煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)

煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)

單沛祥2010年1月28日河南鄭州煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第1頁!自我介紹

姓名：單沛祥，高級農(nóng)藝師，連續(xù)從事農(nóng)業(yè)科技工作34年，現(xiàn)就職云南省煙草公司大理州公司煙葉技術(shù)中心。

shanpeixiang@163草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第2頁!育苗新技術(shù)研究動向無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)研究；砂培、頁巖、風化石育苗技術(shù)；草炭替代技術(shù)研究；種子新技術(shù)開發(fā)應用；封閉式育苗技術(shù)研究。煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第3頁!少基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)概念別稱：無基質(zhì)漂浮育苗前期用育苗孔穴小密度大的育苗盤培育5葉齡煙苗，將5葉齡煙苗直接假植在育苗孔穴大密度小的育苗盤上就可以培育成茁壯煙苗的漂浮育苗技術(shù)。顧名思義：后期不需要基質(zhì)假植培育成苗。煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第4頁!1.育苗棚建造類型選擇原則大棚或小拱棚、圓頂型或屋脊型，要因地制宜，濕度大的地方要選擇屋脊型，干燥的地方可以選擇圓頂型煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第5頁!2.育苗材料2.1育苗專用肥配方比例N:P:K=1.0:0.7:1.0。有效成分：N≥17%、P≥12%、K≥17%。2.2育苗盤：模壓泡沫塑料制成的3200孔/m2（上下孔徑分別為13mm、7mmm），用于培育4.5葉齡煙苗，700孔/m2穴育苗盤做假植時使用（上下孔徑分別為25mm、10mmm）。煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第6頁!2.4育苗池水指標按照講義第9頁的要求；pH6.0-7.5的標準要堅持；電導率＜700μs/cm煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第7頁!操作流程圖消毒區(qū)拌基質(zhì)區(qū)裝盤區(qū)壓穴區(qū)播種區(qū)蓋種、刮盤區(qū)送盤入池煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第8頁!

判定溫度管理水平的簡便方法：

出苗前在水深10cm左右，晴天下午17時，營養(yǎng)池水溫低于16℃，說明溫度管理較低；出苗后在水深10cm的情況下，晴天下午17時營養(yǎng)池水溫低于18℃，說明溫度管理較低。煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第9頁!防止藍綠藻綜合技術(shù)基質(zhì)中磷肥要少；出苗前不施肥；使用黑色池膜，育苗池水面不裸露結(jié)合防露滴危害、保溫加蓋編織袋；保持盤面濕度適中；煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第10頁!6.假植技術(shù)5葉期、苗高6~7cm開始假植；刮去母盤背面扎入水中的長根系；不要抖落母盤根系夾帶的基質(zhì)；不假植弱苗、小苗、過大苗、病苗、異常苗；假植好的苗盤要輕輕震動，讓根系接觸育苗空穴底部的水分，遮陽3天。煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第11頁!促使煙苗大小均勻，提高整齊度。提高成苗率，降低成本。增加莖徑、根量，提高壯苗水平。適當控制生長，培育適齡壯苗，保證適時移栽。7.剪苗的作用煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第12頁!煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第13頁!8.移栽

實行標準化移栽技術(shù)，充分發(fā)揮漂浮苗的潛力，使其早生快發(fā)，提高大田生產(chǎn)整體水平。

煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第14頁!無基質(zhì)假植漂浮育苗的優(yōu)點

可節(jié)約基質(zhì)75—80%，少用基質(zhì)降低草炭用量，保護了環(huán)境；每畝大田基質(zhì)成本由16.67元降到2.22元；避免鹽漬造成的危害。少剪葉3次，減少了病毒傳播幾率，降低了勞動強度；煙苗根點增多、團棵后生長勢較強。煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第15頁!9.育苗新技術(shù)研發(fā)動態(tài)自動化工廠化育苗系統(tǒng)示范；少基質(zhì)育苗、濕潤育苗；砂培育苗、砂頁巖或泥頁巖育苗；封閉式育小苗、營養(yǎng)土育大苗技術(shù)。煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第16頁!

不同育苗方式煙苗素質(zhì)調(diào)查匯總表處理內(nèi)容莖葉高mm莖徑0.1mm總鮮重g總干重g莖腐病%兩段式漂浮苗312427.480.51826.7兩段式濕潤苗253355.400.4130.0一段式漂浮苗331457.960.47336.7兩段式100孔濕潤338469.190.9180.0兩段式70孔濕潤3544810.781.1030.0兩段式無基質(zhì)苗321386.620.3896.7煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第17頁!無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)基本概念操作技術(shù)優(yōu)勢與存在問題煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第18頁!無基質(zhì)假植漂浮育苗操作程序棚室建造——系統(tǒng)消毒——小孔盤填裝基質(zhì)——播種——棚室內(nèi)漂浮培育——4.5葉齡煙苗——剪苗一次——假植到大孔盤——棚室內(nèi)漂浮培育——剪葉多次——成苗——移栽。煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第19頁!建造育苗棚的幾個重點技術(shù)棚室建造必須抗風災、雨雪；規(guī)范小拱棚，如設(shè)立站柱、棚桿粗而少、兩端斜拉固定；大棚小棚通風口強制設(shè)置40目防蟲網(wǎng)。大十字期以前棚室內(nèi)光照超過20000LX地區(qū)，要選用50—80%遮光率的遮陽網(wǎng)。煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第20頁!2.3基質(zhì)指標項目指標粒徑（1-5）mm，%≥50有效氮mg/kg600～800總孔隙度，%75～85有機質(zhì)含量，% ≥30腐植酸，%≥15pH值5.8～6.8電導率，μs/cm≤800自動吸持水含量，%70～80

有效鐵離子含量，mg/kg≤1000有效錳離子含量，mg/kg≤100煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第21頁!3.填裝基質(zhì)與播種基質(zhì)要倒在潔凈的塑料布上操作；選粒徑適當?shù)幕|(zhì)；及時播種漂放，防止水分喪失造成吸水困難；煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第22頁!4.分期管理溫濕度方法：

種子萌發(fā)期主要觀察斜插在基質(zhì)內(nèi)3mm的溫度計。280C左右開始控溫；

出苗至小十字期主要觀察苗上5cm處的溫度計，氣溫保持在280C—320C；

大十字期后白天苗上5cm處氣溫繼續(xù)保持在280C—320C，最高氣溫360C不持續(xù)超過2小時。煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第23頁!溫濕度管理指標低溫階段和寒冷地區(qū)，只要溫度不超過28℃，就要盡量做好保溫升溫工作；白天溫度容易上升到28℃以上時，只要遮陽網(wǎng)遮掩陽光不直接照射到盤面的情況下，氣溫可以大膽升到36℃左右。實踐證明這是培育適齡壯苗的有效方法。煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第24頁!5.修剪煙苗

煙苗假植前要修剪一次煙苗，是為了假植后讓煙苗生長數(shù)日，根系附著在育苗盤底部，剪苗時不會被氣流卷起煙苗。煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第25頁!假植后要注意：

及時補充營養(yǎng)液肥，使氮素水平保持在200km/kg的水平。煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第26頁!剪葉的方法假植后一周開始剪葉；每次減去最大葉1/3~1/2，不傷心葉；根據(jù)生長勢決定剪葉頻度，一般剪3-5次；移栽前3天禁止剪葉，保證單株煙苗有較大的葉面積；煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第27頁!煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第28頁!無土假植苗移栽注意事項移栽時避免根系爆曬，減少水分喪失，提高成苗率，縮短還苗期。適當深栽。讓細土與根系充分接觸，澆足定根水。煙草無基質(zhì)假植漂浮育苗技術(shù)共32頁，您現(xiàn)在瀏覽的是第29頁!無基質(zhì)假植漂浮育苗存在問題每畝需要增加兩段式育苗盤3—4個，增加投入8.70—11.60元。按5年折