隧道結(jié)磁阻TMR開關(guān)在機(jī)械式熱量表中的應(yīng)用介紹_第1頁
隧道結(jié)磁阻TMR開關(guān)在機(jī)械式熱量表中的應(yīng)用介紹_第2頁
隧道結(jié)磁阻TMR開關(guān)在機(jī)械式熱量表中的應(yīng)用介紹_第3頁
隧道結(jié)磁阻TMR開關(guān)在機(jī)械式熱量表中的應(yīng)用介紹_第4頁
隧道結(jié)磁阻TMR開關(guān)在機(jī)械式熱量表中的應(yīng)用介紹_第5頁
已閱讀5頁,還剩8頁未讀 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡(jiǎn)介

隧道結(jié)磁阻(TMR)開關(guān)在

機(jī)械式熱量表中的應(yīng)用介紹應(yīng)用方案簡(jiǎn)述應(yīng)用方案特點(diǎn)極高的頻率響應(yīng)特性,直接測(cè)量葉輪轉(zhuǎn)速;極低的功耗滿足熱量表低功耗需求;極高的靈敏度,可減少葉輪磁鋼磁場(chǎng)強(qiáng)度,降低對(duì)安裝位置的要求,并減少雜質(zhì)吸附;標(biāo)準(zhǔn)的高低電平輸出,可直接連接處理器,提高系統(tǒng)的可靠性;鎖存式工作方式,有效地避免葉輪抖動(dòng)問題;內(nèi)部量子式閉環(huán)的磁結(jié)構(gòu),無外部磁場(chǎng)輻射,滿足極低的起始流量測(cè)量;優(yōu)異的溫度穩(wěn)定性和極高的靈敏度,提高熱量表的工作溫度的熱穩(wěn)定性,并有效降低葉輪磁鋼熱退磁影響。良好的抗磁特性,可降低熱量表磁屏蔽的要求;半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝,保障產(chǎn)品的一致性和穩(wěn)定性,降低生產(chǎn)過程中的生產(chǎn)成本和后期的維修維護(hù)成本。隧道結(jié)磁阻(TMR)開關(guān)介紹產(chǎn)品性能:先進(jìn)的隧道結(jié)磁阻(TMR)技術(shù)雙極鎖存式工作模式高低電平輸出:VOH=Vdd-0.2VOL=0.2V靈敏度:BOP/BRP:30Gs工作電流:5μA@3VDC(全時(shí)工作)工作電壓:1.8~5.5VDC頻率響應(yīng):>10KHz工作溫度:-40~125℃ESD保護(hù):>4KV功能框圖及應(yīng)用電路內(nèi)部功能框圖應(yīng)用電路注:0.1μF電容可選配與現(xiàn)有傳感器性能對(duì)比

TMR磁阻傳感器韋根LC模塊尺寸小型封裝(SOT23)10-20mm長(zhǎng)大靈敏度30`50Gs80`90Gs

功耗5uA3-5uA20uA工作頻率100K赫茲幾十K赫茲幾百赫茲輸出信號(hào)方波脈沖方波信號(hào)幅值Vdd-0.21V80%Vdd可靠性高低中系統(tǒng)單芯片整形電路整形電路韋根傳感器應(yīng)用對(duì)比表項(xiàng)目應(yīng)用意義韋根傳感器隧道結(jié)磁阻開關(guān)備注器件尺寸(mm)靈活設(shè)計(jì)、安裝,提高系統(tǒng)穩(wěn)定性12.2×Φ612.8×4.22.95×2.80起始流量提高測(cè)量精度大,有阻力小,無阻力(由機(jī)械部分決定)工作磁場(chǎng)降低雜質(zhì)吸附降低安裝要求50~120Gs>30Gs工作電流延長(zhǎng)使用時(shí)間05μA@3VDC韋根傳感器需要信號(hào)整形電路,整形電路工作電流5μA@3VDC輸出信號(hào)便于系統(tǒng)接口,提高系統(tǒng)可靠性30μs脈沖(1V)高低電平信號(hào)VOH=Vdd-0.2磁場(chǎng)敏感方向增強(qiáng)抗磁干擾能力全向平面,單敏感方向工作方式防抖動(dòng)(水錘現(xiàn)象等)雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)鎖存生產(chǎn)工藝提高生產(chǎn)效率、產(chǎn)品穩(wěn)定性和可靠性手工/自動(dòng)繞制半導(dǎo)體工藝生產(chǎn)工藝決定產(chǎn)品的一致性和可靠性起始流量韋根傳感器如右圖所示,韋根絲內(nèi)芯/外殼對(duì)外部都有磁場(chǎng)輻射,與旋翼中的磁鋼吸合,對(duì)旋翼形成阻力,無法測(cè)量小的起始流量;隧道結(jié)磁阻開關(guān)如右圖所示,隧道結(jié)磁阻開關(guān)內(nèi)部形成了閉合的量子磁場(chǎng),不對(duì)外部輻射磁場(chǎng),對(duì)旋翼的旋轉(zhuǎn)無阻力,可測(cè)量較小的起始流量(起始流量由機(jī)械部分決定)AntiferromagnetPinnedLayerBarrierLayerFreeLayer輸出信號(hào)韋根傳感器原始信號(hào)為30μs脈沖信號(hào),信號(hào)幅值1V需信號(hào)整形電路整形后與系統(tǒng)接口隧道結(jié)磁阻開關(guān)集成器件高低電平輸出VOH=Vdd-0.2VOL=0.2V直接與系統(tǒng)接口防磁干擾測(cè)試測(cè)試條件:熱量表基表示波器MDTMMS103磁隧道結(jié)磁阻傳感器2節(jié)1.5V電池3塊磁鐵表磁:4,000Gs表磁:2,800Gs表磁:3,800Gs測(cè)試圖片及結(jié)論測(cè)試結(jié)論:MMS10X系列隧道結(jié)磁阻開關(guān)僅需在水平方向上進(jìn)行防磁處理電感傳感器應(yīng)用對(duì)比表項(xiàng)目應(yīng)用意義電感傳感器隧道結(jié)磁阻開關(guān)備注器件尺寸(mm)靈活設(shè)計(jì)、安裝,提高系統(tǒng)穩(wěn)定性傳感器+芯片分離大2.95×2.80起始流量提高測(cè)量精度小,無阻力小,無阻力(由機(jī)械部分決定)工作磁場(chǎng)降低雜質(zhì)吸附降低安裝要求無>30Gs工作電流延長(zhǎng)使用時(shí)間15~20μA@3.6VDC5μA@3VDC電感傳感器需要信號(hào)整形電路或控制器進(jìn)行信號(hào)處理輸出信號(hào)便于系統(tǒng)接口,提高系統(tǒng)可靠性方波VOH=80%VddVOL=0.1V方波VOH=Vdd-0.2VOL=0.2V磁場(chǎng)敏感方向增強(qiáng)抗磁干擾能力電感量檢測(cè),對(duì)固定頻率的交變磁場(chǎng)敏感平面,單敏感方向工作方式防抖動(dòng)(水錘現(xiàn)象等)雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)鎖存生產(chǎn)工藝提高生產(chǎn)效率、產(chǎn)品穩(wěn)定性和可靠性手工/自動(dòng)繞制半導(dǎo)體工藝集成生產(chǎn)工藝決定產(chǎn)品的一致性和可靠性雜質(zhì)吸附優(yōu)化建議調(diào)整旋翼磁鋼的充磁方向(垂直充磁→水平充磁)調(diào)整傳感器安裝位置(水平放置→垂直放置)充磁方向和傳感器安裝位置的調(diào)整將

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲(chǔ)空間,僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請(qǐng)與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論