第2章半導(dǎo)體三極管及其應(yīng)用課件

半導(dǎo)體三極管及其應(yīng)用第

2

章2.1

晶體三極管2.1.1三極管的結(jié)構(gòu)、符號(hào)及分類2.1.2三極管的電流放大作用2.1.3三極管的輸入、輸出伏安特性2.1.4三極管的主要參數(shù)及其選用2.1.5特殊三極管

半導(dǎo)體三極管又稱晶體三極管（下稱三極管，SemiconductorTransistor），一般簡稱晶體管，或雙極型晶體管。它是通過一定的制作工藝，將兩個(gè)PN結(jié)結(jié)合在一起的器件，兩個(gè)PN結(jié)相互作用，使三極管成為一個(gè)具有控制電流作用的半導(dǎo)體器件。三極管可以用來放大微弱的信號(hào)和作為無觸點(diǎn)開關(guān)。2.1.1晶體三極管的結(jié)構(gòu)、符號(hào)及分類NNP發(fā)射極E基極B集電極C發(fā)射結(jié)集電結(jié)—基區(qū)—發(fā)射區(qū)—集電區(qū)emitterbasecollectorNPN型PPNEBCPNP型分類：按材料分：硅管、鍺管按結(jié)構(gòu)分：

NPN、PNP按使用頻率分：

低頻管、高頻管按功率分：小功率管<1W中功率管15W大功率管>5WECBECBEBCEBCEBCBECBJT外形和引腳1.三極管放大的條件內(nèi)部條件發(fā)射區(qū)摻雜濃度高基區(qū)薄且摻雜濃度低集電結(jié)面積大外部條件發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏2.滿足放大條件的三種電路uiuoCEBECBuiuoECBuiuo共發(fā)射極共集電極共基極實(shí)現(xiàn)電路uiuoRBRCuouiRCRE2.1.2三極管的電流放大作用3.三極管內(nèi)部載流子的傳輸過程1)

發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入多子電子，形成發(fā)射極電流

IE。ICN多數(shù)向BC結(jié)方向擴(kuò)散形成ICN。IE少數(shù)與空穴復(fù)合，形成IBN。IBN基區(qū)空穴來源基極電源提供(IB)集電區(qū)少子漂移(ICBO)I

CBOIBIBN

IB+ICBO即：IB=IBN

–

ICBO3)

集電區(qū)收集擴(kuò)散過來的載流子形成集電極電流ICICIC=ICN+ICBO2)電子到達(dá)基區(qū)后(基區(qū)空穴運(yùn)動(dòng)因濃度低而忽略)三極管內(nèi)載流子運(yùn)動(dòng)4.三極管的電流分配關(guān)系當(dāng)管子制成后，發(fā)射區(qū)載流子濃度、基區(qū)寬度、集電結(jié)面積等確定，故電流的比例關(guān)系確定，即：IB=I

BN

ICBOIC=ICN+ICBOIE=IC+IB穿透電流BJT的放大作用RcVCCIBIERb+UBE+UCEVBBcebIC+UI+

IB+

IC+

IE>>1IE=

IC+

IB=(1+

)

IBIC=

IBUCEUCE=

–

UR=

–

ICRC電壓放大倍數(shù):RcVCCIBIERb+UBE+UCEVBBcebIC例輸入電壓UI=

30

mV,

引起IB=

30

A,設(shè)

=

40，RC=

1

k，求IC、Au。解：IC=

IB=

40

30

A=

1.2mAUO=UCE=

–

ICRC=

1.2mA

1

k=1.2V2.1.3三極管的輸入、輸出伏安特性一、輸入特性輸入回路輸出回路與二極管特性相似RCVCCiBIERB+uBE+uCEVBBCEBiC+++iBRB+uBEVBB+O特性基本重合(電流分配關(guān)系確定)特性右移(因集電結(jié)開始吸引電子)導(dǎo)通電壓UBE(on)硅管：(0.60.8)V鍺管：

(0.20.3)V取0.7V取0.2VVBB+RB二、輸出特性iC

/mAuCE

/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321截止區(qū)：

IB0

IC=ICEO0條件：兩個(gè)結(jié)反偏2.放大區(qū)：3.飽和區(qū)：uCE

u

BEuCB=uCE

u

BE

0條件：兩個(gè)結(jié)正偏特點(diǎn)：IC

IB臨界飽和時(shí)：uCE

=uBE深度飽和時(shí)：0.3V(硅管)UCE(SAT)=0.1V(鍺管)放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)條件：發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏特點(diǎn)：水平、等間隔ICEO輸出特性2.1.4三極管的主要參數(shù)及其選用一、電流放大系數(shù)1.共發(fā)射極電流放大系數(shù)iC

/mAuCE

/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321—直流電流放大系數(shù)

—交流電流放大系數(shù)一般為幾十幾百2.共基極電流放大系數(shù)1一般在0.98以上。

Q二、極間反向飽和電流(1)集電極–基極反向飽和電流ICBOICBOVCCAbce(2)集電極-發(fā)射極反向飽和電流ICEOICEOVCCAbceICEO=（1+）ICBO三、極限參數(shù)1.ICM

—集電極最大允許電流，超過時(shí)

值明顯降低。U(BR)CBO

—發(fā)射極開路時(shí)C、B極間反向擊穿電壓。2.PCM—集電極最大允許功率損耗PC=iC

uCE。3.U(BR)CEO

—基極開路時(shí)C、E極間反向擊穿電壓。U(BR)EBO

—集電極極開路時(shí)E、B極間反向擊穿電壓。U(BR)CBO>U(BR)CEO>U(BR)EBOiCICMU(BR)CEOuCEPCMOICEO安全工作區(qū)溫度對(duì)特性曲線的影響1.溫度升高，輸入特性曲線向左移。溫度每升高1C，UBE

(22.5)mV。溫度每升高10C，ICBO

約增大1倍。2.溫度升高，輸出特性曲線向上移。OT1T2>iCuCET1iB=0T2>iB=0iB=0溫度每升高1C，

(0.51)%。輸出特性曲線間距增大。O萬用表檢測晶體三極管的方法1.根據(jù)外觀判斷極性；3.用萬用表電阻擋測量三極管的好壞，PN結(jié)正偏時(shí)電阻值較小(幾千歐以下)，反偏時(shí)電阻值較大(幾百千歐以上)

。插入三極管擋(hFE)，測量值或判斷管型及管腳；指針式萬用表在R1k擋進(jìn)行測量。紅表筆是(表內(nèi))負(fù)極，黑表筆是(表內(nèi))正極。注意事項(xiàng)：測量時(shí)手不要接觸引腳。1kBEC1kBEC數(shù)字萬用表注意事項(xiàng)：?紅表筆是(表內(nèi)電源)正極；黑表筆是(表內(nèi)電源)負(fù)極。?NPN和PNP管分別按EBC排列插入不同的孔。?需要準(zhǔn)確測量值時(shí)，應(yīng)先進(jìn)行校正。2.插入三極管擋(hFE)，測量值或判斷管型及管腳?？芍苯佑秒娮钃醯膿?，分別測量判斷兩個(gè)結(jié)的好壞。三、晶體三極管的選用1.根據(jù)電路工作要求選擇高、低頻管。2.根據(jù)電路工作要求選擇PCM、ICM

、U(BR)CEO，應(yīng)保證：PC>PCm

ICM>ＩCm

U(BR)CEO>VCC3.一般三極管的值在40~100之間為好，9013、

9014等低噪聲、高的管子不受此限制。4.穿透電流ICEO

越小越好，硅管比鍺管的小。一、光電（敏）三極管1.工作原理像光電二極管一樣實(shí)現(xiàn)光-電轉(zhuǎn)換外，還能放大光電流。有NPN和PNP型之分。ecc(+)e(–)3DU5C外型符號(hào)IC=（1+）IB=100~1000有3AU、3DU系列如3DU5C：最高工作電壓30

V暗電流<0.2

A光電流

3

mA(1000

lx

下)峰值波長900

nm2.1.5特殊三極管2.應(yīng)用舉例（1）開關(guān)電路直接驅(qū)動(dòng)式，能提供3mA的光電流。三極管T

用于放大驅(qū)動(dòng)電流。泄流二極管，在繼電器脫電時(shí)，使線圈自感電動(dòng)勢形成放電回路且限幅為0.7V，從而使三極管免受過大的uCE。（2）測速電路（一）基本原理+–ce發(fā)光器件LED受光器件光電二極管光電三極管實(shí)現(xiàn)

電-光-電傳輸和轉(zhuǎn)換二、光電耦合器（二）主要參數(shù)1.輸入?yún)?shù)。即LED的參數(shù)2.輸出參數(shù)。與光電管同，其中：（1）光電流指輸入一定電流（10

mA），輸出接一定負(fù)載（約500）和一定電壓（10

V）時(shí)輸出端產(chǎn)生的電流。（2）飽和壓降指輸入一定電流（20

mA），輸出接一定電壓（10V）,調(diào)節(jié)負(fù)載使輸出達(dá)一定值(

2

mA

)時(shí)時(shí)輸出端的電壓(

通常為0.3V

)。

+–ce3.傳輸參數(shù)（1）電流比CTR

指直流狀態(tài)下，輸出電流與輸入電流之比。一般

<

1。（2）隔離電阻RISO。指輸入輸出間絕緣電阻。（3）極間耐壓UISO。指發(fā)光管光電管間的絕緣耐壓，一般在500V以上。

（三）類型、特點(diǎn)和用途分類：普通光電耦合器線性光電耦合器，用作光電開關(guān)。，輸出隨輸入成線性比例變化。特點(diǎn)：抗干擾性能好、隔噪聲、響應(yīng)快、壽命長。用作線性傳輸時(shí)失真小、工作頻率高；用作光電開關(guān)時(shí)無機(jī)械觸點(diǎn)疲勞，可靠性高。用途：實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換、電信號(hào)電氣隔離。（四）應(yīng)用舉例1.計(jì)算機(jī)接口電路示意圖計(jì)算機(jī)系統(tǒng)工業(yè)系統(tǒng)傳感電路執(zhí)行機(jī)構(gòu)輸入輸出R1R2傳輸線線性光電耦合器功能：（1）雙向數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)傳輸；（2）隔離，防止現(xiàn)場干擾竄入計(jì)算機(jī)；（3）電平轉(zhuǎn)換，適應(yīng)計(jì)算機(jī)和工業(yè)系統(tǒng)執(zhí)行機(jī)構(gòu)要求。2.光耦合器組成的開關(guān)電路功能：（1）實(shí)現(xiàn)脈沖傳輸；（2）實(shí)現(xiàn)電平轉(zhuǎn)換。低電平VCC1低電平高電平低電平高電平補(bǔ)充：半導(dǎo)體器件的命名方式第一部分?jǐn)?shù)字電極數(shù)2—二極管3—

三極管第二部分第三部分字母(漢拼)材料和極性A—鍺材料N型B—鍺材料P型C—硅材料N型D—硅材料P型A—鍺材料PNPB—鍺材料NPNC—硅材料PNPD—硅材料NPN字母(漢拼)器件類型P—普通管W—穩(wěn)壓管Z—整流管K—開關(guān)管U—光電管X—低頻小功率管G—高頻小功率管D—低頻大功率管A—高頻大功率管第四部分第五部分?jǐn)?shù)字序號(hào)字母(漢拼)規(guī)格號(hào)例如：2CP2AP2CZ2CW3AX313DG12B3DD63CG3DA3AD3DK常用小功率進(jìn)口三極管901190182.2

共射基本放大電路2.2.1放大電路的組成及主要性能指標(biāo)2.2.2共射基本放大電路的結(jié)構(gòu)及原理

一般得說，信號(hào)是信息的載體。例如，聲音信號(hào)可以傳遞語言、音樂或其他信息，圖像信號(hào)可以傳達(dá)人類視覺系統(tǒng)能夠接受的圖像信息。聲音或圖像信號(hào)無法直接傳遞給電子電路系統(tǒng)，需要先用傳感器把它轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，然后送到電子電路系統(tǒng)中去進(jìn)一步放大處理。

擴(kuò)音機(jī)的原理圖一、放大電路的組成2.2.1放大電路的組成及主要性能指標(biāo)

擴(kuò)音機(jī)的原理圖

放大電路的本質(zhì)是能量的控制和轉(zhuǎn)換；是在輸入信號(hào)作用下，通過放大電路將直流電源的能量轉(zhuǎn)換成負(fù)載所獲得的能量，使負(fù)載從電源獲得的能量大于信號(hào)源提供的能量。因此，電子電路放大的基本特征是功率放大，即負(fù)載上總是獲得比輸入信號(hào)大得多的電壓或電流，有時(shí)兼而有之。

1.放大電路的組成框圖直流電源信號(hào)源RS+us–RSis放大電路負(fù)載RL信號(hào)輸入第一級(jí)第二級(jí)第三級(jí)信號(hào)輸出2.多級(jí)放大電路3.放大電路的四端網(wǎng)絡(luò)表示１122+us–放大電路RS+ui–+uo–RLioiius—信號(hào)源電壓Rs—信號(hào)源內(nèi)阻RL—負(fù)載電阻ui—輸入電壓uo—輸出電壓ii—輸入電流io—輸出電流1122+us–放大電路RS+ui–+uo–RLioii電壓增益

Gu(dB)=20lg|Au|1.放大倍數(shù)電壓放大倍數(shù)

Au=uo/ui電流放大倍數(shù)

Ai=io/ii功率放大倍數(shù)

Ap=po/pi電流增益Gi(dB)=20lg|Ai|功率增益

Gp(dB)=10lg|Ap|二、放大電路的主要性能指標(biāo)2.輸入電阻１1+us–RS+ui–iiRiRi越大，ui與us越接近例us=20mV，Rs=600，比較不同Ri時(shí)的ii

、ui。Riiiui60003A18mV60016.7A10mV6030A1.82mV3.輸出電阻放大電路的輸出相當(dāng)于負(fù)載的信號(hào)源，該信號(hào)源的內(nèi)阻稱為電路的輸出電阻。計(jì)算：i2211usRS+u–放大電路=0Ro測量：uot—負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓；uo—帶負(fù)載時(shí)的輸出電壓，Ro越小，uot

和

uo

越接近。2211+us–RS+ui–+uo–RLRo+uot–Ri4.電量的符號(hào)表示規(guī)則A

AA大寫表示電量與時(shí)間無關(guān)(直流、平均值、有效值)；A小寫表示電量隨時(shí)間變化(瞬時(shí)值)。大寫表示直流量或總電量(總最大值，總瞬時(shí)值)；小寫表示交流分量。總瞬時(shí)值直流量交流瞬時(shí)值交流有效值直流量往往在下標(biāo)中加注QA—主要符號(hào)；

A—下標(biāo)符號(hào)。tuOuBE=UBE

+ube一、放大電路的基本概念放大的對(duì)象：變化量放大的本質(zhì)：能量的控制和轉(zhuǎn)換放大電路的必備元件：有源器件（晶體管或場效應(yīng)管）放大的前提：不失真2.2.2共射放大電路的結(jié)構(gòu)及原理+VCCRcC1C2RL+Rb+ui+uoAA’BB’VCC(直流電源)：?使發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏?向負(fù)載和各元件提供功率C1、C2(耦合電容)：?隔直流、通交流RB(基極偏置電阻)：?提供合適的基極電流RC(集電極負(fù)載電阻)：?將IC

UC

，使電流放大

電壓放大信號(hào)ui從AA’輸入信號(hào)uo從BB’輸出

二、共發(fā)射極放大電路的組成基本放大電路的組成

三、放大電路實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大的實(shí)質(zhì)基本放大電路的放大作用四、基本放大電路的組成原則（1）外加電源的極性必須保證三極管的發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。（2）輸入電壓ui要能引起三極管的基極電流iB作相應(yīng)的變化。（3）三極管集電極電流iC的變化要盡可能的轉(zhuǎn)為電壓的變化輸出。（4）放大電路工作時(shí)，直流電源UCC要為三極管提供合適的靜態(tài)工作電流IBQ、ICQ和電壓UCEQ，即電路要有一個(gè)合適的靜態(tài)工作點(diǎn)Q。（a）不能。因?yàn)檩斎胄盘?hào)被VBB短路，（b）可能。（c）不能。因?yàn)檩斎胄盘?hào)作用于基極與地之間，不能馱載在靜態(tài)電壓之上，必然失真。

2.3基本放大電路的分析方法2.3.1放大電路的圖解分析法2.3.2微變等效電路分析法1.基本思想

非線性電路經(jīng)適當(dāng)近似后可按線性電路對(duì)待，利用疊加定理，分別分析電路中的交、直流成分。一、分析三極管電路的基本思想和方法直流通路(ui=0)分析靜態(tài)。交流通路(ui

0)分析動(dòng)態(tài)，只考慮變化的電壓和電流。2.3.1放大電路的圖解分析法2.基本方法圖解法：在輸入、輸出特性圖上畫交、直流負(fù)載線，求靜態(tài)工作點(diǎn)“Q”，分析動(dòng)態(tài)波形及失真等。微變等效分析法：根據(jù)發(fā)射結(jié)導(dǎo)通壓降估算“Q”。用小信號(hào)等效電路法分析計(jì)算電路動(dòng)態(tài)參數(shù)。

靜態(tài)時(shí)直流電流流經(jīng)的路徑稱為直流通路。作直流通路時(shí)：電容視為開路；電感視為短路；信號(hào)源視為短路，但保留其內(nèi)阻。畫直流通路原則：二、靜態(tài)工作情況分析靜態(tài)—ui=0，電路中只有直流電源作用。靜態(tài)工作點(diǎn)

—靜態(tài)時(shí)，各極電流、電壓反映在輸入、輸出特性上的點(diǎn)，常用

“Q”

表示。直流通路+VCCRcRb輸入特性O(shè)iBuBE輸出特性iCuCE

OIB+UBEIBUBEQIC+UCEIBICUCEQ（一）圖解分析法+–RBRC+uCE–+

uBE

+–VCCVBB3V5ViBiC輸入直流負(fù)載線方程：uCE=VCCiC

RCuBE=VBBiBRB輸出直流負(fù)載線方程：輸入回路圖解QuBE/ViB/A靜態(tài)工作點(diǎn)VBBVBB/RB115kUBEQIBQ0.720輸出回路圖解uCE/ViC/mAVCCVCC/RCO1kQ23UCEQICQOiB=20A線性非線性線性AB+VCCRcC1C2RL+Rb+ui+uo300k4k4k12V練習(xí)：IB=40AuCE=

VCC–

iCRC

=

12

–4

iC312Q1.56（二）估算法確定靜態(tài)工作點(diǎn)+–RBRC+uCE–+

uBE

+–VCCVBB3V5ViBiC115k1k=100練習(xí)：用估算法確定靜態(tài)工作點(diǎn)+VCCRcRbIB+UBEIC+UCE

取UBE=0.7V(硅管)

0.2V(鍺管)IC=

IBUCE=

VCC–

ICRC300k4k12V=37.5=37.5

0.04mA=1.5mA=12–1.5

mA

4k=6V（三）電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響1.改變RB，其他參數(shù)不變uBEiBuCEiCVCCVBBVBBRBQQRB

iBQ趨近截止區(qū)；RB

iB

Q趨近飽和區(qū)。2.改變RC，其他參數(shù)不變RC

Q

趨近飽和區(qū)。iCuBEiBuCEVCCUCEQQQICQVCCRCiC0iC=VCC/RC例1設(shè)RB

=

38

k，求VBB=0

V、3

V時(shí)的iC、uCE。+–RBRC+uCE–+

uBE

+–VCCVBB3V5ViBiC1

k[解]uCE/ViC/mAiB=010A20A30A40A50A60A41O235當(dāng)VBB=0V：iB0，iC

0，5VuCE

5V當(dāng)VBB=3V：0.3uCE

0.3

V0，iC5mA三極管的開關(guān)等效電路SBCEVCC+RCRBiB0uCE

5ViBuCE0判斷是否飽和臨界飽和電流

ICS和IBS

：iB>IBS，則三極管飽和。動(dòng)態(tài)

—電路中接入ui

后的工作狀態(tài)。電路中有直流電源作用形成的直流分量，輸入電壓作用形成的交流分量。交流通路—只考慮變化的電壓和電流的電路。電量的符號(hào)表示規(guī)則A

AA

—主要符號(hào)；

A

—下標(biāo)符號(hào)。A大寫表示電量與時(shí)間無關(guān)(直流、平均值、有效值)小寫表示電量隨時(shí)間變化(瞬時(shí)值)。A大寫表示直流量或總電量(總最大值，總瞬時(shí)值)；小寫表示交流分量?？偹矔r(shí)值直流量交流有效值tuOuBE=UBE

+ube交流瞬時(shí)值三、動(dòng)態(tài)工作情況分析畫交流通路原則：（1）固定不變的電壓源都視為短路；（2）固定不變的電流源都視為開路；（3）視電容對(duì)交流信號(hào)短路。（一）圖解法分析動(dòng)態(tài)工作情況線性非線性線性輸入回路(A左)(B右)輸出回路(B左)(A右)+–RBRC+uCE–+uBE

+–VCCVBBiBiCiBiC+uBE

+uCE–AB例硅管，ui

=10sint(mV)，RB=176k，RC=1k，VCC=VBB=6V，圖解分析各電壓、電流值。[解]令ui=0，求靜態(tài)電流IBQuBE/ViB/AO0.7V30QuiOtuBE/VOtiBIBQ(交流負(fù)載線)uCE/ViC/mA41O23iB=10A20304050505Q6直流負(fù)載線QQ6OtiCICQUCEQOtuCE/VUcemibicuceRL+–

iBiCRBVCCVBBRCC1ui+–

+

–

+uCE+uBE–

當(dāng)ui=0

uBE=UBEQ

iB=IBQ

iC=ICQ

uCE=UCEQ

當(dāng)ui=Uimsintib=Ibmsintic=Icmsint

uce=–Ucemsint

uo=uceiB=

IBQ

+IbmsintiC=

ICQ

+IcmsintuCE=

UCEQ

–

Ucemsin

t=

UCEQ

+Ucemsin

(180°–

t)uBE/ViB/A0.7V30QuituBE/VtiBIBQ(交流負(fù)載線)uCE/ViC/mA4123iB=10A20304050605Q6直流負(fù)載線QQ6tiCICQUCEQtuCE/VUcemibicuceOOOOOO基本共發(fā)射極電路的波形：+–

iBiCRBVCCVBBRCC1ui+–

+

–

+uCE+uBE–

IBQuiOtiBOtuCEOtuoOtiCOtICQUCEQ（二）放大電路的非線性失真復(fù)習(xí)：晶體三極管三個(gè)工作區(qū)域iC

/mAuCE

/V50μA40μA30μA20μA10μAIB=0O24684321截止區(qū)：IB0

IC=ICEO0

條件：兩個(gè)結(jié)反偏2.放大區(qū)：3.飽和區(qū)：uCE

u

BEuCB=uCE

u

BE

0條件：兩個(gè)結(jié)正偏特點(diǎn)：IC

IB臨界飽和時(shí)：uCE

=uBE深度飽和時(shí)：0.3V(硅管)0.1V(鍺管)UCE(SAT)=放大區(qū)截止區(qū)飽和區(qū)條件：發(fā)射結(jié)正偏集電結(jié)反偏特點(diǎn)：水平、等間隔ICEO判斷如圖電路UI=1V、3V、5V

時(shí)，BJT的工作狀態(tài)。VBBRBB[解]

利用戴維寧定理：UI

=

1V：VBB=0.4

V,UBE<

0.5

V，BJT截止UI=3V：VBB=1.2

V，IC

=

I

B

=500.04mA=2

mAUCE=VCC–

IC

Rc=6

VBJT處于放大狀態(tài)VBBRBB[解]

利用戴維寧定理：UI

=

1V：BJT截止UI=3V：BJT處于放大狀態(tài)UI=5V：VBB=2

V，IC

=

I

B

=5

mABJT處于飽和狀態(tài)判斷如圖電路UI=1V、3V、5V

時(shí)，BJT的工作狀態(tài)。放大電路的非線性失真問題：因工作點(diǎn)不合適或者信號(hào)太大使放大電路的工作范圍超出了晶體管特性曲線上的線性范圍，從而引起非線性失真。1.“Q”過低引起截止失真NPN管：頂部失真為截止失真。PNP管：底部失真為截止失真。不發(fā)生截止失真的條件：IBQ>Ibm。OQibOttOuBE/ViBuBE/ViBuiuCEiCictOOiCOtuCEQuce交流負(fù)載線2.“Q”過高引起飽和失真ICS集電極臨界飽和電流NPN管：

底部失真為飽和失真。PNP管：頂部失真為飽和失真。IBS—基極臨界飽和電流。不接負(fù)載時(shí)，交、直流負(fù)載線重合，V

CC=VCC不發(fā)生飽和失真的條件：IBQ+IbmIBSuCEiCtOOiCO

tuCEQV

CC飽和失真的本質(zhì)：負(fù)載開路時(shí)：接負(fù)載時(shí)：受RC的限制，iB增大，iC不可能超過VCC/RC。受RL的限制，iB增大，iC不可能超過V

CC/RL。C1+RCRB+VCCC2RL+uo++iBiCVui(RL=RC//RL)選擇工作點(diǎn)的原則：當(dāng)ui較小時(shí)，為減少功耗和噪聲，“Q”

可設(shè)得低一些；為提高電壓放大倍數(shù)，“Q”可以設(shè)得高一些；為獲得最大輸出，“Q”可設(shè)在交流負(fù)載線中點(diǎn)。如圖所示電路，當(dāng)輸入交流信號(hào)時(shí)，出現(xiàn)如圖題2.5所示輸出波形圖，試判斷何種失真，產(chǎn)生該失真的原因是什么？如何才能使其不失真？

（a）是截止失真。原因是靜態(tài)工作點(diǎn)偏低，即IBQ太小，引起ICQ太小。只要將偏置回路的電阻Rb減小，即增大IBQ，使靜態(tài)工作點(diǎn)上移就可消除失真。（b）是飽和失真。原因是靜態(tài)工作點(diǎn)偏高，即IBQ太大，引起ICQ太大。只要將偏置回路的電阻Rb增大，即減小IBQ，使靜態(tài)工作點(diǎn)下移就可消除失真。

（三）最大輸出幅值的估算最大不失真輸出電壓幅值

Uomax：當(dāng)“Q”靠近截止區(qū)時(shí)，

Uomax=Ucut當(dāng)“Q”靠近飽和區(qū)時(shí)，

Uomax=UsatUcut=ICR’LUsat=UCE

UCE(sat)估算取UCE(sat)

=

1

V例BJT硅管，=40，各電容足夠大，求“Q”、Uomax

。[解](1)求“Q”直流負(fù)載線方程：uCE=VCC–

iC

(Rc+Rd)

=12

–4

iCIC=1.6mAUCE=5.6VR’L

=

R

c//

RL

=3

//

6=2

(k)(2)求UomaxUCE+

ICR’L

=5.6+3.2

=8.8V交流負(fù)載線在水平軸的截距為：Uomax=3.2

V

微變等效電路分析法即小信號(hào)模型法可以用來分析電路的動(dòng)態(tài)工作情況。微變等效的依據(jù)：1.非線性電路經(jīng)適當(dāng)近似后可按線性電路對(duì)待。2.利用疊加定理，分別分析電路中交、直流成分。3.動(dòng)態(tài)是輸入信號(hào)電壓在直流靜態(tài)工作點(diǎn)的基礎(chǔ)上，各極電流、電壓的變化。2.3.2微變等效電路分析法一、三極管的小信號(hào)簡化模型1.輸入回路的模型動(dòng)態(tài)電阻：BJT內(nèi)部電阻示意圖b’ecbrbb’rbb’—基區(qū)體電阻rb’erb’e—發(fā)射結(jié)電阻r’er’e—集電區(qū)體電阻rbb’通常為幾百歐（取300）re=rb’e+r’e

rb’e注意！rbeUBE/IB，因?yàn)閞be是動(dòng)態(tài)電阻，而式右是靜態(tài)參數(shù)，不能混淆。2.輸出回路的模型BJT小信號(hào)模型+uce–+ube–

ibicCBErbe

Eibicic+ube+uceBC2.輸出回路的模型BJT小信號(hào)模型+uce–+ube–

ibicCBErbe

Eibicic+ube+uceBC注意！小信號(hào)模型：（1）未考慮BJT結(jié)電容的影響，故只適用于低頻信號(hào)。（2）當(dāng)信號(hào)較大，但非線性失真不嚴(yán)重時(shí)或計(jì)算精度要求不高時(shí)，仍可使用。（3）只能用于放大電路的動(dòng)態(tài)分析，不能用于計(jì)算靜態(tài)工作點(diǎn)。（4）適于NPN和PNP管，不必改電壓、電流參考方向。3.放大電路的輸入、輸出電阻輸入電阻：Ri越大，Ui與Us越接近。輸出電阻：（1）實(shí)驗(yàn)法：（2）加壓法求流法：+–URo越小帶載能力越強(qiáng)用微變等效電路分析法分析放大電路的求解步驟：①

用公式估算法估算Q點(diǎn)值，并計(jì)算Q點(diǎn)處的參數(shù)rbe值。②

由放大電路的交流通路，畫出放大電路的微變等效電路。③

根據(jù)等效電路直接列方程求解Au、Ri、Ro。注意：NPN和PNP型三極管的微變等效電路一樣。二、用小信號(hào)模型分析共射放大電路+VCCRcC1C2RL+Rb+ui+uoAA’BB’1.畫簡化小信號(hào)模型電路2.求電壓放大倍數(shù)R’L=Rc//RL3.求輸入電阻4.求輸出電阻Ro

=RC+Uo+–

RbRLrbe

eIcbcRCIbIcUiIi+–輸入輸出相位相反5.源電壓放大倍數(shù)+Uo+–

RbRLrbe

eIcbcRCIbIcUiUsRsIi例BJT硅管，VCC

=12

V

，=40，求：Au、Ri、Ro。

+VCCRcC1C2RL+Rb+us+uo0.6k3.9k3.9k300k+RS[解]rbe=300

+26mV/IB

=1k

=

–

78Ro=RC=

3.9

k某電路如圖所示。晶體管T為硅管，其，電路中的UCC=24V、RB=96kΩ、RC=RE=2.4kΩ、電容器C1、C2、C3

的電容量均足夠大、正弦波輸入信號(hào)的電壓有效值ui=1V。試求：輸出電壓uo1、uo2的有效值；用內(nèi)阻為10kΩ的交流電壓表分別測量uo1、uo2時(shí)，交流電壓表的讀數(shù)各為多少？解：（1）根據(jù)共射極、共集電極放大電路的開路電壓放大倍數(shù)求（2）三、兩種分析方法特點(diǎn)比較

放大電路的圖解分析法：其優(yōu)點(diǎn)是形象直觀，適用于Q點(diǎn)分析、非線性失真分析、最大不失真輸出幅度的分析，能夠用于大、小信號(hào)；其缺點(diǎn)是作圖麻煩，只能分析簡單電路，求解誤差大，不易求解輸入電阻、輸出電阻等動(dòng)態(tài)參數(shù)。 微變等效電路分析法：其優(yōu)點(diǎn)是適用于任何復(fù)雜的電路，可方便求解動(dòng)態(tài)參數(shù)如放大倍數(shù)、輸入電阻、輸出電阻等；其缺點(diǎn)是只能用于分析小信號(hào)，不能用來求解靜態(tài)工作點(diǎn)Q。2.4

分壓式工作點(diǎn)穩(wěn)定電路2.4.1溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響2.4.2工作點(diǎn)穩(wěn)定放大電路的分析溫度，輸入特性曲線溫度，輸出特性曲線OT1T2>iCuCET1iB=0T2>iB=0iB=0O溫度對(duì)ICBO、ICEO的影響

溫度每升高10C，

兩者約增大1倍。2.溫度對(duì)UBE

的影響溫度每升高1C，

UBE

(22.5)mV。3.溫度對(duì)的影響溫度每升高1C，

(0.51)%。輸出特性曲線間距增大。2.4.1溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響一、電路組成+VCCRCC1C2RLRE+CE++RB1RB2RS+ui+us+uoVCC(直流電源)：?使發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏?向負(fù)載和各元件提供功率C1、C2(耦合電容)：?隔直流、通交流RB1

、RB2(基極偏置電阻)：?提供合適的基極電流RC(集電極負(fù)載電阻)：?將IC

UC

，使電流放大

電壓放大RE(發(fā)射極電阻)：?穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)“Q”CE(發(fā)射極旁路電容)：?短路交流，消除RE對(duì)電壓放大倍數(shù)的影響2.4.2工作點(diǎn)穩(wěn)定放大電路的分析二、直流分析+VCCRCRERB1RB2+UBEQ

+UCEQIBQI1ICQIEQ要求：I1(510)IBQUBQ(510)UBEQ方法1：估算穩(wěn)定“Q”的原理：TICUEUBE

IC方法2：利用戴維寧定理求IBQVCCRCRERB1RB2+–+–VCCVCCRCRE+–+–V

CCRBIBQ三、交流分析+us+VCCRCC1C2RLRE+CE++RB1RB2RS+uoRCRB1RB2+ui+uoRLibicii交流通路小信號(hào)等效電路rbe

ib1.電壓放大倍數(shù)源電壓放大倍數(shù)2.輸入電阻Ri3.輸出電阻RoRo

=RC當(dāng)沒有旁路電容CE時(shí)：小信號(hào)等效電路1.電壓放大倍數(shù)源電壓放大倍數(shù)2.輸入電阻3.輸出電阻Ro=RC交流通路RCRB1RB2+ui+uoRLibiciiRERCRB1RB2+ui+uoRLibiciirbeibRERiRi例=100，RS=1k，RB1=62k，RB2=20k,RC=3k，RE=1.5k，RL=5.6k，VCC=15V。求：“Q”，Au，Ri，Ro。[解]1)求“Q”+VCCRCC1C2RLRE+CE++RB1RB2RS+us+uo+VCCRCC1C2RLRE+CE++RB1RB2RS+us+uo2)求Au，Ri，Ro，

AusRo=RC=3k去掉旁路電容CE時(shí)：+VCCRCC1C2RLRE++RB1RB2RS+us+uo1)靜態(tài)工作點(diǎn)“Q”不變2)求Au、Aus、Ri、RoRCRB1RB2+ui+uoRLibiciirbeibRERo

=RC=3k既穩(wěn)定“Q”，Au

又較大的電路2.5共集和共基放大電路2.5.1共集電極放大電路2.5.2共基極放大電路

共集電極放大電路又稱為射極輸出器、射極跟隨器。一、電路組成與靜態(tài)工作點(diǎn)IBQIEQ+C1RS+ui

–RERB+VCCC2RL+–+uo–+usIBQ=(VCC

–UBEQ)/[RB+(1+)

RE]ICQ=

IBQUCEQ=VCC–

ICQ

RE交流通路RsRB++uoRLibiciiRE共集電極電路2.5.1共集電極放大電路二、動(dòng)態(tài)參數(shù)分析交流通路RsRB++uoRLibiciiRE小信號(hào)等效電路usRB+uoRLibiciirbeibRERs+RL=RE//RL電壓放大倍數(shù)：1輸入電阻：輸出電阻：usRB+uoRLibiciirbeibRERs+RBibiciirbeibRERsus=0+uiiRERS=Rs//RBi=iRE

–ib–ib射極輸出器特點(diǎn)Au1

輸入輸出同相Ri

高Ro

低用途：輸入級(jí)輸出級(jí)中間隔離級(jí)例

=120，RB=300k，rbb=200，UBEQ=0.7VRE=RL=Rs=1k，VCC=12V。求：“Q”，Au，Ri，Ro。IBQIEQ+C1RS+ui

–RERB+VCCC2RL+–+uo–+us[解]1)求“Q”IBQ=(VCC–

UBE)/

[RB

+

(1+

)

RE]=(12

–0.7)/[300+1211]

27(A)IEQ

IBQ

=3.2(mA)UCEQ=VCC–

ICQ

RE

=12–3.21=8.8(V)2)求Au，Ri，Rorbe=200+26/0.027

1.18(k)Ri=300//(1.18+121)=51.2(k)RL=

1

//

1

=0.5(k)無C3、RB3：Ri=(RB1//RB2)//[rbe+(1+)RE]Ri=50//510=45(k)Ri=(RB3+RB1//RB2)//[rbe+(1+)RE]Ri=(100+50)//510=115(k)無C3有RB3：接C3：RB3

//rberbeRi=rbe+(1+)(RB//RE)=(1+)(RB//RE)Ri=5150//10=425(k)提高Ri

的電路：+C1RSRERB1+VCCC2+–+uo–+us+RB2RB3C3=50100k100k100k10kRB+uoibiciirbeibRE+uiRB32.5.2共基極放大電路電路圖+VCCRcCbC2RLRe+++Rb1Rb2RS+us

+uoC1+ui習(xí)慣畫法+VCCRcCbC2RLRe++Rb1Rb2RS+us+uoC1++ui一、靜態(tài)分析（略）交流通路RcReRS+usRL+ui+uo小信號(hào)模型+UoRcReRS+UsRLrbeIoIcIeIiIb

Ib+Ui二、動(dòng)態(tài)分析+UoRcReRS+UsRLrbeIoIcIeIiIb

Ib+UiRiRiRoRo=RC特點(diǎn)：1.Au大小與共射電路相同。

2.輸入電阻小，Aus

小。用途：高頻特性好，常用于高頻電路中。三、三極管共基極電流放大系數(shù)

共基極電路具有電壓放大作用，uo與ui同相位。放大管輸入電流為ie，輸出電流為ic，沒有電流放大作用，ic≈ie，因此電路又稱為電流跟隨器。其輸入電阻很小，輸出電阻很大。共基極電路的頻率特性比較好，一般多用于高頻放大電路。+VCCRCC2C3RLRE+++RB1RB2RS+us+uoC1Ro=RC2.4.2共基極放大電路2.6.2MOS場效應(yīng)管2.6.3場效應(yīng)管的偏置電路及靜態(tài)分析2.6.1結(jié)型場效應(yīng)管2.6場效應(yīng)管及其放大電路2.6.4場效應(yīng)管放大電路的動(dòng)態(tài)分析引言場效應(yīng)管FET

(FieldEffectTransistor)類型：結(jié)型JFET

(JunctionFieldEffectTransistor)絕緣柵型IGFET(InsulatedGateFET)特點(diǎn)：1.單極性器件(一種載流子導(dǎo)電)3.工藝簡單、易集成、功耗小、體積小、成本低2.輸入電阻高(1071015，IGFET可高達(dá)1015)2.6.1結(jié)型場效應(yīng)管1.結(jié)構(gòu)與符號(hào)JFET結(jié)構(gòu)N溝道JFETP溝道JFET2.工作原理uGS

0，uDS

>0

此時(shí)

uGD=UP；

溝道楔型耗盡層剛相碰時(shí)稱預(yù)夾斷。預(yù)夾斷當(dāng)uDS

，預(yù)夾斷點(diǎn)下移。3.轉(zhuǎn)移特性和輸出特性UP當(dāng)UP

uGS0時(shí),uGSiDIDSSuDSiDuGS=–3V–2V–1V0V–3VJFET工作原理OO場效應(yīng)管的主要參數(shù)開啟電壓UT(增強(qiáng)型)

夾斷電壓

UP(耗盡型)

指uDS=某值，使漏極電流iD為某一小電流時(shí)的uGS

值。UTUP2.飽和漏極電流IDSS耗盡型場效應(yīng)管，當(dāng)uGS=0時(shí)所對(duì)應(yīng)的漏極電流。3.直流輸入電阻RGS指漏源間短路時(shí)，柵、源間加反向電壓呈現(xiàn)的直流電阻。JFET：RGS>107

MOSFET：RGS=109

1015IDSSuGS/ViD/mAO4.低頻跨導(dǎo)gm

反映了uGS對(duì)iD的控制能力，單位S(西門子)。一般為幾毫西

(mS)uGS/ViD/mAQPDM=uDSiD，受溫度限制。5.漏源動(dòng)態(tài)電阻rds6.最大漏極功耗PDMO一、增強(qiáng)型N溝道MOSFET

(MentalOxideSemi—FET)2.6.2MOS場效應(yīng)管1.結(jié)構(gòu)與符號(hào)P型襯底(摻雜濃度低)N+N+用擴(kuò)散的方法制作兩個(gè)N區(qū)在硅片表面生一層薄SiO2絕緣層SD用金屬鋁引出源極S和漏極DG在絕緣層上噴金屬鋁引出柵極GB耗盡層S—源極SourceG—柵極Gate

D—漏極DrainSGDBMOSFET結(jié)構(gòu)2.工作原理1)uGS

對(duì)導(dǎo)電溝道的影響

(uDS=0)a.

當(dāng)UGS=0

，DS間為兩個(gè)背對(duì)背的PN結(jié)；b.

當(dāng)0<UGS<UT(開啟電壓)時(shí)，GB間的垂直電場吸引

P區(qū)中電子形成離子區(qū)(耗盡層)；c.

當(dāng)uGS

UT

時(shí)，襯底中電子被吸引到表面，形成導(dǎo)電溝道。uGS

越大溝道越厚。反型層(溝道)2)

uDS

對(duì)

iD的影響(uGS>UT)

DS間的電位差使溝道呈楔形，uDS，靠近漏極端的溝道厚度變薄。預(yù)夾斷(UGD=

UT)：漏極附近反型層消失。預(yù)夾斷發(fā)生之前：uDSiD。預(yù)夾斷發(fā)生之后：uDSiD不變。MOS工作原理3.轉(zhuǎn)移特性曲線2464321uGS/ViD/mAUDS=10VUT當(dāng)uGS>UGS(th)

時(shí)：uGS=2UGS(th)

時(shí)的

iD值4.輸出特性曲線可變電阻區(qū)uDS<uGSUTuDSiD

，直到預(yù)夾斷飽和(放大區(qū))uDS，iD

不變uDS加在耗盡層上，溝道電阻不變截止區(qū)uGS

UT

全夾斷iD=0

開啟電壓iD/mAuDS/VuGS=2V4V6V8V截止區(qū)

飽和區(qū)可變電阻區(qū)放大區(qū)恒流區(qū)OO二、耗盡型N溝道MOSFETSGDBSio2

絕緣層中摻入正離子在uGS=0時(shí)已形成溝道；在DS間加正電壓時(shí)形成iD，uGS

UP

時(shí)，全夾斷。輸出特性u(píng)GS/ViD/mA轉(zhuǎn)移特性IDSSUGS(off)夾斷電壓飽和漏極電流當(dāng)uGS

UP

時(shí)，uDS/ViD/mAuGS=4V2V0V2VOO三、P溝道MOSFET增強(qiáng)型耗盡型SGDBSGDBN溝道增強(qiáng)型SGDBiDP溝道增強(qiáng)型SGDBiD2–2OuGS/ViD/mAUTOuDS/ViD/mA–2V–4V–6V–8VuGS=8V6V4V2VSGDBiDN溝道耗盡型iDSGDBP溝道耗盡型UPIDSSuGS/ViD/mA–5O5OuDS/ViD/mA5V2V0V–2VuGS=2V0V–2V–5VN溝道結(jié)型SGDiDSGDiDP溝道結(jié)型uGS/ViD/mA5–5OIDSSUPOuDS/ViD/mA5V2V0VuGS=0V–2V–5VFET符號(hào)、特性的比較場效應(yīng)管的主要特點(diǎn)及使用注意事項(xiàng)

特點(diǎn)：FET為電壓控制型器件，柵極基本無電流，輸入電阻高，常用做高輸入阻抗輸入級(jí)。多

子導(dǎo)電，受溫度、輻射等外界因素影響小。噪聲比BJT?。ㄓ绕涫荍FET）。MOS管制造工藝簡單，體積小，功耗小，易集成。使用注意事項(xiàng)：MOS管襯底與源極通常接在一起。若需分開，襯源間電壓須反偏（NMOSuGS

<0，PMOSuGS

>

0）。MOS管輸入電阻極高，使柵極感應(yīng)電荷產(chǎn)生高壓造成管子擊穿。為避免柵極懸空及減少感應(yīng)，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)將三個(gè)極短路；焊接時(shí)，用鑷子短路三個(gè)極，并將電烙鐵斷電后焊接；不能用萬用表檢測，只能接入測試儀后再去掉短路線測試，取下前也應(yīng)先短路。JFET可在柵源極開路情況下儲(chǔ)存和用萬用表檢測。MOS管柵極過壓保護(hù)電路三極管和場效應(yīng)管放大和開關(guān)電路的應(yīng)用舉例一、簡易助聽器電路音量調(diào)節(jié)PNP型小功率管（3AX）二、觸電保護(hù)電路（旁路電流檢測器）L1、L2匝數(shù)相等，雙線并繞反向串接，磁通抵消，使二次側(cè)L3無感應(yīng)電動(dòng)勢，A點(diǎn)電壓約0.47

V，T1、T2截止。KA不動(dòng)作。0.47

VIdL2上電流小于L1，二次側(cè)L3感應(yīng)電動(dòng)勢，經(jīng)整流濾波后，A點(diǎn)電壓0.2

V

，T1、T2導(dǎo)通。KA動(dòng)作，KA1KA2斷開，電器斷電。0.2

V恢復(fù)開關(guān)采用阻容降壓穩(wěn)壓管穩(wěn)壓泄流二極管模擬人體觸電三、恒流充電機(jī)電路功能：給摩托車、電動(dòng)自行車電瓶和可充電電池恒流充電。整流濾波分壓穩(wěn)壓電流調(diào)節(jié)原理：利用VMOS柵源電壓不變時(shí)iD恒流，實(shí)現(xiàn)恒流充電。指示變壓場效應(yīng)管的特點(diǎn)1、場效應(yīng)管是一種電壓控制器件2、場效應(yīng)管的柵極幾乎不取電流，所以其輸入電阻非常高。3、場效應(yīng)管具有噪聲小、受外界溫度及輻射的影響小。4、場效應(yīng)管制造工藝簡單，有利于大規(guī)模集成。5、場效應(yīng)管存放時(shí)，應(yīng)將柵極和源極短接在一起。6、場效應(yīng)管的跨導(dǎo)較小，電壓放大倍數(shù)一般比雙極性三極管低。2.6.3場效應(yīng)管的偏置電路及靜態(tài)分析+VDDRdC2CS+++uoC1+uiRgRsgsd

1.工作原理一、自偏壓電路柵極電阻Rg的作用：(1)為柵偏壓提供通路(2)瀉放柵極積累電荷源極電阻Rs的作用：提供負(fù)柵偏壓漏極電阻Rd的作用：把iD的變化變?yōu)閡DS的變化uGS=uG

–

uS

=–iDRs

2.靜態(tài)工作點(diǎn)的估算UGS=–IDRsUDS=VDD–

ID（Rs+Rd）二、分壓式自偏壓電路調(diào)整電阻的大小，可獲得：UGS>0UGS=0UGS<0RL+VDDRdC2Cs+++uoC1+uiRg2RsgsdRg1Rg32.6.4場效應(yīng)管放大電路的動(dòng)態(tài)分析一、FET的簡化小信號(hào)模型從輸入回路看，iG

0，故認(rèn)為g、s極間開路；從輸出回路看，漏極電流受柵、源電壓控制，有：對(duì)于正弦量：小信號(hào)模型sIdgmUgs+Ugs+Udsgd二、用小信號(hào)模型分析

FET

共源極放大電路RL+VDDRdC2Cs+++uoC1+uiRg2RsgsdRg1Rg3RLRD+Uo+UiRg2gsdRg3Rg1+UgsgmUgsIdIiRS有

CS

時(shí)：無

CS

時(shí)：Ri、Ro不變例已知gm

=0.7mS，求電壓放大倍數(shù)、輸入和輸出電阻。47

kRLRdC2Cs+++uoC1+uiRg2gsdRg1Rg32k30

k2

M10

M10k+18VRs解：二、性能指標(biāo)分析1.共源放大電路有CS時(shí)：RL+VDDRDC2CS+++uoC1+uiRG2RSGSDRG1RG3RLRD+uo+uiRG2GSDRG3RG1+ugsgmugsidii無CS

時(shí)：RSRi、Ro不變2.共漏放大電路RL+VDDC2++uoC1+uiRG2RSGSDRG1RG3RLRS+uo+uiRG2GSDRG3RG1+ugsgmugsiiioRo小結(jié)一、兩種半導(dǎo)體放大器件雙極型半導(dǎo)體三極管(晶體三極管

BJT)單極型半導(dǎo)體三極管(場效應(yīng)管

FET)兩種載流子導(dǎo)電多數(shù)載流子導(dǎo)電晶體三極管1.形式與結(jié)構(gòu)NPNPNP三區(qū)、三極、兩結(jié)2.特點(diǎn)基極電流控制集電極電流并實(shí)現(xiàn)放大放大條件內(nèi)因：發(fā)射區(qū)載流子濃度高、基區(qū)薄、集電區(qū)面積大外因：發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)反偏3.電流關(guān)系IE=IC+IBIC=

IB+ICEO

IE=(1+)

IB+ICEOIE=IC+IBIC=

IB

IE=(1+)

IB

4.特性iC

/mAuCE

/V100μA80μA60μA40μA20μAIB=0O369124321O0.40.8iB

/AuBE/V60402080死區(qū)電壓(Uth)：0