干膜工藝介紹

干膜介紹及干膜工藝詳解2013-01主要內(nèi)容安排：1.干膜介紹及發(fā)展趨勢2.線路板圖形制作工藝(以SES流程為例)3.基本工藝要求4.各工序注意事項(xiàng)5.常見缺陷圖片及成因6.討論1.干膜介紹及發(fā)展趨勢干膜(DryFilm)的用途：干膜是一種感光材料，是PCB生產(chǎn)中的重要物料，用于線路板圖形的轉(zhuǎn)移制作。近幾年也開始廣泛應(yīng)用于選擇性化金、電鍍金工藝。干膜的特性：感光聚合、感光后耐酸不耐堿、不導(dǎo)電，因此可用作抗蝕層或抗電鍍層。1.干膜介紹及發(fā)展趨勢干膜的結(jié)構(gòu)

1.干膜介紹及發(fā)展趨勢

干膜的主要成分:1.干膜介紹及發(fā)展趨勢干膜性能的評估解晰度附著力蓋孔能力填凹陷能力其他1.干膜介紹及發(fā)展趨勢為了達(dá)到線路板的多層和高密度要求，目前干膜一般解像度要達(dá)到線寬間距（Ｌ/Ｓ）在50/50um。但在半導(dǎo)體包裝（BGA,CSP)上，線路板一般設(shè)計(jì)在

L/S在25-40um。必需要高解像度的干膜（L/S=10/10um）。為了滿足客戶要求、我們公司目前新型干膜的解像度可達(dá)到L/S=7.5/7.5um。干膜的發(fā)展趨勢1.干膜介紹及發(fā)展趨勢解晰度測試:45/45微米SEM:45/45微米1.干膜介紹及發(fā)展趨勢25umDryFilm，L/S=7.5/7.5um干膜介紹及發(fā)展趨勢ASAHI干膜主要型號及特點(diǎn)干膜型號厚度(um)特點(diǎn)YQ-40SDYQ-40PN40針對SES流程具有良好的蓋孔、耐酸性、抗電鍍性能等YQ-30SD30適用于DES流程，主要用于內(nèi)層制作，解析度方面較好YQ-50SD50針對SES流程具有良好的蓋孔、耐酸性、抗電鍍性能、減少電鍍夾膜問題等特點(diǎn)AQ-408840針對DES流程具有良好的蓋孔、耐酸性、追從性等特點(diǎn),也適用于電鍍流程.SPG-15215適用于生產(chǎn)1.5mil的精細(xì)線路

ADV-40140適合于LDI工藝兩種鍍通孔線路板制作的比較貼膜曝光電鍍銅/錫或或錫/鉛蝕板去膜堿性蝕板脫錫或錫/鉛鉛基銅玻璃纖維底料料曝光原件干膜Tenting制程SES制程研磨全板電鍍銅顯影2.線路板圖形制制作工藝SES流程基本工藝藝基銅玻璃纖維底料全板電鍍銅貼膜曝光曝光原件顯影電鍍銅＋錫或銅＋錫/鉛鉛去膜堿性蝕板脫錫或錫/鉛鉛2.線路板圖形制制作工藝SES工藝流程詳細(xì)細(xì)介紹前處理的作用用：去除銅表表面的氧化,油污,清潔、粗化銅銅面，以增大大干膜在銅面面上的附著力力。前處理的種類類：化學(xué)微蝕蝕、物理磨板板、噴砂處理理（火山灰、、氧化鋁）。。典型前處理工工藝流程：除油——水洗——磨板——水洗——微蝕——水洗——酸洗——水洗——烘干前處理：基本工藝要求求前處理刷輪目數(shù):#500～#800刷輪數(shù)量:上下兩對刷輪（共４支）磨刷電流:+１~2Ａ轉(zhuǎn)速:1800轉(zhuǎn)/分鐘搖擺:300次次/分鐘磨痕寬度:10~15mm微蝕量：：0.8~1.2um（一般采用SPS+硫酸酸或硫酸+雙雙氧水溶液，，生產(chǎn)板要求較高時時則采用超粗粗化表面處理理）酸洗濃度：：3~5%硫硫酸溶液基本工藝要求求前處理水洗:多多過3個缸(循環(huán)水)噴淋壓力：1-3Kgf/cm2吸干:通常用2支海綿吸水轆烘干:熱風(fēng)吹風(fēng)量為4.0～9.0m3/min熱風(fēng)的溫度為70～～90℃其它控制項(xiàng)目目:水裂點(diǎn)：>15s粗糙度1.5<Rz<3.0工序注意事項(xiàng)項(xiàng)前處理磨痕寬度均勻勻一致；各段噴嘴無堵堵塞；水洗后表面無無銅顆粒；吸水水海海綿綿滾滾輪輪干干凈凈、、濕濕潤潤、、無無雜雜物物；；烘干干后后表表面面及及孔孔內(nèi)內(nèi)無無水水漬漬；；水破破時時間間>20秒；；每次次變變更更生生產(chǎn)產(chǎn)板板厚厚度度時時要要做做磨磨痕痕測測試試。。貼膜膜：：貼膜膜的的作作用用：：是是將將干干膜膜貼貼在在粗粗化化的的銅銅面面上上。。貼膜膜機(jī)機(jī)將將干干膜膜通通過過熱熱壓壓轆轆與與銅銅面面附附著著，，同同時時撕撕掉掉PE膜。。SES工藝藝流流程程詳詳細(xì)細(xì)介介紹紹貼膜膜基本本工工藝藝要要求求預(yù)熱熱段段溫溫度度：：80～～100℃℃貼膜膜前前板板面面溫溫度度：：40～～60℃℃壓轆轆設(shè)設(shè)定定溫溫度度：：110～～120℃℃壓膜膜時時壓壓轆轆溫溫度度：：100～～115℃貼膜膜壓壓力力：：3.0~5.0kgf/cm2貼膜膜速速度度：：1.5~2.5m/min貼膜膜后后靜靜置置時時間間：：15min～～24H工序序注注意意事事項(xiàng)項(xiàng)貼膜膜貼膜膜壓壓轆轆各各處處溫溫度度均均勻勻；；定期期測測定定貼貼膜膜壓壓轆轆的的溫溫度度；；貼膜膜上上下下壓壓轆轆要要平平行行；；貼膜膜壓壓轆轆上上無無油油污污或或膜膜碎碎等等雜雜物物；；清潔潔壓壓轆轆上上異異物物時時不不可可用用尖尖銳銳或或硬硬的的工工具具；；貼膜膜不不可可超超出出板板邊邊；；干膜膜不不可可超超過過有有效效期期內(nèi)內(nèi)。。曝光光：：曝光光的的作作用用是是曝曝光光機(jī)機(jī)的的紫紫外外線線通通過過底底片片使使干干膜膜上上部部分分圖圖形形感感光光，，從從而而使使圖圖形形轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)移移到到銅銅面面上上。。干膜Cu基材底片SES工藝藝流流程程詳詳細(xì)細(xì)介介紹紹SES工藝藝流流程程詳詳細(xì)細(xì)介介紹紹曝光光反反應(yīng)應(yīng)機(jī)機(jī)理理COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOH單體體聚合合體體主主鏈鏈起始始劑劑COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOH反應(yīng)應(yīng)核核心心※※※※※※COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOH紫外外線線聚合合反反應(yīng)應(yīng)圖形形原原件件干膜膜層層Substrateab曝光單體體曝光光基本本工工藝藝要要求求曝光光能能量量：：40-80mj/cm2（以以21級Stoufer格數(shù)數(shù)尺尺7～9級殘殘膜膜為為準(zhǔn)準(zhǔn)））曝光光后后靜靜置置時時間間：：15min~24H工序序注注意意事事項(xiàng)項(xiàng)曝光光曝光光能能量量均均勻勻性性≥90%；每4H測定定曝曝光光能能量量；；抽真真空空時時間間不不能能太太短短，，防防止止曝曝光光不不良良；；曝光光臺臺面面溫溫度度太太高高會會造造成成底底片片變變形形；；板面、底底片或曝曝光臺面面不能有有臟點(diǎn)；；干膜、底底片小心心操作，，防止劃劃傷；曝光機(jī)空空氣過濾濾芯定期期清潔或或更換。。顯影：SES工藝流程程詳細(xì)介介紹顯影的作作用：將未曝光光部分的的干膜去去掉，留留下感光光的部分分。顯影的原原理：未曝光部部分的感感光材料料沒有發(fā)發(fā)生聚合合反應(yīng)，，遇弱堿堿Na2CO3（0.8-1.2%)或K2CO3溶解。而而聚合的的感光材材料則留留在板面面上，保保護(hù)下面面的銅面面不被蝕蝕刻藥水水溶解。。SES工藝流程程詳細(xì)介介紹顯影COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHNa2CO3／H2O(乳化)單體聚合體主鏈起始劑Na+Na+Na+Na+Na+Na+Na+COO-COO-COO-COO-COO-COO-COO-顯影ＲーCOOH

＋

Na2CO3

Ｒ－COO-

Na+

＋

NaHCO3H2OH2O顯影反應(yīng)應(yīng)機(jī)理顯影基本工藝藝要求Na2CO3濃度：：0.8~1.2%顯影液溫溫度：：28~32℃顯影壓力力：：1.0~2.0kgf/cm2顯影點(diǎn)：：50~60％％工序注意意事項(xiàng)顯影各段噴嘴嘴不能堵堵塞；顯影液要要定期更更換，需需要有自自動添加加，保證證不能超超過藥水水負(fù)載量量；各段滾輪輪上不能能有油污污等雜物物；烘干后板板子表面面、孔內(nèi)內(nèi)無水漬漬。電鍍銅＋＋錫/錫鉛:SES工藝流程程詳細(xì)介介紹電鍍的作作用：將我們所所需要的的圖形處處的銅層層進(jìn)行加加厚，并并且在銅銅面上鍍鍍上一層層抗蝕刻刻層（即即錫或錫錫鉛）。。基本工藝藝要求電鍍銅＋＋錫或錫錫鉛以電鍍供供應(yīng)商工工藝要求求為準(zhǔn)。。去膜：SES工藝流程程詳細(xì)介介紹去膜的作作用：通過強(qiáng)堿堿溶液（（一般為為NaOH溶液，濃濃度為2-3%）將覆蓋蓋在銅面面上抗電電鍍的干干膜去掉掉。SES工藝流程程詳細(xì)介介紹去膜：去膜的原原理：COOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOHCOOCOOCOOCOOCOOCOOCOOCOOHCOOCOOCOO－－－－－－－－－－－Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋Na＋去膜NaOH/H2ORelaxation去膜基本工藝藝要求去膜液濃濃度：：2.0~3.0%（NaOH濃濃度）去膜液溫溫度：：45~55℃去膜壓力力：：2.0~3.0kgf/cm2水洗壓力力：：1.0~3.0kgf/cm2去膜點(diǎn)：：50~60％SES工藝流程程詳細(xì)介介紹蝕刻：蝕刻的作作用：用蝕刻液液將非線線路圖形形部分的的銅面蝕蝕刻掉，，而在錫錫或錫鉛鉛下的銅銅則不能能被蝕刻刻。SES工藝流程程詳細(xì)介介紹去錫/錫鉛：去錫/錫鉛的作作用：用去錫/錫鉛藥液液將錫/錫鉛去掉掉，露出出需要的的線路。?；竟に囁囈笪g刻、去去錫/錫鉛以蝕刻藥藥水和去去錫藥水水供應(yīng)商商工藝要要求為準(zhǔn)準(zhǔn)。工序注意意事項(xiàng)去膜各段噴嘴嘴不能堵堵塞；去膜液濃濃度不可可超出控控制范圍圍；去膜液要要定期更更換，需需要有自自動添加加，保證證不能超超過藥水水負(fù)載量量；去膜段干干膜過濾濾系統(tǒng)工工作良好好，并定定期清理理膜碎；；去膜后水水洗干凈凈，板子子表面不不能有殘殘膜；吹干段不不能有大大量水帶帶入蝕刻刻段。5.常見缺陷陷圖片及及成因短路(劃傷造成)

短路(去膜不凈)

短路(銅渣造成)

短路(銅渣造成

短路(銅渣造成)短路(膜下雜物)

短路(膜下銅渣)

短路(銅渣造成)短路(滲鍍)

5.常見缺陷陷圖片及及成因開路(膜碎造成)開路(膜碎造成)開路(膜碎造成)開路(膜碎造成)劃傷,蝕刻後劃傷,蝕刻後

凸起,雜物造成

缺口,膜碎造成

6.討論謝謝大大家家！9、靜夜四無鄰鄰，荒居舊業(yè)業(yè)貧。。12月-2212月-22Wednesday,December28,202210、雨雨中中黃黃葉葉樹樹，，燈燈下下白白頭頭人人。。。。21:04:3621:04:3621:0412/28/20229:04:36PM11、以以我我獨(dú)獨(dú)沈沈久久，，愧愧君君相相見見頻頻。。。。12月月-2221:04:3621:04Dec-2228-Dec-2212、故人人江海海別，，幾度度隔山山川。。。21:04:3621:04:3621:04Wednesday,December28,202213、乍見翻疑疑夢，相悲悲各問年。。。12月-2212月-2221:04:3621:04:36December28,202214、他鄉(xiāng)生白發(fā)發(fā)，舊國見青青山。。28十二月月20229:04:36下午21:04:3612月-2215、比比不不了了得得就就不不比比，，得得不不到到的的就就不不要要。。。。。十二二月月229:04下下午午12月月-2221:04December28,202216、行動動出成成果，，工作作出財(cái)財(cái)富。。。2022/12/2821:04:3621:04:3628December202217、做前，能能夠環(huán)視四四周；做時時，你只能能或者最好好沿著以腳腳為起點(diǎn)的的射線向前前。。9:04:36下下午9:04下下午21:04:3612月-229、沒有有失敗敗，只只有暫暫時停停止成成功！！。12月月-2212月月-22Wednesday,December28,202210、很多多事情情努力力了未未必有有結(jié)果果，但但是不不努力力卻什什么改改變也也沒有有。。。21:04:3621:04:3621:0412/28/20229:04:36PM11、成功就就是日復(fù)復(fù)一日那那一點(diǎn)點(diǎn)點(diǎn)小小努努力的積積累。。。12月-2221:04:3621:04Dec-2228-Dec-2212、世間成成事，不不求其絕絕對圓滿滿，留一一份不足足，可得得無限完完美。。。21:04:3621:04:3621:04Wednesday,December28,202213、不知香積積寺，數(shù)里里入云峰。。。12月-2212月-2221:04:3621:04:36December28,202214、意志志堅(jiān)強(qiáng)強(qiáng)的人人能把把世界界放在在手中中像泥泥塊一一樣任任意揉揉捏。。28十十二二月20229:04:36下下午21:04:3612月月-2215、楚塞三三湘接，，荊門九九派通。。。。十二月229:04下午午12月-2221:04December28,202216、少年十五二二十時，步行行奪得胡馬騎騎。。2022/12/2821:04:3621:04:3628December202217、空山新雨后后，天氣晚來來秋。。9:04:36下午9:04下下午21:04:3612月-229、楊楊柳柳散散和和風(fēng)風(fēng)，，青青山山澹澹吾吾慮慮。。。。12月月-2212月月-22Wednesday,December28,202210、閱閱讀讀一一切切好好書書如如同同和和過過去去最最杰杰出出的的人人談?wù)勗捲?。?1:04:3621:04:3621:0412/28/20229:04:36PM11、越是是沒有有本領(lǐng)領(lǐng)的就就越加加自