模擬電子技術(shù)題庫(kù) 答案分解

模擬電子技術(shù)試題匯編成都理工大學(xué)工程技術(shù)學(xué)院電子技術(shù)基礎(chǔ)教研室2010-9模擬電子技術(shù)試題匯編第一章半導(dǎo)體器件1、本征硅中若摻入5價(jià)元素的原子，則多數(shù)載流子應(yīng)是電子，少數(shù)載空穴濃度，而在P型半導(dǎo)體中，電。流子應(yīng)是空穴2、在N型半導(dǎo)體中，電子濃度大于子濃度小于空穴濃度。3、PN結(jié)反向偏置時(shí)，空間電荷區(qū)將變寬。飽和_放大___區(qū)、__截止________區(qū)。5、場(chǎng)效應(yīng)管分為兩大類：一類稱為_(kāi)結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管___________，另一類稱為_(kāi)_絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管_______。6、PN結(jié)外加反向電壓，即電源的正極接N區(qū)，電源的負(fù)極接P區(qū),這種接法稱為_(kāi)__反向接法_______或_反向偏置_________。7、半導(dǎo)體二極管的基本特性是流_檢波__單向?qū)щ娦訽___，在電路中可以起___整8、雙極型半導(dǎo)體三極管按結(jié)構(gòu)可分為_(kāi)_NPN_____型和__PNP_____型兩種，它們的符號(hào)分別為_(kāi)______和________。結(jié)中進(jìn)行著兩種載流子的運(yùn)動(dòng)：多數(shù)載流子的擴(kuò)散流子的___漂移_____運(yùn)動(dòng)。運(yùn)動(dòng)和少數(shù)載0.5_0.1____V。11、晶體管穿透電流I是反向飽和電流I的___1+β_______倍，在選用晶體管的時(shí)候，一般希望I盡量___小_______。g12、場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是___跨導(dǎo)_______。m13、PN結(jié)具有__單向?qū)щ奯______特性。14、雙極型三極管有兩個(gè)PN結(jié)，分別是___集電結(jié)____和_發(fā)射結(jié)______。-1-模擬電子技術(shù)試題匯編15、為了保證三極管工作在放大區(qū)，應(yīng)使發(fā)射結(jié)_____正向________偏置，集電路______反向_______偏置。電壓_____電流_______控制型元件。3空穴流子應(yīng)是電子18、P型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是空穴。，少數(shù)載流子是電子。結(jié)外加正向電壓，即電源的正極接P區(qū)，電源的負(fù)極接N區(qū),這種接法稱為正向接法正向偏置______。集電極發(fā)射極____和__基極______。正____________向電壓；（2）集電結(jié)外加___反________向電壓。22、N型半導(dǎo)體可用___正________離子和等量的___負(fù)電子________來(lái)簡(jiǎn)化表示。23、PN結(jié)正向偏置時(shí)，空間電荷區(qū)將變___窄________。24、二極管的兩個(gè)電極分別稱為_(kāi)_陽(yáng)____極和__陰____極，二極管的符號(hào)是________。25、當(dāng)溫度升高時(shí)，三極管的輸入特性曲線會(huì)__左___移，輸出特性曲線會(huì)上________移，而且輸出特性曲線之間的間隔將__增大_________。26、影響雙極型三極管參數(shù)變化的主要因素是___溫度__________。27、P型半導(dǎo)體可用_負(fù)______離子和等量的___空穴_____來(lái)簡(jiǎn)化表示。28、主要半導(dǎo)體材料是_硅___鍺____；兩種載流子是__空穴_______和__電子_______；兩種雜質(zhì)半導(dǎo)體是_P型________和___N型_29、二極管外加正向電壓導(dǎo)通，外加反向電壓截止。30、當(dāng)溫度升高時(shí)，三極管的參數(shù)β會(huì)變大________，會(huì)增加CBO________，導(dǎo)通電壓會(huì)變小_________。-2-模擬電子技術(shù)試題匯編多數(shù)載流子_________和_少數(shù)載流子____________導(dǎo)電，而單極型三極管只有一種載流子導(dǎo)電，即__多數(shù)載流子___________導(dǎo)電。32、N型半導(dǎo)體的多數(shù)載流子是電子，少數(shù)載流子是___空穴_____。33、某晶體管的極限參數(shù)P150mW，I100mAUVCM()工作電壓U10V_15_____UV，mA則工作電流不得超過(guò)____100___；若工作電流ImA，則工作電壓不得超mAC過(guò)___30____V。34V－9V，V=－6.2VVABC－6V____________型三極管，A為_(kāi)______集電______極，B為_(kāi)____基________極，C為_(kāi)_____發(fā)射_____極。35、雙極型三極管實(shí)現(xiàn)放大作用的重要參數(shù)是_____。36、場(chǎng)效應(yīng)管輸出特性的三個(gè)區(qū)域分別是_______恒流______區(qū)、____可變電阻_________區(qū)、___夾斷__________區(qū)。37、純凈的、不含其他雜質(zhì)的半導(dǎo)體稱為_(kāi)____本征半導(dǎo)體_____。38場(chǎng)效應(yīng)體管的放大能力強(qiáng)。晶39、雙極型三極管內(nèi)部有三個(gè)摻雜區(qū)域，分別是__發(fā)射區(qū)_______、___基區(qū)_______和___集電區(qū)_1、從二極管伏安特性曲線可以看出，二極管兩端壓降大于（B）時(shí)處于正偏導(dǎo)通狀態(tài)。．0．死區(qū)電壓C．反向擊穿電壓D．正向壓降2、雜質(zhì)半導(dǎo)體中（A）的濃度對(duì)溫度敏感。．少子．多子C．雜質(zhì)離子．空穴-3-模擬電子技術(shù)試題匯編3、晶體管的集電結(jié)反向偏置、發(fā)射結(jié)正向偏置，它的工作狀態(tài)是（B），若集電結(jié)和發(fā)射結(jié)都反向偏置，它的工作狀態(tài)是（A），若集電結(jié)和發(fā)射結(jié)均正向偏置，則它的工作狀態(tài)是（C）。．截止．放大C．飽和．損毀4、當(dāng)晶體管工作在放大區(qū)時(shí)，發(fā)射結(jié)電壓和集電結(jié)電壓應(yīng)為(B。．前者反偏、后者也反偏C．前者正偏、后者也正偏5、雙極型晶體管工作時(shí)有（A．前者正偏、后者反偏．前者反偏、后者也正偏）和（B）兩種載流子參與導(dǎo)電,而場(chǎng)效應(yīng)管所導(dǎo)電過(guò)程僅僅取決于（A．多子．少子）的流動(dòng)。C．自由電子D.空穴6NPNU（AU（AU。CBE．>B．<C．=D．≤7、對(duì)二極管正向電阻r和反向電阻r的要求是（C）ZF．r、r都大．r、r都小ZFZFC．r很小，r很大．r大，r小ZFZF8、穩(wěn)壓二極管動(dòng)態(tài)電阻r（B），穩(wěn)壓性能愈好。Z．愈大．愈小C．為任意值9、三極管當(dāng)發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏時(shí)工作于（C）狀態(tài)。．放大．截止C．飽和．無(wú)法確定、D10．結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管放大電路的偏置方式是（）．自給偏壓電路C．無(wú)須偏置電路．外加偏壓電路．柵極分壓與源極自偏結(jié)合11、在雜質(zhì)半導(dǎo)體中，多數(shù)載流子的濃度主要取決于（A），而少數(shù)載流子的濃度與（B）有很大關(guān)系。．溫度．摻雜工藝C．雜質(zhì)濃度）控制型器件，而晶體管若用簡(jiǎn)化h參數(shù)來(lái)分析，）控制型器件。．電壓．晶體管缺陷12、場(chǎng)效應(yīng)管屬于（B則可認(rèn)為是（C．電荷C．電流-4-模擬電子技術(shù)試題匯編13、當(dāng)PN節(jié)外加反向電壓時(shí)，擴(kuò)散電流（BD）。．大于．小于C．等于．變寬E．變窄．不變）。14、當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管正向特性和反向特性曲線分別（D．左移，下移B．右移，上移C．左移，上移．右移，下移）。15、PN結(jié)加正向電壓時(shí)導(dǎo)通，此時(shí)空間電荷區(qū)將（A．變窄．基本不變C．變寬D.先變窄，后變寬16、在25oC時(shí)，某二極管的死區(qū)電壓Uth≈0.5V，反向飽和電流Is≈0.1pA，則在35oC時(shí)，下列哪組數(shù)據(jù)可能正確：（D）。AUth≈0.575V，≈0.05pACUth≈0.475V，≈0.05pABUth≈0.575V，≈0.2pADUth≈0.475V，≈0.2pA17、用萬(wàn)用表判斷放大電路中處于正常工作的某個(gè)晶體管的類型（NPN或PNP）與三個(gè)電極時(shí)，最為方便的測(cè)試方法為（B．測(cè)試各極間電阻）。．測(cè)試各極間、對(duì)地電壓C．測(cè)試各極電流1、三極管在工作頻率大于最高工作頻率f時(shí)會(huì)損壞。（╳）M2、穩(wěn)壓管正常穩(wěn)壓時(shí)應(yīng)工作在正向?qū)▍^(qū)域。（╳）3、與三極管放大電路相比，場(chǎng)效應(yīng)管放大電路具有輸入電阻很高、噪聲低、溫度穩(wěn)定性好等優(yōu)點(diǎn)。（√）4、P型半導(dǎo)體可通過(guò)在純凈半導(dǎo)體中摻入五價(jià)磷元素而獲得。（╳）5U=0.6V時(shí)，I=5Ar大約BEBbe26為5.2K。（√）IB6、通常結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管JFET在漏極和源極互換使用時(shí)，仍有正常的放大作用。（√）-5-模擬電子技術(shù)試題匯編7、通常的雙極型晶體管BJT在集電極和發(fā)射極互換使用時(shí)，仍有較大的電流放大作用。（╳）8、在N型半導(dǎo)體中，摻入高濃度的三階雜質(zhì)可以改型為P型半導(dǎo)體。（√）9、P型半導(dǎo)體帶正電，N型半導(dǎo)體帶負(fù)電。（╳）10、PN結(jié)內(nèi)擴(kuò)散電流是載流子在電場(chǎng)作用下形成的。（╳）11、漂移電流是少數(shù)載流子在電場(chǎng)作用下形成的。（√）12、由于PN結(jié)交界面兩邊存在電位差，所以當(dāng)把PN結(jié)兩端短路時(shí)，就有電流流過(guò)。（╳）13PN結(jié)方程可以描述PNPN結(jié)的反向擊穿特性。（╳）14、場(chǎng)效應(yīng)管的突出優(yōu)點(diǎn)是具有特別高的輸出電阻（╳）15、有人測(cè)試晶體管的r，方法是通過(guò)測(cè)得晶體管的U0.7，I20，beB推算出rU/I0.7V/20mA35K。（╳）B110分）6Vc-4V-1.2V-1.4VcbeNPNSiPNPGe材料（Si或）2、判斷下列管子的工作狀態(tài)（飽和；b.放大；截止；d.損壞）（共8分）NPNPNPNPNUeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc21.76-0.1-0.3-30461.31.11.2a狀態(tài)cbd3D是正偏還是反偏？設(shè)二極管正偏時(shí)的正向壓降為0.7V,試計(jì)算U和U的值（共9分）XY-6-模擬電子技術(shù)試題匯編+10VR+10V2RUYYDUXX2R（）答案：（）D正偏導(dǎo)通（b）100.7I=3R100.7U2RI==6.2V3x6.20.76.9V（）D僅偏截止I=0U=0XUy=10V4、如下圖，設(shè)硅穩(wěn)壓管V、V的穩(wěn)壓值分別為6V和9V，求Uo為多少？DZ1DZ2（共3分）..答：U=9-6=3V05、（3分）圖示電路中二極管為理想二極管，請(qǐng)判斷它是否導(dǎo)通，并求出u。0-7-模擬電子技術(shù)試題匯編D導(dǎo)通，UV097、如下圖，設(shè)硅穩(wěn)壓管V、V的穩(wěn)壓值分別為6V和9V，穩(wěn)壓管的正向壓降為0.7V，試寫出輸出電壓Uo為多少？（共8分）RV00RV模擬電子技術(shù)試題匯編UV（d）0（）U6.7V08、設(shè)二極管理想化，試判斷下列各圖二極管是否導(dǎo)通還是截止？并求出U？ODD++RR-O-（）D導(dǎo)通UV（b）D截止U12V00++OORR--D（）D導(dǎo)通D截止（d）D先導(dǎo)通截止1212U=0V0U=-3V0-9-模擬電子技術(shù)試題匯編第二章放大電路原理1、BJT放大電路的三種基本組態(tài)中，_共集________組態(tài)帶負(fù)載能力強(qiáng)，_共基____________組態(tài)頻率響應(yīng)好，__共射___________組態(tài)有倒相作用，__共集___________組態(tài)向信號(hào)源索取的電流小。2、多級(jí)放大電路的對(duì)數(shù)增益等于其各級(jí)對(duì)數(shù)增益的_之和______。3、BJT放大電路的三種組態(tài)是___共射__________、___共基__________、____共集_________。4、影響放大電路工作點(diǎn)穩(wěn)定的主要原因是___溫度變化__________。5、三極管___共集_________組態(tài)的放大電路具有輸入電阻高、輸出電阻低的特點(diǎn)。圖解法________和_微變等效電路法___________。7、共集電極放大電路又稱為_(kāi)__射極輸出器或射隨器_________。8、多級(jí)放大電路常用的耦合方式有三種：即___阻容耦合_________、__直接耦合__________、___變壓器耦合_________。共射___________組態(tài)既具有電壓放大能力又具有電流放大能力，___共集__________只具有電流放大能力，__共基___________組態(tài)只具有電壓放大能力。能量_變化量_____。11、產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因是放大器件的參數(shù)受__溫度_______的影響而發(fā)生波動(dòng)，導(dǎo)致放大電路的__靜態(tài)工作點(diǎn)________不穩(wěn)定。12、輸出電壓離開(kāi)零點(diǎn)，緩慢地發(fā)生不規(guī)則的變化，這種現(xiàn)象稱為_(kāi)_零點(diǎn)漂移_______。-1-模擬電子技術(shù)試題匯編1、關(guān)于BJT放大電路中的靜態(tài)工作點(diǎn)（簡(jiǎn)稱Q點(diǎn)），下列說(shuō)法中不正確的是（D）。A．Q點(diǎn)過(guò)高會(huì)產(chǎn)生飽和失真B．Q點(diǎn)過(guò)低會(huì)產(chǎn)生截止失真C．導(dǎo)致Q點(diǎn)不穩(wěn)定的主要原因是溫度變化D．Q點(diǎn)可采用微變等效電路法求得2、雙極型三極管放大電路中，輸入電阻最大的是___B________電路。A．共發(fā)射極B．共集電極C．共基極D．不能確定3、晶體管放大電路中，高頻特性最好的電路是（D）。A.共射電路B.共集電路C.共源電路D.共基電路4、有兩個(gè)放大倍數(shù)（電路相同，采用同一晶體管）相同，輸入和輸出電阻不同的放大電路A和件下測(cè)得A的輸出電壓小，這說(shuō)明A的（B）。A．輸入電阻大B．輸入電阻小C．輸出電阻大D．輸出電阻小5、多極放大電路的增益A是（B）、輸入電阻R是（A）、輸出電阻R是uio（C）。A．由第一級(jí)確定B.由各級(jí)共同確定C.由末級(jí)電路確定3K的負(fù)載電阻的輸出電壓降為3V，這說(shuō)明放大電路的輸出電阻為（C）A．10KB．2KC1KD0.5K7、放大電路產(chǎn)生零點(diǎn)漂移的主要原因是（A）。A．環(huán)境溫度變化引起參數(shù)變化C．晶體管的噪聲太大B．放大倍數(shù)太大D．外界存在干擾源8、在多級(jí)放大電路常見(jiàn)的三種耦合方式中選擇合適者：（本題可多選）（1）要求各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)互不影響，可選用（A,C）。（2）要求能放大直流信號(hào)，可選用（B）。-2-模擬電子技術(shù)試題匯編（3）要求能放大高頻交流信號(hào)，可選用（A,B）。（4）要求電路的溫漂小，可選用（A,C）。（5）為了實(shí)現(xiàn)阻抗交換，使信號(hào)與負(fù)載間有較好的耦合，應(yīng)采用（C）。A．阻容耦合B．直接耦合C．變壓器耦合9、用微變等效電路法分析放大電路（BA．只能分析靜態(tài)工作點(diǎn)）B.只能分析動(dòng)態(tài)參數(shù)C．既可分析靜態(tài)，也能分析動(dòng)態(tài)10、在下列電路中輸入電阻最大的電路是（B大電壓的電路是（C）。）；既能放大電流，又能放A．共基放大電路B．共集放大電路C．共射放大電路的變化情況,選擇正確答案填入空格+Vcc++Uo-RLRs++Ui-Us-（1）R減小時(shí)，輸入電阻R_B____。bi（2）Rc增大時(shí)，輸出電阻R____A_。O（3）信號(hào)源內(nèi)阻Rs增大時(shí)，輸入電阻R___C___。iUoAu（4）信號(hào)源遠(yuǎn)內(nèi)阻Rs減小時(shí)，電壓放大倍數(shù)__A____。UoAu（5）負(fù)載電阻R增大時(shí)，電壓放大倍數(shù)L__A___；（6）負(fù)載電阻R減小時(shí)，輸出電阻Ro____C__;L-3-模擬電子技術(shù)試題匯編U(7)若Rb減小，則靜態(tài)的I將__A____，將__B__電壓放大倍數(shù)BUoAu將__A____。(8)若換一個(gè)值較小的晶體管，則靜態(tài)的I將___C__。B(9)R增大時(shí)，U將_A_____。b(10)(11)Rc增大時(shí)，U將__B____。Rs增大時(shí)，U將__C____。(12)R增大時(shí)，U將__C_LA.增大B.減小C.不變12、由NPN晶體管組成的基本放大電路，如圖：+Vcc++Uo-RRs++LUi-Us-輸出電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真，則：（1）這種失真是___B______A.飽和失真B.截止失真C.交越失真D.頻率失真。（2）為了消除這種失真，應(yīng)___D_____B.改換小的管子A．減小集電極電阻RcC.增大基極偏置電阻RbD．減小基極偏置電阻Rb,E.減小電源電壓V。CC13、由PNP晶體管組成的基本放大電路，如圖：-4-模擬電子技術(shù)試題匯編+Vcc+Rb+RLRsUo++Ui-Us--電壓波形出現(xiàn)了頂部削平的失真:則(1)這種失真是___A______A.飽和失真B.截止失真C交越失真D頻率失真。（2）為了消除這種失真，應(yīng)___A，B，C______A．減小集電極電阻RcD.減小基極偏置電阻RbB.改換小的管子C增大基極偏置電阻RbE.減小電源電壓V。14、如下圖，選擇正確答案填空++-+-+（1）要使靜態(tài)工作電流I減小，則R應(yīng)_A_____。Cb2（2）R在適當(dāng)范圍內(nèi)增大，則|A|_B_____，R_A_____，R_C_____。b2uio（3)R在適當(dāng)范圍內(nèi)增大，則|A|_C_____，R__C____，R_C_____。euio(4)從輸出端開(kāi)路，到接上R，靜態(tài)工作點(diǎn)將_C_____，U_B_____，（設(shè)Lo靜態(tài)工作點(diǎn)偏低）(5)V減小時(shí)，直流負(fù)載線斜率__C____。-5-模擬電子技術(shù)試題匯編(6)R減小時(shí)，直流負(fù)載線斜率__A____。CA.增大B.減小C.不變(7)若V=10V,R=4，R=6，R=3.3，R=2，C、C足1b2eC12夠大，設(shè)U0.7V則:BE①Vi=0，管壓降U大約是__B____（A．4VB．4.7VC7VD5V)②使管子由50改為100，則A|是__A__________u1（A.約為原來(lái)的2倍B.約為原來(lái)的2C.基本不變D約為原來(lái)的4倍）改為6.6，則|A|_C_____③保持=50不變，將R由3.3。eu1（A約為原來(lái)的2倍D約為原來(lái)的4倍B約為原來(lái)的2C基本不變14E約為原來(lái)的）15、兩級(jí)放大電路A=-40，A=-50，若輸入電壓u5mV,則輸出電壓u為u1u2io_C_____A．-200mVB.-250mVC.10VD.100V1、試判斷圖示各電路能否放大交流電壓信號(hào)（能放大的，不能正常放大的畫）。-6-模擬電子技術(shù)試題匯編......+10.3V+5V0V+12V+2V+10.75V+0.7V+10V(d)(a).......5V0V(a)..4、判斷圖示電路是否有信號(hào)放大作用（用“√”，“×”表示。每圖3分，共12分）-7-模擬電子技術(shù)試題匯編+VccC(b)×(a)(a)×(c)×+Vcc..(d)(e)×（d）×(f)√5、判斷下列電路能否放大電壓信號(hào)。（設(shè)圖中所有電容對(duì)交流信號(hào)視為短路）（6分）+Vcc+Vcc...(a)(b)√××(a)(b)(c)6、如下圖，判斷是否正確：-8-模擬電子技術(shù)試題匯編+VCCRb2++RLUoReRb1+Ce-（1）R=R//R//（r+R）（×）b1b2eibe（2）R=R//R//[r+(1+)R]（×）b1b2eibe（3）R=R//R//r（√）b1b2bei（4）R=R//R（×）（√）Locc（5）R=RoRR?（6）A=-（×）（×）（√）cLurReRR?（7）A=cLurRR?（8）A=-cLur7、判斷下列說(shuō)法是否正確，對(duì)的畫，錯(cuò)誤的畫×(1)晶體管的輸入電阻是一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻，故它與靜態(tài)工作點(diǎn)無(wú)關(guān)。（）ber(2)在基本共射放大電路中，為得到較高的輸入電阻，在固定不變的條件下，晶體管的電流放大系數(shù)應(yīng)該盡可能大些。（）(3)在基本共射放大電路中，若晶體管的增大一倍，則電壓放大倍數(shù)也相應(yīng)增大一倍。（√）(4)對(duì)于基極分壓式工作點(diǎn)穩(wěn)定電路來(lái)說(shuō)，其電壓放大倍數(shù)也隨的增大成正比的增大。（×）-9-模擬電子技術(shù)試題匯編(5)共集放大電路的電壓放大倍數(shù)是小于1，故不能用來(lái)實(shí)現(xiàn)功率放大。（×）(6)共射放大電路既能放大電壓，也能放大電流。（）(7)共集放大電路可放大電壓，但不能放大電流。（×）(8)共基放大電路只能放大電流，但不能放大電壓。（）四1+VccRbC2Rc+++UoUi--有三個(gè)錯(cuò)誤：（1）：電源極性錯(cuò)（2）：C.C極性錯(cuò)12（3）：R位置接錯(cuò)C分析下圖有何錯(cuò)誤，應(yīng)如何改正才能使電壓正常放大，畫出更改后的電路，要求所用的晶體管不變以及其他元件不增減。2、+++---10-模擬電子技術(shù)試題匯編有三個(gè)錯(cuò)（1）R位置接錯(cuò)b（2）C位置接錯(cuò)2（3）C位置接錯(cuò)33、分析下圖能否對(duì)1u無(wú)直流成分。O-12VRc3K+Ui-10uF++UoRL3K-C位置接錯(cuò)。（2C位置接錯(cuò)。（3）12A1、極性接反。（4）若要，則不能從射極輸出。CCU12//RRA1=,且V無(wú)直流成分。CLU1RrObee4、有兩個(gè)放大電路如下圖所示，向各是什么組態(tài)？（共射，共基，共集）若晶是否正確？若有錯(cuò)誤，應(yīng)如何改正？設(shè)電容都很大。-11-模擬電子技術(shù)試題匯編+uv0uvi+0(a)U均為共基組態(tài)。波形有錯(cuò)。0U（a）圖波形應(yīng)與Ui波形相同。0++uv00U（）圖波形應(yīng)無(wú)直流分量O1、在下圖的放大電路中,設(shè)三極管的，U=0.7V，r=BEQbe1k,R=10k,R50K,R=1.3k,R=R=5k,V。1b2ecLCC-12-模擬電子技術(shù)試題匯編+VccRcC2.C1.RLUoUiReCe（1）試估算靜態(tài)時(shí)的I、I、U；（5分）BQCQCEQ?（2）設(shè)電容C、C和C均足夠大，試估算放大電路的中頻電壓放大倍數(shù)A；12e（5分）（3）估算放大電路的輸入電阻R和輸出電阻R；（5分）io?（4）如果去掉旁路電容C，寫出此時(shí)放大電路的中頻電壓放大倍數(shù)A和輸入e電阻R和輸出電阻R的表達(dá)式（可不計(jì)算出具體數(shù)值）。（5分）io（1）10*12RVUBQV1ccRR10501b2VUBQ20.7IImABEQR1.3CQEQeVVII(RR)121*5.7VCEQ（2）CCCQCQce(RR)30(51Accr(3)RR//R//rri1b2bebeRR50c(4)C斷開(kāi)，R有電流串聯(lián)負(fù)反饋，（A下降），R增加，R不變；umi0ee(//)RRAumcL)rRbeeRR//R//[rR)]i1b2beeRR50c-13-模擬電子技術(shù)試題匯編2、（20分）圖示電路中，已知U=0.7V，β=100，r=374Ω，R=5Ω，BEQB1bb'R=15Ω，R=2.3Ω，R=R=3Ω，V=12V。B2ECLCC+VccRC2C1.T.RsUo+.RUi-s.（1）估算電路的靜態(tài)工作點(diǎn)、、UCEQ（2）畫出微變等效電路，計(jì)算電壓放大倍數(shù)、輸入電阻R、輸出電阻R?Aiou0AUU（3）若信號(hào)源內(nèi)阻為R=1kΩ時(shí)，求的數(shù)值。SSRV512515UBQCCV1（1）RR1B2UUBQ30.7IImABEQR2.3CQEQEUVI(RR)121(32.3)VCE26（2）圖略r374100)be1(RR).ACLr3uR5//15//31.66iRR0CR..（3）A(50)31.2AiRR1usi3、如下圖，C~C足夠大，14-14-模擬電子技術(shù)試題匯編..+Vcc(+20V)C3R1R480K10KRC1L10KUo..（1）畫出直流通路和微變等效電路（6分）。（2）設(shè)UV，求靜態(tài)工作點(diǎn)I、U（4分）BEQCQCEQ.U.（3）求R、R、，設(shè)=30，r=194（6分）Aoi'iou.bbU（4）I、U忽略不計(jì)，估算最大不失真輸出電壓峰值U（4分）（總共CEOCESom20分）解:（）圖略（2）UUBQ2040.7RUBQVCC20V,II2BEQRR2080R3.3CQEQ125UVI(RRR)201105.7VCEQCCCQ345（3）1RR//R//rrr)30)Ki13bebebb'IEQRR10K04?(//)RR//10)1U?A04Luurbe（4）不飽和失真UU5.7V不截止失真UI(R//R)1//10)V4L最大不是真輸出電壓峰值UVom-15-模擬電子技術(shù)試題匯編T、如圖所示電路中，已知三極管為硅管=337Ω,U=0.7V,β=50；r4BEQbb'R=51KΩ,R=15KΩ,R=1KΩ,Rc=2KΩ,Eb1b2R=2KΩ,V=12V。18分)LQ（I.I.U）？試求：（1）靜態(tài)工作點(diǎn)（2）電壓放大倍數(shù)BQA＝？RR輸出電阻輸入電阻ioUVR2CE++uLuOREi--解：（）RV15125115UBQCC2.7Vb2RR1b2UUBQ2.70.7II2BEQR1CQEQEI2IBQ0.04CQ50UVI(RR)122(2VCEQCCCQCE（2）RR//R//RrKi1b2bebe26261rrbe)33750)K50bb'IEQRR2K0c?(//)RR50(2//U?AoicrLU1ube5、電路如下圖（）所示，圖（b）是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時(shí)U＝0.7V。BEQ利用圖解法分別求出R＝∞和R＝3kΩ時(shí)的靜態(tài)工作點(diǎn)和最大不失真輸出電壓LLU。（共15分）om-16-模擬電子技術(shù)試題匯編u0iBEQ103RbLCEc3CECR3,UIR'V（1）圖解法靜態(tài)工作點(diǎn)Q（I、U）。（設(shè)I=40uA,=50）（6分）LBQ（2）畫出微變等效電路，估算放大器的動(dòng)態(tài)參數(shù)A、R、R（設(shè)r=340，uioiRLui05uCUi4.8mACECCCCCECI40uA相交Q點(diǎn)，得I2.4mA,UV(2)IR//rrKib-17-模擬電子技術(shù)試題匯編(//_RR//1A125CLrube26rr)Kbebb'IEQRR5KOC7、如下圖，C~C足夠大，13（1）畫出直流通路和微變等效電路（4分）。（2）求靜態(tài)工作點(diǎn)I、UBQ。（4分）CEQ（3）求輸入、輸出電阻R、R及電壓放大倍數(shù)A各自的表達(dá)式。（4分）iou（總共12分）+VccRcUoRL...略（2）IB)RI(RR)VVBQC12BEQCCVVCCB)RRRIBQ,VVB)IRBEQCEQCCBQCC12（3）R=R//rR=R//R1023i(RRR)01A=u=-23Lur26r=r+(1+)=+rIIEQBQ-18-模擬電子技術(shù)試題匯編rUbb’=1mAU=12-1(5+1.3)=5.7vr=100+(1+100)=