電控學(xué)院-820半導(dǎo)體器件物理_第1頁
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西安科技大2010年入學(xué)考試試題科目 科目名稱：半導(dǎo)體器件物考生須知1、答案必須寫在答題紙上，寫在試題或草稿紙上不給分2、答題須用藍、黑色鋼筆或圓珠筆，用鉛筆、紅色筆者不給3、答題必須寫清題號，字跡要清楚，卷面要保持整潔4、試題要隨答題紙一起交一、（每小題4分，共40分12、少子3456、能78、MOS910二、簡要回答下列問題（848分1、雙極性晶體管外延層厚度的確定與哪些因素有關(guān)？并分別進行說明23、雙極性三極管工作于放大區(qū)時，對于給定的IB，從載流子傳輸?shù)慕嵌群喴猇CEICVCE的增加卻幾乎不變？4、NMOSVGS，為什么IDSVDS的變化而改變？5、PN6N、P型半導(dǎo)體分別如何實現(xiàn)歐姆接觸？三、根據(jù)要求解答問題（26分）1、NPN晶體管基極偏置的各種不同情況如下圖所示，簡要說明BUCEOBUCES，BUCER，BUCEX，BUCEZ（102PN（83NMOS（8）四、證明題（18分）1、若緩變基區(qū)晶體管的基區(qū)雜質(zhì)分布函數(shù)為NB(x)，則其基區(qū)自建電場kTEb

NB

dNB(x)

（10分2NMOS場效應(yīng)晶體管線性區(qū)的電流-電壓關(guān)系為（8

1U2

DSgms

UT 其中 nL,UGS和UDS分別為MOS管的柵源和漏源電壓（18分1NMOSNA＝3×l0l6cm-3，柵氧化層200?SiO20.95V（10分）（2（3（2分）（8分PN（3分PN（3分（2分Dn352NPN0=8.85×10-14F/cm，r=3.9，q=1.6×10-

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