三極管命名方法課件

中國半導(dǎo)體器件型號命名方法中國半導(dǎo)體器件型號命名方法1半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、2第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用數(shù)字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V3例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管4日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法5三極管命名方法課件6三極管命名方法課件7三極管命名方法課件8三極管命名方法課件9三極管命名方法課件10三極管命名方法課件11美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法12三極管命名方法課件13三極管命名方法課件14三極管命名方法課件15貼片電容的型號

命名方法及規(guī)則簡介貼片電容的型號

命名方法及規(guī)則簡介16三極管命名方法課件17三極管命名方法課件18貼片電容的尺寸表示法有兩種，一種是英寸為單位來表示，一種是以毫米為單位的公制來表示。貼片電容系列的型號有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225、2512等。04表示長度是0.04英寸，02表示寬度0.02英寸，其他類同。

英制英寸公制mm長度及公差寬度及公差厚度及公差

040210051.00±0.050.50±0.050.50±0.05

060316081.60±0.100.80±0.100.80±0.10

080520122.00±0.201.25±0.200.70±0.20

120632163.20±0.301.60±0.200.70±0.20

121032253.20±0.302.50±0.301.25±0.30

180845204.50±0.402.00±0.20≤2.00

181245324.50±0.403.20±0.30≤2.50

222557635.70±0.506.30±0.50≤2.50

303576907.60±0.509.00±0.05≤3.00

不同國家、廠商的命名方法不相同。貼片電容的尺寸表示法有兩種，一種是19三極管命名方法課件20三極管命名方法課件21三極管命名方法課件22三極管命名方法課件23三極管命名方法課件24三極管命名方法課件25三極管命名方法課件26三極管命名方法課件27三極管命名方法課件28三極管命名方法課件29精品課件！精品課件！30精品課件！精品課件！31三極管命名方法課件32中國半導(dǎo)體器件型號命名方法中國半導(dǎo)體器件型號命名方法33半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。五個部分意義如下：第一部分：用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、34第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V-微波管、W-穩(wěn)壓管、C-參量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光電器件、K-開關(guān)管、X-低頻小功率管(F<3MHz,Pc<1W)、G-高頻小功率管（f>3MHz,Pc<1W)、D-低頻大功率管（f<3MHz,Pc>1W)、A-高頻大功率管（f>3MHz,Pc>1W)、T-半導(dǎo)體晶閘管（可控整流器）、Y-體效應(yīng)器件、B-雪崩管、J-階躍恢復(fù)管、CS-場效應(yīng)管、BT-半導(dǎo)體特殊器件、FH-復(fù)合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。第四部分：用數(shù)字表示序號第五部分：用漢語拼音字母表示規(guī)格號第三部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的內(nèi)型。P-普通管、V35例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管例如：3DG18表示NPN型硅材料高頻三極管36日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法日本半導(dǎo)體分立器件型號命名方法37三極管命名方法課件38三極管命名方法課件39三極管命名方法課件40三極管命名方法課件41三極管命名方法課件42三極管命名方法課件43美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法美國半導(dǎo)體分立器件型號命名方法44三極管命名方法課件45三極管命名方法課件46三極管命名方法課件47貼片電容的型號

命名方法及規(guī)則簡介貼片電容的型號

命名方法及規(guī)則簡介48三極管命名方法課件49三極管命名方法課件50貼片電容的尺寸表示法有兩種，一種是英寸為單位來表示，一種是以毫米為單位的公制來表示。貼片電容系列的型號有0201、0402、0603、0805、1206、1210、1812、2010、2225、2512等。04表示長度是0.04英寸，02表示寬度0.02英寸，其他類同。

英制英寸公制mm長度及公差寬度及公差厚度及公差

040210051.00±0.050.50±0.050.50±0.05

060316081.60±0.100.80±0.100.80±0.10

080520122.00±0.201.25±0.200.70±0.20

120632163.20±0.301.60±0.200.70±0.20

121032253.20±0.302.50±0.301.25±0.30

180845204.50±0.402.00±0.20≤2.00

181245324.50±0.403.20±0.30≤2.50

222557635.70±0.506.30±0.50≤2.50

303576907.60±0.509.00±0.05≤3.00

不同國家、廠商的命名方法不相同。貼片電容的尺寸表示法有兩種，一種是51三極管命名方法課件