微機原理：第五章 存儲器原理與接口1

第五章存儲器原理與接口存儲器分類多層存儲結(jié)構(gòu)的概念主存儲器及存儲控制8086存儲器組織5.1存儲器分類存儲器分類方式1、按存儲介質(zhì)分類

半導(dǎo)體存儲器

磁表面（磁盤和磁帶等）存儲器

光電存儲器2、半導(dǎo)體存儲器按存取方式分類隨機存儲器RAM(RandomAccessMemory)只讀存儲器ROM（Read-OnlyMemory）串行訪問存儲器SAS(SerialAccessStorage)SAS分順序存取存儲器（SAM）和直接存取存儲器（DAM）。3、按在計算機中的作用分類

主存儲器(內(nèi)存)

輔助存儲器(外存)

高速緩沖存儲器

半導(dǎo)體存儲器的分類制作工藝：雙極型、MOS、TTL、ECL等1、隨機存取存儲器RAM2、只讀存儲器ROM1、隨機存取存儲器RAMa.靜態(tài)RAM:SRAM

（ECL，TTL，MOS）

b.動態(tài)RAM:DRAMc.組合RAM:IRAMd.FLASH:SRAM+EEPROM2、只讀存儲器ROMa.掩膜式ROMb.可編程的PROMc.可用紫外線擦除、可編程的EPROMd.可用電擦除、可編程的E2PROM等分類掩模ROM可編程ROM（PROM）可擦除可編程ROM（EPROM）隨機存儲器RAM靜態(tài)存儲器SRAM動態(tài)存儲器DRAM按功能(Read-OnlyMemory)(RandomAccessMemory)(ProgrammableROM)(ErasablePROM)UVEPROMEEPROM只讀存儲器ROMFlashMemory(Ultra-Violet)(Electrically)電可擦除紫外線擦除(StaticRAM)快閃存儲器(DynamicRAM)只能讀出不能寫入,斷電不失還可以按制造工藝分為雙極型和MOS型。順序存取存儲器SAMFIFO先入先出CCD電荷耦合器件

存儲器芯片主要指標(biāo)：

存儲容量、存取速度。

存儲容量:單元數(shù)×位數(shù)表示，

也可只用位數(shù)表示。

如，某動態(tài)存儲器的容量為109位/片。5.2多層存儲結(jié)構(gòu)概念

1、解決容量、速度、價格間的矛盾，建立起多層存儲結(jié)構(gòu)。金字塔結(jié)構(gòu)的多層存儲體系,充分體現(xiàn)出容量和速度關(guān)系2、多層存儲結(jié)構(gòu)寄存器Cache(高速緩存)內(nèi)存（主存）磁盤磁道、光盤輔存（主存）

Cache—主存層次：解決CPU與主存的速度上的差距；

主存—輔存層次：解決存儲的大容量要求和低成本之間的矛盾。5.3主存儲器及存儲控制5.3.1主存儲器1、主存儲器的主要技術(shù)指標(biāo)存儲容量存取速度可靠性功耗

1）存儲容量存儲器可以容納的二進(jìn)制信息量稱為存儲容量

（尋址空間，由CPU的地址線決定）

實際存儲容量：在計算機系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。

2）存取速度

存取時間

指從啟動一次存儲器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時間，又稱為讀寫周期。

SDRAM同步動態(tài)隨機存儲器: 12ns10ns8ns

RDRAM存儲器總線式動態(tài)隨機存儲器: 1ns 0.625ns2）存取速度存儲周期

連續(xù)啟動兩次獨立的存儲器操作(如連續(xù)兩次讀操作)所需要的最短間隔時間稱為存儲周期。一般情況下，存儲周期略大于存取時間。3）可靠性

可靠性是用平均故障間隔時間來衡量（MTBF,MeanTimeBetweenFailures）4）功耗

功耗通常是指每個存儲元消耗功率的大小2、主存儲器的基本操作

存儲器讀存儲器寫M/IO5.3.2主存儲器的基本組成半導(dǎo)體存儲器芯片、譯碼電路半導(dǎo)體存儲器芯片的結(jié)構(gòu)存儲體地址譯碼輸入輸出控制存儲體：是存儲芯片的主體，由基本存儲元按照一定的排列規(guī)律構(gòu)成。地址譯碼器：接收CPU的k位地址，譯碼后產(chǎn)生2k個地址選擇信號，對片內(nèi)存儲單元選址。I/O控制電路：