光伏HJT行業(yè)研究報告：下一代電池技術的領航員

光伏HJT行業(yè)研究報告：下一代電池技術的領航員核心觀點本報告從目前光伏產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)中最具有技術變革性的電

池環(huán)節(jié)出發(fā)，深度剖析未來電池技術的大方向異質結技術，主

要解決三大問題，一是為什么市場現(xiàn)在選擇了異質結？二是為

什么異質結會成為未來的電池主流技術？三是基于此邏輯下

的細分領域投資機會及受益標的。工序簡單，簡化電池制備流程。HJT技術僅有有四道工序，

分別為清洗制絨、非晶硅薄膜沉積，TCO薄膜制備和絲網(wǎng)印刷。

其中清洗制絨和絲網(wǎng)印刷都是傳統(tǒng)硅晶電池的工藝，HJT獨特

的工藝在于非晶硅薄膜沉積和

TCO膜的沉積。HJT技術大大

減化了制備流程，未來更容易實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化和流程化。產(chǎn)能規(guī)劃近百

GW，規(guī)模化量產(chǎn)在即。截至目前，包括愛

康科技、東方日升、中利集團、天合光能、比太科技、鈞石能

源、山煤國際、通威股份等在內的多家光伏電池片知名企業(yè)均

已宣布投資新建

GW級的

HJT項目。據(jù)公開資料顯示，目前

市場上規(guī)劃

HJT電池片技術的產(chǎn)能有近

100GW。國產(chǎn)設備、銀漿性價比高，替代進口大勢所趨?，F(xiàn)有

HJT產(chǎn)線的設備中，絲網(wǎng)印刷的國產(chǎn)化程度比較高，其余三個環(huán)節(jié)

進口設備占主導。因此在國產(chǎn)化順利的情況下，PECVD和

PVD兩個環(huán)節(jié)的設備投資額有望由國產(chǎn)設備替代，降低成本。此外，

低溫銀漿的減量工藝和國產(chǎn)化趨勢是提升絲網(wǎng)印刷經(jīng)濟性的

有效途徑，從而可以進一步實現(xiàn)降本。薄片化和高功率凸顯

HJT技術的經(jīng)濟性。據(jù)測算，受益

于薄片化，基于

160μm厚度硅片的

HJT技術，每片硅耗量能

夠比

PERC技術下降接近

9%。未來當

HJT硅片降到

150μm厚

度時，硅耗可以下降近

15%。此外，由于

HJT組件的高功率所

帶來的相關

BOS成本攤薄也不容小覷。根據(jù)測算，以

182

尺

寸為例，在目前的參數(shù)下，HJT和

PERC的系統(tǒng)成本差異在

0.144

元/W。根據(jù)我們的敏感分析數(shù)據(jù)，在

PERC電池的效率

在

23.5%的前提下，當

HJT的電池效率達到

25.5%，硅片厚度

到達

150μm時，就會比

PERC更具經(jīng)濟性。此外，當

HJT的

電池非硅成本下降到

0.27

元/W的時候，也會比

PERC更具經(jīng)

濟性。一、光伏電池技術概述（一）光伏電池發(fā)電原理光伏發(fā)電是一種把太陽能轉化為電能的過程，其發(fā)電原理是太陽光照在半導體P-N結上，形成新的空穴-電子對，在P-N結內建電場的作用下，N區(qū)的光生空穴流向P區(qū)，

P區(qū)的光生電子流向N區(qū)，形成從N到P的光生電動勢，從而使P端電勢升高，N端電勢降

低，接通電路后就形成P到N的外部電流。電流可以送往蓄電池中存儲起來，也可以直

接推動負載工作。（二）現(xiàn)有電池技術簡介PERC電池——鈍化發(fā)射極和背面電池(PassivatedEmitterandRearCell，PERC)

技

術已成為行業(yè)中的主流技術。PERC技術是通過在硅片的背面增加一層鈍化層(氧化鋁或

氧化硅)，對硅片起到鈍化的作用，可有效提升少子壽命。目前全球產(chǎn)能已經(jīng)超過

200GW，年產(chǎn)量超過150GW。在PERC基礎上，如果背面不用鋁漿，改成局部鋁柵線，

可以簡單升級成雙面PERC結構，雙面率可以達到75—85%。對于PERC電池來說，從目

前的研究情況來看，量產(chǎn)效率已經(jīng)提升到23.5%，有望提升到24%。但是再往上提升難

度非常大。從成本方面來看，PERC電池的非硅成本已經(jīng)到0.2元/瓦左右，降本空間有

限。從盈利情況看，由于產(chǎn)能的快速擴張，盈利空間有限，電池廠商需要尋找新的方

向來拓寬盈利空間，恢復融資能力。N-PERT電池——鈍化發(fā)射極背表面全擴散電池（PassivatedEmitterandRearTotally-diffusedCell）是一種全擴散背場鈍化結構，通常PN結在正面，結構比較簡單，是最早的N型電池，是天然的雙面結構，雙面率可以達到80—95%，但是在量產(chǎn)效率和

成本上已經(jīng)不具備優(yōu)勢，已經(jīng)被證明為不經(jīng)濟的技術路線。N-TOPCon電池——隧穿氧化層鈍化接觸電池(TunnelOxidePassivatingContactsCell)是一種鈍化接觸結構，前表面與N-PERT太陽能電池沒有本質區(qū)別，主要區(qū)別在于

背面?；驹硎窃贜型硅片背面沉積一層很薄氧化硅，然后再沉積一層重摻雜的多晶

硅薄膜，實現(xiàn)背面的鈍化接觸，提高開路電壓，提升轉化效率。目前行業(yè)里TOPCon的

量產(chǎn)效率已經(jīng)超過24%，雙面率相對于PERC略低，但可以通過增加PERC產(chǎn)線的設備來

升級，具有一定的空間。HJT電池——異質結電池（HeterojunctionTechnologyCell）的基本原理是在N型硅

片基底上采用非晶硅沉積的方式形成異質結并作為鈍化層。這種結構的電池開路電壓

更高，效率也會相應的比較高，同時最外一層有TCO透明導電層。工藝采用的是低溫

工藝，銀漿的溫度通常在200度左右，便于采用更薄的N型硅片，使未來有比較大的硅

片成本下降空間。目前行業(yè)量產(chǎn)效率24%左右，雙面率90%以上?，F(xiàn)在主要問題是設備

與材料的成本比較高，工藝控制難度比較大。IBC電池——差指狀背接觸電池(InterdigitatedBackContactCell)

電池的基本原理

是在N型硅片的基礎上，前后表面均覆蓋一層熱氧化膜，以降低表面復合。利用光刻技

術，在電池背面分別進行磷、硼局部擴散，有效消除高聚光條件下的電壓飽和效應。

由于PN結都在背面做差指狀接觸，所以正面沒有柵線遮擋，正面受光面積增加，電流

也增加。主要問題是工藝比較復雜，成本也比較高。潛在的空間是可以和異質結結合，

采用非晶硅鈍化層結構或隧穿鈍化層來形成HBC結構。綜上所述，根據(jù)比較我們發(fā)現(xiàn)目前主流的PERC技術由于其效率極限的限制，未來

將會被更先進的技術所替代，那么在先進的諸多N型電池技術中，我們認為HJT是目前

最具潛力的電池技術，首先它的電池效率比PERC技術要高一個臺階，24%的轉換效率

是PERC電池的極限值而卻只是HJT的基礎值。其次，HJT的工序很簡單，只需要四個

環(huán)節(jié)，并且在薄片化和無衰減上有優(yōu)勢。最后，HJT成本相對于IBC更低且降本路徑更

明確。因此我們認為在可預見的未來HJT具備成為主流電池技術的潛力。二、市場為何選擇了

HJT（一）HJT的發(fā)展進程和基本結構自1974年WalerFuhs首先提出了非晶硅與晶硅材料結合的HJT結構開始，HJT電池

的發(fā)展進入起始階段。1989年三洋集團首次成功開發(fā)了運用HJT結構的太陽能電池，并

申請專利，效率達到15%。1997年三洋為HJT申請注冊商標，并開始提供商業(yè)化光伏組

件，HJT電池進入初步發(fā)展階段。2010年后，松下對HJT電池的專利保護結束，各電池

廠商們迎來了大力發(fā)展該技術的機會，HJT電池進入工業(yè)生產(chǎn)階段，在這個階段中，

HJT電池的轉換效率不斷提升，2017年HJT電池邁入商業(yè)化階段，關注進入HJT行業(yè)的

公司增加，進入小批量生產(chǎn)階段，隨著100MW規(guī)模以上產(chǎn)能投入運營的數(shù)量持續(xù)增加，

預計未來HJT電池還將獲得不斷的發(fā)展。截至2021年2月，HJT電池的最高實驗室效率

已達到29.52%，量產(chǎn)效率達到24.53%。HJT電池結構，首先在N型單晶硅片（c-Si）的正面沉積很薄的本征非

晶硅薄膜（i-a-Si:H）和P型非晶硅薄膜（p-a-Si:H），然后在硅片的背面沉積很薄的本

征非晶硅薄膜（i-a-Si:H）和N型非晶硅薄膜（n-a-Si:H）形成背表面場，再在電池的兩

面沉積透明氧化物導電薄膜(TCO)，TCO不僅可以減少收集電流時的串聯(lián)電阻，還能起

到減反作用，最后在TCO上制作金屬電極。（二）工藝流程簡潔，非晶硅薄膜和

TCO膜沉積是關鍵HJT技術有四道工序，分別為清洗制絨、非晶硅薄膜沉積，TCO薄膜制備和絲網(wǎng)印

刷。其中清洗制絨和絲網(wǎng)印刷都是傳統(tǒng)硅晶電池的工藝，HJT獨特的工藝在于非晶硅薄

膜沉積和TCO膜的沉積。清潔制絨——對清潔度要求更高，主流工藝為RCA法。硅片經(jīng)過前期的工序加工

后，表面可能受到有機雜質、顆粒、金屬離子等沾污，在制作電池的第一步都是對硅

片進行清洗，同時為了增加對光的能量吸收以及提升鈍化效果，在硅片表面腐蝕出金

字塔形貌以作為陷光結構也非常重要。異質結電池要形成高鈍化的a-Si:H/c-Si（n）界

面，硅面表面清潔度要更高。在對硅片進行濕法處理之前有三個步驟，分別是去除硅

片切割過程的損傷、制絨和表面清潔，目的是除去有機物的金屬雜質。清洗主流工藝

為RCA法。RCA法最早由美國RadioCorporationofAmerica研發(fā)用于半導體晶圓清洗工

藝，該工藝包含SC1和SC2兩個步驟，分別使用NH4OH、H2O2和HCI、H2O2。由于NH4OH和H2O2本身的揮發(fā)性較強，而RCA工藝溫度高于60攝氏度更是加劇了其揮發(fā)，從而引

起更高的清洗成本。另外一種新的清洗工藝是以臭氧法，臭氧去離子水（DIO3）不僅

可以更高效地去除有機雜質和金屬雜質，同時減少化學品的消耗，而且不會產(chǎn)生含氮

廢水。根據(jù)測算，臭氧清洗的異質結電池轉化效率比RCA最高可高出絕對值0.45%，臭

氧清洗工藝已于2015年開始在異質結規(guī)模化生產(chǎn)中進行推廣，但在國內的應用還不廣

泛。非晶硅薄膜沉積——PECVD是主流，Cat-CVD有潛力。非晶硅薄膜沉積是HJT電

池生產(chǎn)過程中最關鍵的步驟，因為其決定了HJT電池鈍化的有效性，而鈍化效果是轉換效率提升的保證。該過程涉及在硅片兩側沉積本征非晶硅薄膜和沉積極性相反的摻雜

非晶硅薄膜。非晶硅薄膜沉積過程中化學氣相沉積法（ChemicalVaporDeposition）是

主流工藝，其中以PECVD（離子體增強化學氣相沉積）和Cat-CVD（熱絲化學氣相沉

積）為主。目前PECVD是主流，Cat-CVD具有潛力，PECVD是等離子體增強化學的氣

相沉積法，這種方法具備基本溫度低，沉積速度快，成膜質量好等優(yōu)點。PECVD方法

使用源氣體分子與電子之間的碰撞，即三維空間中各點之間的碰撞，而Cat-CVD方法使

用氣體分子與催化劑主體表面之間的接觸。過程為將氣體分解為中性基團，對硅片表

面無轟擊，比較柔和，相較于PECVD所得的非晶硅薄膜中氫含量更高，有利于鈍化效

果提升，從這一角度來看，Cat-CVD方法的潛力比PECVD大得多。此外，Cat-CVD對

于源氣體的利用率在80%以上，而

PECVD目前僅為10%-20%，而且Cat-CVD理論上可

在熱絲兩側同時沉積，生產(chǎn)速度更快。但制約Cat-CVD大規(guī)模生產(chǎn)應用的原因是其存在

著催化劑表面逐漸變性問題以及原料氣和催化劑種類組合等問題，均勻性較差，熱絲

需要周期性更換，更換周期小于一個月，這增加了Cat-CVD設備的運行成本，未來需不

斷改善工藝，延長熱絲壽命。TCO薄膜沉積：PVD是主流，RPD效率高價格貴。制備透明導電氧化層（TCO）

薄膜，是用作減反射層和橫向運輸載流子至電極的導電層。TCO最關鍵的指標是透過

率和電阻率，透過率越高且電阻率越低，對于入射光的利用和轉換效率越好。透過率

與電阻率對立，導電性好意味著載流子濃度高，而載流子濃度高會造成近紅外區(qū)域吸

收增加，則透過率降低。制備TCO目前有PVD和RPD兩種方式，更主流的為PVD（PhysicalVaporDeposition）即物理氣相沉積，其基本原理是輝光放電產(chǎn)生的氬離子轟擊陰極靶

材，靶材被濺射出來而沉積到基板表面。RPD（Reactiveplasmadeposition）即反應等離子體沉積，是由日本住友公司開發(fā)的一種低溫、低損傷TCO薄膜鍍膜工藝，其制備

的TCO薄膜結構更加致密、結晶度更高、導電性和透光性更好。但目前住友公司對RPD核心設備具有壟斷優(yōu)勢，能帶來0.5%左右的效率提升，但其成本相對較高。絲網(wǎng)印刷：低溫固化時間長。由于HJT電池的工藝溫度限制在200攝氏度以內的低

溫環(huán)境中，所以傳統(tǒng)的高溫燒結生產(chǎn)工藝并不適用于HJT電池的生產(chǎn)。目前主要的手段

包括以下兩個，一個是絲網(wǎng)印刷，這是太陽能電池金屬化的主要手段，是目前常用的

工藝，成熟度較高，與常規(guī)P型電池差別不大，主要區(qū)別在于印刷后的固化階段。HJT所用銀柵線是靠漿料中的有機高分子成分在固化爐中將柵線粘附在電池表面和TCO形

成良好接觸，所以只能在200攝氏度以內完成，持續(xù)時間較長需要幾十分鐘。而常規(guī)P型電池只需要在800℃高溫燒結幾秒即可。另一個是電鍍法，這是用光刻的方式得到良

好的柵線圖案，主要材料為銅，成本較低，柵線結構可控性高，電池的串聯(lián)電阻小，

但電鍍銅工藝流程長，技術復雜，對污水處理要求較高。因此目前行業(yè)主流采用的仍

為絲網(wǎng)印刷。（三）比較優(yōu)勢明顯，發(fā)展?jié)摿薮驢JT電池工藝流程簡潔。目前市場上主流的電池技術PERC需要8-10道工序，而HJT技術只有四道工序，大大減化了制備流程，未來更容易實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化和流程化。薄膜沉積工藝帶來巨大的發(fā)展?jié)摿?。由于HJT電池采用的是薄膜沉積工藝，這就使

得其可以和IBC或者鈣鈦礦電池結合，技術的相融性決定了其具有很大的發(fā)展?jié)摿?。IBC和HJT的結合結構是采用非晶硅鈍化層結構或隧穿鈍化層來形成HBC結構，HBC電池同

時具備了IBC電池的高短路電流以及HJT電池的高開壓，實驗室轉換效率高達26.63%，

其發(fā)展?jié)摿σ训米C明。鈣鈦礦和HJT的結合能夠更加高效地利用太陽光中高能的藍光部

分，理論轉換率的極限為43%。截至2021年2月，牛津光伏公司在其實驗室的鈣鈦礦硅

異質結串聯(lián)結構電池的效率再創(chuàng)新高，達到29.52%。在量產(chǎn)方面，截至2021年2月，國

家電投中央研究院所屬新能源科技有限公司研發(fā)的、具有完全自主知識產(chǎn)權的“高效晶

體硅銅柵線異質結光伏電池（C-HJT）”最高量產(chǎn)效率已達24.53%。高開路電壓帶來強大的效率優(yōu)勢。效率是光伏電池的核心競爭力，從技術原理來看，電池轉換效率的決定因素由開路電壓、短路電流和填充因子構成，HJT電池的核

心優(yōu)勢在于良好的鈍化帶來的開路電壓高，從而帶來效率的優(yōu)勢。開路電壓是決定電

池的效率重要因素之一。獲得更高開路電壓的兩個途徑為：更低的載流子復合速率即

避免少數(shù)載流子與多數(shù)載流子發(fā)生復合、更低的接觸阻抗即促進多數(shù)載流子有效運輸。

目前主流的PERC電池技術與傳統(tǒng)BSF技術相比增加了氧化鋁背鈍化和激光開槽兩道工

藝，即利用場鈍化削弱了BSF背面直接與Si接觸帶來的載流子復合嚴重的問題，開路電

壓的極限從685mV提升到690mV，而HJT技術則使用非晶硅薄膜作為鈍化材料。避免最

外層TCO薄膜中的載流子復合速率高和非硅晶薄膜接觸電阻率高這些缺點。從而結合

了TCO薄膜接觸電阻率低和非硅晶薄膜載流子復合速率低的優(yōu)點，實現(xiàn)載流子的一維

運輸?shù)耐瑫r減少了向金屬接觸區(qū)域遷移導致的損失，開路電壓可提升到740-750mV。無光衰問題使HJT具有長期發(fā)電增益。在實際使用過程中，光衰問題是電池的重

大問題。電池的效率會受光衰的影響，不會一直保持最佳狀態(tài)，從而導致每年發(fā)電量

的遞減。PERC電池采用P型硅片，傳統(tǒng)工藝為摻硼形成，新工藝為摻鎵形成。摻硼的

工藝會導致形成硼氧復合體

BO-LID進而引起光衰現(xiàn)象，甚至PERC單晶電池的首年衰

減比光電轉化效率相對較低的多晶電池還高出0.5%。而由于N型硅片摻磷，不存在硼氧

復合體，由此導致的光衰幾乎可以忽略。組件的預期壽命長達25年，因此光衰參數(shù)的

差異在長期中將會放大，對光伏電站的收益將產(chǎn)生影響。根據(jù)實測數(shù)據(jù)，在使用同是

22%效率的PERC電池組件和異質結電池組件，異質結雙面組件發(fā)電量比高效單晶PERC單面組件發(fā)電量高20%-30%左右，比高效單晶PERC雙面組件發(fā)電量高10%。當考慮到

光伏組件全生命周期時，發(fā)電增益的優(yōu)勢更為明顯。HJT電池溫度系數(shù)更低，效率更高。通常情況下，電池片溫度每升高1攝氏度，常

規(guī)單晶電池的溫度系數(shù)為-0.42%，PERC電池-0.37%，PERC有所改善但幅度并不大。異

質結電池的溫度系數(shù)僅為-0.25%。而HJT電池本身的效率就更高，功率更高，因而高溫

的功率損失更低，比較優(yōu)勢更為突出。（四）產(chǎn)能規(guī)劃近百

GW，規(guī)?；慨a(chǎn)在即截至目前，包括愛康科技、東方日升、中利集團、天合光能、比太科技、鈞石能

源、山煤國際、通威股份等在內的多家光伏電池片知名企業(yè)均已宣布投資新建GW級的

HJT相關項目。經(jīng)檢索公開渠道信息，下表列式2020年以來部分下游電池片廠商HJT電

池片產(chǎn)能規(guī)劃情況，據(jù)公開資料顯示，目前市場上規(guī)劃HJT電池片技術的產(chǎn)能有近

100GW。截至到2021年一季度末，各大公司的已經(jīng)開始采購設備進行中試線建設或者實現(xiàn)

小規(guī)模量產(chǎn)的產(chǎn)能及所用設備廠商如下，可以看出目前國有的設備廠商開始嶄露頭角，

未來將替代進口設備成為主角。同時，這些近3GW的產(chǎn)能有望在2021年釋放。三、HJT為什么可以引領未來和目前主流的PERC技術相比，HJT技術的高效率和發(fā)電量的長期增益是其天然的

優(yōu)勢，目前最大的問題是成本，所以產(chǎn)業(yè)在持續(xù)努力不斷提升HJT轉換效率的同時，降

低其制造成本，提升性價比。為什么說HJT可以引領未來的電池技術，這是因為目前其

降本的路徑非常明晰，在可預見的3年內，HJT的性價比可以高于PERC技術，實現(xiàn)大規(guī)

模的量產(chǎn)。（一）國產(chǎn)設備性價比高，替代進口大勢所趨現(xiàn)有HJT產(chǎn)線的設備中，絲網(wǎng)印刷的國產(chǎn)化程度比較高，其余三個環(huán)節(jié)進口設備占

主導。因此在國產(chǎn)化順利的情況下，PECVD和PVD兩個環(huán)節(jié)的設備投資有望由國產(chǎn)設

備替代，降低成本。

PECVD設備涉及到真空、發(fā)射和沉積系統(tǒng)、氣體監(jiān)控和控制系統(tǒng)、電氣系統(tǒng)以及

外腔系統(tǒng)，制造工藝復雜，過去一直被海外企業(yè)壟斷。國內企業(yè)近年來積極投入研發(fā)，

雖然目前主要還處于機械加工、集成層面，真空棒、高壓管以及氣體分析儀等關鍵核

心部件還需進口，但國產(chǎn)化的嘗試和進展已經(jīng)帶來了較大成本降低。目前國際上能提

供適合異質結制造低溫工藝的PECVD設備供應商有美國的應用材料、韓國的Jusung、

瑞士的梅耶博格、瑞士的INDEOtec。中國企業(yè)能提供異質結

PECVD設備的有中國大

陸的鈞石能源、中國大陸的理想能源、中國大陸的捷造光電、中國臺灣的精耀科技等

企業(yè)。國內理想萬里暉在2018年首批量產(chǎn)PECVD設備下線，價格比國外進口低30%以

上，產(chǎn)品性能也不輸國際一流設備。捷佳偉創(chuàng)也同愛康科技等電池廠商共同研發(fā)PECVD設備。邁為股份則為通威提供了相關設備，正處于驗證階段。進口的梅耶博格PECVD設備效率為2400片每小時，1GW的PECVD進口設備價格在5億元左右。從國內企業(yè)研

發(fā)情況來看，國內企業(yè)PECVD的通量有望達到5500-6000片小時，每GW所需要的設備

臺數(shù)從10臺縮減至4-5臺，PECVD環(huán)節(jié)設備投資成本有望降低一半左右。

TCO鍍膜技術有PVD和RPD兩種技術路線并行，PVD設備供應商有德國的馮阿登

納，瑞士的梅耶博格，德國的新格拉斯和中國的鈞石能源、捷造光電、湖南紅太陽等，

PVD設備主要由真空形成系統(tǒng)、發(fā)射源和沉積系統(tǒng)、沉積環(huán)境控制系統(tǒng)、監(jiān)控系統(tǒng)以

及傳統(tǒng)系統(tǒng)，目前國內企業(yè)在發(fā)射沉積以及傳動系統(tǒng)已經(jīng)取得一定突破，而控制和監(jiān)

控系統(tǒng)則受限于氣體分析儀和光功率計等設備的國產(chǎn)能力不足。RPD方面，國內捷佳偉創(chuàng)已獲得住友公司

RPD授權，正積極研發(fā)RPD相關設備。目前HJT量產(chǎn)效率的分水

嶺是24.5%，要實現(xiàn)25%的量產(chǎn)效率，RPD扮演著非常關鍵的角色。1GW美耶博格的PVD環(huán)節(jié)的投資在1.5億元左右，捷佳偉創(chuàng)的RPD設備已經(jīng)在國內產(chǎn)線上驗證，通量也由梅

耶博格的每小時3000片提升到每小時5500片，同時通過新托盤設計和新增的工藝腔加

熱系統(tǒng)，可以做到0.6%以上的效率提升。（二）多主柵技術助力輔材降本在HJT制造的清洗環(huán)節(jié)，臭氧+雙氧水工藝在大批量生產(chǎn)驗證后清洗效果較為穩(wěn)定，

并且在去除氨氮工藝后污水處理與化學品成本大大降低，是現(xiàn)在最佳的清洗工藝。目

前來說，用雙氧水+氨、氮添加的制絨添加劑主要都以進口為主，單片成本在0.4-0.6元，

用臭氧+雙氧水添加的制絨添加劑成本在單片0.22-0.3元。目前HJT電池制絨添加劑成本

還是較高，原因在于主要還是靠進口添加劑。但添加劑本身的成本非常低，目前國內

相關廠家也在研究制絨添加劑并已有所突破，預計清洗制絨環(huán)節(jié)成本降幅可達

80%以

上。

此外，低溫銀漿的減量工藝和國產(chǎn)化趨勢是提升絲網(wǎng)印刷經(jīng)濟性的有效途徑。低

溫銀漿是異質結電池非硅成本中最重要的部分，占HJT電池總成本的24%左右，占非硅

成本的46%左右。銀漿成本占比高的原因是低溫銀漿的價格高且用量大。在銀漿用量方

面，P型電池銀漿使用量約為114.7mg/片，而HJT電池的銀漿使用量目前高達200mg/片，

消耗量是P型電池的近2倍。對于銀漿消耗量大的HJT電池而言，多主柵技術具有更好的

降本效果。此外，新的柵線設計方案對于降低銀漿消耗和銀替代也具有重要意義，梅

耶博格研發(fā)的SWCT技術即可將單片銀漿消耗降低到100mg/片。國內企業(yè)近年來積極研

發(fā)低溫銀漿。目前異質結電池制造企業(yè)使用的銀漿主要是國外進口，價格在6000-8000

元/kg。目前國內銀粉質量還有待提高，一些國內企業(yè)看重HJT電池潛力，近年來正在

積極研發(fā)低溫銀漿且取得了一定的進展，國內企業(yè)研發(fā)較為順利的包括常州聚合、帝

科股份、蘇州晶銀等。隨著國產(chǎn)化的推進，下游需求的放量、技術上銀粉含量由90%

逐漸下降至80%，低溫銀漿價格有望降低至5000元/千克以內，跟常規(guī)電池所用的高溫

銀漿價格差距縮小至1000元千克以內。銀漿另一個降本路徑為銀包銅漿料，低溫加工

工藝使得銅作為導電材料成為可能，采用銀包銅漿