華虹半導(dǎo)體深度報告

華虹半導(dǎo)體深度報告一、8

寸特色代工龍頭，量價齊升帶動業(yè)績高成長1.1

8

寸晶圓特色代工龍頭，12

寸晶圓穩(wěn)步推進(jìn)國內(nèi)

8

寸晶圓代工龍頭。華虹半導(dǎo)體成立于

2005

年，2014

年

10

月港

股上市代碼

1347.HK，公司是國內(nèi)大陸最大的8英寸晶圓廠，產(chǎn)能約

17.8

萬片/月，也是全球具有領(lǐng)先地位的

200mm純晶圓代工廠，由于

200mm半導(dǎo)體代工公司的競爭力在于擁有特種晶圓工藝，公司工藝技術(shù)覆蓋

1

微米-90

納米各節(jié)點，技術(shù)組合包括嵌入式非易失性存儲器、功率器件、

RFCMOS、MCU、模擬及混合信號、電源管理及

MEMS等若干其他先

進(jìn)工藝技術(shù)，是具有一定競爭力的先進(jìn)工藝平臺。12

寸晶圓廠

20

年投產(chǎn)打開成長新空間。公司客戶包括集成器件制造商

系統(tǒng)及

fabless半導(dǎo)體公司，生產(chǎn)的半導(dǎo)體被植入不同市場包括電子消

費品、通訊、計算機(jī)、工業(yè)及汽車等多種產(chǎn)品中，公司利用自身的專有

工藝及技術(shù)，為多元化的客戶制造其設(shè)計規(guī)格的半導(dǎo)體，鑒于公司

8

寸

產(chǎn)線產(chǎn)能利用率

2020Q4

超

99%，2021Q1

超

104%且居高不下以及未

來面對

IOT、物聯(lián)網(wǎng)新需求，公司

2021

年無錫晶圓廠

12

寸產(chǎn)線產(chǎn)能繼

續(xù)加大投產(chǎn)，根據(jù)公司公告，5

月份無錫

12

寸最新產(chǎn)能為

4.8

萬片/月，

預(yù)計年底產(chǎn)能穩(wěn)步到

6.5

萬片/月，將帶來更為廣泛的產(chǎn)品應(yīng)用和成長空

間。1.2

實際控制人為國資委，大基金入股+地方政府增添發(fā)展信心實際控制人為上海國資委。公司目前為華虹集團(tuán)旗下唯一上市公司，華

虹集團(tuán)通過子公司上海華虹國際有限公司持股

27%（截止到

2020

年

12

月

31

日），而華虹集團(tuán)目前的股東為上海聯(lián)合投資、中國電子信息產(chǎn)業(yè)

集團(tuán)、上海金橋集團(tuán)等，股東均為上海國資委直接管理的國有企業(yè)。大基金入股+地方政府增添發(fā)展信心。2017

年

8

月

2

日，華虹宏力、無

錫市政府及國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（簡稱大基金）簽約，在無錫建

設(shè)

12

英寸晶圓廠一座，項目總投資

25

億美元（各出資

1/3），我們認(rèn)為

無錫政府、大基金的參與有助于加大公司在

12

寸的建設(shè)進(jìn)度以及通過

政府補(bǔ)貼幫助前期渡過利潤虧損期。另外

2018

年

1

月

3

日，華虹半導(dǎo)

體發(fā)布公告稱，與國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份有限公司簽訂了認(rèn)購

協(xié)議，擬向大基金發(fā)行約

4

億美元從而大基金成為主要股東，根據(jù)港交

所最新資料顯示，2021

年

6

月

30

日，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金股份

有限公司持有華虹半導(dǎo)體的股份占比最新為

16.92%。我們認(rèn)為公司綁定

大基金、無錫政府等將有助于無錫產(chǎn)線效益的加速釋放。1.3

需求飽滿，營收和凈利潤觸底反彈開啟高成長布局智能卡、功率半導(dǎo)體等景氣行業(yè)，12

寸產(chǎn)能占比逐漸加大。公司業(yè)

務(wù)覆蓋分立器件、嵌入式非易失性存儲器、邏輯及射頻、模擬及電源管

理、獨立非易失性存儲器等代工，根據(jù)

2021

年半年報，對應(yīng)銷售占比

分別為

34.6%、29.9%、16.5%、13.6%、5.3%等比例，其中分立器件、

嵌入式非易失性存儲器合計占比

65.5%，如具體下游應(yīng)用包括通用

MOSFET、IGBT、超級結(jié)產(chǎn)品以及身份證、銀行卡、社保卡、MCU、

等且均為高景氣行業(yè)。此外，邏輯及射頻業(yè)務(wù)、模擬及電源管理業(yè)務(wù)增

長迅速，根據(jù)

2021

年半年報，邏輯與射頻和模擬及電源管理營收分別

增長

113%和

49%。NORflash、CIS等帶來制程比例提高。從制程角度，根據(jù)公司二季度

報告，公司第一大制程為

0.35um及以上營收占比

43.9%，主要是用

MOSFET、超級結(jié)、IGBT及

LED照明產(chǎn)品等，其余制程重點關(guān)注

55nm及

65nm營收占比

8.8%，但同比增加

3241%、主要得益于

NORflash、CIS及邏輯產(chǎn)品的需求增加；90nm及

95nm制程營收同比增加

127%，主要得

益于

CIS、其他電源管理、MCU及智能卡芯片的需求增加，另外

0.25um制程營收同比增加

74%，主要得益于邏輯產(chǎn)品的需求增加?！?+12

寸”產(chǎn)能利用率提升疊加漲價，營收和利潤開啟高速成長。復(fù)

盤公司發(fā)展，公司2016年-2020年以來營收和業(yè)績復(fù)合增速分別為7.6%

和-7%，其中營收保持穩(wěn)定增長，主要公司

8

寸工廠受下游國內(nèi)外設(shè)計

廠商成長穩(wěn)定發(fā)展，業(yè)績復(fù)合增速下降，主要是公司之前擴(kuò)產(chǎn)無錫華虹

折舊影響，根據(jù)公司最新

2021

年半年報數(shù)據(jù)，公司收入創(chuàng)下新高，達(dá)

到

6.51

億美元，同比增長

52.0%，主要受益于付運晶圓增加以及

ASP的上漲，如公司

Q2

季度

8

寸晶圓產(chǎn)能利用率為

112%環(huán)比繼續(xù)提升

7.7

個百分點，歸屬于母公司凈利潤為

7710

萬美元，同比增長

102.3%，主

要受益于營收高增長以及無錫折舊減少疊加漲價和規(guī)模效應(yīng)下帶動的毛

利率的提升，如公司

2021

年

Q2

季度

8

寸毛利率為

31.6%，同比增加

3.9

個百分點，12

寸晶圓毛利率為

3.3%，同比提高

16

個百分點。二、供需矛盾帶來特色工藝量價齊升高景氣2.1

8

寸產(chǎn)線下游應(yīng)用以模擬、功率等特色領(lǐng)域為主8

英寸和

12

英寸晶圓是主流配置，其中

12

寸主要成長動力來自于存儲

和邏輯芯片，而

8

英寸晶圓的下游需求主要來自于電源管理芯片、CMOS圖像傳感芯片、指紋識別芯片、顯示驅(qū)動

IC、射頻芯片以及功率器件等

領(lǐng)域。

8

英寸晶圓產(chǎn)能緊缺的情況其實在

2018、2019

年就已出現(xiàn)，主

要是手機(jī)多攝像頭、指紋等帶動

CMOS圖像傳感器、指紋識別芯片等需

求提升。到

2020

年，5G手機(jī)、汽車、物聯(lián)網(wǎng)等滲透率快速提升，使得

功率、電源管理、功率器件等需求大增，再加上“疫情”驅(qū)動在家辦公、

在線教育等需求增加，使得筆記本、平板等電子產(chǎn)品需求增長，從而拉

動驅(qū)動

IC芯片、分離式元件及其他半導(dǎo)體元件需求增長。根據(jù)

TMR預(yù)

測

2018-2026

電源管理芯片年均復(fù)合增長率為

10.69%，Yole預(yù)測

2018-2022

年功率半導(dǎo)體市場規(guī)模年復(fù)合增長率分別為

4.1%。下文我們

從需求端和供給端

2

方面重點分析。2.2

需求端：四大需求驅(qū)動特色工藝需求旺盛需求

1：模擬芯片的元年從

2019

年開始國內(nèi)模擬芯片市場2000多億，行業(yè)處于上升發(fā)展期。根據(jù)wind數(shù)據(jù)，2008

年到2020年全球模擬數(shù)字芯片銷售額從356.4億美元增長到556.6億美

元，年復(fù)合增速為3.79%，其中2020年全球模擬芯片市場全年實現(xiàn)銷售收

入556.6億美元，同比增長3.19%?；仡檱鴥?nèi)模擬芯片發(fā)展，2014年隨著

世界經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇帶動了整機(jī)出口的回暖，中國的模擬集成電路市場呈現(xiàn)平穩(wěn)增長態(tài)勢。受智能手機(jī)市場影響，模擬芯片市場需求周期性明顯。根

據(jù)頭豹研究院數(shù)據(jù)，2019年，中國模擬芯片市場規(guī)模為2,158.0億元，同

比下降5.9%。受全球疫情影響，2020年模擬芯片市場需求量預(yù)計呈下滑

趨勢。2020至2024年，中國模擬芯片市場預(yù)計將迎來上升周期，2024年

市場規(guī)模將達(dá)到2,618.2億元，復(fù)合增長5.4%。細(xì)分構(gòu)成：消費電子占比半壁江山，新能源汽車增長迅速。模擬芯片用

途廣泛，產(chǎn)品應(yīng)用涉及移動通信、工業(yè)控制、汽車電子、網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、消

費類電子、智能家電等眾多領(lǐng)域；從應(yīng)用結(jié)構(gòu)來看，根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，2018

年移動與消費電子領(lǐng)域占比51%；隨著可穿戴和5G手機(jī)的不斷滲透以及新

能源汽車的發(fā)展，應(yīng)用于消費電子與汽車領(lǐng)域的電源管理IC有望持續(xù)提

升。另外隨著智能家居、可穿戴設(shè)備、智能醫(yī)療電子等產(chǎn)品智能化水平

提升，各類新興消費電子產(chǎn)品對于模擬集成電路的需求也在不斷攀升。

此外，新能源汽車快速滲透，也帶動模擬集成電路產(chǎn)品的需求量近年實

現(xiàn)快速增長。我們重點介紹下消費電子領(lǐng)域的應(yīng)用和市場消費電子：手機(jī)是電源管理芯片重要的應(yīng)用領(lǐng)域之一，由于手機(jī)各

模塊元器件正常工作適用的電壓、電流不同，需要電源管理芯片提

供電源轉(zhuǎn)換、調(diào)節(jié)、開關(guān)、防護(hù)等各類解決方案。另外隨著手機(jī)在

日常生活中使用的場景、頻次增多，其功能日益復(fù)雜、性能持續(xù)提

升并要求更高的安全性，下游手機(jī)品牌客戶對電源轉(zhuǎn)換和防護(hù)等級

等使用數(shù)量、密度等各個方面提出了更高要求。隨著手機(jī)功能復(fù)雜性的增加以及安全等級的提高，對電源管理芯

片帶來更多的增加。（1）、智能手機(jī)功能復(fù)雜化及性能提升，電源轉(zhuǎn)換類芯片的市場

需求有所增加。近年隨著功能復(fù)雜化及性能提升，手機(jī)電路系統(tǒng)模

塊相應(yīng)增加。為實現(xiàn)不同模塊協(xié)同供電和電源管理，手機(jī)對轉(zhuǎn)換類

電源管理芯片需求出現(xiàn)上升趨勢。以手機(jī)攝像功能為例，隨著消費

者拍攝需求增加，除提升像素外，手機(jī)企業(yè)還在主攝基礎(chǔ)上增加景

深鏡頭、微距鏡頭、廣角鏡頭等來提升拍攝性能，使得攝像頭數(shù)量

有所增長。根據(jù)IDC及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院統(tǒng)計，2019年手機(jī)搭載攝像

頭顆數(shù)達(dá)3.21顆/臺。主流手機(jī)廠商的旗艦產(chǎn)品已配置3~4顆攝像

頭，部分產(chǎn)品已增至五顆。手機(jī)攝像頭數(shù)量持續(xù)增加，使得應(yīng)用于

攝像頭中的LDO等芯片市場需求也相應(yīng)增長。（2）、手機(jī)電池安全需求的增加推動了電源防護(hù)類芯片的需求增

加。在手機(jī)設(shè)計過程中，需充分考慮內(nèi)部電路各模塊的安全防護(hù)，

確保產(chǎn)品使用過程中的安全可靠。近年來，手機(jī)電池安全需求的增

加推動了過壓防護(hù)、過流防護(hù)等電源防護(hù)類產(chǎn)品市場需求的增長。（3）、5G技術(shù)發(fā)展將為電源管理芯片帶來廣闊的市場空間。隨著

5G技術(shù)的發(fā)展，手機(jī)交互功能進(jìn)一步增多，各功能模塊對電源要求

與3G、4G手機(jī)有所區(qū)別，對手機(jī)電源管理芯片的噪聲水平、功耗等

性能提出了更高要求。如一臺3G手機(jī)只需要2顆電源管理IC，一臺

4G智能手機(jī)則需要4-6顆。例如三星GalaxyS10+中有6個獨立的電

源管理芯片，其中3個專門用于攝像頭和顯示屏。隨著5G手機(jī)模塊

功能復(fù)雜化，一臺5G智能手機(jī)目前需要至少8-10顆電源管理IC，部

分手機(jī)甚至多達(dá)10-15顆。用于管理攝像頭、顯示器、RF和整體電

路。5G單機(jī)用量相比較4G手機(jī)多出了50%的用量。另外，快充基本

成為中高端旗艦手機(jī)的標(biāo)配，并且有向低端化產(chǎn)品延申的趨勢。

具備快充功能的產(chǎn)品，手機(jī)端和充電器端均需裝載快充芯片，一般

包含電源主控IC、快充協(xié)議控制IC以及同步整流控制IC，配置快充功能的手機(jī)，一個快充頭又增加了3顆電源管理IC用量，預(yù)測2023

年僅全球智能手機(jī)市場所需電源管理芯片數(shù)量就高達(dá)226億顆。需求

2：功率半導(dǎo)體

MOS&IGBT的國產(chǎn)替代從

2020

年開始分立器件介紹：集成電路是將多個電阻，電容，晶體管等分立元件或集

成電路集成在一起，實現(xiàn)某種功能的電路，而分立元件是與集成電路相

對而言的，一般指普通的電阻、電容、二極管、三極管、雙極型功率晶

體管（GTR）、晶閘管（可控硅）、場效應(yīng)晶體管（結(jié)型場效應(yīng)晶體管、

MOSFET）、IGBT、IGCT、發(fā)光二極管、敏感器件等根據(jù)自身的材料特

性或電性來呈現(xiàn)獨立的功能。主要用于電力設(shè)備的電能變換和控制電路

方面大功率的電子器件（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以

上），按照電力電子器件能夠被控制電路信號所控制的程度分類又可分為

半控型器件，例如晶閘管；全控型器件，例如

GTO（門極可關(guān)斷晶閘管）、

GTR（電力晶體管），MOSFET（電力場效應(yīng)晶體管）、IGBT（絕緣柵

雙極晶體管）；不可控器件（電力二極管）；其中占比較高的為

MOSFET41%、IGBT30%等第二代功率半導(dǎo)體，我們下文重點剖析其市場規(guī)模和

增速。1、MOSFET業(yè)務(wù)：國內(nèi)替代疊加汽車電子驅(qū)動帶來高成長MOSFET即MOS（MetalOxideSemiconductor金屬氧化物半導(dǎo)體）

+FET（FieldEffectTransistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵

極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導(dǎo)體（S）的場效應(yīng)晶體管，

是用在模擬電路與數(shù)字電路中開關(guān)電源中用于檢波、整流、放大、開光、

穩(wěn)壓、信號調(diào)制等可以廣泛使用的重要元器件。工作原理：功率MOSFET的種類按導(dǎo)電溝道可分為P溝道和N溝道。按

柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時漏源極之間就存在導(dǎo)

電溝道，增強(qiáng)型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時才

存在導(dǎo)電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。截止：漏源極間加正電源，柵源極間電壓為零。P基區(qū)與

N漂移區(qū)

之間形成的

PN結(jié)

J1

反偏，漏源極之間無電流流過。導(dǎo)電：在柵源極間加正電壓

UGS，柵極是絕緣的，所以不會有柵極

電流流過。但柵極的正電壓會將其下面

P區(qū)中的空穴推開，而將

P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的

P區(qū)表面當(dāng)

UGS大于

UT（開啟電壓或閾值電壓）時，柵極下

P區(qū)表面的電

子濃度將超過空穴濃度，使

P型半導(dǎo)體反型成

N型而成為反型層，

該反型層形成

N溝道而使

PN結(jié)

J1

消失，漏極和源極導(dǎo)電。主要作用。功率MOSFET具有低的柵極驅(qū)動功率、快的開關(guān)速度和優(yōu)異

的并聯(lián)工作能力，許多功率MOSFET具有縱向的垂直結(jié)構(gòu)，源極和漏極

在晶圓相對平面，從而可以流過大的電流和具有高的電壓，特別是高頻

功率變換中，MOSFET以高速、低開關(guān)損耗、低驅(qū)動損耗在各種功率變

換，起著重要作用；在低壓領(lǐng)域，MOSFET沒有競爭對手。汽車電子等帶動市場規(guī)模70億中速增長。2016年下半年開始，國內(nèi)

MOSFET開始缺貨、漲價并延續(xù)到2018年，除了硅晶圓成本的原因，需

求端的供不應(yīng)求是導(dǎo)致業(yè)內(nèi)缺貨的主因，如部分廠商的交貨周期也由原

來的8-12周延長到20-40周，很多廠商即使有錢買不到貨，從下游看

MOSFET需求在消費電子、計算機(jī)主板、NB、計算機(jī)類適配器、LCD顯示器等需求較大，而未來增長主要來自于汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)、手機(jī)快

充、無線充電芯片，以及鋰電池管理芯片、云端運算及服務(wù)器等的快速

發(fā)展。以汽車電子為例，隨著汽車功能電子化趨勢的不斷增強(qiáng)，汽車內(nèi)的電子元件越來越多，應(yīng)用環(huán)境日益嚴(yán)苛，汽車設(shè)計工程師需要考慮空

間和性能等多方面因素，功率MOSFET是提供低功耗和更小尺寸的理想

器件，被廣泛用于許多汽車應(yīng)用，如防抱死制動系統(tǒng)(ABS)的油壓閥控

制、電動窗和LED照明的電機(jī)控制、氣囊、暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)、動力

總成應(yīng)用、電子動力轉(zhuǎn)向和信息娛樂系統(tǒng)等等。2016年整個功率

MOSFET市場營收接近62億美元，根據(jù)麥姆斯咨詢預(yù)計功率MOSFET市場將復(fù)合年增長率3.4%穩(wěn)定增長，汽車電子以5.1%的復(fù)合年增長率快

速增長。國產(chǎn)市占率目前不到

15%，替代空間大。國內(nèi)功率半導(dǎo)體近幾年隨著光

伏、消費電子等發(fā)展迅速，但產(chǎn)品主要集中在二極管、低壓

Mos器件、

晶閘管等低端領(lǐng)域，生產(chǎn)工藝成熟且具有成本優(yōu)勢，但在新能源汽車、

航空、軌道交通等高端產(chǎn)品領(lǐng)域，國內(nèi)僅有極少數(shù)廠商擁有生產(chǎn)能力，

目前高端產(chǎn)品市場主要被英飛凌、安森美、瑞薩、東芝等歐美日廠商所

壟斷，根據(jù)

IHS的數(shù)據(jù)，2018

年全球

MOSFET市場中英飛凌與安森美兩

家占比

41%，而

2018

年國內(nèi)

MOSFET國內(nèi)市場銷售份額中，英飛凌與安

森美兩家外資廠商占比達(dá)到

45.3%，國內(nèi)廠商中僅華潤微位于前三占有

率到

8.7%、新潔能位于前十市占率約

3.6%，疊加其他國內(nèi)廠家我們預(yù)計

國產(chǎn)市占率不到

15%。隨著國內(nèi)下游需求疊加外資廠商相繼退出中低壓

MOSFET產(chǎn)品，MOSFET迎國產(chǎn)替代黃金時期，我們認(rèn)為短期內(nèi)設(shè)計廠商相

較于

IDM廠商更容易把握“進(jìn)口替代”進(jìn)程，取得快速發(fā)展。2、超級結(jié)

MOSFET：增長驅(qū)動在產(chǎn)品高階發(fā)展和國產(chǎn)替代平面技術(shù)存在諸多缺點。在超級結(jié)MOSFET出現(xiàn)之前，高壓器件的主要

設(shè)計平臺是基于平面技術(shù)，但平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積

漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對更高的漏源電阻，使用高單元密度和大管芯

尺寸可實現(xiàn)較低的RDS(on)值，但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極

和輸出電荷，這會增加開關(guān)損耗和成本，另外還存在對于總硅片電阻能

夠達(dá)到多低的限制。超級結(jié)MOSFET主要是為600V以上且具備較高的效率。從物理意義上

理解：器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個分量之和：對于

低壓MOSFET，三個分量是相似的。但隨著額定電壓增加，外延層需要

更厚和更輕摻雜，以阻斷高壓；額定電壓每增加一倍，維持相同的RDS(on)

所需的面積就增加為原來的五倍以上，對于額定電壓為600V的

MOSFET，超過95%的電阻來自外延層，顯然要想顯著減小RDS(on)的

值，就需要找到一種對漂移區(qū)進(jìn)行重?fù)诫s的方法，并大幅減小epi電阻。

而采用超級結(jié)技術(shù)有助于降低導(dǎo)通電阻并提高M(jìn)OSFET的開關(guān)速度，即

提供更低的RDS(on)，同時具有更少的柵極和和輸出電荷，這有助于在

任意給定頻率下保持更低的損耗、更高的效率。超級結(jié)

MOSFET應(yīng)用于高階市場，新能源汽車帶動規(guī)模起來。SJMOSFET目前主要用于高壓高功率細(xì)分領(lǐng)域，具體如：1）電腦、服務(wù)

器的電源——更低的功率損耗；2）適配器（筆記本電腦，打印機(jī)等）——

更輕、更便捷；3）照明（HID燈，工業(yè)照明，道路照明等）——更高的

功率轉(zhuǎn)換效率；4）消費類電子產(chǎn)品（液晶電視，等離子電視等）——更

輕、更薄、更高能效。根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)

YoleDeveloppement預(yù)測

SJMOSFET技術(shù)市場有

2/3

應(yīng)用于消費型產(chǎn)品，像是桌上型電腦或是游戲

機(jī)的電源供應(yīng)器，同時憑借發(fā)熱量低、體積大幅的縮小在混合動力車和

電動車直流/直流（DC/DC）轉(zhuǎn)換器及充電器；而且現(xiàn)有一些新型功率器

件包括

GaN、SiC等技術(shù)在消費電子領(lǐng)域都有其應(yīng)用的局限性，超級結(jié)

技術(shù)的

MOSFET開關(guān)器件的生命周期將會很長，預(yù)計未來

10-20

年內(nèi)

都將是市場的主流，YoleDeveloppement預(yù)測

SJMOSFET市場規(guī)模

2019

年

10

億美元，增速近

10%。超級結(jié)

MOSFET國內(nèi)替代率低，國內(nèi)廠商開始崛起。目前國內(nèi)超級結(jié)

MOSFET廠商以國外英飛凌、TI、仙童、東芝等為主，如英飛凌開發(fā)的

多磊晶技術(shù)，由摻雜（doping）磊晶在磊晶層上形成島狀的摻雜區(qū)域，

使該區(qū)域擴(kuò)散形成一個氮摻雜（N-doped）平面以及采用深反應(yīng)離子蝕

刻挖出溝槽狀結(jié)構(gòu)，再將氮摻雜材料填補(bǔ)于溝槽，制造出超接面的結(jié)構(gòu)，

如東芝、快捷半導(dǎo)體、艾斯摩斯科技。但國內(nèi)超級結(jié)廠商隨著下游節(jié)能

降耗大趨勢、世界各國對消費產(chǎn)品能源標(biāo)準(zhǔn)的提升，以及國內(nèi)外電器行

業(yè)都在經(jīng)歷產(chǎn)品升級需要對電路進(jìn)行重新設(shè)計，采用更高效率、性能更

好的開關(guān)器件的需求，所采用的

MOSFET正從傳統(tǒng)平面結(jié)構(gòu)向超級結(jié)

技術(shù)過渡，根據(jù)產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)研，目前現(xiàn)在國內(nèi)生產(chǎn)的電器產(chǎn)品中采用超級

結(jié)

MOSFET的比例相對較小。國產(chǎn)空間較大，如消費電子領(lǐng)域的新興

應(yīng)用如手機(jī)快速充電以及超薄大屏

LED電視等產(chǎn)品的普及、充電樁等新

興應(yīng)用也將帶來較大的需求增量，國內(nèi)廠商如依托上市公司的長園維安、

蘇州東微半導(dǎo)體、技術(shù)領(lǐng)先的西安龍騰、尚陽通、無錫新潔能、華潤華晶等將受益，如龍騰半導(dǎo)體

2018

年主導(dǎo)）。IGBT：增長驅(qū)動在于汽車和工業(yè)，國內(nèi)

IGBT市場規(guī)模有望

15%增速基本功能：IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT(雙極結(jié)型晶體三極

管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)

體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當(dāng)做開路。而IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點，GTR飽和壓降低，載流密度

大，但驅(qū)動電流較大；MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓

降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點：驅(qū)動功率小而飽

和壓降低，是一種適合于中、大功率應(yīng)用的電力電子器件。工作原理：IGBT是以GTR為主導(dǎo)元件，MOSFET為驅(qū)動元件的達(dá)林頓

結(jié)構(gòu)的復(fù)合器件。其外部有三個電極，分別為G-柵極，C-集電極，E-發(fā)

射極。在IGBT使用過程中，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極

電壓UGE的大小，從而實現(xiàn)對IGBT導(dǎo)通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。當(dāng)IGBT柵-射極加上加0或負(fù)電壓時，MOSFET內(nèi)溝道消失，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)。當(dāng)集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結(jié)處于反偏，IGBT呈反向阻斷

狀態(tài)。當(dāng)集-射極電壓UCE＞0時，分兩種情況：（1）若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)；（2）若柵-射極電

壓UGE＞Uth，柵極溝道形成，IGBT呈導(dǎo)通狀態(tài)（正常工作）。此

時，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減少N基區(qū)電阻RN的

值，使IGBT通態(tài)壓降降低。新能源汽車帶來主要應(yīng)用。IGBT目前是功率電子器件里技術(shù)最先進(jìn)的產(chǎn)品，被稱為電力電子行業(yè)里的“CPU”，也是十二五”期間國家16個重大技

術(shù)突破專項中的第二位（簡稱“02專項”）已經(jīng)全面取代了傳統(tǒng)的PowerMOSFET，其應(yīng)用非常廣泛，小到家電、大到飛機(jī)、艦船、交通、新能

源汽車、智能電網(wǎng)等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)，根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會從應(yīng)用市場

劃分來看，汽車和工業(yè)是IGBT最主要的兩個市場，占比分別達(dá)到27%和

28%（以前主要是大功率的工業(yè)電控裝置）。以新能源汽車為例，新能

源汽車主要靠電驅(qū)動，電分為高壓電、低壓電，IGBT的好壞直接影響電

動車功率的釋放速度。簡單解釋，IGBT是實現(xiàn)將高壓轉(zhuǎn)換成低壓、低壓

轉(zhuǎn)換成高壓的必不可少的器件，目前在逆變器及充電樁等設(shè)備的核心技

術(shù)部件。國內(nèi)IGBT市場規(guī)模有望在15%增速。IGBT在汽車領(lǐng)域發(fā)展迅速，從成本結(jié)構(gòu)上看，IGBT約占電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)成本的一半，

而電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)占整車成本的15-20%，也就是說IGBT占整車成本的

7-10%，是除電池之外成本第二高的元件，也決定了整車的能源效率。

根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)StrategyAnalytics的數(shù)據(jù)，特斯拉(雙電機(jī)全驅(qū)動版)

共計使用了132個IGBT，由英飛凌提供，其中后電機(jī)為96個，前電機(jī)為

36個，每個單管價格大約4-5美元，合計大約650美元。如果用模需要

12-16個模塊，成本大約1200-1600美元。如果推廣到其他智能電網(wǎng)、軌

交，根據(jù)WSTS、賽迪智庫預(yù)測，2015年國際IGBT市場規(guī)模約為48億美

元，預(yù)計到2020年市場規(guī)模可以達(dá)到80億美元，年復(fù)合增長率約10%。

而2014年國內(nèi)IGBT銷售額是88.7億元，約占全球市場的1∕3，預(yù)計2020

年中國IGBT市場規(guī)模將超200億元，年復(fù)合增長率約為15%。IGBT主要

應(yīng)用于電動汽車領(lǐng)域中以下幾個方面：電動控制系統(tǒng)：IGBT主要用于電機(jī)控制器中，在電機(jī)控制器的成本

占比約為20%，IGBT將動力電池的直流電逆變成交流電提供給驅(qū)動

電機(jī)；充電樁中：IGBT主要運用于直流快充電樁，直流電樁通過三相電網(wǎng)

輸入交流電，經(jīng)過三相橋式不可控整流電路整流變成直流電，濾波

后提供給高頻DC-DC功率變換器，進(jìn)而輸出需要的直流，為電動汽

車動力蓄電池充電；車載空調(diào)控制系統(tǒng)：實現(xiàn)小功率的

DC/AC逆變，從而驅(qū)動空調(diào)系

統(tǒng)運行。國外IDM一體化為主，國內(nèi)封裝、設(shè)計逐步追趕。IGBT系統(tǒng)技術(shù)分為IGBT芯片技術(shù)、模塊封裝技術(shù)及應(yīng)用測試技術(shù)三大部分，全球市場競爭格局

方面，

根據(jù)

Omdia統(tǒng)計，全球

IGBT市場競爭格局較為集中，2019

年

全球前五大

IGBT標(biāo)準(zhǔn)模塊廠商分別為英飛凌、三菱電機(jī)、富士電機(jī)、賽

米控和日立功率半導(dǎo)體，合計市場份額約

70%，其中英飛凌市場份額接

近

37%；在中國IGBT市場中，英飛凌仍保持領(lǐng)先的市場份額，國內(nèi)企業(yè)

合計市場份額較低，有較大的發(fā)展空間，國內(nèi)株洲時代電氣根據(jù)招股說

明書生產(chǎn)的全系列高可靠性IGBT產(chǎn)品打破了軌道交通核心器件和特高壓

輸電工程關(guān)鍵器件由國外企業(yè)壟斷的局面，而IGBT模塊技術(shù)方面，比亞

迪半導(dǎo)體根據(jù)招股書中Omdia統(tǒng)計，以2019年IGBT模塊銷售額計算，公司

在中國新能源乘用車電機(jī)驅(qū)動控制器用IGBT模塊全球廠商中排名第二，

僅次于英飛凌，市場占有率19%，在國內(nèi)廠商中排名第一，2020年公司在

該領(lǐng)域保持全球廠商排名第二、國內(nèi)廠商排名第一的領(lǐng)先地位。需求

3：物聯(lián)網(wǎng)&汽車電子等帶來

MCU芯片爆發(fā)MCU中文簡稱單片機(jī)，即將

CPU、存儲器（RAM和

ROM）、多種

I/O接口等集成在一片芯片上，形成的芯片級計算機(jī)。微控制器誕生于

20

世紀(jì)

70

年代中期，經(jīng)過

20

多年的發(fā)展，其成本越來越低，而性能越來

越強(qiáng)大，MCU主要的功能是作信號處理和控制，在諸如手機(jī)、PC外圍、

遙控器等消費電子，到汽車上的娛樂系統(tǒng)和底盤控制、工業(yè)上的步進(jìn)馬

達(dá)和機(jī)器手臂的控制等領(lǐng)域都有應(yīng)用，MCU內(nèi)部的功能部件主要是

CPU、存儲器、I/O端口、串行口、定時器、中斷系統(tǒng)、特殊功能寄存

器等八大部分。MCU芯片根據(jù)位數(shù)分類，可以分為

8

位、16

位、32

位、64

位。不同

位數(shù)的

MCU對應(yīng)著不同的應(yīng)用場景，例如

4

位

MCU主要應(yīng)用于計算

器、電子秤、遙控器等領(lǐng)域；16

位

MCU主要應(yīng)用于移動電話、數(shù)字相

機(jī)等領(lǐng)域；而

32

位

MCU主要應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、安防、指紋識別等領(lǐng)域。供需緊張帶來

MCU量價齊升：MCU應(yīng)用廣闊，目前國外應(yīng)用最廣的領(lǐng)

域是汽車電子約為

33%，其次是工業(yè)控制/醫(yī)療

25%、計算機(jī)

23%、消

費電子

11%等。根據(jù)

ICInsights機(jī)構(gòu)預(yù)測，2015

年-2020

年，MCU銷

售預(yù)計年復(fù)合增長率

5.5%，即在

2020

年接近

209

億美元。而國內(nèi)應(yīng)用

分布主要集中在消費電子、計算機(jī)，根據(jù)產(chǎn)業(yè)信息網(wǎng)

2016

年中國

MCU市場規(guī)模為

322

億元，同比增長

6.7%，隨著中國大陸汽車電子和物聯(lián)

網(wǎng)領(lǐng)域的快速發(fā)展，對

MCU的需求越來越大且增長率高于全球，需求

端

2021

年來

MCU缺貨漲價延續(xù)：（1）汽車電子及物聯(lián)網(wǎng)大量導(dǎo)入

MCU架構(gòu)，需求爆發(fā)；（2）ST、TI、瑞薩等

IDM廠產(chǎn)能不足，導(dǎo)致交期拉長，

如不少

MCU廠商產(chǎn)品交期都從

4

個月延長至

6

個月，日本

MCU廠商

更是拉長至

9

個月。汽車電子系統(tǒng)對于高階

32

位

MCU的需求不斷提升。汽車電子的各個系統(tǒng)當(dāng)中，往往需要采用車用

MCU（車用微控制器）做為運作控

制的核心，以新能源汽車為例，MCU是新能源汽車特有的核心功率

電子單元，通過接收

VCU的車輛行駛控制指令，控制電動機(jī)輸出

指定的扭矩和轉(zhuǎn)速，驅(qū)動車輛行駛，實現(xiàn)把動力電池的直流電能轉(zhuǎn)

換為所需的高壓交流電、并驅(qū)動電機(jī)本體輸出機(jī)械能。同時，MCU具有電機(jī)系統(tǒng)故障診斷保護(hù)和存儲功能。據(jù)

ICInsights預(yù)測到

2020

年，每年應(yīng)用于汽車電子的

MCU市場將以

10%-15%的速度增長。物聯(lián)網(wǎng)行業(yè)興起，是

MCU發(fā)展的一大驅(qū)動力。根據(jù)

GSMA，MCU是物聯(lián)網(wǎng)的核心零部件，其價值占到物聯(lián)網(wǎng)終端模組的

35%-45%，

而物聯(lián)網(wǎng)是萬億級市場，其設(shè)備接入量以數(shù)百億計，未來隨著物聯(lián)

網(wǎng)應(yīng)用的進(jìn)一步落地，在終端模組方面需求龐大，必將驅(qū)動

MCU行業(yè)快速發(fā)展。全球集中度高，國內(nèi)服務(wù)和價格及汽車電子需求帶動追趕。全球

MCU市場集中度高，根據(jù)

ICInsights數(shù)據(jù)，全球前

5

大（瑞薩、NXP、得捷

電子、英飛凌、Microchip）廠商市占率達(dá)到

83%且主要由歐美、日本和

中國臺灣主導(dǎo)，形成三足鼎立之勢：歐美、日本以高端產(chǎn)品為主，包括

汽車電子、工業(yè)控制、計算機(jī)與網(wǎng)絡(luò)等領(lǐng)域；中國臺灣企業(yè)在消費電子、

計算機(jī)與網(wǎng)絡(luò)領(lǐng)域有較強(qiáng)實力；且國外廠商占據(jù)

32

位高端

MCU領(lǐng)域，

而目前國產(chǎn)

MCU主要集中在中低端市場，且主要還停留在

8

位

MCU，

占比高達(dá)

50%；16

位和

32

位

MCU占比分別只有

20%左右。但我們認(rèn)

為得益于中國

MCU市場的快速增長，以及本土

MCU廠商“保姆式”的服

務(wù)和價格上的優(yōu)勢，也推動了國產(chǎn)

MCU在高端市場的突破：如目前中

國有超過

50家以上的廠商推出各式

MCU產(chǎn)品，中國臺灣的盛群半導(dǎo)體、

義隆電子、松翰科技等廠商；國內(nèi)大陸的兆易創(chuàng)新、靈動微電子；上市

公司華大半導(dǎo)體、中穎電子等。需求

4：CIS芯片受三攝以及高像素創(chuàng)新帶動量價齊升圖像傳感器是利用感光單元陣列和輔助控制電路將光學(xué)信號轉(zhuǎn)變?yōu)殡妼W(xué)

信號的一種常見傳感器。圖像傳感器的主要工作原理為利用感光二極管

實現(xiàn)光電信號的轉(zhuǎn)換，再對感光單元輸出的電學(xué)信號進(jìn)行加工處理，從

而實現(xiàn)對色彩、亮度等光學(xué)信息的感知與處理。其中，每個感光單元對

應(yīng)圖像傳感器的一個像素，像素的數(shù)量與質(zhì)量直接決定了圖像傳感器的

最終成像效果。目前圖像傳感器主要分為

CCD（charge-coupleddevice,

感光耦合元件）和

CMOS（ComplementaryMetal-Oxide-Semiconductor，

互補(bǔ)式金屬氧化物半導(dǎo)體）兩種，其中

CCD傳感器主要應(yīng)用于單反相

機(jī)、工業(yè)應(yīng)用等場景，CIS傳感器由于體積更小、成本更低等優(yōu)勢廣泛

的應(yīng)用于手機(jī)、汽車、安防、醫(yī)療等場景。CIS市場規(guī)模預(yù)計

2024

年規(guī)模將超

238

億美元。根據(jù)

Frost&Sullivan統(tǒng)計，2012

年，全球

CMOS圖像傳感器出貨量為

21.9

億顆，市場規(guī)模為

55.2

億美元。至

2019

年，全球

CMOS圖像傳感器市場出貨量為

63.6

億

顆，市場規(guī)模達(dá)到

165.4

億美元，分別較

2018

年度增長了

21.4%和

29.0%，相對于

2012

年的年均復(fù)合增長率分別達(dá)到

16.5%和

17.0%。得益

于智能手機(jī)、汽車電子等下游應(yīng)用的驅(qū)動，預(yù)計未來全球

CMOS圖像傳感

器市場仍將保持較高的增長率，至

2024

年全球出貨量達(dá)到

91.1

億顆，

市場規(guī)模將達(dá)到238.4億美元，分別實現(xiàn)7.5%和7.6%的年均復(fù)合增長率。CIS應(yīng)用十分廣泛，手機(jī)市場增幅較大。CMOS圖像傳感器應(yīng)用市場主

要包括智能手機(jī)、消費領(lǐng)域、計算機(jī)、汽車、醫(yī)療、安防等。根據(jù)

Frost&Sullivan統(tǒng)計，2019

年，全球智能手機(jī)及功能手機(jī)

CMOS圖像

傳感器銷售額占據(jù)了全球

73.0%的市場份額，平板電腦、筆記本電腦等

消費終端

CMOS圖像傳感器銷售額占據(jù)了全球

8.7%的市場份額。至

2024

年，新興領(lǐng)域應(yīng)用將推動

CMOS圖像傳感器持續(xù)增長，但隨著智

能手機(jī)多攝趨勢的不斷發(fā)展，手機(jī)用

CMOS圖像傳感器仍將保持其關(guān)鍵

的市場地位。近幾年隨著高像素、多攝、3D攝像等趨勢外，智能手機(jī)攝像頭還經(jīng)歷了大光圈、更快自動對焦、光學(xué)防抖等多種技術(shù)變革。整體上看，用戶

對拍攝體驗優(yōu)質(zhì)化、多樣化的需求對

CMOS圖像傳感器的各方面性能提

出了更為嚴(yán)格的要求，也推動了市場需求的不斷增長。1、多攝普及對

cis出貨直接拉動：從

2000

年單攝手機(jī)問世，到

2011

年雙攝手機(jī)推出，再到

2019

年后置四攝手機(jī)發(fā)布，單部手機(jī)的攝像頭

數(shù)量持續(xù)增加，目前單部手機(jī)攝像頭配置數(shù)量可達(dá)到

6

個甚至更多。而

攝像頭數(shù)量與其中元器件數(shù)量成正比，因此直接帶動

CMOS圖像傳感器

需求的增加。2、像素提升：自

2016

年以來，市場重心已逐步轉(zhuǎn)移至

500

萬至

1300

萬像素攝像頭（含

500

萬及

1300

萬像素，下同），同時

1,300

萬像素以

上、480

萬像素等攝像頭也呈現(xiàn)出快速的增長態(tài)勢。根據(jù)

Frost&Sullivan預(yù)計至

2024

年，高像素攝像頭

500

萬以下、500

萬-1300

萬，1300

萬

-4800

萬，

4800

萬及以上像素市場份額將分別達(dá)到

26.0%、41.7%和

23.5%、8.8%。國內(nèi)

CMOS廠商快速崛起。目前全球

CMOS圖像傳感器行業(yè)呈現(xiàn)寡頭

壟斷態(tài)勢。根據(jù)

Frost&Sullivan統(tǒng)計，以出貨量口徑統(tǒng)計，2020

年，市

場份額排名前五的供應(yīng)商合計占據(jù)了

96.0%的市場份額。其中，國產(chǎn)廠

商格科微、韋爾股份分別占據(jù)

29.7%和

14.6%的市場份額；以銷售額口

徑統(tǒng)計，韋爾股份、格科微分別市占率為

11.3%和

4.7%。2.3

供給端：8

寸設(shè)備限制產(chǎn)能，12

寸產(chǎn)線周期需要時間8寸產(chǎn)線本身占比不足30%。首個200mm(8英寸)晶圓廠于1990年出現(xiàn)，一

度成為業(yè)內(nèi)先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)，隨著時間的推移，在芯片廠家從2000年開始遷移

到更高階的300mm(12英寸)晶圓線時，產(chǎn)能方面，8寸晶圓在1998年超過6

寸晶圓產(chǎn)能并在2007年達(dá)到頂峰，2008年，12寸晶圓產(chǎn)能超過8寸的，8

寸晶圓產(chǎn)能在2008年到2009年間下降，但仍為增長趨勢。2008-2009年金

融危機(jī)期間，多數(shù)8寸晶圓廠關(guān)閉或轉(zhuǎn)型到12寸晶圓廠，根據(jù)ICInsights的統(tǒng)計和預(yù)測顯示截至2016年底，12寸晶圓貢獻(xiàn)了全球IC晶圓廠產(chǎn)能的

63.6%，隨著8寸廠的擴(kuò)展受限及12寸的加碼，預(yù)計到2021年底12寸晶圓

占比將達(dá)到71.2%，8寸晶圓占比不足30%。1、8寸晶圓設(shè)備短缺，新增設(shè)備短期制約年化4%增速8寸晶圓設(shè)備主要來自于二手設(shè)備且供給有限。8英寸設(shè)備的市場機(jī)遇一

方面主要來自于國際大廠普遍停產(chǎn)，根據(jù)VLSIresearch公布的數(shù)據(jù)，設(shè)

備行業(yè)在12英寸平臺開發(fā)上投入了116億美元，幾乎是開發(fā)8英寸平臺的

9倍，國際大廠正逐步將重點和資本開支轉(zhuǎn)移到12英寸；另一方面8寸產(chǎn)

線產(chǎn)線設(shè)備主要來自二手市場，但根據(jù)Surplusglobal二手設(shè)備商曾表示,

今年早些時候,行業(yè)需要2000至3000多個新的或翻新的8英寸設(shè)備或核

心部件來滿足8英寸晶圓廠的需求,但可用的不到500個，且一些設(shè)備如蝕

刻機(jī)、光刻機(jī)、測量設(shè)備甚至零部件面臨缺少狀況，雖然應(yīng)用材料、LamResearch等設(shè)備廠商可能會啟動新的200mm設(shè)備產(chǎn)品計劃，但從實施

到落地銷售需要較長時滯，預(yù)計200mm的設(shè)備需求在相當(dāng)一段時間內(nèi)還

會保持強(qiáng)勁勢頭。全球8英寸產(chǎn)能釋放年化增速4%。未來8英寸晶圓中主要的需求將來自

于MOS芯片、模擬、分立器件等，且受益于汽車電子等拉動持續(xù)增長。2、12寸產(chǎn)線加快轉(zhuǎn)移，但晶圓建設(shè)需要18個月8寸轉(zhuǎn)到12寸產(chǎn)線具備性價比。對于8寸和12寸的選擇核心考量因素在于

技術(shù)和性價比，比如技術(shù)角度由于8英寸晶圓具備了成熟的特種工藝，而

特種工藝技術(shù)能夠使尺寸較小的晶粒包含較多的模擬內(nèi)容，或支持較高

電壓，所以有些是在8寸無法轉(zhuǎn)移或者性價比角度由于很多小廠無法攤銷

光罩費用本身12寸遷移性價比就低，但從產(chǎn)品價值、盈利能力、需求情

況及擴(kuò)產(chǎn)成本等大的方向上看，12寸晶圓擴(kuò)產(chǎn)是長期策略，短期是解決

產(chǎn)能問題，中長期12寸的產(chǎn)能效率比較高，比如12寸晶圓單位時間的數(shù)

量是8寸的2.25倍，所以大部分先進(jìn)制程多放在12寸（目前基本是130nm以下），另外12英寸晶圓由于同一片晶圓上的顆粒數(shù)變多了，意味著產(chǎn)

品的一致性和穩(wěn)定性會更好，這對某些特色的如功率也會變得適用。12寸晶圓投入建設(shè)生產(chǎn)周期長：根據(jù)產(chǎn)業(yè)規(guī)律，晶圓建廠一般從建廠到

量產(chǎn)18-24個月左右時間，其中包括廠房建設(shè)10-12個月，廠務(wù)建設(shè)需要

3-6個月，首批設(shè)備進(jìn)入及流片測試實現(xiàn)良率突破需要4-8個月，在經(jīng)歷

這些階段之后晶圓廠就會進(jìn)入規(guī)模量產(chǎn)的階段。根據(jù)SEMI統(tǒng)計，全球晶

圓廠從2020年到2024年將至少新增38個12英寸晶圓廠，典型代表如下。中國大陸：華虹半導(dǎo)體

12

英寸（無錫），中芯國際

12

英寸（北京）；

長江存儲

12

英寸（武漢）,士蘭微

12

英寸（廈門）；臺積電

12

英寸

（南京）。美國：臺積電

12

英寸（亞利桑那），德州儀器

12

英寸（得克薩斯州），

英特爾

12

英寸（亞利桑那州）。日本：鎧俠/西部數(shù)據(jù)

12

英寸（四日市）。韓國：三星

P3

12

英寸（平澤市）。中國臺灣地區(qū)：臺積電

Fab18

4、5、6

期（臺南）。三、華虹

8

寸受益特色工藝，12

寸打開成長天花板3.1

需求端：公司深耕特色工藝，細(xì)分領(lǐng)域全球第一華虹半導(dǎo)體目前從事

8

寸特色工藝，公司產(chǎn)能利用率有望持續(xù)保持高位，根

據(jù)

2021

年半年報，下游應(yīng)用看電子消費品占比

64%，工業(yè)和汽車占比

19%，

通訊占比

14%，需求具備明顯的代表性，從產(chǎn)品品類下游應(yīng)用包括身份證、

銀行卡、社?？?、MCU、通用

MOSFET、IGBT和超級結(jié)產(chǎn)品等且均為高景氣行

業(yè)，我們重點對下游進(jìn)行詳細(xì)分析。業(yè)務(wù)一：非易失性存儲器：智能卡持續(xù)高增速，MCU國產(chǎn)趨勢強(qiáng)華虹半導(dǎo)體嵌入式非易失性存儲器工藝平臺包含高密度、高性能的嵌入式閃存

（eFlash），耐擦寫、可靠性高的電可擦寫可編程只讀存儲器（EEPROM）和

兼容邏輯工藝、低成本的一次編程/多次編程存儲器（eOTP/MTP），能滿足客

戶不同應(yīng)用的需求，比如各類智能卡、微控制器和系統(tǒng)控制芯片等。（1）、智能卡：國內(nèi)銀行卡和社?？?/p>

IC帶動增長，公司智能卡代工第一智能卡業(yè)務(wù)及構(gòu)成。智能卡是一種內(nèi)嵌集成電路芯片并且芯片中帶有微

處理器、存儲單元以及芯片操作系統(tǒng)的卡片的通稱，又稱

CPU卡，具

有良好的數(shù)據(jù)存儲、命令處理以及數(shù)據(jù)安全保護(hù)等功能。IC卡與磁條卡

的主要區(qū)別在于：磁條卡通過卡面表面的磁性記錄介質(zhì)記錄信息，而

IC卡則通過卡內(nèi)的集成電路存儲信息，具有更好的保密性與更大的儲存容

量，能實現(xiàn)更多的功能。智能卡分類很多，其中主要智能卡類別有：電

信卡、金融

IC卡、ID卡等。國內(nèi)銀行卡和社?？ㄔ鏊賻又悄芸ㄐ酒袌鲈黾樱菏芤嬗谥悄芸ㄔ谝苿油ㄐ?、金融支付、

公共事業(yè)等領(lǐng)域應(yīng)用的增加，2014

年至

2020

年全球智能卡市場規(guī)模年

復(fù)合增長率將達(dá)到

9%，其中

2013

年亞太地區(qū)是最大的市場貢獻(xiàn)者，占

約

50%的市場銷售額，未來將繼續(xù)保持主導(dǎo)地位，并成為增長最快的地

區(qū)，根據(jù)預(yù)計

2014

年至

2020

年亞太地區(qū)市場年復(fù)合增長率將

達(dá)到

10.10%，超過全球的市場增長速度，其中中國、印度、日本、韓

國是主要市場。而中國市場的增長主要由銀行芯片卡、移動付費

SIM卡、

二代居民身份證及社?？ǖ脑鲩L帶動

。公司在智能卡芯片代工市場份額第一，是穩(wěn)定的現(xiàn)金牛業(yè)務(wù)。公司作為領(lǐng)先的智能卡芯片

8

英寸代工提供商，代工產(chǎn)品涵蓋電信卡、U-key、

社保卡、身份證、銀行卡以及眾多安全芯片。未來隨著

5GSIM的推出，

公司也有帶動價值量的提升；而國內(nèi)社保卡第三批更換以及銀行卡芯片

化將給公司帶來持續(xù)飽滿訂單。（2）、MCU增量：從家電

MCU拓展物聯(lián)網(wǎng)等全系列產(chǎn)品代工受益家電

MCU持續(xù)高景氣。公司

MCU主要是家電領(lǐng)域為客戶提供最

完整和最高性價比的

8

位

MCU的代工方案：如在

5V與

3.3V單電壓

工藝平臺提供高性價比解決方案廣泛用于電池、小家電，玩具，遙控器

等各類

MCU完整的

IP組合與經(jīng)驗豐富的設(shè)計團(tuán)隊，助力客戶快速切

入高性能、低功耗

MCU領(lǐng)域。我們認(rèn)為在消費升級背景下，小家電未

來從滿足生存需要的粗放式向健康生活的精致式轉(zhuǎn)變?nèi)珉娍鞠?、榨?/p>

機(jī)、豆?jié){機(jī)、空氣凈化器、馬桶蓋等小家電產(chǎn)品線將進(jìn)一步豐富，實現(xiàn)

量價齊升。據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院，2019

年中國小家電市場規(guī)模達(dá)

4015

億，2012-2019

短短

7

年時間，年復(fù)合增長率高達(dá)

13.3%。華虹半導(dǎo)體積極投入適用于

MCU全系列產(chǎn)品的工藝平臺。公司積極開

拓家電之外全系列產(chǎn)品包括

OTP、MTP、Flash、EEPROM等研發(fā)，

制造工藝處于業(yè)界領(lǐng)先地位，在成本優(yōu)化、性能提升、全方位一站式服

務(wù)方面極具競爭力；公司

2016

年

2

月與靈動微電合作開發(fā)應(yīng)用于物聯(lián)

網(wǎng)的系列

IP，根據(jù)上?？苿?chuàng)集團(tuán)，2017

年

11

月華虹半導(dǎo)體與上海晟

矽微電子股份有限公司宣布基于

95

納米單絕緣柵一次性編程

MCU（95

納米

CE5VOTPMCU）工藝