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文檔簡(jiǎn)介
第3章氫核磁共振波譜(1HNuclearMagneticResonanceSpectra,1HNMR)3.1.1原子核的自旋和磁性質(zhì)3.1核磁共振基本原理原子核是帶正電的微粒(由質(zhì)子+中子組成),大多數(shù)原子核都具有自旋現(xiàn)象。核的自旋現(xiàn)象,用自旋量子I表示,I值與原子核的質(zhì)量和核電荷數(shù)(質(zhì)子數(shù)或原子序數(shù))Z有關(guān)。
質(zhì)量(A)原子序數(shù)(Z)I
奇奇或偶半整數(shù)
I=1/2,3/2,5/2…
偶奇整數(shù)I=1,2…
偶偶0
I=0
I=1/2:
1H1
13C6
15N7
19F9
31P15
57Fe26
77Se34195Pt78
199Hg80…I=3/2:
7Li3
9Be4
11B5
23Na11
33S16
39K1963Cu29
65Cu29
35Cl17
37Cl1779Br3581Br35...I=5/2:
17O8
25Mg12
27Al13
55Mn25
67Zn30…
I=1:
2H1
6Li3
14N7
I=2:
58Co27I=3:
10B5
I=0:
12C6
16O8
32S16
I0的原子核都具有自旋現(xiàn)象產(chǎn)生磁矩(),與自旋角動(dòng)量P有關(guān)。
I值不同,原子核表面電荷分布情況不同P==·P
電荷均勻分布于原子核表面(I=))的核,核磁共振的譜線窄,有利于核磁共振檢測(cè)。
電荷非均勻分布于原子核表面(I>)的核,都具有特有的弛豫機(jī)制(Relaxation),導(dǎo)致核磁共振的譜線加寬,不利于核磁共振檢測(cè)。3.1.2原子核的進(jìn)動(dòng)和在磁場(chǎng)中的取向(1)磁矩的取向
I0的自旋核,具有一定的角動(dòng)量P,(P=),核自旋產(chǎn)生磁矩(=
·P)。自旋核的取向,即磁矩的取向。無(wú)外磁場(chǎng)(B0)時(shí),磁矩的取向是任意的。
在B0中,I0的自旋核,磁矩的取向不是任意的,而是量子化的,共有(2I+1)種取向??捎么帕孔訑?shù)m表示:m:I,I-1,,-I+1,-I在B0中:
自旋角動(dòng)量在Z軸(B0軸)上的投影:PZ=m
磁矩在Z軸(B0軸)上的投影:Z=
·PZ=
·m
磁矩與磁場(chǎng)相互作用能E:
E=-Z·B0=-
·m·B0
量子力學(xué)選律可知,只有m=1的躍遷,才是允許躍遷,所以相鄰兩能級(jí)之間的能量差:
E=E2
–E1E=-
··m·B0=
··B0
E∝B0
磁誘導(dǎo)產(chǎn)生自旋核的能級(jí)裂分
E=hh=
··B0
=·B0
(2)自旋核在B0場(chǎng)中的進(jìn)動(dòng)
I
0的自旋核,繞自旋軸旋轉(zhuǎn)(自旋軸的方向與
一致),自旋軸又與B0場(chǎng)保持一角,繞B0場(chǎng)進(jìn)動(dòng)(Precess),這是由于B0對(duì)
有一個(gè)扭力,與B0平行,旋轉(zhuǎn)又產(chǎn)生離心力,平衡時(shí)保持不變。
(經(jīng)典力學(xué)分析,自旋核在B0中就象一個(gè)旋轉(zhuǎn)的陀螺在地心場(chǎng)中。)進(jìn)動(dòng)的頻率
=20=·B00=·B00∝B0若在垂直于B0的方向加射頻場(chǎng)B1,其頻率為1,在B1的作用下,會(huì)產(chǎn)生一個(gè)與自旋核旋進(jìn)方向相同的回旋頻率1
當(dāng)1=0時(shí),核就會(huì)吸收能量,由低能態(tài)(+1/2)躍遷至高能態(tài)(-1/2),這種現(xiàn)象稱核磁共振。共振吸收頻率
例如對(duì)于1H
B0=1.41TG
=60MHz,
B0=2.35TG
=100MHz
=·B0同一種核,=常數(shù),∝B0
B0一定時(shí),不同的核,g不同,不同。
例如:B0=4.7TG時(shí),下列核的共振頻率為:1HΥ=26.752(107rad./s.T),200MHz13CΥ=6.728(107rad./s.T)50.3MHz19FΥ=25.181(107rad./s.T)188.2MHz31PΥ=10.841(107rad./s.T)81MHz(T=104高斯)產(chǎn)生NMR條件
(1)I0的自旋核(2)外磁場(chǎng)B0(3)與B0相互垂直的射頻場(chǎng)B1,且1=03.2飽和和弛豫
在電磁波的作用下,當(dāng)h對(duì)應(yīng)于分子中某種能級(jí)(分子振動(dòng)能級(jí)、轉(zhuǎn)動(dòng)能級(jí)、電子能級(jí)、核能級(jí)等)的能量差E時(shí),分子可以吸收能量,由低能態(tài)躍遷到高能態(tài)。在電磁波的作用下,激發(fā)態(tài)的分子可以放出能量回到低能態(tài),重建Boltzmann分布N-/N+=eE/KT
只有當(dāng)激發(fā)和輻射的幾率相等時(shí),才能維持Boltzmann分布,可以連續(xù)觀測(cè)到光譜信號(hào)。
自發(fā)輻射的幾率
E,E越大,自發(fā)輻射的幾率就越大。
分子中,電子能級(jí)、振動(dòng)能級(jí)躍遷,E較大,可以有效的自發(fā)輻射;核自旋能級(jí)E小(位于射頻區(qū)),自發(fā)輻射幾率幾乎為0。N-/N+=eE/KT
=1–(h/2)B0/KT
根據(jù)Boltzmann分布,對(duì)于1H,低能態(tài)的核比高能態(tài)的核高約百萬(wàn)分之十。對(duì)于其它的核,值小,差值更小。
在NMR中,必須有一個(gè)過(guò)程:來(lái)維持Boltzmann分布。否則飽和現(xiàn)象容易發(fā)生,即使?jié)M足以上核磁共振的三個(gè)條件,也無(wú)法觀測(cè)到NMR信號(hào)。
這個(gè)過(guò)程稱之弛豫過(guò)程(Relaxation),即高能態(tài)的核以非輻射的形式放出能量回到低能態(tài)重建Boltzmann分布。兩種弛豫過(guò)程:
自旋-晶格弛豫
(spin-latticeRelaxation)
晶格泛指環(huán)境,即高能態(tài)自旋核把能量傳給周圍環(huán)境(同類分子、溶劑小分子、固體晶格等)轉(zhuǎn)變?yōu)闊徇\(yùn)動(dòng)而本身回到低能態(tài)維持Boltzmann分布。結(jié)果是N-數(shù)目下降。
自旋-晶格弛豫過(guò)程的半衰期用T1表示(T1與樣品狀態(tài)及核的種類、溫度有關(guān))
液體T1~1s固體或粘度大的液體,T1
很大。自旋-晶格弛豫又稱縱向弛豫。自旋-自旋弛豫
(spin-spinRelaxation):
高能態(tài)核把能量傳給同類低能態(tài)的自旋核,本身回到低能態(tài),維持Boltzmann分布。結(jié)果是高低能態(tài)自旋核總數(shù)不變。自旋-自旋弛豫過(guò)程的半衰期用T2表示。液體T2~1s固體或粘度大的液體,T2很小,10-4~10-5s譜線寬度(1/2)
T值越小,弛豫越有效。
T
值對(duì)半峰高寬度的影響,取決于二者中的較小者。
E·th
1/21/T3.3核磁共振儀
磁體:永久磁體、電磁體、超導(dǎo)磁體
射頻場(chǎng)(RadioFrequencyTransmitter)
(1)連續(xù)波NMR:ContinualWave-NMR(CW-NMR)(2)脈沖傅立葉變換NMR
PulseFourierTransform-NMR(PFT-NMR)在PFT-NMR中,增設(shè)脈沖程序控制器和數(shù)據(jù)采集及處理系統(tǒng)。PFT-NMR
1、電子屏蔽效應(yīng)
=·B03.4化學(xué)位移
帶正電原子核的核外電子在與外磁場(chǎng)垂直的平面上繞核旋轉(zhuǎn)的同時(shí),會(huì)產(chǎn)生與外磁場(chǎng)方向相反的感生磁場(chǎng)。
感生磁場(chǎng)的大小用σ·B0表示。σ為屏蔽常數(shù),與核外電子云的密度有關(guān)。核實(shí)際感受到的磁場(chǎng)強(qiáng)度(有效磁場(chǎng)Beff)
Beff
=B0
-σ·B0
Beff=B0(1-σ)
核的共振頻率為:
=·B0(1-σ)
核外電子云的密度高,σ值大,核的共振吸收高場(chǎng)(或低頻)位移。
核外電子云的密度低,σ值小,核的共振吸收低場(chǎng)(或高頻)位移。例如CH3-OCH3-Si
(CH3)3C(OH)CH2COCH3
2、化學(xué)位移
=·B0(1-σ)CH3CH2OHB0=1.4TG,△ν=ν(CH2)–ν(CH3)=148–73.2=74.7HzB0=2.3TG,△ν=ν(CH2)–ν(CH3)=247–122=125Hz
△ν
△B0
δδ=106
δ=106(ppm)TMS
(CH3)4Si,Tetramethyl
silicane
DSS(CH3)3SiCH2CH2CH2SO3NaSodium4,4-dimethyl-4-silapentanesulfonate
DSSCH3CH2OH:
δ(CH2)=148Hz/60MHz×106
=247Hz/100MHz×106=2.47(ppm)δ(CH3)=73.2Hz/60MHz×106
=122Hz/100MHz×106=1.22(ppm)CH3FCH3OHCH3ClCH3BrCH3I
CH4TMS4.03.53.02.82.52.11.84.263.143.052.682.160.230(電負(fù)性取代基的影響)(1)誘導(dǎo)效應(yīng)3、影響化學(xué)位移的因素
CH4CH3ClCH2Cl2CHCl3δ(ppm)0.233.055.337.27
CH3—CH2—CH2—X
γβα0.931.533.49—OH1.061.813.47—Cl(2)
化學(xué)鍵的各向異性各向異性氫核與某功能基空間位置不同,導(dǎo)致其化學(xué)位移不同?;瘜W(xué)鍵的各向異性
因化學(xué)鍵的鍵型不同,導(dǎo)致與其相連的氫核的化學(xué)位移不同。例如:CH3CH3CH2=CH2HC≡CHδ(ppm):0.865.251.80sp
sp2
sp3δ(-CH3)<δ(-CH2–)<
δ(-CH<)δ(CH3-O-)<δ(-CH2-O-)
<δ(>CH-O-)(3)共軛效應(yīng)(4)VanderWaals效應(yīng)
△δHa=0.76ppm,
△δHb=1.15ppm(5)濃度、溫度、溶劑對(duì)δ值的影響
濃度對(duì)δ值的影響(CH3CH2OH/CCl4:a,10%;b,5%;c,0.5%)溶劑對(duì)δ值的影響:苯的溶劑效應(yīng):苯對(duì)二甲基甲酰胺1H-NMR譜的影響
使電子云密度
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