半導(dǎo)體芯片制造中、高級(jí)工考試題

半導(dǎo)體芯片制造中、高級(jí)工考試題1、 填空（江南博哥）大容量可編程邏輯器件分為（）和（）。解析：復(fù)雜可編程邏輯器件；現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列2、 單選人們規(guī)定：（）電壓為安全電壓.A.36伏以下50伏以下24伏以下答案：A3、 問(wèn)答題對(duì)于大尺寸的MOS管版圖設(shè)計(jì)，適合采用什么樣的版圖結(jié)構(gòu)？簡(jiǎn)述原因。解析：（1）S管的版圖一般采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)。采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)后，可共用源區(qū)和漏區(qū)，使得在同樣寬長(zhǎng)比的情況下，漏區(qū)和源區(qū)的面積被減小，并因此使得器件源極和漏極的PN結(jié)電容被減小，對(duì)提高電路的動(dòng)態(tài)性能很有好處。（2）寸器件在版圖設(shè)計(jì)時(shí)還采用折疊的方式減小一維方向上的尺寸。因?yàn)槠骷某叽绱?，即叉指的個(gè)數(shù)較多，如果采用簡(jiǎn)單并列的方式，將由于叉指到信號(hào)引入點(diǎn)的距離不同引起信號(hào)強(qiáng)度的差異。同時(shí)，由于在一維方向上的工藝離散性，也將導(dǎo)致最左端的叉指和最右端的叉指所對(duì)應(yīng)的并聯(lián)器件在參數(shù)和結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生失配。4、 填空在一個(gè)晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時(shí)將各塊集成電路切開(kāi)時(shí)的切口叫（）。解析：劃片槽5、 填空半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類(lèi)。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為元素（）、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類(lèi)。解析：半導(dǎo)體；化合物6、 問(wèn)答題敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫(xiě)出化學(xué)方程式。解析：在氣相外延生長(zhǎng)過(guò)程中，首先是反應(yīng)劑輸運(yùn)到襯底表面；接著是它在襯底便面發(fā)生反應(yīng)釋放出硅原子，硅原子按襯底晶向成核，.r 、n, +2/T1TSi+4/7C7+-1長(zhǎng)大成為單晶層?；瘜W(xué)方程式如下： -一7、 填空化學(xué)清洗中是利用硝酸的強(qiáng)（）和強(qiáng)（）將吸附在硅片表面的雜質(zhì)除去。解析：酸性；氧化性8、 問(wèn)答題集成電路封裝有哪些作用？解析：（1）機(jī)械支撐和機(jī)械保護(hù)作用。（2） 傳輸信號(hào)和分配電源的作用。（3） 熱耗散的作用。（4） 環(huán)境保護(hù)的作用。9、 填空外延生長(zhǎng)方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、分子束外延、（）、固相外延等。解析：化學(xué)氣相；液相；原子束外延10、 填空半導(dǎo)體材料有兩種載流子參加導(dǎo)電，具有兩種導(dǎo)電類(lèi)型。一種是（），另一種是（）。解析：電子；空穴11、 填空對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。解析：邏輯單元符號(hào)庫(kù)；功能單元庫(kù)；拓?fù)鋯卧獛?kù)；版圖單元庫(kù)12、 單選屬于絕緣體的正確答案是（）°A.金屬、石墨、人體、大地橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷硅、鍺、砷化鎵、磷化銦各種酸、堿、鹽的水溶液答案：B13、 填空腐蝕V形槽一般采用（）的濕法化學(xué)腐蝕方法。解析：各向異性14、 問(wèn)答題什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？解析：光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。對(duì)光刻工藝質(zhì)量的基本要求是：刻蝕的圖形完整、尺寸準(zhǔn)確、邊緣整齊、線條陡直；圖片內(nèi)無(wú)小島、不染色、腐蝕干凈；圖形套合十分準(zhǔn)確；介質(zhì)膜或金屬膜上無(wú)針孔；硅片表面清潔、不發(fā)花、無(wú)殘留的被腐蝕物質(zhì)。15、 填空離子注入是借其（）強(qiáng)行進(jìn)入靶材料中的一個(gè)（）物理過(guò)程。解析：動(dòng)能；非平衡16、 多選硅外延生長(zhǎng)工藝包括（）。A.襯底制備原位HCl腐蝕生長(zhǎng)溫度，生長(zhǎng)壓力，生長(zhǎng)速度尾氣的處理答案：A,B,C,D17、 單選二氧化硅在擴(kuò)散時(shí)能對(duì)雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行（）擴(kuò)散。A.預(yù)再選擇答案：C18、 填空用肉眼或顯微鏡可觀察二氧化硅的以下質(zhì)量：顏色（）、結(jié)構(gòu)（）；表面無(wú)（）、無(wú)（）、不發(fā)花；表面無(wú)裂紋、（）。解析：是否均勻；是否致密；斑點(diǎn)；白霧；無(wú)針孔19、 單選在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？（）A、干氧B、 濕氧C、 水汽氧化D、 不能確定哪個(gè)使用的時(shí)間長(zhǎng)答案：A20、 單選離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。A.能量劑量答案：A21、 填空光刻工藝一般都要經(jīng)過(guò)涂膠、（）、曝光、（）、堅(jiān)膜、腐蝕、（）等步驟。解析：前烘；顯影；去膠22、 多選下列材料屬于N型半導(dǎo)體是（）。A.硅中摻有元素雜質(zhì)磷（P）、砷（As）硅中摻有元素雜質(zhì)硼B(yǎng).、鋁（Al）砷化鎵摻有元素雜質(zhì)硅（Si）、碲（TE）砷化鎵中摻元素雜質(zhì)鋅、鎘、鎂答案：A,C23、 單選恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱(chēng)為什么分布？（）A、高斯函數(shù)B、 余誤差函數(shù)C、 指數(shù)函數(shù)D、 線性函數(shù)答案：B24、 多選按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：（）蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。A.電阻加熱電子束蒸氣原子答案：A,B25、 填空在半導(dǎo)體工藝中，硫酸常用于去除（）和配制（）等。解析：光刻膠；洗液26、 單選離子注入層的雜質(zhì)濃度主要取決于離子注入的（）°A.能量劑量答案：B27、 問(wèn)答題為什么說(shuō)潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的一項(xiàng)重要技術(shù)？解析：半導(dǎo)體芯片制造，尤其是隨著高度集成復(fù)雜電路和微波器件的發(fā)展，要求獲得細(xì)線條、高精度、大面積的圖形，各種形式的污染都將嚴(yán)重影響半導(dǎo)體芯片成品率和可靠性。生產(chǎn)中的污染，除了由于化學(xué)試劑不純、氣體純化不良、去離子質(zhì)量不佳引入之外，環(huán)境中的塵埃、雜質(zhì)及有害氣體、工作人員、設(shè)備、工具、日用雜品等引入的塵埃、毛發(fā)、皮屑、油脂、手汗、煙霧等都是重要污染來(lái)源。例如，PN結(jié)表面污染上塵埃、皮屑、油脂等將引起反向漏電或表面溝道，手汗引起的Na離子沾污會(huì)使MOS器件閾值電壓飄移，甚至導(dǎo)致晶體管電流放大系數(shù)不穩(wěn)定，空氣中塵埃的沾污將引起器件性能下降，以致失效；光刻涂膠后塵埃的沾污將使二氧化硅層形成針孔或小島；大顆粒塵埃附著在光刻膠表面，會(huì)使掩膜版與芯片間距不一致，使光刻圖形模糊；高溫?cái)U(kuò)散過(guò)程中，附著在硅片上的塵埃將引起局部摻雜和快速擴(kuò)散，使結(jié)特性變壞。所以潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的一項(xiàng)重要技術(shù)。28、 問(wèn)答題襯底清洗過(guò)程包括哪幾個(gè)步驟？解析：（1）擦洗表面的大塊污物；（2）浸泡；（3）化學(xué)腐蝕；（4）水清洗；（5）干燥。29、 填空白光照射二氧化硅時(shí)，不同的厚度有不同的（）。解析：干涉色30、 單選腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）A、鹽酸B、 硫酸C、 硝酸D、 氫氟酸答案：D半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)工在線測(cè)試（強(qiáng)化練習(xí)）1、 單選人們規(guī)定：（）電壓為安全電壓.A.36伏以下50伏以下24伏以下答案：A2、 多選硅外延生長(zhǎng)工藝包括（）。A.襯底制備原位HCl腐蝕生長(zhǎng)溫度，生長(zhǎng)壓力，生長(zhǎng)速度尾氣的處理答案：A,B,C,D3、 填空半導(dǎo)體材料有兩種載流子參加導(dǎo)電，具有兩種導(dǎo)電類(lèi)型。一種是（），另一種是（）。解析：電子；空穴4、 問(wèn)答題襯底清洗過(guò)程包括哪幾個(gè)步驟？解析：（1）擦洗表面的大塊污物；（2）浸泡；（3）化學(xué)腐蝕；（4）水清洗；（5）干燥。5、 問(wèn)答題集成電路封裝有哪些作用？解析：（1）機(jī)械支撐和機(jī)械保護(hù)作用。（2） 傳輸信號(hào)和分配電源的作用。（3） 熱耗散的作用。（4） 環(huán)境保護(hù)的作用。6、 問(wèn)答題對(duì)于大尺寸的MOS管版圖設(shè)計(jì)，適合采用什么樣的版圖結(jié)構(gòu)？簡(jiǎn)述原因。解析：（1）S管的版圖一般采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)。采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)后，可共用源區(qū)和漏區(qū)，使得在同樣寬長(zhǎng)比的情況下，漏區(qū)和源區(qū)的面積被減小，并因此使得器件源極和漏極的PN結(jié)電容被減小，對(duì)提高電路的動(dòng)態(tài)性能很有好處。（2）寸器件在版圖設(shè)計(jì)時(shí)還采用折疊的方式減小一維方向上的尺寸。因?yàn)槠骷某叽绱?，即叉指的個(gè)數(shù)較多，如果采用簡(jiǎn)單并列的方式，將由于叉指到信號(hào)引入點(diǎn)的距離不同引起信號(hào)強(qiáng)度的差異。同時(shí)，由于在一維方向上的工藝離散性，也將導(dǎo)致最左端的叉指和最右端的叉指所對(duì)應(yīng)的并聯(lián)器件在參數(shù)和結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生失配。7、 問(wèn)答題集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)？解析：①金屬-絕緣體-金屬（MIM）結(jié)構(gòu)；多晶硅/金屬-絕緣體-多晶硅結(jié)構(gòu)；金屬叉指結(jié)構(gòu)；PN結(jié)電容；MOS電容。8、 單選腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）A、鹽酸B、 硫酸C、 硝酸D、 氫氟酸答案：D9、 問(wèn)答題為什么說(shuō)潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的一項(xiàng)重要技術(shù)？解析：半導(dǎo)體芯片制造，尤其是隨著高度集成復(fù)雜電路和微波器件的發(fā)展，要求獲得細(xì)線條、高精度、大面積的圖形，各種形式的污染都將嚴(yán)重影響半導(dǎo)體芯片成品率和可靠性。生產(chǎn)中的污染，除了由于化學(xué)試劑不純、氣體純化不良、去離子質(zhì)量不佳引入之外，環(huán)境中的塵埃、雜質(zhì)及有害氣體、工作人員、設(shè)備、工具、日用雜品等引入的塵埃、毛發(fā)、皮屑、油脂、手汗、煙霧等都是重要污染來(lái)源。例如，PN結(jié)表面污染上塵埃、皮屑、油脂等將引起反向漏電或表面溝道，手汗引起的Na離子沾污會(huì)使MOS器件閾值電壓飄移，甚至導(dǎo)致晶體管電流放大系數(shù)不穩(wěn)定，空氣中塵埃的沾污將引起器件性能下降，以致失效；光刻涂膠后塵埃的沾污將使二氧化硅層形成針孔或小島；大顆粒塵埃附著在光刻膠表面，會(huì)使掩膜版與芯片間距不一致，使光刻圖形模糊；高溫?cái)U(kuò)散過(guò)程中，附著在硅片上的塵埃將引起局部摻雜和快速擴(kuò)散，使結(jié)特性變壞。所以潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的一項(xiàng)重要技術(shù)。10、 填空半導(dǎo)體中的離子注入摻雜是把摻雜劑（）加速到的需要的（），直接注入到半導(dǎo)體晶片中，并經(jīng)適當(dāng)溫度的（）。解析：離子；能量；退火處理11、 單選介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為“隔離墻〃來(lái)實(shí)現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質(zhì)是（）層。多晶硅氮化硅二氧化硅答案：C12、 填空工藝人員完成工藝操作后要認(rèn)真、及時(shí)填寫(xiě)工藝記錄，做到記錄內(nèi)容詳細(xì)、（）、（）、書(shū)寫(xiě)工整、（）。解析：真實(shí)；完整；數(shù)據(jù)準(zhǔn)確13、 問(wèn)答題什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？解析：光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。對(duì)光刻工藝質(zhì)量的基本要求是：刻蝕的圖形完整、尺寸準(zhǔn)確、邊緣整齊、線條陡直；圖片內(nèi)無(wú)小島、不染色、腐蝕干凈；圖形套合十分準(zhǔn)確；介質(zhì)膜或金屬膜上無(wú)針孔；硅片表面清潔、不發(fā)花、無(wú)殘留的被腐蝕物質(zhì)。14、 填空在一個(gè)晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時(shí)將各塊集成電路切開(kāi)時(shí)的切口叫（）。解析：劃片槽15、 填空拋光片的質(zhì)量檢測(cè)項(xiàng)目包括：幾何參數(shù)，直徑、（）、主參考面、副參考面、平整度、彎曲度等；（），電阻率，載流子濃度，遷移率等；晶體質(zhì)量，晶向，位錯(cuò)密度。解析：厚度；電學(xué)參數(shù)16、 多選下列材料屬于N型半導(dǎo)體是（）。A.硅中摻有元素雜質(zhì)磷（P）、砷（As）硅中摻有元素雜質(zhì)硼B(yǎng).、鋁（Al）砷化鎵摻有元素雜質(zhì)硅（Si）、碲（TE）砷化鎵中摻元素雜質(zhì)鋅、鎘、鎂答案：A,C17、 填空全定制、半定制版圖設(shè)計(jì)中用到的單元庫(kù)包含（）、（）、（）和（）。解析：符號(hào)圖；抽象圖；線路圖；版圖18、 單選二氧化硅在擴(kuò)散時(shí)能對(duì)雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行（）擴(kuò)散。A.預(yù)再選擇答案：C19、 單選離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。A.能量劑量答案：A20、 單選恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱(chēng)為什么分布？（）A、高斯函數(shù)B、 余誤差函數(shù)C、 指數(shù)函數(shù)D、 線性函數(shù)答案：B21、 單選說(shuō)明構(gòu)成每個(gè)單元所需的基本門(mén)和基本單元的集成電路設(shè)計(jì)過(guò)程叫（）：A、邏輯設(shè)計(jì)B、 物理設(shè)計(jì)C、 電路設(shè)計(jì)D、 系統(tǒng)設(shè)計(jì)答案：A22、 填空對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。解析：邏輯單元符號(hào)庫(kù)；功能單元庫(kù)；拓?fù)鋯卧獛?kù)；版圖單元庫(kù)23、 單選將預(yù)先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸，再用紫外光照射來(lái)進(jìn)行曝光的方法，稱(chēng)為（）曝光。人接觸接近式投影答案：A24、 單選從離子源引出的是：（）A、原子束B(niǎo)、 分子束C、 中子束D、 離子束答案：D25、 單選在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？（）A、干氧B、 濕氧C、 水汽氧化D、不能確定哪個(gè)使用的時(shí)間長(zhǎng)答案：A26、 單選位錯(cuò)的形成原因是（）。A.位錯(cuò)就是由彈性形變?cè)斐傻奈诲e(cuò)就是由重力造成的位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻囊陨洗鸢付疾粚?duì)答案：C27、 填空在擴(kuò)散之前在硅表面先沉積一層雜質(zhì)，在整個(gè)過(guò)程中這層雜質(zhì)作為擴(kuò)散的雜質(zhì)源，不再有新的雜質(zhì)補(bǔ)充，這種擴(kuò)散方式稱(chēng)為：（）解析：恒定表面源擴(kuò)散28、 填空外延生長(zhǎng)方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、分子束外延、（）、固相外延等。解析：化學(xué)氣相；液相；原子束外延29、 填空用肉眼或顯微鏡可觀察二氧化硅的以下質(zhì)量：顏色（）、結(jié)構(gòu)（）；表面無(wú)（）、無(wú)（）、不發(fā)花；表面無(wú)裂紋、（）。解析：是否均勻；是否致密；斑點(diǎn)；白霧；無(wú)針孔30、 單選單相3線插座接線有嚴(yán)格規(guī)定（）A.“左零”右火〃“左火”“右零”答案：A半導(dǎo)體芯片制造中級(jí)工考試資料（題庫(kù)版）1、 問(wèn)答題襯底清洗過(guò)程包括哪幾個(gè)步驟？解析：（1）擦洗表面的大塊污物；（2）浸泡；（3）化學(xué)腐蝕；（4）水清洗；（5）干燥。2、 單選恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱(chēng)為什么分布？（）A、高斯函數(shù)B、 余誤差函數(shù)C、 指數(shù)函數(shù)D、 線性函數(shù)答案：B3、 填空工藝人員完成工藝操作后要認(rèn)真、及時(shí)填寫(xiě)工藝記錄，做到記錄內(nèi)容詳細(xì)、（）、（）、書(shū)寫(xiě)工整、（）。解析：真實(shí)；完整；數(shù)據(jù)準(zhǔn)確4、 單選離子注入層的深度主要取決于離子注入的（）。A.能量劑量答案：A5、 填空白光照射二氧化硅時(shí)，不同的厚度有不同的（）。解析：干涉色6、 單選從離子源引出的是：（）A、原子束B(niǎo)、 分子束C、 中子束D、 離子束答案：D7、 單選人們規(guī)定：（）電壓為安全電壓.A.36伏以下50伏以下24伏以下答案：A8、 問(wèn)答題為什么說(shuō)潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的一項(xiàng)重要技術(shù)？解析：半導(dǎo)體芯片制造，尤其是隨著高度集成復(fù)雜電路和微波器件的發(fā)展，要求獲得細(xì)線條、高精度、大面積的圖形，各種形式的污染都將嚴(yán)重影響半導(dǎo)體芯片成品率和可靠性。生產(chǎn)中的污染，除了由于化學(xué)試劑不純、氣體純化不良、去離子質(zhì)量不佳引入之外，環(huán)境中的塵埃、雜質(zhì)及有害氣體、工作人員、設(shè)備、工具、日用雜品等引入的塵埃、毛發(fā)、皮屑、油脂、手汗、煙霧等都是重要污染來(lái)源。例如，PN結(jié)表面污染上塵埃、皮屑、油脂等將引起反向漏電或表面溝道，手汗引起的Na離子沾污會(huì)使MOS器件閾值電壓飄移，甚至導(dǎo)致晶體管電流放大系數(shù)不穩(wěn)定，空氣中塵埃的沾污將引起器件性能下降，以致失效；光刻涂膠后塵埃的沾污將使二氧化硅層形成針孔或小島；大顆粒塵埃附著在光刻膠表面，會(huì)使掩膜版與芯片間距不一致，使光刻圖形模糊；高溫?cái)U(kuò)散過(guò)程中，附著在硅片上的塵埃將引起局部摻雜和快速擴(kuò)散，使結(jié)特性變壞。所以潔凈技術(shù)是半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中的一項(xiàng)重要技術(shù)。9、 單選二氧化硅在擴(kuò)散時(shí)能對(duì)雜質(zhì)起掩蔽作用進(jìn)行（）擴(kuò)散。A.預(yù)再選擇答案：C10、 填空拋光片的質(zhì)量檢測(cè)項(xiàng)目包括：幾何參數(shù)，直徑、（）、主參考面、副參考面、平整度、彎曲度等；（），電阻率，載流子濃度，遷移率等；晶體質(zhì)量，晶向，位錯(cuò)密度。解析：厚度；電學(xué)參數(shù)11、 填空半導(dǎo)體材料的主要晶體結(jié)構(gòu)有（）型、閃鋅礦型、（）型。解析：金剛石；纖鋅礦12、 單選光刻工藝是利用感光膠感光后抗腐蝕的特性在半導(dǎo)體晶片表面的掩膜層上的工藝（）A.刻制圖形B.繪制圖形制作圖形答案：A13、 單選將預(yù)先制好的掩膜直接和涂有光致抗蝕劑的晶片表面接觸，再用紫外光照射來(lái)進(jìn)行曝光的方法，稱(chēng)為（）曝光。人接觸接近式投影答案：A14、 填空對(duì)標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)EDA系統(tǒng)而言，標(biāo)準(zhǔn)單元庫(kù)應(yīng)包含以下內(nèi)容：（）、和（）、（）、（）。解析：邏輯單元符號(hào)庫(kù)；功能單元庫(kù)；拓?fù)鋯卧獛?kù)；版圖單元庫(kù)15、 問(wèn)答題集成電容主要有哪幾種結(jié)構(gòu)？解析：①金屬-絕緣體-金屬（MIM）結(jié)構(gòu)；多晶硅/金屬-絕緣體-多晶硅結(jié)構(gòu)；金屬叉指結(jié)構(gòu)；PN結(jié)電容；MOS電容。16、 填空全定制、半定制版圖設(shè)計(jì)中用到的單元庫(kù)包含（）、（）、（）和（）。解析：符號(hào)圖；抽象圖；線路圖；版圖17、 填空半導(dǎo)體材料有兩種載流子參加導(dǎo)電，具有兩種導(dǎo)電類(lèi)型。一種是（），另一種是（）。解析：電子；空穴18、 填空離子注入是借其（）強(qiáng)行進(jìn)入靶材料中的一個(gè)（）物理過(guò)程。解析：動(dòng)能；非平衡19、 單選下列晶體管結(jié)構(gòu)中，在晶體管輸出電流很大時(shí)常使用的是：（）A、單基極條圖形8、雙基極條圖形C、 基極和集電極引線孔都是馬蹄形結(jié)構(gòu)D、 梳狀結(jié)構(gòu)答案：D20、 填空光刻工藝一般都要經(jīng)過(guò)涂膠、（）、曝光、（）、堅(jiān)膜、腐蝕、（）等步驟。解析：前烘；顯影；去膠21、 填空外延生長(zhǎng)方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、分子束外延、（）、固相外延等。解析：化學(xué)氣相；液相；原子束外延22、 問(wèn)答題對(duì)于大尺寸的MOS管版圖設(shè)計(jì)，適合采用什么樣的版圖結(jié)構(gòu)？簡(jiǎn)述原因。解析：（1）S管的版圖一般采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)。采用并聯(lián)晶體管結(jié)構(gòu)后，可共用源區(qū)和漏區(qū)，使得在同樣寬長(zhǎng)比的情況下，漏區(qū)和源區(qū)的面積被減小，并因此使得器件源極和漏極的PN結(jié)電容被減小，對(duì)提高電路的動(dòng)態(tài)性能很有好處。（2）寸器件在版圖設(shè)計(jì)時(shí)還采用折疊的方式減小一維方向上的尺寸。因?yàn)槠骷某叽绱?，即叉指的個(gè)數(shù)較多，如果采用簡(jiǎn)單并列的方式，將由于叉指到信號(hào)引入點(diǎn)的距離不同引起信號(hào)強(qiáng)度的差異。同時(shí)，由于在一維方向上的工藝離散性，也將導(dǎo)致最左端的叉指和最右端的叉指所對(duì)應(yīng)的并聯(lián)器件在參數(shù)和結(jié)構(gòu)上產(chǎn)生失配。23、 單選單相3線插座接線有嚴(yán)格規(guī)定（）A.“左零〃“右火〃B.“左火”“右零”答案：A24、 填空半導(dǎo)體中的離子注入摻雜是把摻雜劑（）加速到的需要的（），直接注入到半導(dǎo)體晶片中，并經(jīng)適當(dāng)溫度的（）。解析：離子；能量；退火處理25、 填空在半導(dǎo)體工藝中，硫酸常用于去除（）和配制（）等。解析：光刻膠；洗液26、 填空用肉眼或顯微鏡可觀察二氧化硅的以下質(zhì)量：顏色（）、結(jié)構(gòu)（）；表面無(wú)（）、無(wú)（）、不發(fā)花；表面無(wú)裂紋、（）。解析：是否均勻；是否致密；斑點(diǎn)；白霧；無(wú)針孔27、 問(wèn)答題什么叫光刻？光刻工藝質(zhì)量的基本要求是什么？解析：光刻是一種圖形復(fù)印和化學(xué)腐蝕相結(jié)合的精密表面加工技術(shù)。對(duì)光刻工藝質(zhì)量的基本要求是：刻蝕的圖形完整、尺寸準(zhǔn)確、邊緣整齊、線條陡直；圖片內(nèi)無(wú)小島、不染色、腐蝕干凈；圖形套合十分準(zhǔn)確；介質(zhì)膜或金屬膜上無(wú)針孔；硅片表面清潔、不發(fā)花、無(wú)殘留的被腐蝕物質(zhì)。28、 單選說(shuō)明構(gòu)成每個(gè)單元所需的基本門(mén)和基本單元的集成電路設(shè)計(jì)過(guò)程叫（）：A、邏輯設(shè)計(jì)B、 物理設(shè)計(jì)C、 電路設(shè)計(jì)D、 系統(tǒng)設(shè)計(jì)答案：A29、 問(wèn)答題集成電路封裝有哪些作用？解析：（1）機(jī)械支撐和機(jī)械保護(hù)作用。（2） 傳輸信號(hào)和分配電源的作用。（3） 熱耗散的作用。（4）環(huán)境保護(hù)的作用。30、 填空在擴(kuò)散之前在硅表面先沉積一層雜質(zhì)，在整個(gè)過(guò)程中這層雜質(zhì)作為擴(kuò)散的雜質(zhì)源，不再有新的雜質(zhì)補(bǔ)充，這種擴(kuò)散方式稱(chēng)為：（）解析：恒定表面源擴(kuò)散31、 單選腐蝕二氧化硅的水溶液一般是用（）A、鹽酸B、 硫酸C、 硝酸D、 氫氟酸答案：D32、 多選硅外延片的應(yīng)用包括（）。A,二極管和三極管電力電子器件大規(guī)模集成電路超大規(guī)模集成電路答案：A,B,C,D33、 填空半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類(lèi)。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為元素（）、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類(lèi)。解析：半導(dǎo)體；化合物34、 多選按蒸發(fā)源加熱方法的不同，真空蒸發(fā)工藝可分為：（）蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、離子束蒸發(fā)等。A.電阻加熱電子束蒸氣原子答案：A,B35、 單選在溫度相同的情況下，制備相同厚度的氧化層，分別用干氧，濕氧和水汽氧化，哪個(gè)需要的時(shí)間最長(zhǎng)？（）A、干氧B、 濕氧C、 水汽氧化D、 不能確定哪個(gè)使用的時(shí)間長(zhǎng)答案：A36、 填空化學(xué)清洗中是利用硝酸的強(qiáng)（）和強(qiáng)（）將吸附在硅片表面的雜質(zhì)除去。解析：酸性；氧化性37、 填空大容量可編程邏輯器件分為（）和（）。解析：復(fù)雜可編程邏輯器件；現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列38、 多選下列材料屬于N型半導(dǎo)體是（）。A.硅中摻有元素雜質(zhì)磷（P）、砷（As）B.硅中摻有元素雜質(zhì)硼B(yǎng).、鋁（Al）

砷化鎵摻有元素雜質(zhì)硅（Si）、碲（TE）砷化鎵中摻元素雜質(zhì)鋅、鎘、鎂答案：A,C39、填空在一個(gè)晶圓上分布著許多塊集成電路，在封裝時(shí)將各塊集成電路切開(kāi)時(shí)的切口叫（）。解析：劃片槽40、問(wèn)答題敘述H2還原SiCl4外延的原理，寫(xiě)出化學(xué)方程式。解析：在氣相外延生長(zhǎng)過(guò)程中，首先是反應(yīng)劑輸運(yùn)到襯底表面；接著是它在襯底便面發(fā)生反應(yīng)釋放出硅原子，硅原子按襯底晶向成核，長(zhǎng)41、單選離子注入層的雜質(zhì)濃度主要取決于離子注入的（）°A.能量大成為單晶層?；瘜W(xué)方程式如下:辨大成為單晶層?；瘜W(xué)方程式如下:辨4+ + 」B.劑量答案：B42、多選硅外延生長(zhǎng)工藝包括（）。A.襯底制備原位HCl腐蝕生長(zhǎng)溫度，生長(zhǎng)壓力，生長(zhǎng)速度尾氣的處理答案：A,B,C,D43、 填空腐蝕V形槽一般采用（）的濕法化學(xué)腐蝕方法。解析：各向異性44、 單選介質(zhì)隔離是以絕緣性能良好的電介質(zhì)作為“隔離墻〃來(lái)實(shí)現(xiàn)電路中各元器件間彼此電絕緣的一種隔離方法。常用的電介質(zhì)是（）層。多晶硅氮化硅二氧化硅答案：C45、 單選屬于絕緣體的正確答案是（）°A.金屬、石墨、人體、大地橡膠、塑料、玻璃、云母、陶瓷硅、鍺、砷化鎵、磷化銦各種酸、堿、鹽的水溶液答案：B46、 問(wèn)答題操作人員的質(zhì)量職責(zé)是什么？解析：操作人員的質(zhì)量職責(zé)是：（1）按規(guī)定接受培訓(xùn)考核，以達(dá)到所要求的技能、能力和知識(shí)；（2）嚴(yán)格按工藝規(guī)范和工藝文件進(jìn)行操作，對(duì)工藝質(zhì)量負(fù)責(zé)；（3）按規(guī)定填寫(xiě)質(zhì)量記錄，對(duì)其準(zhǔn)確性、完整性負(fù)責(zé)；（4）做好所使用的儀器、設(shè)備、工具的日常維護(hù)保養(yǎng)工作；（6）對(duì)違章作業(yè)造成的質(zhì)量事故負(fù)直接責(zé)任。47、單選位錯(cuò)的形成原因是（）。A.位錯(cuò)就是由彈性形變?cè)斐傻奈诲e(cuò)就是由重力造成的位錯(cuò)就是由范性形變?cè)斐傻囊陨洗鸢付疾粚?duì)答案：C半導(dǎo)體芯片制造高級(jí)工試題預(yù)測(cè)（強(qiáng)化練習(xí)）1、 填空如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1.5倍或大于3.0倍，其長(zhǎng)度小于1.5倍或大于6.0倍，判引線鍵合（）。解析：不合格2、 單選金屬封裝主要采用金屬和玻璃密封工藝，金屬作封裝底盤(pán)、管帽和引線，（）做絕緣和密封。A.塑料玻璃金屬答案：B3、 問(wèn)答題簡(jiǎn)述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工藝質(zhì)量？解析：外延要求：1.集電極擊穿電壓要求集電極串聯(lián)電阻要小.高頻大功率小型化.刻蝕要求：1.圖形轉(zhuǎn)換的保真度高選擇比高.刻蝕速率高.刻蝕剖面.刻蝕偏差.刻蝕因子大.均勻性.4、 單選反應(yīng)離子腐蝕是（）。A.化學(xué)刻蝕機(jī)理物理刻蝕機(jī)理物理的濺射刻蝕和化學(xué)的反應(yīng)刻蝕相結(jié)合答案：C5、 單選金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤(pán)、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤(pán)、管帽和引線的材料常常是（）。合金A-424J29可伐4J34可伐答案：B6、 單選雙極晶體管的高頻參數(shù)是（）。A.hFEVcesB.BVceC.ftfm答案：C7、 單選在低溫玻璃密封工藝中，常用的運(yùn)載劑由2%（質(zhì)量比）的硝化纖維素溶解于98%（質(zhì)量比）的醋酸異戊酯或松油醇中制得，再將20%的運(yùn)載劑與（）的玻璃料均勻混合，配成印刷漿料。A.80%?90%10%?20%40%-50%答案：A8、 填空離子注入雜質(zhì)濃度分布中最重要的二個(gè)射程參數(shù)是（）和（）。解析：平均投影射程；平均投影標(biāo)準(zhǔn)差9、 單選pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要直流參數(shù)，也是評(píng)價(jià)（）的重要標(biāo)志。A.擴(kuò)散層質(zhì)量設(shè)計(jì)光刻答案：A10、 填空釬焊包括合金燒結(jié)、共晶焊；聚合物焊又可分為（）、（）等。解析：導(dǎo)電膠粘接；銀漿燒結(jié)11、 問(wèn)答題簡(jiǎn)述在芯片制造中對(duì)金屬電極材料有什么要求？解析：1、能很好的阻擋材料擴(kuò)散；2、 高電導(dǎo)率，低歐姆接觸電阻；3、 在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著能力；4、 抗電遷能力強(qiáng)；5、 在很薄和高溫下具有很好的穩(wěn)定性；6、 抗侵蝕和抗氧化性好。7、 具有高的導(dǎo)電率和純度。8、 與下層存底（通常是二氧化硅或氮化硅）具有良好的粘附性。9、 與半導(dǎo)體材料連接時(shí)接觸電阻低。10、 能夠淀積出均勻而且沒(méi)有“空洞”的薄膜，易于填充通孔。11、 易于光刻和刻蝕，容易制備出精細(xì)圖形。12、 很好的耐腐蝕性。13、 在處理和應(yīng)用過(guò)程中具有長(zhǎng)期的穩(wěn)定性。12、填空熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過(guò)熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。解析：含有硅的化合物13、填空外延層的遷移率低的因素有原材料純度（）；反應(yīng)室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長(zhǎng)工藝條件不適宜。解析：不夠；質(zhì)量差14、填空氣中的一個(gè)小塵埃將影響整個(gè)芯片的（）性、（）率，并影響其電學(xué)性能和（）性，所以半導(dǎo)體芯片制造工藝需在超凈廠房?jī)?nèi)進(jìn)行。解析：完整；成品；可靠性15、 填空禁帶寬度的大小決定著（）的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子就越不易受到外界因素，如高溫和輻射等的干擾而產(chǎn)生變化。解析：電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶16、 單選塑封中注塑成型工藝主要工藝參數(shù)有（）、模具溫度、合模壓力、注射壓力、注射速度和成型時(shí)間。A.準(zhǔn)備工具準(zhǔn)備模塑料模塑料預(yù)熱答案：C17、 填空半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類(lèi)。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為（）半導(dǎo)體、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類(lèi)。解析：元素；化合物18、 單選在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）入.焊接電流、焊接電壓和電極壓力B/焊接電流、焊接時(shí)間和電極壓力C/焊接電流、焊接電壓和焊接時(shí)間答案：B19、 單選濺射法是由（）轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面飛濺出來(lái)淀積在襯底上形成薄膜。A.電子中性粒子帶能離子答案：C20、 單選器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來(lái)實(shí)現(xiàn)。A.掩膜版擴(kuò)散光刻答案：C21、 填空雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散機(jī)理比較復(fù)雜，但主要可分為（）擴(kuò)散和（）擴(kuò)散兩種。解析：替位；間隙22、 填空釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內(nèi)（）控制。解析：濕度23、 單選雙極晶體管的1c7r噪聲與（）有關(guān)。A.基區(qū)寬度外延層厚度表面界面狀態(tài)答案：C24、 單選恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱(chēng)為（）分布。A.高斯余誤差指數(shù)答案：B25、 問(wèn)答題潔凈區(qū)工作人員應(yīng)注意些什么？解析：保持部件與工具潔凈，保持個(gè)人清潔衛(wèi)生.不能把潔凈服提來(lái)提去，人員不能觸摸或翻動(dòng)潔凈服.禁止吃喝，禁止用手表，首飾，指甲油，吸煙，化妝，工作只能在潔凈面上進(jìn)行。26、 填空硅片減薄腐蝕液為氫氟酸和硝酸系腐蝕液。砷化鎵片用（）系、氫氧化氨系蝕腐蝕液。解析：硫酸27、 單選厚膜元件燒結(jié)時(shí)，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會(huì)使系統(tǒng)的自由能（），從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。A.降低升高保持不變答案：A28、 填空二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、（）淀積、PECVD淀積。解析：氧化；氣相29、 問(wèn)答題粘封工藝中，常用的材料有哪幾類(lèi)？解析：常用膠粘劑有熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂和橡膠型膠粘劑3大類(lèi)。30、 問(wèn)答題有哪幾種常用的化學(xué)氣相淀積薄膜的方法？解析：常壓化學(xué)氣相淀積（APCVD.，低壓化學(xué)氣相淀積（LPCVD.，等離子體輔助CVD。31、 填空最常用的金屬膜制備方法有（）加熱蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、（）。解析：電阻；電子束；濺射32、 填空金絲球焊的優(yōu)點(diǎn)是無(wú)方向性，鍵合強(qiáng)度一般（）同類(lèi)電極系統(tǒng)的楔刀焊接。解析：大于33、 填空外殼設(shè)計(jì)包括電性能設(shè)計(jì)、熱性能設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)三部分，而（）設(shè)計(jì)也包含在這三部分中間。解析：可靠性34、 填空半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)中，元件之間隔離有（）（）（）隔離等三種基本方法.解析：Pn結(jié)介質(zhì)；Pn結(jié)隔離；Pn結(jié)介質(zhì)混合35、 填空延生長(zhǎng)方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。解析：化學(xué)氣相；液相；分子束36、 單選平行縫焊的工藝參數(shù)有焊接電流、焊接速度、焊輪壓力和焊輪椎頂角。焊輪壓力影響蓋板和焊環(huán)之間高阻點(diǎn)的（）。壓力太大，電阻值下降，對(duì)形成焊點(diǎn)不利，焊輪壓力太小，則造成接觸不良，不但形不成良好點(diǎn)。A.電流值電阻值電壓值答案：B37、 單選禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。A.越不容易受越容易受基本不受答案：A38、 問(wèn)答題什么叫晶體缺陷？解析：晶體機(jī)構(gòu)中質(zhì)點(diǎn)排列的某種不規(guī)則性或不完善性。又稱(chēng)晶格缺陷。39、 填空鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲得牢固的焊接，甚至根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)焊接的原因是鋁的表面在空氣中極易生成一層（），它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達(dá)不到原子之間引力范圍的間距。解析：氧化物40、 問(wèn)答題單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？解析：晶向偏離度總厚度誤差，平衡度，翹曲度等41、 單選外殼設(shè)計(jì)包括（）設(shè)計(jì)、熱性能設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)三部分，而可靠性設(shè)計(jì)也包含在這三部分中間。A.電性能電阻電感答案：A42、 填空芯片焊接質(zhì)量通常進(jìn)行鏡檢和（）兩項(xiàng)試驗(yàn)。解析：剪切強(qiáng)度43、 問(wèn)答題引線焊接有哪些質(zhì)量要求？解析：可靠性好，易保持一定形狀，化學(xué)穩(wěn)定性好。盡量少形成金屬間化合物，鍵合引線和焊盤(pán)金屬間形成低電阻歐姆接觸。平整度傾斜度，平行度焊接時(shí)間焊接界面的清潤(rùn)。44、 單選超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對(duì)象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接，焊接處依靠（）封接，因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實(shí)現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。A.管帽變形鍍金層的變形底座變形答案：B45、 單選非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時(shí)，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱(chēng)為間隙，通常為（）。A.小于0.1mm0.5?2.0mm大于2.0mm答案：B46、 填空厚膜混合集成電路的基片種類(lèi)很多，目前常用的有：氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N）陶瓷。解析：氧化鈹陶瓷47、 問(wèn)答題簡(jiǎn)述光刻工藝原理及在芯片制造中的重要性？解析：1.光刻是通過(guò)一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去并得到所需圖形的工藝。光刻的重要性是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形，從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線的目的，它是晶圓加工過(guò)程的中心，為后面的刻蝕和離子注入做準(zhǔn)備。決定了芯片的性能，成品率，可靠性。48、 單選半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。A.熱阻阻抗結(jié)構(gòu)參數(shù)答案：A49、 判斷題沒(méi)有經(jīng)濟(jì)收入或交納黨費(fèi)有困難的黨員，由本人提出申請(qǐng)，經(jīng)黨支部委員會(huì)同意，可以少交或免交。答案：對(duì)50、 單選常用膠粘劑有熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂和橡膠型膠粘劑3大類(lèi)。半導(dǎo)體器件的粘封工藝一般選用（）。A.熱塑性樹(shù)脂B.熱固性或橡膠型膠粘劑答案：B51、單選變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。A.正偏電流反偏電壓結(jié)溫答案：B半導(dǎo)體芯片制造高級(jí)工題庫(kù)考點(diǎn)1、 問(wèn)答題簡(jiǎn)述光刻工藝原理及在芯片制造中的重要性？解析：1.光刻是通過(guò)一系列生產(chǎn)步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去并得到所需圖形的工藝。光刻的重要性是在二氧化硅或金屬薄膜上面刻蝕出與掩膜版完全對(duì)應(yīng)的幾何圖形，從而實(shí)現(xiàn)選擇性擴(kuò)散和金屬薄膜布線的目的，它是晶圓加工過(guò)程的中心，為后面的刻蝕和離子注入做準(zhǔn)備。決定了芯片的性能，成品率，可靠性。2、 填空鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲得牢固的焊接，甚至根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)焊接的原因是鋁的表面在空氣中極易生成一層（），它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達(dá)不到原子之間引力范圍的間距。解析：氧化物3、 單選金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤(pán)、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤(pán)、管帽和引線的材料常常是（）。合金A-424J29可伐4J34可伐答案：B4、 填空釬焊密封工藝主要工藝條件有釬焊氣氛控制、溫度控制和密封腔體內(nèi)（）控制。解析：濕度5、 單選雙極晶體管的1c7r噪聲與（）有關(guān)。A.基區(qū)寬度外延層厚度表面界面狀態(tài)答案：C6、 問(wèn)答題什么叫晶體缺陷？解析：晶體機(jī)構(gòu)中質(zhì)點(diǎn)排列的某種不規(guī)則性或不完善性。又稱(chēng)晶格缺陷。7、 填空離子注入雜質(zhì)濃度分布中最重要的二個(gè)射程參數(shù)是（）和（）。解析：平均投影射程；平均投影標(biāo)準(zhǔn)差8、 填空禁帶寬度的大小決定著（）的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子就越不易受到外界因素，如高溫和輻射等的干擾而產(chǎn)生變化。解析：電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶9、 單選變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。A.正偏電流反偏電壓結(jié)溫答案：B10、 填空半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)中，元件之間隔離有（）（）（）隔離等三種基本方法.解析：Pn結(jié)介質(zhì)；Pn結(jié)隔離；Pn結(jié)介質(zhì)混合11、 問(wèn)答題潔凈區(qū)工作人員應(yīng)注意些什么？解析：保持部件與工具潔凈，保持個(gè)人清潔衛(wèi)生.不能把潔凈服提來(lái)提去，人員不能觸摸或翻動(dòng)潔凈服.禁止吃喝，禁止用手表，首飾，指甲油，吸煙，化妝，工作只能在潔凈面上進(jìn)行。12、 單選塑封中注塑成型工藝主要工藝參數(shù)有（）、模具溫度、合模壓力、注射壓力、注射速度和成型時(shí)間。A.準(zhǔn)備工具準(zhǔn)備模塑料模塑料預(yù)熱答案：C13、 問(wèn)答題簡(jiǎn)述在芯片制造中對(duì)金屬電極材料有什么要求？解析：1、能很好的阻擋材料擴(kuò)散；2、 高電導(dǎo)率，低歐姆接觸電阻；3、 在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著能力；4、 抗電遷能力強(qiáng)；5、 在很薄和高溫下具有很好的穩(wěn)定性；6、 抗侵蝕和抗氧化性好。7、 具有高的導(dǎo)電率和純度。8、 與下層存底（通常是二氧化硅或氮化硅）具有良好的粘附性。9、 與半導(dǎo)體材料連接時(shí)接觸電阻低。10、 能夠淀積出均勻而且沒(méi)有“空洞”的薄膜，易于填充通孔。11、 易于光刻和刻蝕，容易制備出精細(xì)圖形。12、 很好的耐腐蝕性。13、 在處理和應(yīng)用過(guò)程中具有長(zhǎng)期的穩(wěn)定性。14、 單選在低溫玻璃密封工藝中，常用的運(yùn)載劑由2%（質(zhì)量比）的硝化纖維素溶解于98%（質(zhì)量比）的醋酸異戊酯或松油醇中制得，再將20%的運(yùn)載劑與（）的玻璃料均勻混合，配成印刷漿料。A.80%?90%10%?20%40%-50%答案：A15、 判斷題沒(méi)有經(jīng)濟(jì)收入或交納黨費(fèi)有困難的黨員，由本人提出申請(qǐng)，經(jīng)黨支部委員會(huì)同意，可以少交或免交。答案：對(duì)16、 單選濺射法是由（）轟擊靶材表面，使靶原子從靶表面飛濺出來(lái)淀積在襯底上形成薄膜。A.電子中性粒子帶能離子答案：C17、 填空延生長(zhǎng)方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。解析：化學(xué)氣相；液相；分子束18、 單選恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱(chēng)為（）分布。A.高斯余誤差指數(shù)答案：B19、 單選超聲熱壓焊的主要應(yīng)用對(duì)象是超小型鍍金外殼與鍍金管帽的焊接，焊接處依靠（）封接，因而外殼零件的平整度和鍍金層厚度是實(shí)現(xiàn)可靠性封接的關(guān)鍵因素。A.管帽變形鍍金層的變形底座變形答案：B20、 填空最常用的金屬膜制備方法有（）加熱蒸發(fā)、（）蒸發(fā)、（）。解析：電阻；電子束；濺射21、 單選金屬封裝主要采用金屬和玻璃密封工藝，金屬作封裝底盤(pán)、管帽和引線，（）做絕緣和密封。A.塑料玻璃金屬答案：B22、 單選非接觸式厚膜電路絲網(wǎng)印刷時(shí)，絲網(wǎng)與基片之間有一定的距離，稱(chēng)為間隙，通常為（）。A.小于0.1mm0.5?2.0mm大于2.0mm答案：B23、 單選pn結(jié)的擊穿電壓和反向漏電流既是晶體管的重要直流參數(shù)，也是評(píng)價(jià)（）的重要標(biāo)志。A.擴(kuò)散層質(zhì)量設(shè)計(jì)光刻答案：A24、 填空硅片減薄腐蝕液為氫氟酸和硝酸系腐蝕液。砷化鎵片用（）系、氫氧化氨系蝕腐蝕液。解析：硫酸25、 單選常用膠粘劑有熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂和橡膠型膠粘劑3大類(lèi)。半導(dǎo)體器件的粘封工藝一般選用（）。A.熱塑性樹(shù)脂B.熱固性或橡膠型膠粘劑答案：B26、 單選雙極晶體管的高頻參數(shù)是（）。A.hFEVcesBVceftfm答案：C27、 填空二氧化硅的制備方法很多，其中最常用的是高溫（）、（）淀積、PECVD淀積。解析：氧化；氣相28、 填空釬焊包括合金燒結(jié)、共晶焊；聚合物焊又可分為（）、（）等。解析：導(dǎo)電膠粘接；銀漿燒結(jié)29、 填空如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1.5倍或大于3.0倍，其長(zhǎng)度小于1.5倍或大于6.0倍，判引線鍵合（）。解析：不合格30、 問(wèn)答題粘封工藝中，常用的材料有哪幾類(lèi)？解析：常用膠粘劑有熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂和橡膠型膠粘劑3大類(lèi)。31、 填空厚膜混合集成電路的基片種類(lèi)很多，目前常用的有：氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N）陶瓷。解析：氧化鈹陶瓷32、 填空芯片焊接質(zhì)量通常進(jìn)行鏡檢和（）兩項(xiàng)試驗(yàn)。解析：剪切強(qiáng)度33、 問(wèn)答題引線焊接有哪些質(zhì)量要求？解析：可靠性好，易保持一定形狀，化學(xué)穩(wěn)定性好。盡量少形成金屬間化合物，鍵合引線和焊盤(pán)金屬間形成低電阻歐姆接觸。平整度傾斜度，平行度焊接時(shí)間焊接界面的清潤(rùn)。34、 填空雜質(zhì)原子在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散機(jī)理比較復(fù)雜，但主要可分為（）擴(kuò)散和（）擴(kuò)散兩種。解析：替位；間隙35、 單選厚膜元件燒結(jié)時(shí)，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會(huì)使系統(tǒng)的自由能（），從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。A.降低升高保持不變答案：A36、 單選禁帶寬度的大小決定著電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子（）外界因素（如高溫和輻射等）的干擾而產(chǎn)生變化。A.越不容易受越容易受基本不受答案：A37、 填空氣中的一個(gè)小塵埃將影響整個(gè)芯片的（）性、（）率，并影響其電學(xué)性能和（）性，所以半導(dǎo)體芯片制造工藝需在超凈廠房?jī)?nèi)進(jìn)行。解析：完整；成品；可靠性38、 問(wèn)答題簡(jiǎn)述你所在工藝的工藝質(zhì)量要求？你如何檢查你的工藝質(zhì)量？解析：外延要求：1.集電極擊穿電壓要求集電極串聯(lián)電阻要小.高頻大功率小型化.刻蝕要求：1.圖形轉(zhuǎn)換的保真度高選擇比高.刻蝕速率高.刻蝕剖面.刻蝕偏差.刻蝕因子大.均勻性.39、 填空外殼設(shè)計(jì)包括電性能設(shè)計(jì)、熱性能設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)三部分，而（）設(shè)計(jì)也包含在這三部分中間。解析：可靠性40、 單選器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來(lái)實(shí)現(xiàn)。A.掩膜版擴(kuò)散光刻答案：C41、 填空外延層的遷移率低的因素有原材料純度（）；反應(yīng)室漏氣；外延層的晶體（）；系統(tǒng)沾污等；載氣純度不夠；外延層晶體缺陷多；生長(zhǎng)工藝條件不適宜。解析：不夠；質(zhì)量差42、 填空熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過(guò)熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。解析：含有硅的化合物43、 問(wèn)答題單晶片切割的質(zhì)量要求有哪些？解析：晶向偏離度總厚度誤差，平衡度，翹曲度等44、 問(wèn)答題有哪幾種常用的化學(xué)氣相淀積薄膜的方法？解析：常壓化學(xué)氣相淀積（APCVD.，低壓化學(xué)氣相淀積（LPCVD.，等離子體輔助CVD。45、 單選平行縫焊的工藝參數(shù)有焊接電流、焊接速度、焊輪壓力和焊輪椎頂角。焊輪壓力影響蓋板和焊環(huán)之間高阻點(diǎn)的（）。壓力太大，電阻值下降，對(duì)形成焊點(diǎn)不利，焊輪壓力太小，則造成接觸不良，不但形不成良好點(diǎn)。A.電流值電阻值電壓值答案：B46、 單選反應(yīng)離子腐蝕是（）。A.化學(xué)刻蝕機(jī)理物理刻蝕機(jī)理物理的濺射刻蝕和化學(xué)的反應(yīng)刻蝕相結(jié)合答案：C47、 單選在突緣電阻焊工藝中，要獲得良好的焊接質(zhì)量，必須確定的基本規(guī)范包括（）入.焊接電流、焊接電壓和電極壓力B/焊接電流、焊接時(shí)間和電極壓力C.焊接電流、焊接電壓和焊接時(shí)間答案：B48、 填空金絲球焊的優(yōu)點(diǎn)是無(wú)方向性，鍵合強(qiáng)度一般（）同類(lèi)電極系統(tǒng)的楔刀焊接。解析：大于49、 填空半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類(lèi)。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為（）半導(dǎo)體、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類(lèi)。解析：元素；化合物50、 單選外殼設(shè)計(jì)包括（）設(shè)計(jì)、熱性能設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)三部分，而可靠性設(shè)計(jì)也包含在這三部分中間。A.電性能電阻電感答案：A51、單選半導(dǎo)體分立器件、集成電路對(duì)外殼的主要要求之一是：良好的熱性能。外殼應(yīng)有小的（），使芯片的熱量有效地散逸出去，保證器件在正常結(jié)溫下工作。A.熱阻阻抗結(jié)構(gòu)參數(shù)答案：A半導(dǎo)體芯片制造高級(jí)工試題（強(qiáng)化練習(xí)）1、 問(wèn)答題簡(jiǎn)述在芯片制造中對(duì)金屬電極材料有什么要求？解析：1、能很好的阻擋材料擴(kuò)散；2、 高電導(dǎo)率，低歐姆接觸電阻；3、 在半導(dǎo)體和金屬之間有很好的附著能力；4、 抗電遷能力強(qiáng)；5、 在很薄和高溫下具有很好的穩(wěn)定性；6、 抗侵蝕和抗氧化性好。7、 具有高的導(dǎo)電率和純度。8、 與下層存底（通常是二氧化硅或氮化硅）具有良好的粘附性。9、 與半導(dǎo)體材料連接時(shí)接觸電阻低。10、 能夠淀積出均勻而且沒(méi)有“空洞”的薄膜，易于填充通孔。11、 易于光刻和刻蝕，容易制備出精細(xì)圖形。12、 很好的耐腐蝕性。13、 在處理和應(yīng)用過(guò)程中具有長(zhǎng)期的穩(wěn)定性。2、 問(wèn)答題什么叫晶體缺陷？解析：晶體機(jī)構(gòu)中質(zhì)點(diǎn)排列的某種不規(guī)則性或不完善性。又稱(chēng)晶格缺陷。3、 單選器件的橫向尺寸控制幾乎全由（）來(lái)實(shí)現(xiàn)。A.掩膜版擴(kuò)散光刻答案：C4、 問(wèn)答題潔凈區(qū)工作人員應(yīng)注意些什么？解析：保持部件與工具潔凈，保持個(gè)人清潔衛(wèi)生.不能把潔凈服提來(lái)提去，人員不能觸摸或翻動(dòng)潔凈服.禁止吃喝，禁止用手表，首飾，指甲油，吸煙，化妝，工作只能在潔凈面上進(jìn)行。5、 單選恒定表面源擴(kuò)散的雜質(zhì)分布在數(shù)學(xué)上稱(chēng)為（）分布。A.高斯余誤差指數(shù)答案：B6、 單選平行縫焊的工藝參數(shù)有焊接電流、焊接速度、焊輪壓力和焊輪椎頂角。焊輪壓力影響蓋板和焊環(huán)之間高阻點(diǎn)的（）。壓力太大，電阻值下降，對(duì)形成焊點(diǎn)不利，焊輪壓力太小，則造成接觸不良，不但形不成良好點(diǎn)。A.電流值電阻值電壓值答案：B7、 單選變?nèi)荻O管的電容量隨（）變化。A.正偏電流反偏電壓結(jié)溫答案：B8、 填空禁帶寬度的大小決定著（）的難易，一般半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越寬，所制作的半導(dǎo)體器件中的載流子就越不易受到外界因素，如高溫和輻射等的干擾而產(chǎn)生變化。解析：電子從價(jià)帶跳到導(dǎo)帶9、 填空鋁絲與鋁金屬化層之間用加熱、加壓的方法不能獲得牢固的焊接，甚至根本無(wú)法實(shí)現(xiàn)焊接的原因是鋁的表面在空氣中極易生成一層（），它們阻擋了鋁原子之間的緊密接觸，達(dá)不到原子之間引力范圍的間距。解析：氧化物10、 單選外殼設(shè)計(jì)包括（）設(shè)計(jì)、熱性能設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)三部分，而可靠性設(shè)計(jì)也包含在這三部分中間。A.電性能電阻電感答案：A11、 填空氣中的一個(gè)小塵埃將影響整個(gè)芯片的（）性、（）率，并影響其電學(xué)性能和（）性，所以半導(dǎo)體芯片制造工藝需在超凈廠房?jī)?nèi)進(jìn)行。解析：完整；成品；可靠性12、 填空延生長(zhǎng)方法比較多，其中主要的有（）外延、（）外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相外延、（）外延、原子束外延、固相外延等。解析：化學(xué)氣相；液相；分子束13、 填空熱分解化學(xué)氣相淀積二氧化硅是利用（）化合物，經(jīng)過(guò)熱分解反應(yīng)，在基片表面淀積二氧化硅。解析：含有硅的化合物14、 填空金絲球焊的優(yōu)點(diǎn)是無(wú)方向性，鍵合強(qiáng)度一般（）同類(lèi)電極系統(tǒng)的楔刀焊接。解析：大于15、 填空厚膜混合集成電路的基片種類(lèi)很多，目前常用的有：氧化鋁陶瓷，（），氮化鋁（A1N）陶瓷。解析：氧化鈹陶瓷16、 問(wèn)答題粘封工藝中，常用的材料有哪幾類(lèi)？解析：常用膠粘劑有熱固性樹(shù)脂、熱塑性樹(shù)脂和橡膠型膠粘劑3大類(lèi)。17、 單選厚膜元件燒結(jié)時(shí)，漿料中的固體顆粒由接觸到結(jié)合、自由表面的收縮、空隙的排除、晶體缺陷的消除等都會(huì)使系統(tǒng)的自由能（），從而使系統(tǒng)轉(zhuǎn)變?yōu)闊崃W(xué)中更穩(wěn)定的狀態(tài)。A.降低升高保持不變答案：A18、 填空半導(dǎo)體材料可根據(jù)其性能、晶體結(jié)構(gòu)、結(jié)晶程度、化學(xué)組成分類(lèi)。比較通用的則是根據(jù)其化學(xué)組成可分為（）半導(dǎo)體、（）半導(dǎo)體、固溶半導(dǎo)體三大類(lèi)。解析：元素；化合物19、 填空半導(dǎo)體集成電路生產(chǎn)中，元件之間隔離有（）（）（）隔離等三種基本方法.解析：Pn結(jié)介質(zhì)；Pn結(jié)隔離；Pn結(jié)介質(zhì)混合20、 問(wèn)答題引線焊接有哪些質(zhì)量要求？解析：可靠性好，易保持一定形狀，化學(xué)穩(wěn)定性好。盡量少形成金屬間化合物，鍵合引線和焊盤(pán)金屬間形成低電阻歐姆接觸。平整度傾斜度，平行度焊接時(shí)間焊接界面的清潤(rùn)。21、 填空如果熱壓楔形鍵合小于引線直徑1.5倍或大于3.0倍，其長(zhǎng)度小于1.5倍或大于6.0倍，判引線鍵合（）。解析：不合格22、 單選金屬封裝主要用于混合集成電路封裝，外殼零件一般有底盤(pán)、管帽、引線和玻璃絕緣子組成。底盤(pán)、管帽和引線的材料常常是（）。A.合金A-424J29