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-.z.27162716指的是Intel2716芯片，Intel2716是一種可編程可擦寫存儲器芯片封裝：雙列直插式封裝，24個引腳基本結(jié)構(gòu)：帶有浮動?xùn)诺腗OS管封裝：直插24腳，引腳功能：Al0~A0：地址信號O7~O0：雙向數(shù)據(jù)信號輸入輸出引腳；CE：片選OE：數(shù)據(jù)輸出允許；Vcc：+5v電源，VPP：+25v電源；GND：地2716讀時序：2732相較于2716：Intel2716存儲器芯片的存儲陣列由4K×8個帶有浮動?xùn)诺腗OS管構(gòu)成，共可保存4K×8位二進(jìn)制信息封裝：直插24腳引腳功能：A0~A11地址E片選G/VPP輸出允許/+25v電源DQ0~7數(shù)據(jù)雙向VSS地VCC+5v電源2732讀時序2764、27128、27256、27512等與之類似27020存儲空間：256k*8讀寫時間：55/70ns封裝：直插/貼片32腳引腳功能：A0~A17地址線I/O0~7數(shù)據(jù)輸入輸出CE片選OE輸出允許PGM編程選通VCC+5v電源VPP+25v電源GND地27020讀時序：27040與之類似RAM--61166116是2K*8位靜態(tài)隨機(jī)存儲器芯片,采用CMOS工藝制造,單一+5V供電,額定功耗160mW,典型存取時間90/120ns,封裝：24線雙列直插式封裝.引腳功能:

A0-A10為地址線;CE是片選線;OE是讀允許線;WE是寫允許線.操作方式：CEOEWE方式D0-D7H----未選中高阻LLH讀DoutLHL寫DinLLL寫DinRAM—62646264是8K*8位靜態(tài)隨機(jī)存儲器芯片,采用CMOS工藝制造,單一+5V供電,最大功耗450mW,典型存取時間70/100/120ns,封裝：直插式28腳引腳功能：A0~A12:地址線WE寫允許OE讀允許CS片選NC—NoconnectionI/O1~I/O8數(shù)據(jù)輸入輸出操作模式模式CS1CS2OEWEI/O1~8備用H***高阻*L**高阻禁止輸出LH/r/

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