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文檔簡介
第二章靜電場
2.1庫侖定律與電場強(qiáng)度
2.2高斯定理
2.3靜電場的旋度與靜電場的電位
2.4電偶極子
2.5電介質(zhì)中的場方程
2.6靜電場的邊界條件
2.7*導(dǎo)體系統(tǒng)的電容
2.8電場能量與能量密度
2.9*電場力2.1庫侖定律與電場強(qiáng)度2.1.1庫侖定律圖2–1庫侖定律用圖式中:R=r-r′表示從r′到r的矢量;R是r′到r的距離;R°是R的單位矢量;ε0是表征真空電性質(zhì)的物理量,稱為真空的介電常數(shù),其值為庫侖定律表明,真空中兩個(gè)點(diǎn)電荷之間的作用力的大小與兩點(diǎn)電荷電量之積成正比,與距離平方成反比,力的方向沿著它們的連線,同號電荷之間是斥力,異號電荷之間是引力。點(diǎn)電荷q′受到q的作用力為F′,且F′=-F,可見兩點(diǎn)電荷之間的作用力符合牛頓第三定律。q電荷受力:庫侖定律只能直接用于點(diǎn)電荷。所謂點(diǎn)電荷,是指當(dāng)帶電體的尺度遠(yuǎn)小于它們之間的距離時(shí),將其電荷集中于一點(diǎn)的理想化模型。對于實(shí)際的帶電體,一般應(yīng)該看成是分布在一定的區(qū)域內(nèi),稱其為分布電荷。用電荷密度來定量描述電荷的空間分布情況。電荷體密度的含義是,在電荷分布區(qū)域內(nèi),取體積元ΔV,若其中的電量為Δq,則電荷體密度為其單位是庫/米3(C/m3)。這里的ΔV趨于零,是指相對于宏觀尺度而言很小的體積,以便能精確地描述電荷的空間變化情況;但是相對于微觀尺度,該體積元又是足夠大,它包含了大量的帶電粒子,這樣才可以將電荷分布看作空間的連續(xù)函數(shù)。如果電荷分布在宏觀尺度h很小的薄層內(nèi),則可認(rèn)為電荷分布在一個(gè)幾何曲面上,用面密度描述其分布。若面積元ΔS內(nèi)的電量為Δq,則面密度為對于分布在一條細(xì)線上的電荷用線密度描述其分布情況。若線元Δl內(nèi)的電量為Δq,則線密度為庫/米2(C/m2)庫/米(C/m)2.1.2電場強(qiáng)度電荷q′對電荷q的作用力,是由于q′在空間產(chǎn)生電場,電荷q在電場中受力。用電場強(qiáng)度來描述電場,空間一點(diǎn)的電場強(qiáng)度定義為該點(diǎn)的單位正試驗(yàn)電荷所受到的力。在點(diǎn)r處,試驗(yàn)電荷q受到的電場力為多個(gè)點(diǎn)電荷時(shí):對于體分布的電荷,可將其視為一系列點(diǎn)電荷的疊加,從而得出r點(diǎn)的電場強(qiáng)度為同理,面電荷和線電荷產(chǎn)生的電場強(qiáng)度分別為(畫圖)例2-1
一個(gè)半徑為a的均勻帶電圓環(huán),求軸線上的電場強(qiáng)度。解:取坐標(biāo)系如圖2-2,圓環(huán)位于xoy平面,圓環(huán)中心與坐標(biāo)原點(diǎn)重合,設(shè)電荷線密度為ρl
。圖2-2
例2-1用圖所以
高斯定理描述通過一個(gè)閉合面電場強(qiáng)度的通量與閉合面內(nèi)電荷間的關(guān)系??梢宰C明:2.2高斯定理Q:S面內(nèi)電量的代數(shù)和要分析一個(gè)點(diǎn)的情形,要用微分形式。如果閉合面內(nèi)的電荷是密度為ρ的體分布電荷,則式(2-15)可以寫為由于體積V是任意的,所以有例2-2
假設(shè)在半徑為a的球體內(nèi)均勻分布著密度為ρ0的電荷,試求任意點(diǎn)的電場強(qiáng)度。解:當(dāng)r>a時(shí),故當(dāng)r<a時(shí),所以例2-3
已知半徑為a的球內(nèi)、外的電場強(qiáng)度為求電荷分布。解:由高斯定理的微分形式,得電荷密度為用球坐標(biāo)中的散度公式可得(r>a)(r<a)2.3靜電場的旋度與靜電場的電位由于電場強(qiáng)度可表示為一個(gè)標(biāo)量位函數(shù)的負(fù)梯度,所以有可用一個(gè)標(biāo)量函數(shù)的負(fù)梯度表示電場強(qiáng)度。這個(gè)標(biāo)量函數(shù)就是靜電場的位函數(shù),簡稱為電位。電位φ的定義由下式確定電位的單位是伏(V),因此電場強(qiáng)度的單位是伏/米(V/m)。體分布的電荷在場點(diǎn)r處的電位為:線電荷和面電荷的電位表示式與上式相似,只需將電荷密度和積分區(qū)域作相應(yīng)的改變。對于位于源點(diǎn)r′處的點(diǎn)電荷q,其在r處產(chǎn)生的電位為可見,靜電場在任意閉合回路的環(huán)量為零:
由斯托克斯公式:
通常,稱φ(P)-φ(P0)為P與P0兩點(diǎn)間的電位差(或電壓)。一般選取一個(gè)固定點(diǎn),規(guī)定其電位為零,稱這一固定點(diǎn)為參考點(diǎn)。當(dāng)取P0點(diǎn)為參考點(diǎn)時(shí),P點(diǎn)處的電位為
當(dāng)電荷分布在有限的區(qū)域時(shí),選取無窮遠(yuǎn)處為參考點(diǎn)較為方便。此時(shí),可以證明:將E=-▽φ代入高斯定理的微分形式,得到若討論的區(qū)域ρ=0,則電位微分方程變?yōu)樯鲜龇匠虨槎A偏微分方程,稱為拉普拉斯方程。其中▽2在直角坐標(biāo)系中為泊松方程例2-5
求均勻帶電球體產(chǎn)生的電位。解:(r>a)(r<a)由此可求出電位。當(dāng)r>a時(shí),當(dāng)r<a時(shí),例2-6
若半徑為a的導(dǎo)體球面的電位為U0,球外無電荷,求空間的電位。解:
即再對其積分一次,得在導(dǎo)體球面上,電位為U0,無窮遠(yuǎn)處電位為零。分別將r=a、r=∞代入上式,得這樣解出兩個(gè)常數(shù)為所以總之,真空中靜電場的基本方程可歸納為:(微分方程)(積分方程)2.4電偶極子圖2-5電偶極子0用電偶極矩表示電偶極子的大小和空間取向,它定義為電荷q乘以有向距離l,即電偶極子在空間任意點(diǎn)P的電位為其中,r1和r2分別表示場點(diǎn)P與q和-q的距離,r表示坐標(biāo)原點(diǎn)到P點(diǎn)的距離。經(jīng)推導(dǎo)圖2-6電偶極子的電場分布2.5電介質(zhì)中的場方程2.5.1介質(zhì)的極化極化強(qiáng)度的單位是C/m2。極化強(qiáng)度定義:極化現(xiàn)象…….擊穿強(qiáng)度…….2.5.2極化介質(zhì)產(chǎn)生的電位圖2-7極化介質(zhì)的電位場點(diǎn)*設(shè)極化介質(zhì)的體積為V,表面積是S,極化強(qiáng)度是P,現(xiàn)在計(jì)算介質(zhì)外部任一點(diǎn)的電位。在介質(zhì)中r′處取一個(gè)體積元ΔV′,因|r-r′|遠(yuǎn)大于ΔV′的線度,故可將ΔV′中介質(zhì)當(dāng)成一偶極子,其偶極矩為p=PΔV′,它在r處產(chǎn)生的電位是整個(gè)極化介質(zhì)產(chǎn)生的電位是上式的積分:極化體電荷密度極化面電荷密度比較電位公式,得:例2-7
一個(gè)半徑為a的均勻極化介質(zhì)球,極化強(qiáng)度是P=P0ez,求極化電荷分布。解:取球坐標(biāo)系,讓球心位于坐標(biāo)原點(diǎn)。
極化電荷體密度為極化電荷面密度為
2.5.3介質(zhì)中的場方程在真空中高斯定理的微分形式為▽·E=ρ/ε0,其中的電荷是指自由電荷。在電介質(zhì)中,高斯定理的微分形式便可寫為將ρP=-▽·P代入,得這表明,矢量ε0E+P的散度為自由電荷密度。稱此矢量為電位移矢量,并記為D,即于是,介質(zhì)中高斯定理的微分形式變?yōu)榕c其相應(yīng)的積分形式為將介質(zhì)中靜電場的方程歸納如下:自由電荷2.5.4介電常數(shù)式中χe為極化率,是一個(gè)無量綱常數(shù)。從而有稱εr為介質(zhì)的相對介電常數(shù),稱ε為介質(zhì)的介電常數(shù)。對于均勻介質(zhì)(ε為常數(shù)),電位滿足如下的泊松方程:由實(shí)驗(yàn)得知例2-8
一個(gè)半徑為a的導(dǎo)體球,帶電量為Q,在導(dǎo)體球外套有外半徑為b的同心介質(zhì)球殼,殼外是空氣,如圖2-8所示。求空間任一點(diǎn)的D、E、P以及束縛電荷密度。圖2-8例2-8用圖解:(r≥a)介質(zhì)內(nèi)(a<r<b):見附錄一A1.26式介質(zhì)外(b<r):介質(zhì)內(nèi)表面(r=a)的束縛電荷面密度:介質(zhì)外表面(r=b)的束縛電荷面密度:2.6靜電場的邊界條件圖2-9法向邊界條件(什么是邊界?)或如果界面上無自由電荷面電荷分布,即在ρS=0時(shí),邊界條件變?yōu)榛驁D2-10切向邊界條件E2E1因?yàn)棣2=l°Δl,Δl1=-l°Δl,
l°是單位矢量,上式變?yōu)樽⒁獾絥⊥l°,故有*電場強(qiáng)度的切向分量連續(xù),意味著電位是連續(xù)的,即由于法向分量的邊界條件用電位表示為*導(dǎo)體內(nèi)的靜電場在靜電平衡時(shí)為零。設(shè)導(dǎo)體外部的場為E、D,導(dǎo)體的外法向?yàn)閚,則導(dǎo)體表面的邊界條件簡化為2.8電場能量與能量密度電場能量能量密度例2-14
若一同軸線內(nèi)導(dǎo)體的半徑為a,外導(dǎo)體的內(nèi)半徑
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