半導(dǎo)體存儲器分為哪兩種-與磁性存儲器區(qū)別

半導(dǎo)體存儲器分為哪兩種_與磁性存儲器區(qū)別1.半導(dǎo)體存儲器分類的定義及分類半導(dǎo)體存儲器是指用半導(dǎo)體大規(guī)模集成存儲器芯片作為存儲媒體的，能對數(shù)據(jù)信息進(jìn)行存取的存儲設(shè)備。多用作計算機(jī)可尋址存儲器。從使用功能角度看，半導(dǎo)體存儲器可以分為兩大類：易失性存儲器VM(Volatile

Memory)和非易失性存儲器NVM(Non-VolatileMemory)。(1)易失性存儲器所謂易失性存儲器就是指存儲器中存儲的數(shù)據(jù)會在存儲器斷電后丟失。一般易失性存儲器包括靜態(tài)隨機(jī)存儲器SRAM(StaticRandomAccessMemory)和動態(tài)隨機(jī)存儲器DRAM(Dynamic

RandomAccessMemory);而對于非易失性存儲器主要包括掩膜只讀存儲器MROM(MaskRead-Only

Memory)、可編程只讀存儲器PROM(ProgrammableRead-OnlyMemory)、可擦除可編程只讀存儲器EPROM

(EraseProgrammableRead-OnlyMemory)、電可擦除可編程只讀存儲器EEPROM(ElectricallyErasable

ProgrammableRead-OnlyMemory)、閃速存儲器FlashMemory、鐵電存儲器FeRAM(Ferroelectric

RandomAccessMemory)等(2)非易失性存儲器非易失性存儲器就是數(shù)據(jù)在斷電后不會丟失的半導(dǎo)體存儲器?，F(xiàn)在市面上使用較為廣泛的非易失性存儲器主要就是EEPROM和Flash這兩類。而EEPROM以其自身具有電可擦寫，可編程的特點，使用靈活且可靠性高，在市場上表現(xiàn)出巨大的潛力。就當(dāng)今市場上看來，對片上系統(tǒng)的一個重要解決方案就是EEPROM存儲器。它不僅提供了用不同軟件對芯片進(jìn)行現(xiàn)場編程或者現(xiàn)場升級的能力，還能夠?qū)鏟IN碼這類重要的本地信息數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲，并且這些信息在設(shè)備掉電的時候仍然能夠保存。同時EEPROM相比于Flash存儲器而言，其功耗更低，擦寫更方便;在頻標(biāo)簽RFID，IC智能卡等這類小容量、低功耗的應(yīng)用場合，EEPROM的地位在一定時期內(nèi)還是無人可撼。2.半導(dǎo)體存儲器的優(yōu)點(1)存儲單元陣列和主要外圍邏輯電路制作在同一個硅芯片上，輸出和輸入電平可以做到同片外的電路兼容和匹配。這可使計算機(jī)的運算和控制與存儲兩大部分之間的接口大為簡化;(2)數(shù)據(jù)的存入和讀取速度比磁性存儲器約快三個數(shù)量級，可大大提高計算機(jī)運算速度;(3)利用大容量半導(dǎo)體存儲器使存儲體的體積和成本大大縮小和下降。3.半導(dǎo)體存儲器與磁性存儲器區(qū)別同磁性存儲器相比，半導(dǎo)體存儲器具有存取速度快、存儲容量大、體積小等優(yōu)點，并且存儲單元陣列和主要外圍邏輯電