中微公司專題研究：刻蝕+MOCVD龍頭內(nèi)生外延協(xié)同打造設(shè)備平臺

中微公司專題研究：刻蝕+MOCVD龍頭，內(nèi)生外延協(xié)同打造設(shè)備平臺一、刻蝕+MOCVD龍頭，技術(shù)驅(qū)動對標(biāo)前沿科技1.1

專注高端半導(dǎo)體設(shè)備國內(nèi)領(lǐng)先、世界排名前列的半導(dǎo)體高端設(shè)備制造商。公司自成立以來主要從事半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司以中國為基地，為全世界提供高端半導(dǎo)體微觀加工設(shè)備。

主營業(yè)務(wù)為開發(fā)大型真空微觀器件工藝設(shè)備，主要產(chǎn)品是刻蝕設(shè)備和

MOCVD?？涛g機(jī)用于半導(dǎo)體制程，客戶涵蓋臺積電、中芯國際、海力士、華力微、聯(lián)華電子、長江存儲等；

MOCVD用于

LED外延片制程，客戶涵蓋三安光電、華燦光電、乾照光電等。技術(shù)更新迭代貫穿公司發(fā)展的各個階段。公司

2004

年在張江高科科技園區(qū)啟動運(yùn)營，

以瞄準(zhǔn)世界科技前沿，堅持自主創(chuàng)新為理念，不斷推出先進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品。2007

年，

公司推出首臺

CCP刻蝕設(shè)備，2012

年，首臺

MOCVD設(shè)備產(chǎn)品

PrismoD-Blue研制成功，2018

年開始改進(jìn)

PrimoAD-RIE并進(jìn)入

5nm生產(chǎn)線。公司產(chǎn)品在國際具有較高認(rèn)可度，2019

年

5

月，中微公司在全球晶圓制造設(shè)備供應(yīng)商中排名第三，在十大芯片制造

設(shè)備專業(yè)型供應(yīng)商和專用芯片制造設(shè)備供應(yīng)商中均位列第二。中微公司已經(jīng)連續(xù)兩年成為其中唯一一家中國本土的半導(dǎo)體設(shè)備公司。內(nèi)生外延，高端半導(dǎo)體制程新版圖未來可期。目前，公司從三個維度對業(yè)務(wù)進(jìn)行拓展布局規(guī)劃：1）刻蝕設(shè)備領(lǐng)域作為核心競爭力，向薄膜、檢測等關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域擴(kuò)展；2）擴(kuò)展在泛半導(dǎo)體領(lǐng)域設(shè)備的應(yīng)用；

3）持續(xù)關(guān)注其他新興領(lǐng)域，考慮從設(shè)備制造向器件大規(guī)模生產(chǎn)，探索如環(huán)保設(shè)備及工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備等領(lǐng)域的市場機(jī)會。技術(shù)驅(qū)動，專業(yè)認(rèn)可度業(yè)內(nèi)領(lǐng)先。公司兩大主營業(yè)務(wù)刻蝕設(shè)備和

MOCVD設(shè)備是半導(dǎo)體制造的核心工藝。薄膜沉積工藝是在晶圓上沉積一層待處理的薄膜，通過勻膠工藝把光刻膠涂抹在薄膜上，光刻和顯影工藝隨后把光罩上的圖形轉(zhuǎn)移到光刻膠，刻蝕工藝將光刻膠上圖形轉(zhuǎn)移到薄膜，去除光刻膠后，即完成圖形從光罩到晶圓的轉(zhuǎn)移。整個芯片制造流程需要數(shù)十次光罩，循環(huán)使用薄膜沉積、光刻和刻蝕三大工藝來將所有光罩的圖形

逐層轉(zhuǎn)移到晶圓上。等離子體刻蝕設(shè)備分為電容性等離子體刻蝕設(shè)備和電感性等離體刻蝕設(shè)備。電容性等離子體刻蝕設(shè)備主要用于刻蝕氧化物、氮化物等硬度高、需要高能量離子反應(yīng)刻蝕的介質(zhì)材料。電感性等離子體刻蝕設(shè)備主要用于刻蝕單晶硅、多晶硅等材料。中微刻蝕產(chǎn)品線逐步成熟，從

CCP向

ICP快速開拓。（1）

CCP刻蝕設(shè)備：公司

CCP刻蝕設(shè)備批量應(yīng)用于國內(nèi)外一線客戶從

65nm到

5nm集成電路制造產(chǎn)線，其中在先進(jìn)邏輯電路方面，公司已取得

5nm及以下邏輯電路產(chǎn)線的重復(fù)訂單；在存儲領(lǐng)域，公司蝕刻設(shè)備已廣泛用于

64

層及

128

層

3DNAND產(chǎn)線，

并正在積極布局

DRAM應(yīng)用的工藝開發(fā)及驗證。（2）ICP刻蝕設(shè)備ICP刻蝕設(shè)備

Primonanova?是中微公司

2018

年正式發(fā)布的第一代電感耦合等離子體刻蝕設(shè)備。目前，中微公司

Primonanova?產(chǎn)品已成功進(jìn)入海內(nèi)外十余家客戶的晶圓產(chǎn)線，在領(lǐng)先的邏輯芯片、DRAM和

3DNAND廠商的生產(chǎn)線上實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)，2021

年

6

月

10

日公司第

100

臺反應(yīng)腔順利交付。目前，公司研發(fā)的具有高輸出率特點的雙反應(yīng)臺

ICP刻蝕設(shè)備

PrimoTwin-Star?也已經(jīng)在客戶端完成認(rèn)證，公司刻蝕設(shè)備產(chǎn)品種類不斷完善，競爭力持續(xù)提升。公司的刻蝕設(shè)備產(chǎn)品具有行業(yè)競爭優(yōu)勢，正逐步打破國際壟斷。公司開發(fā)的

12

英寸高端刻蝕設(shè)備已運(yùn)用在國際知名客戶

65

nm到

5

nm等先進(jìn)的芯片產(chǎn)線上；公司已開發(fā)出小于

5

nm刻蝕設(shè)備用于若干關(guān)鍵步驟的加工，并已獲得行業(yè)領(lǐng)先客戶的批量訂單。

公司正開發(fā)新一代刻蝕設(shè)備和包括更先進(jìn)大馬士革在內(nèi)的刻蝕工藝，能夠涵蓋

5

nm以下更多刻蝕需求和更多不同關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)備。在

ICP方面，公司正在進(jìn)行下一代產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)，滿足

5nm以下邏輯芯片、1X納米的

DRAM芯片和

128

層以上

3DNAND芯片的

ICP刻蝕需求。MOCVD設(shè)備將超純氣體注入反應(yīng)器中并精細(xì)計量以將非常薄的原子層沉積到半導(dǎo)體晶片上。含有所需化學(xué)元素的有機(jī)化合物或金屬有機(jī)物和氫化物的表面反應(yīng)為晶體生長創(chuàng)造條件，形成材料和化合物半導(dǎo)體的外延。PrismoA7：公司的

MOCVD設(shè)備

PrismoA7

設(shè)備已在全球氮化鎵基

LEDMOCVD市

場中占據(jù)領(lǐng)先地位；PrismoHiT3：2020

年，公司推出了用于制造深紫外光

LED的高溫

MOCVD設(shè)備

PrismoHiT3，已在行業(yè)領(lǐng)先客戶端用于深紫外

LED的生產(chǎn)驗證并獲得重復(fù)訂單；制造功率器件用

MOCVD已在客戶芯片生產(chǎn)線上投入試用；PrismoUniMax：2021

年

6

月，公司推出用于

MiniLED生產(chǎn)的

MOCVD設(shè)備

PrismoUniMax，并已收到來自國內(nèi)領(lǐng)先客戶的訂單。目前，制造

MicroLED等應(yīng)用的新型

MOCVD設(shè)備正在開發(fā)中。公司自主研發(fā)的

MOCVD設(shè)備已被三安光電、華燦光電、乾照光電、璨揚(yáng)光電等多家與

公司緊密合作的一流

LED外延片及芯片制造廠商大批量采購。研發(fā)力度行業(yè)領(lǐng)先，專利收獲頗豐。2020

年，公司研發(fā)投入為

6.4

億，同比上漲

50.69%，

主要用于研究開發(fā)新的工藝，包括存儲器刻蝕的

CCP和

ICP刻蝕設(shè)備、Mini-LED大規(guī)模生產(chǎn)的高輸出量

MOCVD設(shè)備、Micro-LED應(yīng)用的新型

MOCVD設(shè)備等。研發(fā)投入占

營業(yè)收入比例為

28.14%，高于行業(yè)水平。從研發(fā)成果來看，公司具有深厚的技術(shù)研發(fā)基礎(chǔ)，擁有多項自主知識產(chǎn)權(quán)和核心技術(shù)，到

2020

年底，公司新增專利

80

個，累積

1096

個。截至

2021

年

4

月，公司研發(fā)人員數(shù)量達(dá)到

345

人，占員工總數(shù)的

38.55%。公司及子公司已申請

1,814

項專利，已獲授權(quán)且在保護(hù)期內(nèi)的專利共

1,070

項并且絕大多數(shù)專利在產(chǎn)品上得到應(yīng)用。品牌認(rèn)可度高，榮獲多項獎項。多年深耕刻蝕設(shè)備及

MOCVD設(shè)備領(lǐng)域，產(chǎn)品已成功進(jìn)

入了海內(nèi)外半導(dǎo)體制造企業(yè)，塑造了技術(shù)領(lǐng)先、質(zhì)量可靠的品牌形象。公司經(jīng)過持續(xù)優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品交付、技術(shù)更新以及客戶服務(wù)，在行業(yè)內(nèi)獲得了較高的認(rèn)可度。2020

年，公司

獲得

8

項主要獎項，其中包括“上海貿(mào)易自主品牌示范企業(yè)”、“2020

福布斯中國最具創(chuàng)新力企業(yè)

50

強(qiáng)”、“國家企業(yè)技術(shù)中心”稱號等。公司以積極參與有影響力的市場活動的方式，持續(xù)打造領(lǐng)先設(shè)備公司市場形象，不斷強(qiáng)化公司技術(shù)和品牌優(yōu)勢。產(chǎn)業(yè)積累深厚，客戶覆蓋國內(nèi)外一線企業(yè)。公司的高端半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)水平處于世界前列，客戶已經(jīng)延伸至世界范圍，

在公司的前五大客戶中覆蓋了國內(nèi)外一線企業(yè)。并且隨著公司收入規(guī)模增大，主要客戶集中度逐年降低。多年來，公司產(chǎn)品技術(shù)及銷售服務(wù)競爭優(yōu)勢不斷累積，同海內(nèi)外客戶的業(yè)務(wù)合作關(guān)系不斷深化，客戶服務(wù)和產(chǎn)品解決方案專業(yè)化不斷提升。1.2

戰(zhàn)略控股推動業(yè)務(wù)外延，管理層技術(shù)經(jīng)驗豐富目前公司無控股股東，第一大股東上海創(chuàng)投的持股比例為

18.02%，第二大股東巽鑫投

資的持股比例為

17.45%，兩者持股比例接近。根據(jù)公司目前的實際經(jīng)營管理情況，公

司重要決策均屬于各方共同參與決策，公司無實際控制人。公司以子公司控股方式推動業(yè)務(wù)外延性發(fā)展。公司擁有

5

家下屬子公司，包括中微國際、

中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司、中微惠創(chuàng)科技有限公司、中微匯鏈科技有限公司、南昌中微半導(dǎo)體設(shè)備有限公司。公司在聚焦公司核心業(yè)務(wù)集成電路設(shè)備的同時積極探索布局包括健康領(lǐng)域在內(nèi)的新業(yè)績增長點，子公司中微惠創(chuàng)、中微匯鏈及公司參與投資標(biāo)的公司在各自細(xì)分領(lǐng)域取得了卓有成效的進(jìn)展，公司和國內(nèi)外先進(jìn)設(shè)備公司的合作也取得了突破進(jìn)展。公司同時積極探索在相關(guān)領(lǐng)域的投資機(jī)會，完成投資，內(nèi)生外延逐步實現(xiàn)協(xié)同效應(yīng)。管理層深耕行業(yè)，管理及技術(shù)經(jīng)驗豐富。尹志堯博士自

2004

年中微公司成立以來，一

直擔(dān)任中微董事長兼

CEO，在半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)具有超過

30

年的產(chǎn)品開發(fā)和行政管理經(jīng)驗，是

98

項美國專利和

420

多項其他海內(nèi)外專利的主要發(fā)明人。尹志堯博士于中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲得物理化學(xué)學(xué)士學(xué)位、北京大學(xué)化學(xué)學(xué)院完成碩士學(xué)習(xí)，并于加州大學(xué)洛杉磯分校獲得物理化學(xué)博士學(xué)位，曾在應(yīng)用材料公司任職

13

年，曾擔(dān)任公司副總裁、等離子體刻蝕設(shè)備產(chǎn)品事業(yè)群總經(jīng)理、亞洲區(qū)采購副總裁、應(yīng)用材料亞洲首席技術(shù)官等。1.3

2021Q1

業(yè)績猛增，盈利水平保持高位深耕集成電路關(guān)鍵設(shè)備，21Q1

業(yè)績爆發(fā)式增長。2020

年公司實現(xiàn)營收

22.73

億元，同

比增長

16.76%，2021Q1

實現(xiàn)營收

6.03

億元，同比增長

46.23%。依靠公司強(qiáng)大的研發(fā)

實力，技術(shù)先進(jìn)的產(chǎn)品力以及專業(yè)的配套服務(wù)，公司與國內(nèi)外一流客戶緊密合作，不斷

導(dǎo)入新客戶新產(chǎn)品，提升市占率，營收穩(wěn)步增長。公司

2020

年實現(xiàn)歸母凈利潤

4.92

億元，同比大幅增長

161.02%。2021Q1

歸母凈利潤達(dá)到

1.38

億元，同比暴增

425.36%。21Q1

公司政府補(bǔ)助轉(zhuǎn)結(jié)進(jìn)利潤表帶來其他收益大

幅增長，2020Q1

其他收益為

0.05

億元，2021Q1

為

1.38

億元。業(yè)績持續(xù)高增得益于營收的快速增長，不斷推出新產(chǎn)品，升級更高端產(chǎn)品，完善產(chǎn)品線，進(jìn)一步帶來毛利水平的提升，2020

年公司綜合毛利率達(dá)到

37.7%，同比提升

2.7

個百分點。2021Q1

公司毛利率進(jìn)一步提升至

40.9%。同時公司精益管理，除研發(fā)費(fèi)用外的其他費(fèi)用水平穩(wěn)中有降，多重因素合力推動公司業(yè)績快速提升。在國家產(chǎn)業(yè)政策支持背景下，公司繼續(xù)瞄準(zhǔn)世界科技前沿，重點開發(fā)集成電路關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域、拓寬泛半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域應(yīng)用并持續(xù)探索其他新興領(lǐng)域機(jī)會。公司以研發(fā)創(chuàng)新為驅(qū)動的高質(zhì)量增長策略進(jìn)一步推動業(yè)務(wù)專業(yè)化提升，市場競爭力逐漸顯現(xiàn)。2021Q1，

公司營業(yè)收入達(dá)

6,03

億元，同比增長

46%。2020

年，公司實現(xiàn)營業(yè)總收入

22.73

億

元，比上年增長

16.76%。受益于半導(dǎo)體設(shè)備市場發(fā)展及公司產(chǎn)品競爭優(yōu)勢，公司

2020

年刻蝕設(shè)備收入為

12.89

億元，同比增長約

58.49%；公司

2020

年

MOCVD設(shè)備收入

為

4.96

億元，同比下降約

34.47%。持續(xù)豐富產(chǎn)品線，非中國大陸地區(qū)營收占比提升。分產(chǎn)品看，2020

年刻蝕設(shè)備實現(xiàn)營收

12.89

億元，同比增長

58.5%，刻蝕營收占比再次超過

50%達(dá)到

57%。MOCVD設(shè)備

2016-2018

年起量較快，整體專用設(shè)備營收從

2016

年的

4.9

億提升到

2020

年的

18.0

億元。但專用設(shè)備占總營收比重從

2017-2018

年的約

85%下

降至近兩年

80%左右，備品備件、設(shè)備維護(hù)營收增長同樣迅速。從營收地域看，中國大陸營收占比自

2018

年以來略有下降，2020

年為

79.1%。中微產(chǎn)品不斷獲得全球客戶認(rèn)

可，打造國際化的品牌形象，未來將繼續(xù)國內(nèi)外雙輪發(fā)展。高研發(fā)投入領(lǐng)跑技術(shù)前沿。公司自成立以來堅持自主創(chuàng)新，產(chǎn)品布局及技術(shù)研發(fā)對標(biāo)世界科技前沿。中微始終非常重視研發(fā)，2017-2020

年

4

年研發(fā)總投入達(dá)到

18

億元，2020

年公司研發(fā)投入

6.4

億元，研發(fā)投入占營收比重高達(dá)

28.1%。公司研發(fā)人員比重不斷提升，至

2020

年公司

346

名研發(fā)人員，占公司總?cè)藬?shù)

38.7%。2020

年全公司人均創(chuàng)利達(dá)到

55

萬元，同比提升

111%。在新設(shè)備技術(shù)研發(fā)方面，公司持續(xù)改善現(xiàn)有設(shè)備性能，并針對不同應(yīng)用設(shè)計產(chǎn)品的功能以滿足客戶的差異化需求。另外，公司還根據(jù)客戶的研發(fā)需求，定義下一大產(chǎn)品的技術(shù)指標(biāo)和技術(shù)路線，持續(xù)開發(fā)滿足客戶需求的新產(chǎn)品。二、刻蝕設(shè)備需求不斷提升，國產(chǎn)替代進(jìn)程加速2.1

全球晶圓廠資本開支提升，設(shè)備需求快速放量大陸

12

寸晶圓廠建廠潮帶動設(shè)備需求持續(xù)增長。生產(chǎn)效率及降低成本因素推動下，全球

8

寸擴(kuò)產(chǎn)放緩，12

寸晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)如火如荼。2020

年以來，國內(nèi)

12

寸晶圓廠遍地開花，除中芯國際外，12

英寸生產(chǎn)線陸續(xù)建成投產(chǎn)。根據(jù)

SEMI，到

2024

年，中國

12

寸晶圓產(chǎn)能將占

全球約

20%。大量晶圓廠的擴(kuò)建、投產(chǎn)，將帶動對上游半導(dǎo)體設(shè)備的需求提升，更有望

為國產(chǎn)化設(shè)備打開發(fā)展空間。未來兩年全球晶圓廠設(shè)備開支持續(xù)增長。疫情對全球半導(dǎo)體行業(yè)帶來深遠(yuǎn)影響。需求端，

居家及遠(yuǎn)程辦公帶來筆電等消費(fèi)電子需求激增，此外全球正步入第四輪硅含量提升周期，

服務(wù)器、汽車、工業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)等需求大規(guī)模提升。供給端，全球晶圓廠

2015-2019

年產(chǎn)能投資尤其是成熟制程擴(kuò)產(chǎn)不足，疫情短期導(dǎo)致供應(yīng)鏈中斷，及地緣政治不確定性加劇供需失衡。2020

年開始，全球領(lǐng)先的晶圓廠紛紛加速擴(kuò)產(chǎn)提升資本開支，

預(yù)計未來兩年將進(jìn)行大規(guī)模的半導(dǎo)體設(shè)備投資，2021、2022

年晶圓廠前道設(shè)備支出將保持16%、12%的同比增速。設(shè)備國產(chǎn)化率較低，海外龍頭壟斷性較高。我國半導(dǎo)體設(shè)備市場仍非常依賴進(jìn)口，從市場格局來看，細(xì)分市場均有較高集中度，部分設(shè)備甚至出現(xiàn)一家獨(dú)大的情況，目前國內(nèi)廠商目標(biāo)市場主要是國內(nèi)晶圓廠需求，尤其是內(nèi)資投建的需求。國內(nèi)國產(chǎn)化逐漸起航，從

0

到

1

的過程基本完成。國內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備替代潛在空間巨大。制程越高，設(shè)備投資額占比越高。

光刻、刻蝕、沉積、過程控制、熱處理等均是重要投資環(huán)節(jié)。目前國內(nèi)廠商目標(biāo)市場主

要是國內(nèi)晶圓廠需求，尤其是內(nèi)資投建的需求，潛在收入目標(biāo)空間較大。2.2

海外龍頭壟斷刻蝕設(shè)備市場2020

年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場規(guī)模創(chuàng)

700

億美元新高，大陸首次占比全球第一。2017

年，存儲廠商的大幅資本開支推動半導(dǎo)體設(shè)備迎來巨大需求，且這一勢頭一直延續(xù)到

2018

年上半年。但隨后，產(chǎn)能過剩致使存儲市場走低，疊加上半年整體半導(dǎo)體行業(yè)景氣度不佳，雖然下半年隨著行業(yè)景氣度恢復(fù)，以臺積電為代表的晶圓廠陸續(xù)調(diào)高資本開支大幅擴(kuò)產(chǎn)，2019

年全年半導(dǎo)體設(shè)備需求同比仍回落

7.6%。2020

年伊始，中國和其他各地先后受疫情影響，但存儲行業(yè)資本支出修復(fù)、先進(jìn)技術(shù)投資疊加

5G帶來的下游各領(lǐng)域強(qiáng)勁需求，SEMI統(tǒng)計

2020

年全年設(shè)備市場同比增長

19%至

712

億美元，大超協(xié)會此前指引，并創(chuàng)歷史新高，中國大陸地區(qū)憑借

187.2

億美元（+39%）成為了半導(dǎo)體制造設(shè)備的最大市場。半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)產(chǎn)值具有高增長、高波動性。半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)呈現(xiàn)明顯周期性，受下游廠商資本開支節(jié)奏變化較為明顯。從長周期而言半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)合增速

約

10%，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)復(fù)合增速約

13%，半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)增長彈性高于半導(dǎo)體行業(yè)。刻蝕設(shè)備市場超過

130

億美元，是晶圓設(shè)備占比最高的市場?？涛g設(shè)備市場基本是干法刻蝕設(shè)備，2020

年全球干法刻蝕

設(shè)備市場約

137

億美元，其中介質(zhì)刻蝕60

億美元，導(dǎo)體刻蝕76

億美元?？涛g由海外龍頭主導(dǎo)，國內(nèi)公司保持快速增長。全球刻蝕企業(yè)前三大分別是

LamResearch、TEL、AMAT，全球市占率合計

91%。國內(nèi)刻蝕業(yè)務(wù)前三大企業(yè)分別為中微公司、北方華創(chuàng)、屹唐半導(dǎo)體。2020

年國內(nèi)的刻蝕龍頭企業(yè)中微公司、北

方華創(chuàng)的刻蝕業(yè)務(wù)都取得較高收入增長，并在規(guī)模體量逐步接近全球前五大廠商。從導(dǎo)體刻蝕市場結(jié)構(gòu)看，Lam一家獨(dú)大，長期全球市占率超過

50%；其次

AMAT占據(jù)約

30%市場份額。剩下的廠商如日立高新、TEL、KLA、北方華創(chuàng)、SEMES、中微公司等公

司合計，在導(dǎo)體刻蝕合計市占率不超過

20%。近兩年，國內(nèi)設(shè)備龍頭廠商北方華創(chuàng)、中

微公司該產(chǎn)品線放量加速，逐步提高半導(dǎo)體設(shè)備刻蝕供應(yīng)鏈份額。從介質(zhì)刻蝕市場結(jié)構(gòu)看，TEL一家獨(dú)大，長期全球市占率超過

50%；其次

Lam占據(jù)接近

40%的市場份額，兩家廠商主導(dǎo)整個市場，寡占程度較強(qiáng)。全球介質(zhì)刻蝕設(shè)備供應(yīng)商還

有

SEMES、中微公司、AMAT、Ulvac、屹唐半導(dǎo)體等。中微公司開發(fā)了系列介質(zhì)刻蝕裝

備，并承擔(dān)多項重大科研項目，是國內(nèi)領(lǐng)先的介質(zhì)刻蝕設(shè)備廠商。三、受益

LED新應(yīng)用，MOCVD需求回暖3.1

MiniLED開啟光電產(chǎn)業(yè)新紀(jì)元MiniLED等新應(yīng)用市場爆發(fā)，MOCVD需求回暖。2020

年受終端芯片價格下降及產(chǎn)能

釋放等影響，2020

年

LED設(shè)備市場呈下滑趨勢。當(dāng)前以

MiniLED背光及直顯、消毒及

植物照明為代表的

LED新興市場需求放量背景下，MOCVD設(shè)備需求有望回暖。MiniLED背光市場正式起量，TV、IT商用有望加速滲透。2021-2024

全球

MiniLED市場規(guī)模有望從

1.5

億美元增至

23.2

億美元，其間每年同比增速皆高達(dá)

140%以上。這個數(shù)據(jù)顯著低估市場的增長彈性。隨著三星、

蘋果等主流品牌導(dǎo)入

MiniLED背光，引領(lǐng)終端市場創(chuàng)新熱潮。TV和平板是率先啟動商業(yè)化的終端；智能手機(jī)，汽車，VR等有望在

2022~2023

年開啟商業(yè)化元年。蘋果發(fā)布全球首款搭載

MiniLED背光的平板產(chǎn)品

iPadPro。蘋果首款

MiniLED背光落地，新款

12.9

寸

iPad8499

元起售，定價策略有望帶動較高銷量。蘋果引領(lǐng)新風(fēng)尚，加速

MiniLED在筆電平板終端導(dǎo)入。蘋果在終端產(chǎn)品中極大的影響力，有望發(fā)揮示范效應(yīng)，

加速筆電平板產(chǎn)品對

MiniLED的采用。同時，蘋果對供應(yīng)鏈要求嚴(yán)格，蘋果對

MiniLED技術(shù)的采用有望培育供應(yīng)鏈企業(yè)的嚴(yán)格技術(shù)要求，成熟工藝等，加速M(fèi)iniLED產(chǎn)業(yè)發(fā)展。三星

QLED技術(shù)推至全新境界，刷新電視體驗新高度。2021

年

1

月

CES上三星發(fā)布了

NeoQLED量子電視。該新品采用量子

MiniLED技術(shù)，摒棄透鏡散光與封裝形式，其大小僅傳統(tǒng)

LED1／40。同時，超薄微型涂層的采用，疊加三星自研

AI量子程式演算科技，可精細(xì)控制緊密排列的

LED晶粒，呈現(xiàn)精細(xì)影像，避免光暈產(chǎn)生。眾多知名品牌

2021

發(fā)布首款

MiniLED電視，龍頭示范效應(yīng)有望加速

MiniLED滲透。終端應(yīng)用推進(jìn)加速，在龍頭廠商示范效應(yīng)下，更多廠商有望推出

MiniLED背光產(chǎn)品。2021

年為

MiniLEDTV放量元年，出貨量有望突破

400

萬臺。2021

年

MiniLEDTV將成為各類新型顯示技術(shù)電視中出貨量突破最大的。預(yù)測

21

年

MiniLED背光電視將會達(dá)到

440

萬臺，占整體電視市場比重約

2%。預(yù)測

2025

年全球

MiniLED背光

TV產(chǎn)品銷量將增至

5280

萬臺，2019-2025

CAGR53.73%。3.2

中微推出高性能

MiniLED量產(chǎn)用

MOCVD2021

年

6

月，中微公司推出專為高性能

MiniLED量產(chǎn)設(shè)計的

PrismoUniMax?

MOCVD設(shè)備，助力

LED芯片制造商提高產(chǎn)能，降低生產(chǎn)成本。該設(shè)備在幫助

LED芯片制造商提

高產(chǎn)能的同時能夠有效地降低生產(chǎn)成本。PrismoUniMax?助力

MiniLED生產(chǎn)實現(xiàn)優(yōu)異波長均勻性及穩(wěn)定性。PrismoUniMax?

在同一系統(tǒng)中最多可配備

4

個反應(yīng)腔。PrismoUniMax?還配置了創(chuàng)新多區(qū)溫度補(bǔ)償加熱

系統(tǒng)，波長均勻性、重復(fù)性和穩(wěn)定性優(yōu)異。噴淋頭的優(yōu)化設(shè)計實現(xiàn)了更好的均勻性和產(chǎn)出穩(wěn)定性、超大直徑石墨托盤可大幅提升產(chǎn)能并降低成本。PrismoUniMax?

MOCVD設(shè)備加工容量業(yè)內(nèi)領(lǐng)先，通過最優(yōu)化石墨盤晶片排布，其加工容量可以延伸到生長

164片4

英寸或

72

片

6

英寸晶片。已收到國內(nèi)領(lǐng)先客戶訂單，MOCVD產(chǎn)品線進(jìn)一步完善。PrismoUniMax?

MOCVD設(shè)備

已收到來自國內(nèi)領(lǐng)先客戶的訂單，公司正在積極導(dǎo)入更多客戶。公司

Prismo系列

MOCVD設(shè)備已進(jìn)入全球大多數(shù)領(lǐng)先的氮化鎵基藍(lán)綠光

LED制造商，PrismoUniMax?

的推出，

進(jìn)一步完善了公司

MOCVD設(shè)備產(chǎn)品線，強(qiáng)化中微在

MOCVD領(lǐng)域核心競爭力。3.3

第三代化合物半導(dǎo)體揚(yáng)帆起航2025

年

SiC電力電子市場規(guī)模將超過

30

億美元。到

2020

年底，

全球碳化硅和氮化鎵功率半導(dǎo)體市場增長到

8.54

億美元，其中

SiC電力電子市場規(guī)模約

為

7.03

億美元，GaN電力電子市場規(guī)模約為

1.51

億美元。到

2025

年

SiC電力電子市場

規(guī)模將超過

30

億美元，GaN電力電子器件市場規(guī)模將超過

6.8

億美元。2020

年全球功率半導(dǎo)體器件市場規(guī)模約為

180~200

億美元，

SiC、GaN電力電子器件滲透率約為

4.2%~4.5%。SiC、GaN功率器件持續(xù)降價，驅(qū)動應(yīng)用需求快速增加。第三代半導(dǎo)體功率器件價格下降主要來源于四個方面原因，首先，上游襯底產(chǎn)能持續(xù)釋放，帶來材料端襯底價格下降，器件制造成本降低；第二，量產(chǎn)技術(shù)趨于穩(wěn)定，良率提升，產(chǎn)能持續(xù)擴(kuò)張，

拉動市場價格下降；第三，器件產(chǎn)線規(guī)格由

4

英寸過渡到

6

英寸，單晶圓產(chǎn)出芯片量大幅增加；第四，更多量產(chǎn)企業(yè)加入，競爭加劇。隨著

SiC、GaN器件價格下降，以及行業(yè)

產(chǎn)能積累，近年來下游電動汽車、光伏逆變、消費(fèi)類電子等細(xì)分市場滲透加速。2020

年我國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)電力電子和射頻電子總產(chǎn)值超過

100

億元，同比增長

69.5%。其中

SiC、GaN電力電子產(chǎn)值規(guī)模達(dá)

44.7

億元，同比增長

54%，相較前幾年，

中下游的增長速度加快。預(yù)計到

2023

年

SiC、GaN電力電子器件的市場規(guī)模將超過

150

億元。SiC和

GaN這兩種第三代半導(dǎo)體材料均可作為

MOSFET器件材料。

當(dāng)前已有較多的

GaNFET器件應(yīng)用在高端的

DC-DC轉(zhuǎn)化器中，SiCMOSFET的使用也會逐漸增多，但分別應(yīng)用在不同的場景和領(lǐng)域：SiCMOSFET主要應(yīng)用在高壓大電流的模

塊，GaNFET主要應(yīng)用在高頻的模塊。在高壓、超高壓器件，SiC的優(yōu)勢尤為明顯。目前

600V、1200V、1700VSiC器件已實

現(xiàn)商業(yè)化，預(yù)期未來

3300V和

6500V級、甚至萬伏級以上的

應(yīng)用需求將快速提升。SiC混合模塊的電流可以做到

1000A以上，與相同電流電壓等級

的

Si模塊比較，性能優(yōu)勢較為明顯，成本和可靠性方面相對于全

SiC模塊較易被用戶接受，因此，在要求有高電能轉(zhuǎn)換效率的領(lǐng)域具有較大的應(yīng)用市場。隨著

SiC產(chǎn)品向高壓大容量方向發(fā)展，SiC產(chǎn)品的應(yīng)用領(lǐng)域、應(yīng)用量都會越來越多。但在

600V及以下小容量換流器中，在面臨現(xiàn)有

SiMOSFET強(qiáng)有力競爭之外，還可能會受到

GaN器件的沖擊。汽車領(lǐng)域已經(jīng)較為廣泛搭載

SiCSBD和

SiCMOSFET。據(jù)

Yole統(tǒng)計，2018

年，國際上

有

20

多家汽車廠商已經(jīng)在車載充電機(jī)中使用

SiCSBD或

SiCMOSFET。目前針對車用

電機(jī)控制器的

SiC模塊主要包括：650V、900V和

1200V三個電壓等級，電流從幾十安

培到幾百安培不等。新能源汽車將是

SiC器件需求規(guī)模大幅增長的主要推動力。按照

SiC功率器件應(yīng)用發(fā)展來看，初期

SiC器件主要用于

PFC電源領(lǐng)域，過去十年

SiC在光伏及一些能源儲存系統(tǒng)中被廣泛應(yīng)用，未來十年，新能源汽車、充電設(shè)施、軌道交通將是

SiC器件需求規(guī)模大幅增長的主要推動力。2019

年

SiC全球市場規(guī)模超過

5.4

億美元，到

2025

年將達(dá)到

25.6

億美元，CAGR30%，其中新能源汽車占比最高，2025

年市場規(guī)模將達(dá)到

15.5

億美元，CAGR38%，充電樁增速高達(dá)

90%。中微定增募投布局寬禁帶功率器件外延生長設(shè)備。公司定增擬不超過

100

億元，其中總

投資

37.56

億元用于中微臨港總部和研發(fā)中心項目，搭建從產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)、樣品制造與

模擬測試到大規(guī)模工業(yè)投產(chǎn)的全周期研發(fā)平臺。臨港總部和研發(fā)中心項目部分資金用于

于公司新產(chǎn)品的研發(fā)項，主要研發(fā)產(chǎn)品包括

7

類，其中一種就是用于寬禁帶功率器件外延生產(chǎn)的量產(chǎn)型

CVD設(shè)備，項目將由在化合物半導(dǎo)體外延工藝研發(fā)領(lǐng)域超過

25

年的

主管人員牽頭，目前處于研究階段，預(yù)計將持續(xù)至

2025

年底。四、定增加碼研發(fā)投入，內(nèi)生外延推進(jìn)平臺化建設(shè)4.1

提升研發(fā)投入水平，提升核心競爭力公司擬定增不超過

100

億元，用于中微產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目、中微臨港總部和研發(fā)中心

項目和科技儲備資金。中微產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目主要用于擴(kuò)充公司現(xiàn)有設(shè)備產(chǎn)能，與主流半導(dǎo)體設(shè)備廠商合作，

開發(fā)新產(chǎn)品線。公司計劃在上海臨港新片區(qū)及南昌市高新區(qū)新建生產(chǎn)基地，總規(guī)劃建筑面積

18

萬平米，臨港產(chǎn)業(yè)化基地主要承擔(dān)公司現(xiàn)有產(chǎn)品升級、新產(chǎn)品開發(fā)生產(chǎn)及擴(kuò)充

長。項目主要用于生產(chǎn)集成電路設(shè)備、泛半導(dǎo)體領(lǐng)域生產(chǎn)及檢測設(shè)備以及部分零部件等，擴(kuò)充和升級的產(chǎn)品包括為等離子體刻蝕設(shè)備、MOCVD設(shè)備、熱化學(xué)

CVD設(shè)備等新

設(shè)備、環(huán)境保護(hù)設(shè)備，規(guī)劃產(chǎn)能分別為

630腔/年、120腔/年、220腔/年、180腔/年。中微臨港總部和研發(fā)中心項目將在上海臨港新片區(qū)建立中微臨港總部和研發(fā)中心，搭建

從產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)、樣品制造與模擬測試到規(guī)模量產(chǎn)的全周期研發(fā)平臺。12

個項目已于

2021

年

6

月

20

日集中開工。新產(chǎn)品研發(fā)不僅包括等離子體刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備，

還包括前瞻性技術(shù)研究、集成電路生產(chǎn)設(shè)備及零部件國產(chǎn)化、泛半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)品的研發(fā)

及產(chǎn)業(yè)化等。中微臨港總部和研發(fā)中心項目與

IPO募投的技術(shù)研發(fā)中心建設(shè)升級項目在職能定位、研發(fā)內(nèi)容、建設(shè)地點等方面存在顯著不同。從職能定位來看，研發(fā)中心建設(shè)升級項目主要是針對現(xiàn)有設(shè)備的廠房升級及完善研發(fā)中心配置。中微臨港總部和研發(fā)中心項目著眼中長期業(yè)務(wù)發(fā)展，打造研發(fā)、樣品制造及測試、到規(guī)模量產(chǎn)的全周期平臺。從研發(fā)內(nèi)容來看，在

CCP設(shè)備方面聚焦

14nm一下邏輯器件刻蝕設(shè)備，

及

128

層以上

3DNAND極高深寬比刻蝕設(shè)備。ICP方面，主要包括三類設(shè)備，用于

7nm及以下邏輯芯片，17nm及以下

DRAM芯片和

128

層以上的

3DNAND的單臺反應(yīng)器

ICP設(shè)備

Nanova+；用于

14nm及以上邏輯芯片和相應(yīng)節(jié)點的

DRAM芯片，及部分

14nm以

下

FinFET邏輯芯片和

64

層以下

3DNAND的非關(guān)鍵工藝的雙臺反應(yīng)器

ICP設(shè)備

TwinStar+；用于

3nm及以下

GAA結(jié)構(gòu)、納米片結(jié)構(gòu)的高精度邏輯芯片刻蝕的

ALE原子層刻蝕設(shè)備。此外，研發(fā)內(nèi)容還包括碳化硅功率器件外延生長

CVD設(shè)備及熱化學(xué)

CVD設(shè)備?？偼顿Y

30.8

億元的科技儲備資金將用于滿足公司與合作伙伴在新產(chǎn)品的協(xié)作開發(fā)項目、

對外投資并購項目等需求。其中新產(chǎn)品協(xié)作開發(fā)擬投資

15.8

億元，用于包括紅黃光

MOCVD設(shè)備、大面積平板顯示設(shè)備和集成電路設(shè)備、PECVD等化學(xué)薄膜設(shè)備以及集成

電路光學(xué)檢測設(shè)備的合作研發(fā)。對外投資并購項目擬投資不超過

15

億元進(jìn)行產(chǎn)業(yè)投資、

并購，向上下游配套設(shè)備縱向延伸，在公司刻蝕和薄膜關(guān)鍵技術(shù)基礎(chǔ)上橫向擴(kuò)展。通過外部協(xié)作及投資并購，公司借助外部優(yōu)勢資源，快速切入相關(guān)領(lǐng)域，抓住機(jī)遇，打造平

臺化設(shè)備公司。4.2

縱橫聯(lián)合，內(nèi)生外延協(xié)同發(fā)展自上市以來至

2020

年底，公司已在集成電路與泛半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投資累計約

8

億元，投資推動平臺化建設(shè)進(jìn)程，內(nèi)生外延，緊抓

行業(yè)機(jī)遇，實現(xiàn)協(xié)同發(fā)展。沈陽拓荊——布局薄膜設(shè)備：截至

2021

年

1

月，中微公司持股比例

11.20%，為拓荊科技第三大股東。拓荊科技三次承擔(dān)國家

02

專項，總投資達(dá)到

8.7

億

元，是國家中長期科學(xué)技術(shù)發(fā)展規(guī)劃重大戰(zhàn)略產(chǎn)品。公司總部位于沈陽，一期產(chǎn)能

100

臺套/年，全部投產(chǎn)可達(dá)

350

臺套設(shè)備/年。目前在北京、上海、海寧有三家子公司。公司

擁有

12

英寸

PECVD、ALD、

SACVD三個完整系列產(chǎn)品，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際同類產(chǎn)品先進(jìn)水平，產(chǎn)品用于集成電路晶圓制造，TSV封裝、光波導(dǎo)、Micro-LED、OLED顯示等

領(lǐng)域。理想萬里暉——布局光伏

PECVD裝備：公司2020

年公司落戶臨港新片區(qū)，全資子公司理想萬里

暉真空裝備異質(zhì)結(jié)

PECVD裝備年產(chǎn)能

10GW。公司致力于前沿高端光伏設(shè)備的研發(fā)，主營太陽能、泛半導(dǎo)體和半導(dǎo)體高端

PECVD裝備，光伏和

AMOLED顯示等領(lǐng)域高端

PECVD產(chǎn)品多次打破國外壟斷、填補(bǔ)國內(nèi)空白。

公司在現(xiàn)有基礎(chǔ)上延伸產(chǎn)業(yè)鏈，開發(fā)大面積石墨烯和集成電路半導(dǎo)體領(lǐng)域用

PECVD設(shè)備。中微公司持股占比

3.85%。睿勵儀器——布局檢測設(shè)備：截至

2021

年

3

月，中微公司持股比例

20.45%，為睿勵儀器第一大股東。睿勵主營產(chǎn)品為光學(xué)膜厚測量設(shè)備和光學(xué)缺陷檢測設(shè)備，以及硅片厚度及翹曲測量設(shè)備

等。公司自主研發(fā)的

12

英寸光學(xué)測量設(shè)備

TFX3000

系列產(chǎn)品，已應(yīng)用于

65/55/40/28nm產(chǎn)線，并在進(jìn)行了

14nm工藝驗證，已應(yīng)用于

64

層

3DNAND芯片生產(chǎn)，并正在驗證

96

層

3DNAND芯片的測量性能。公司應(yīng)用于

LED藍(lán)寶石襯底圖形檢測的自動光學(xué)檢

測設(shè)備，也已成功銷售到眾多國內(nèi)

LEDPSS襯底和

LED芯片產(chǎn)線。睿勵正在開發(fā)下一代可支持更高階芯片制程工藝的膜厚和

OCD測量設(shè)備以及缺陷檢測

設(shè)備。根據(jù)

SEMI，工藝檢測設(shè)備是僅次于光刻、刻蝕、薄膜的第四大細(xì)分設(shè)備領(lǐng)域，約

占半導(dǎo)體芯片制造工藝設(shè)備市場規(guī)模的

13%。HYPERLINK"/S/SH688012?from=statu