半導(dǎo)體物理 習(xí)題練習(xí)2參考答案_第1頁(yè)
半導(dǎo)體物理 習(xí)題練習(xí)2參考答案_第2頁(yè)
半導(dǎo)體物理 習(xí)題練習(xí)2參考答案_第3頁(yè)
半導(dǎo)體物理 習(xí)題練習(xí)2參考答案_第4頁(yè)
半導(dǎo)體物理 習(xí)題練習(xí)2參考答案_第5頁(yè)
已閱讀5頁(yè)，還剩5頁(yè)未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說(shuō)明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

練習(xí)二（參考答案）1。Zn在Si中是一雙重受主，即每一個(gè)Zn原子可在EA1（EA1-EV=0.31eV），能級(jí)接受1個(gè)電子，在較高能級(jí)EA2（EA2-Ev=0.55eV）上接受第2個(gè)電子。為了完全補(bǔ)償1個(gè)Nd=1016cm-3的n-Si樣品，需要摻入Zn的密度是多少？（設(shè)Eg=1.12eV）。EcEvEF=Ei1.12evEA1-Ev=0.31ev

EA2-Ev=0.55ev1。如圖所示的硅樣品，尺寸為h=1.0mm,W=4.0mm,L=8.0mm.在霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)中，I=1mA,B=4000(0.4T),實(shí)驗(yàn)中測(cè)出在77K~400K的溫度范圍內(nèi)霍爾電勢(shì)差不變，其數(shù)值為Vac=Va-Vc=-5.0mV。在300K測(cè)得Vx=200mV。acxyzIhWLB

yxEFEVECEiNd=Ne-ax，則電子為主要載流子n(x)=ni+Nd=ni+Ne-axyxEFEVECEi4．某半導(dǎo)體硅樣品中含磷濃度為1016/cm3,含硼的濃度為2X1015/cm3,已知在T=260K時(shí)，本征載流子濃度為ni=2X109/cm3,且費(fèi)米能級(jí)EF與ED重合，試求：（1）未電離的施主濃度；（2）多子濃度和少子濃度（3）設(shè)un=1300cm2/(

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無(wú)特殊說(shuō)明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁(yè)內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒(méi)有圖紙預(yù)覽就沒(méi)有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫(kù)網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論