電力電子答案解析

GTOPNPN結(jié)構(gòu)，為什么GTO能夠自關(guān)斷，而普通晶控制靈敏，易于GTOV222)GTO121，GTO212GTOP2IGBTMOSFETIGBT內(nèi)部結(jié)構(gòu)包含了MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)。內(nèi)MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)則無注入P區(qū)。開關(guān)特性的相似之處：IGBT開關(guān)大部分時(shí)間由MOSFET運(yùn)行,特性相似。IGBT的注入P區(qū)有電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng),有少子儲存現(xiàn)象,2U2①2122。2U22組對角晶閘U2、iuidd；2UIIdd2uOOIiiIOIIUI2dd＝U＝×100×cos30°＝（V）Ud2＝/R＝2＝（A）UIdd＝＝（A）II2d＝2＝（V）2U2＝（2～3）×＝283～424（V）UN＝/2IId＝（～2）×∕＝26～35（A）INutORUV2動勢E=100V，當(dāng)、和iuidd2③UII2dduOtIiOttIiOIIUI2dd＝U＝×200×cos45°＝（V）Ud2-E)/R＝2＝（A）UIdd＝＝（A）II2d＝＝（V）22U2＝（2～3）×＝566～848（V）UN＝/＝2II2d＝（～2）×∕＝10～12（A）IN=100V，電阻電感負(fù)載，R=2Ω，=60UL2、、、uiiiddD1cos()1cos3U0.9U0.9UV)22d22＝∕＝∕2＝（A）RIUdd、121212*IIdVD、342323II*33.7527.56()d=100V，帶電阻電感負(fù)載，R=5Ω，L值U2=、和、、IU60uiiddVT1dd和。IIadOtiOittdO②、、和UIIIdd＝＝×100×cos60°＝（V）UUd2＝∕R＝∕5＝（A）UIdd＝∕3＝∕3＝（A）IId＝∕=II33d=100V，帶電阻電感負(fù)載，R=5Ω，L值U2=60、和uiiddVT1、、和。IIIUddⅠⅡⅢⅣⅤⅥuuuuuuuuuuaaaOtiOttiV1O②、、和UIIIdd＝＝×100×cos60°＝117（V）UUd2＝∕R＝117∕5＝（A）IUdd＝∕3＝∕3＝（A）IId＝∕＝3II3dE=40V，=100V，U2=，當(dāng)=、與60UuLIBdddLB＝UUUd2d＝mfLIfLIUXIBddBdBdIUdd＝（R＋4E）∕（）＝（＋60UULffLd24*50**103*40）∕（1+4*50**103BBdUId+XI)2U2sinXIBUd2mBd2+2103+＝dOtdU2=1mH，求當(dāng)a=時(shí)、E=50V時(shí)、、、和的LUIuiiBdddVT12LB＝UUUd2dXIfUXIBLIBddBddIUddE）∕（R＋3）fLUUfLd2BB33dUId+)2UsinXIBd2m＝2∕6UIX36dB2+ud＝uuOttiiiiIdO=100V，XU2B求、、、和、和iUIIIui22ddd0時(shí)0U2.34UcosUd2dUXI3XI/BddBdIU/RddUUcos/13XR/)=d2BI111.64(A)d+)2sinXIBUd22mcos2XI/UBd002XI/U00Bd20.9124.450II/337.21Ad2I2aI91.15Ad3ⅠⅡⅢⅣⅤⅥuaaOtiOittId2O=220V，U2=0和②、并ULLIB與Bdduid＝0TLB＝α＝×220×cos60°＝（V）UUd2－E）∕R＝（－200）∕1＝（A）IUd時(shí)dLB＝UUdU2dUXIBfLIBdddUIddUE）∕（R＋6）fLUfLd2＝×220×1×cos60°＋6×50×1×103×200)/(1+6×50×1×103BBIdUd+∕LI6U2sinXIBUd2mBd2+uuuutIdiTOtU2值1/2，而整流電流平均值2UIdduiddU2d3-27三相全控橋變流器，反電動勢阻感負(fù)載，R=1Ω，L=∞，=220V，U2=1mH，當(dāng)=-400V，=60時(shí)求,與LEUIBMdd解：由題意可列出如下3個(gè)等式：U2.34UcosUd2dUmXI/26fLIdBdBdIUE/RddMU[2.34URCOS)6fLE]/(R6fL)d2＝[×220×1×cos(180°-60°)＋BB6×50×1×103×(-400)]/(1+6×50×1×103)I109.7(A)dcos)XI/(Usin)2LI/(U)Bd2mBd2cos(180°-60°)－cos（180°-60°+cos1200.62790128.901208.90000PEIIR122Mdd=100V，=，LRUL2B當(dāng)=-99V，=60時(shí)求、和UEIMdd解：由題意可列出如下3個(gè)等式：＝(-UUUd2dLIUXILIBffdBd－BddIUERddM(π-U2＝－（V）E]∕（R+4UUfLfLdBBdId+∕(XI)，2U2sinXIBUd2mBd2cos(120+)=第4章答：換流方式有4負(fù)載換流和強(qiáng)迫換流3第5章直流-直流變流電路簡述圖5-1a所示的降壓斬波電路的工作原理。，t，由電源E向L、R、EuE0tmL通過二極管VD向R和Eu00mtEUontton0of在圖5-1a所示的降壓斬波電路中，已知E=200V，R=10Ω，L值極大，T=40μs，=20μs時(shí)，計(jì)算輸出tE20Vm。UI0020*tUE100(V)on0TUEI0m)0R簡述圖5-2a所示升壓斬波電路的基本原理。L值很大，電容C值也很大。當(dāng)V處于通態(tài)時(shí)，電，同時(shí)電容C上的電壓向負(fù)載R供I1電，因C值很大，基本保持輸出電壓為恒值Uo。設(shè)V處于通態(tài)的時(shí)間為，t。當(dāng)V處于斷態(tài)時(shí)E和L共同向電容C充電此階段電感L上積蓄的能量為EIt1并向負(fù)載R提供能量。設(shè)V處于斷態(tài)的時(shí)間為，則在此期間電感L釋放的tUEIto1EItUEIt1o1ttTUEEottT/t1在圖5-2a所示的升壓斬波電路中，已知E=50V，L值和C值極大，R=25均值Uo，輸出電流平均值Io。T==50Uo50E5020tU==oIoR25Cuk斬波電路的基本原理，并比較其異VE經(jīng)VLVLttUEEEt1otTV1—V—2CC12tttUEEE1otT壓斬波電路相比，Cuk分析圖5-7a所示的電流可逆斬波電路，并結(jié)合圖5-7b的波形，繪制出答：將一個(gè)周期分為4個(gè)區(qū)間。在[0，t1）區(qū)間，電流為負(fù)，電壓為正，則V2肯定是關(guān)斷的（若V2開通則電壓為0），無論V1開通還是關(guān)斷，電流方向?yàn)椋弘娫碋的負(fù)端—-電機(jī)M—-電阻R—-電感L---二極管VD2---電源E的正端，如圖(b)所示。在(t1，t2]區(qū)間，電流為正，電壓為正，則V2肯定是關(guān)斷的（若V2開開關(guān)管V1—-電感L---電阻R-—電機(jī)M---電源負(fù)E的端，如圖(c)所示。VD1—-電感L---電阻R-—電機(jī)M正端，如圖(d)所示。M正端-—電阻R-—電感L---開關(guān)管V2—-電機(jī)負(fù)M端，如圖(f)所示。uotiioVtt0t2t13t4iDiV題5-8—圖(a)題5-8—圖(b)題5-8—圖題5-8—圖(d)1）正激電路NuU13NSiNNUu231iUUNt2NTNN2）反激電路UUoi21oi1NN13uUUSiONN12。UuU0iUUNt2Ntoi，在負(fù)載為零的極限情況下Uoi11）全橋電路uUSiNN。Uu23iUUNt2oiNT1NUU21oNi2）半橋電路uUSiNN。Uu23iUUNt2NTNU2N2oiiUoi113）推挽電路uUSi2N2。UuNi3UUNt2oiNT1NUU21oNi交流-交流變流電路α=080%，50%時(shí)的觸UtdtU2Uo110UUIOR1ORU2PUIOO1R80%時(shí)，有：0.8U2P0.8PP1OmaxRUUO1UUO1同理，輸出功率為最大輸出功率的50%時(shí)，有：UUO1UUO1得α=90°。第7章PWM控制技術(shù)fcfr變化時(shí)，載波比N是變化的。異步調(diào)制的主要特點(diǎn)是：在信號波的半個(gè)周期載波比N等于常數(shù)，并在變頻時(shí)使載波和信號波保持同步的方式稱為時(shí)載波比N不變，信號波一個(gè)周期內(nèi)輸出的脈沖數(shù)是固定的，脈沖相位也什么是SPWM波形的規(guī)則化采樣法和自然采樣法比規(guī)則采樣法有什么答：SPWMTcuuuADrcBttttOADB22uo'Ot第8章U4.44fNBS率f提高時(shí)，可減小N、S歷程可將軟開關(guān)電路分為準(zhǔn)諧振電路，零開關(guān)PWM電路和零轉(zhuǎn)換PWM電路。