半導(dǎo)體材料試題_第1頁
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半導(dǎo)體材料［填空題］1半導(dǎo)體的基本特性是什么？O電阻率大體在:1。與~10吧”由范圍④負(fù)電阻溫度蔡數(shù)0光電導(dǎo)效應(yīng)?挺參考答案：?霍爾效應(yīng)［填空題］2為什么說有一天，硅微電子技術(shù)可能會(huì)走到盡頭?參考答案：［填空題］3比較SiHCl氫還原法和硅烷法制備高純硅的優(yōu)缺點(diǎn)。參考答案：（1）三氯氫硅還原法優(yōu)點(diǎn)：產(chǎn)率大，質(zhì)量高，成本譙，是目前國(guó)內(nèi)外制備高純硅的主要方法.缺點(diǎn)：基硼、9s較大口⑵硅烷法優(yōu)點(diǎn)?除硼效果好;1硼以復(fù)鹽形式留在液相中）⑤無腐蝕/寰氐污染；（無鹵素及有化氫產(chǎn)生）@無需還原劑，分解效率高；Q）制備多晶硅金屬雜質(zhì)含量低（six的沸點(diǎn)低）缺點(diǎn)：安全性問題［填空題］4什么是分凝現(xiàn)象？平衡分凝系數(shù)？有效分凝系數(shù)?參考答案：［填空題］5寫出BPS公式及各個(gè)物理量的含義，并討論影響分凝系數(shù)的因素。參考答案：

［填空題］6分別寫出正常凝固過程、一次區(qū)熔過程錠條中雜質(zhì)濃度CS公式，并說明各個(gè)物理量的含義。參考答案：［填空題］7為什么實(shí)際區(qū)熔時(shí)，最初幾次要選擇大熔區(qū)后幾次用小熔區(qū)的工藝條件?參考答案：

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