采用BGA封裝的低EMI μModule穩(wěn)壓器有助于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

【W(wǎng)ord版本下載可任意編輯】采用BGA封裝的低EMIμModule穩(wěn)壓器有助于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)擁擠的應(yīng)用板上很難再集成高性能DC-DCPOL轉(zhuǎn)換器。此外，電磁干擾(EMI)也是元件密度較高時(shí)不能忽略的問(wèn)題，因此可選擇的電源解決方案十分有限。LTM8074?Module?穩(wěn)壓器能夠輕松克服這些限制因素。它設(shè)計(jì)緊湊，體積小巧，能夠輕松裝入PCB正面或反面的有限空間。LTM8074采用SilentSwitcher?架構(gòu)，無(wú)需安裝額外的濾波或屏蔽元件，即可通過(guò)嚴(yán)格的EMI測(cè)試，有助于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)和生產(chǎn)。

1.2ASilentSwitcher?Module穩(wěn)壓器

LTM8074是一款完整的超低EMI、高壓輸入和輸出、DC-DC降壓開(kāi)關(guān)電源。它采用符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的4mm×4mm×1.92mmBGA表貼封裝（圖1），其中包含控制器、電源開(kāi)關(guān)、電感和所有支持元件，可利用PC板底部的未用空間，實(shí)現(xiàn)高功率密度負(fù)載點(diǎn)調(diào)整。

LTM8074的工作輸入電壓范圍是3.4V至40V，輸出電壓是0.78V至15V。輸出電壓可以實(shí)現(xiàn)精細(xì)調(diào)節(jié)，輸出電流為1.2A。這款高效率器件采用散熱增強(qiáng)型封裝，提供出色的散熱性能和高功率密度。圖2所示為L(zhǎng)TM8074在負(fù)載條件下，殼溫小幅上升，且熱阻較低。

圖1.LTM8074使用SilentSwitcher架構(gòu)，實(shí)現(xiàn)完整的小型封裝低噪聲解決方案。

內(nèi)部控制器的峰值電流模式控制架構(gòu)能實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)和良好的環(huán)路穩(wěn)定性。輸出電壓的快速瞬態(tài)響應(yīng)和低峰峰值電壓偏差情況如圖3所示。

通過(guò)內(nèi)部反應(yīng)環(huán)路補(bǔ)償，可在多種工作條件下提供足夠的穩(wěn)定性裕量，支持各種輸出電容，從而簡(jiǎn)化了整體設(shè)計(jì)。LTM8074采用SilentSwitcher架構(gòu)，將輻射發(fā)射降至，輕松滿(mǎn)足嚴(yán)格的電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn)要求。

圖2.室溫條件(23°C)下，LTM8074在滿(mǎn)載（1A電流，12V輸入，5V輸出）情況下溫度小幅上升。

圖3.使用輸出電容（2?F×4.7F陶瓷電容）時(shí)，LTM8074提供快速瞬態(tài)響應(yīng)（12VIN，3.3VOUT）。

適合狹小緊湊的空間

LTM8074以緊湊的外形集成了所有支持元件，簡(jiǎn)化了布局設(shè)計(jì)并縮小了解決方案尺寸。只需輸入和輸出電容、頻率和電壓設(shè)置電阻即可形成完整設(shè)計(jì)。圖4和圖5分別顯示了典型應(yīng)用電路及其效率。

雖然LTM8074的?Module設(shè)計(jì)幾乎是可直接使用的獨(dú)立自足型穩(wěn)壓器，但也可以輕松調(diào)整一些設(shè)計(jì)參數(shù)來(lái)滿(mǎn)足具體應(yīng)用需要。輸出電壓和工作頻率具有電阻可編程特性，工作頻率可以設(shè)置為與外部時(shí)鐘同步。LTM8074還提供可編程軟啟動(dòng)、輸出電壓跟蹤、電源良好指示和使能控制以及多種導(dǎo)通模式選項(xiàng)，包括跳脈沖模式、突發(fā)模式?工作和擴(kuò)頻調(diào)制，進(jìn)一步優(yōu)化了EMI性能和輕載效率。

圖4.實(shí)現(xiàn)7V至40V輸入、5VOUT1.2A設(shè)計(jì)只需極少的元件。

超低噪聲：CISPR22B類(lèi)

開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器本身會(huì)產(chǎn)生輻射EMI，在相對(duì)較高的頻率工作時(shí)需要高dI/dt事件。LTM8074內(nèi)置專(zhuān)有SilentSwitcher架構(gòu)，可實(shí)現(xiàn)低EMI性能，不必采用復(fù)雜的EMI抑制技術(shù)，如降低開(kāi)關(guān)頻率、增加濾波電路或安裝屏蔽部件等。無(wú)需外部電路或特殊布局方法即可滿(mǎn)足CISPR22B類(lèi)等輻射EMI標(biāo)準(zhǔn)，具體請(qǐng)參見(jiàn)圖6和圖7。

圖5.LTM8074典型效率。

圖6.1.2A、12VIN、3.3VOUT條件下，EMI性能與CISPR22B類(lèi)要求比照（3個(gè)計(jì)量值，峰值，垂直天線(xiàn)，無(wú)EMI濾波器）。

圖7.1.2A、24VIN、3.3VOUT條件下，EMI性能與CISPR22B類(lèi)要求比照（3個(gè)計(jì)量值，峰值，垂直天線(xiàn)，無(wú)EMI濾波器）。

結(jié)論

LTM8074是一款緊湊型1.2A負(fù)載點(diǎn)?