(tài)：使用前先確定【H