復(fù)試-光課件p X射線衍射技術(shù)

勞埃法及其應(yīng)用大家回顧一下晶體的衍射強(qiáng)度

2I

F(s

)

L(s

)I電子勞埃函數(shù)推導(dǎo)出方程和布拉格公式s=g

2dsin=結(jié)構(gòu)因素推導(dǎo)出消光規(guī)律勞埃法及其應(yīng)用由

方程和愛(ài)瓦德圖解了解了各種衍射方法單色光照射單晶體單色光照射轉(zhuǎn)動(dòng)的單晶體連續(xù)光照射單晶體單色光照射多晶體a*0010b*100020晶體So/S/s=g勞埃法實(shí)驗(yàn)原理圖底片衍射線透射2θ晶體x-ray50mm反射底片2θ晶體30mm衍射線勞埃法實(shí)驗(yàn)勞埃法-------連續(xù)光照射單晶體對(duì)光源的要求：光強(qiáng)高，波長(zhǎng)范圍寬－－－增加勞埃斑點(diǎn)的強(qiáng)度和數(shù)目一般用W靶

V=30~70kV另外底片要標(biāo)記正

（一是方底片左上角切角，另一是在底片盒上加標(biāo)記）通常一次裝三張底片勞埃法的愛(ài)瓦德圖解010b*勞埃法-------連續(xù)光照射單晶體020100S/2

晶體20不容易直觀解釋衍射現(xiàn)象，亦不易看出衍射方向勞埃法的愛(ài)瓦德圖解010110球200100

000將愛(ài)瓦德圖解作一簡(jiǎn)單變換020衍射方向020連續(xù)X射線波長(zhǎng)在一定范圍內(nèi)變化將 球直徑由1/改為1將g=1/d作倒易點(diǎn)陣改為g=λ/d即倒易球不變，而倒易點(diǎn)陣變勞埃法的愛(ài)瓦德圖解很容易看出(hk

l)(2h

2k

2l)

(3h

3k

3l)等價(jià)晶面衍射方向一致，形成同一個(gè)勞埃斑2dsin=n

dhkl=2d2h2k2l=3d3h3k3l換句話說(shuō)，,/2,

/3波長(zhǎng)的X射線衍射形成同一個(gè)斑點(diǎn)所以低指數(shù)面衍射斑點(diǎn)強(qiáng)（例外是特征線衍射高指數(shù)面）勞埃法 特征000晶體因橢圓和雙曲線均是同一晶帶的晶面衍射斑點(diǎn)，稱其為晶帶曲線點(diǎn)多的為低指數(shù)晶帶入射線透射背射勞埃法測(cè)定單晶取向單晶取向的測(cè)定勞埃斑與晶面極點(diǎn)透射法測(cè)定單晶取向背射法測(cè)定單晶取向001111110

001

010100001勞埃斑點(diǎn)的晶面極點(diǎn)tg2=S/DθθR勞埃斑極點(diǎn)θR=1/S反射面2θ

DR1=D+S變換尺格氏網(wǎng)對(duì)于背射勞埃也可以用上述方法找到其與極射投影間的關(guān)系，但由于很大，投影集中于中間，上述方法誤差較大。因此，背射采用格氏網(wǎng)將勞埃斑轉(zhuǎn)換成極射投影。格氏網(wǎng)－－將吳氏網(wǎng)代替倒易點(diǎn)陣投影獲得。格氏網(wǎng)經(jīng)線緯線透射法測(cè)定單晶取向底片衍射線2θ50mm透射晶體x-ray勞埃斑極射投影透射法測(cè)定單晶取向透射法測(cè)定單晶取向背射法測(cè)定單晶取向背射法測(cè)定單晶取向勞埃法的其他應(yīng)用舉例單晶體的定向切割塑性變形的研究雙面法測(cè)滑移面極點(diǎn)軌跡測(cè)攣生面滑移方向的測(cè)定雙面法測(cè)滑移面取一單晶試樣磨出兩個(gè)相互垂直的金相平面變形出滑移線用金相測(cè)出其，NABXY-XY雙面法測(cè)滑移面NA面滑移線SB面NSX-Y滑移面

極點(diǎn)軌跡滑移線滑移面

極點(diǎn)軌跡Y-XPB面轉(zhuǎn)90度NSSNAB

XY用勞埃法測(cè)出P點(diǎn)的指數(shù)極點(diǎn)軌跡測(cè)攣生面001011111001011轉(zhuǎn)換成標(biāo)準(zhǔn)投影111001110112123111012變形＋拋光＋偏振光觀察照勞埃相重復(fù)多次即可獲得孿生面滑移方向的測(cè)定1

12滑移面拉