集成電路制造技術

集成電路制造技術

第八章光刻與刻蝕工藝西安電子科技大學微電子學院戴顯英2013年9月主要內(nèi)容光刻的重要性光刻工藝流程光源光刻膠分辨率濕法刻蝕干法刻蝕第八章光刻與刻蝕工藝IC制造中最重要的工藝：①決定著芯片的最小特征尺寸②占芯片制造時間的40-50%③占制造成本的30%光刻：通過光化學反應，將光刻版（mask）上的圖形轉(zhuǎn)

移到光刻膠上?？涛g：通過腐蝕，將光刻膠上圖形完整地轉(zhuǎn)移到Si片上光刻三要素：①光刻機②光刻版（掩膜版）③光刻膠ULSI對光刻的要求：高分辨率；高靈敏的光刻膠；低缺陷；精密的套刻對準；第八章光刻與刻蝕工藝特征尺寸與柵長的摩爾定律與特征尺寸相應的光源第八章光刻與刻蝕工藝接觸式與投影式光刻機掩模版掩膜版的質(zhì)量要求若每塊掩膜版上圖形成品率＝90％，則6塊光刻版，其管芯圖形成品率＝（90％）6＝53％；10塊光刻版，其管芯圖形成品率＝（90％）10＝35％；15塊光刻版，其管芯圖形成品率＝（90％）15＝21％；最后的管芯成品率當然比其圖形成品率還要低。掩膜版尺寸：①接觸式接近式和投影式曝光機：1∶1②分步重復投影光刻機（Stepper）：4∶1；5∶1；10∶1CleanRoom凈化間潔凈等級：塵埃數(shù)/m3；（塵埃尺寸為0.5μm）

10萬級：≤350萬，單晶制備；1萬級：≤35萬，封裝、測試；

1000級：≤35000，擴散、CVD；

100級：≤3500，光刻、制版；深亞微米器件（塵埃尺寸為0.1μm）

10級：≤350，光刻、制版；1級：≤35，光刻、制版；光刻工藝的基本步驟?

涂膠Photoresistcoating?

曝光Exposure?

顯影Development8.1光刻工藝

PhotolithographyProcess光刻工藝的主要步驟涂膠前烘曝光后烘顯影堅膜1)清洗硅片

WaferClean2)預烘和打底膠

Pre-bakeandPrimerVapor3、涂膠PhotoresistCoating4、前烘SoftBake8.1.1光刻工藝流程5、對準Alignment6、曝光Exposure7、后烘PostExposureBake8、顯影Development8.1.1光刻工藝流程9、堅堅膜膜HardBake10、圖圖形形檢檢測測PatternInspection8.1.1光刻刻工工藝藝流流程程光刻刻1－清清洗洗光刻刻2－預預烘烘和和打打底底膜膜SiO2:親水水性性；；光光刻刻膠膠：：疏疏水水性性；；預烘烘：：去去除除Si片水水汽汽，，增增強強光光刻刻膠膠與與表表面面的的黏黏附附性性；；大大約約1000C；打底底膜膜：：涂涂HMDS（六六甲甲基基乙乙硅硅氮氮烷烷）），，去去掉掉SiO2表面面的的-OH，增增強強光光刻刻膠膠與與表表面面的的黏黏附附性性。。RCA標準準清清洗洗8.1.1光刻刻工工藝藝流流程程光刻刻3－涂涂膠膠SpinCoating圓片片放放置置在在涂涂膠膠機機的的真真空空卡卡盤盤上上高速速旋旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)液態(tài)態(tài)光光刻刻膠膠滴滴在在圓圓片片中中心心光刻刻膠膠以以離離心心力力向向外外擴擴展展均勻勻涂涂覆覆在在圓圓片片表表面面EBR:Edgebeadremoval邊緣緣修修復復①要求求：：粘粘附附良良好好，，均均勻勻，，薄薄厚厚適適當當膠膜膜太太薄?。樶樋卓锥喽?，，抗抗蝕蝕性性差差；；膠膜膜太太厚厚－－分分辨辨率率低低（（分分辨辨率率是是膜膜厚厚的的5－8倍））②涂膠膠方方法法：：浸浸涂涂，，噴噴涂涂，，旋涂涂√√旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)涂涂膠膠SpinCoating8.1.1光刻刻工工藝藝流流程程光刻刻膠膠厚厚度度與與旋旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速速率率和和粘粘性性的的關關系系與涂涂膠膠旋旋轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速速率率成成反反比比與光光刻刻膠膠粘粘性性成成正正比比光刻刻4－前前烘烘SoftBakeBakingSystems①作用用：：促促進進膠膠膜膜內(nèi)內(nèi)溶溶劑劑充充分分揮揮發(fā)發(fā)，，使使膠膠膜膜干干燥燥；；增增加加膠膠膜膜與與SiO2（Al膜等等））的的粘粘附附性性及及耐耐磨磨性性。。②影響響因因素素：：溫溫度度，，時時間間。。烘焙焙不不足足（（溫溫度度太太低低或或時時間間太太短短））－－顯顯影影時時易易浮浮膠膠，，圖圖形形易易變變形形。。烘焙焙時時間間過過長長－－增增感感劑劑揮揮發(fā)發(fā)，，導導致致曝曝光光時時間間增增長長，，甚甚至至顯顯不不出出圖圖形形。。烘焙焙溫溫度度過過高高－－感感光光劑劑反反應應（（膠膠膜膜硬硬化化）），，不不易易溶溶于于顯顯影影液液，，導導致致顯顯影影不不干干凈凈。。8.1.1光刻刻工工藝藝流流程程5-6、對對準準與與曝曝光光AlignmentandExposureMostcriticalprocessforICfabricationMostexpensivetool(stepper)inanICfab.DeterminestheminimumfeaturesizeCurrently45nmandpushingto32nm接觸觸式式曝曝光光機機接近近式式曝曝光光機機投影影式式曝曝光光機機步進進式式曝曝光光機機（（Stepper）1）對對準準和和曝曝光光設設備備--光刻刻機機8.1.1光刻刻工工藝藝流流程程接觸觸式式曝曝光光示示意意圖圖步進進-重復復（（Stepper）曝曝光光示示意意圖圖接近近式式曝曝光光示示意意圖圖投影影式式曝曝光光示示意意圖圖光學學曝曝光光、、X射線線曝曝光光、、電電子子束束曝曝光光①光學學曝曝光光－紫紫外外，，深深紫紫外外高壓壓汞汞燈燈：：紫紫外外(UV），300－450nm；i線365nm，h線405nm，g線436nm。準分子激光：：KrF：λ=248nm；ArF：λ=193nm；F2激光器：λ=157nm。高壓汞燈紫外外光譜2）曝光光源：：8.1.1光刻工藝流程程電子束曝光：：λ＝幾十---100?；優(yōu)點：分辨率率高；不需光光刻版（直寫寫式）；缺點：產(chǎn)量低低（適于制備備光刻版）；；X射線曝光：：λ＝2---40?，軟X射線；；X射線曝光的的特點：分辨辨率高，產(chǎn)量量大。極短紫外光（（EUV）：：λ＝10—14nm②下一代曝光方方法8.1.1光刻工藝流程程商用X-ray光刻機光刻7－曝光后烘焙焙（后烘，PEB）烘焙溫度高于于光刻膠玻璃璃化轉(zhuǎn)變溫度度（Tg）光刻膠分子發(fā)發(fā)生熱運動過曝光和欠曝曝光的光刻膠膠分子發(fā)生重重分布平衡駐波效應應，平滑光刻刻膠側(cè)墻，目的：提高分分辨率8.1.1光刻工藝流程程光刻膠中的駐駐波效應光刻8－顯影影(Development)顯影液溶解掉光刻膠膠中軟化部分分（曝光的正膠膠或未曝光的的負膠）從掩膜版轉(zhuǎn)移移圖形到光刻刻膠上三個基本步驟驟:顯影、漂洗、、干燥8.1.1光刻工藝流程程顯影液：專用正膠顯影液：：含水的堿性性顯影液，如如KOH、TMAH(四甲基氫氧化化胺水溶液)，等。負膠顯影液：：有機溶劑，，如丙酮、甲甲苯等。例，KPR（負膠）的顯顯影液：丁酮酮－最理想；；甲苯－圖形清清晰度稍差；；三氯乙烯－毒毒性大。8.1.1光刻工藝流程程光刻8－顯影影(Development)影響顯影效果果的主要因素素：?。┢毓鈺r間；；ⅱ）前烘的溫度度與時間；ⅲ）膠膜的厚度度；ⅳ）顯影液的濃濃度；ⅴ）顯影液的溫溫度；顯影時間適當當t太短：可能留留下光刻膠薄薄層→阻擋腐腐蝕SiO2(金屬）→氧化層“小島”。t太長：光刻膠膠軟化、膨脹脹、鉆溶、浮浮膠→圖形邊緣破壞壞。8.1.1光刻工藝流程程光刻8－顯影影(Development)正常顯影過顯影不完全顯影欠顯影顯影后剖面光刻8－顯影影(Development)8.1.1光刻工藝流程程光刻9－堅膜

（HardBake）蒸發(fā)PR中所有有機溶溶劑提高刻蝕和注注入的抵抗力力提高光刻膠和和表面的黏附附性堅膜溫度:100到1300C堅膜時間：1到2分鐘堅膜工藝：烘烘箱、紅外外燈堅膜不足：光光刻膠不能充充分聚合，黏黏附性變差，，顯影時易浮浮膠、鉆蝕。。過堅膜：光刻刻膠流動造成成分辨率變差差，易翹曲和和剝落若T>300℃℃：光刻膠分解解，失去抗蝕蝕能力。堅膜控制正常堅膜過堅膜8.1.1光刻工藝流程程光刻10－圖形檢測（（PatternInspection）?檢查發(fā)現(xiàn)問題題，剝?nèi)ス饪炭棠z，重新開開始–光刻膠圖形是是暫時的–刻蝕和離子注注入圖形是永永久的?光刻工藝是可可以返工的，，刻蝕和注注入以后就不不能再返工?檢測手段：SEM（掃描電子顯顯微鏡）、光光學顯微鏡問題：能否用光學顯顯微鏡檢查0.25μm尺寸的圖形形?不能。因為特特征尺寸(0.25mm=250nm)小于可見光的的波長，可見見光波長為390nm(紫光)to750nm(紅光)。8.1.1光刻工藝流程程8.1.2分辨率分辨率R－表征光刻精度度，光刻時所所能得到的光光刻圖形的最最小尺寸。表示方法：每每mm最多可可容納的線條條數(shù)。若可分分辨的最小線線寬為L線條間間隔也是L）），則分辨率率R為R＝1/(2L)(mm-1)1.影響R的的主要因素：：①曝光系統(tǒng)（（光刻機）：：如X射線（（電子束）的的R高于紫外外光。②光刻膠：正正膠的R高于于負膠；③其他：掩模模版、襯底、、顯影、工藝藝、操作者等等。表1影響光刻工藝藝效果的一些些參數(shù)8.1.2分辨率2.衍射對R的限制設一任意粒子子（光子、電電子），根據(jù)據(jù)不確定關系系，有ΔLΔp≥h粒子束動量的的最大變化為為Δp=2p，相應應地若ΔL為線寬，即為為最細線寬，，則最高分辨率8.1.2分辨率①對光子：：p=h/λ，故。。物理含義：光光的衍射限制制了線寬≥λ/2。最高分辨率限制：②對電子、離離子：具有波波粒二象性（（德布羅意波波），則，最細線寬：a.E給定定：m↑→ΔL↓→R↑，即即R離子>R電子b.m給定：：E↑→ΔL↓→R↑8.1.2分辨率3.光衍射影響分分辨率衍射光投射光強度偏離的折射光被凸鏡收集的衍射光波長越短，衍衍射越弱光學凸鏡能夠夠收集衍射光光并增強圖像像8.1.2分辨率1）數(shù)值孔徑NA（NumericalAperture）NA：表示凸鏡收收集衍射光的的能力NA=2r0/D–r0:凸鏡的半徑–D：目標（掩掩膜）與凸鏡鏡的距離NA越大，凸鏡收收集更多的衍衍射光，產(chǎn)生生更尖銳的圖圖形可產(chǎn)生、可重重復的最小特特征尺寸由曝光系統(tǒng)的的光波長和數(shù)數(shù)值孔徑?jīng)Q定定分辨率表達式式：R=K1λ/NAK1為系統(tǒng)常數(shù),λ光波長,NA數(shù)值孔徑。2）分辨率R

Resolution8.1.2分辨率提高NA–更大的凸鏡,可能很昂昂貴而不實際際–減小DOF（（焦深），會會引起制造困困難減小光波長λ–開發(fā)新光源,PR和設設備–波長減小的極極限：UV到DUV,到EUV,到X-Ray減小K1–相移掩膜（Phaseshiftmask）3)提高分辨率的的途徑8.1.2分辨率8.1.3光刻膠-Photoresist(PR)光敏性材料：：光照時發(fā)生生化學分解或或聚合反應臨時性地涂覆覆在硅片表面面通過曝光轉(zhuǎn)移移設計圖形到到光刻膠上類似于照相機機膠片上涂覆覆的光敏材料料正性膠和負性性膠NegativePhotoresist負性光刻膠－負膠PositivePhotoresist正性光刻膠－正膠曝光后不可溶解曝光后可溶解顯影時未曝光的被溶解顯影時曝光的被溶解便宜高分辨率負膠Negativehotoresists：ComparisonofPhotoresists8.1.3光刻膠-Photoresist(PR)正膠PositivePhotoresists：聚合反應：顯顯影時光照部部分不溶解留留下，未光照照部分溶解；；分辨率低分解反應：顯顯影時光照部部分被溶解，，未光照部分分留下分辨率高正膠（重氮萘萘醌）的光分分解機理8.1.3光刻膠-Photoresist(PR)負膠（聚乙烯烯醇肉桂酸脂脂）的光聚合合機理8.1.3光刻膠-Photoresist(PR)1)聚合物材料固體有機材料料光照下不發(fā)生生化學反應作用：保證光光刻膠薄膜的的附著性和抗抗腐蝕性2)感光材料當被曝光時發(fā)發(fā)生光化學反反應而改變?nèi)苋芙庑哉怨饪棠z：：由不溶變?yōu)闉榭扇茇撔怨饪棠z：：由可溶變?yōu)闉椴蝗芄饪棠z基本組組成8.1.3光刻膠-Photoresist(PR)3)溶劑使光刻膠在涂涂到硅片表面面之前保持液液態(tài)允許采用旋涂涂的方法獲得得薄層光刻膠膠薄膜4)添加劑不同的添加劑劑獲得不同的的工藝結(jié)果增感劑：增大大曝光范圍；；染料：降低反反射。光刻膠基本組組成8.1.3光刻膠-Photoresist(PR)完成所需圖形形的最小曝光光量；表征：S=n/E，E-曝光量（lx·s，勒克斯·秒）；n-比例系數(shù)；光敏度S是光刻膠對光光的敏感程度度的表征；正膠的S大于負膠光刻膠光敏度度S8.1.3光刻膠-Photoresist(PR)光刻膠抗蝕能能力表征光刻膠耐耐酸堿（或等等離子體）腐腐蝕的程度。。對濕法腐蝕：：抗蝕能力較較強；干法腐蝕：抗抗蝕能力較差差。負膠抗蝕能力力大于正膠；；抗蝕性與分分辨率的矛矛盾：分辨辨率越高，，抗蝕性越越差；1）紫外-汞燈g-line（436nm），–常用在0.5μm光刻i-line（365nm），–常用在0.35μm光刻8.1.4光源KrF（248nm），0.25μm,0.18μmand0.13μmArF（193nm），<0.13μm（目前32nm）F2（157nm），，–應用<0.10μm2）深紫外DUV--準分子激光光器3）下一代光光刻NGL(NextGenerationLithography)極紫外ExtremeUV(EUV)lithography波長：10-14nmX射線X-Raylithography波長：1nm電子束Electronbeam(E-beam)lithography波長：0.1nm未來技術趨趨勢8.1.4光源接觸式曝光光硅片與光刻刻版緊密接接觸。優(yōu)點：光衍衍射效應小小，分辨率高。。缺點：對準準困難，掩膜圖形易易損傷，成品率低。。8.1.5曝光方式接觸、接近近、投影、、步進重復復硅片與光刻刻版保持5－50μm間距。優(yōu)點：光刻刻版壽命長長。缺點：光衍衍射效應嚴嚴重—分辨率低（線寬>3μm）。接近式曝光光8.1.5曝光方式利用光學系系統(tǒng)，將光光刻版的圖圖形投影在硅片片上。投影式曝光光優(yōu)點：光刻刻版不受損損傷，對準精度高高。缺點：光學學系統(tǒng)復雜雜，對物鏡成像像要求高。。應用：3μm以下特征征尺寸光刻刻。8.1.5曝光方式分步重復投投影光刻機機--Stepper采用折射式式光學系統(tǒng)統(tǒng)和4X~5X的縮小透鏡鏡。光刻版：4X、5X、10X；曝光場：一一次曝光只只有硅片的的一部分；；采用了分步步對準聚焦焦技術。8.1.5曝光方式8.1.6掩模版（光光刻版）Mask玻璃、石英英。要求：透光光度高，熱熱膨脹系數(shù)數(shù)與掩膜材材料匹配。?；娌牧涎谀げ牧息俳饘侔妫–r版）：Cr2O3抗反射層/金屬Cr/Cr2O3基層特點：針孔孔少，強度度高，分辨辨率高。②乳膠版－鹵鹵化銀乳膠膠特點：分辨辨率低（2-3μμm），易劃傷傷。PSM：Phase-ShiftMask作用：消除除干涉，提高分辨率率；原理：在Mask的透明圖形形上增加一一個透明的的介質(zhì)層-移相器，使使光通過后后產(chǎn)生1800的相位差。。移相掩模（（PSM）8.1.6掩模版（光光刻版）Mask基本概念刻蝕：從Si片表面去除除不需要的的材料，如如Si、SiO2，金屬、光刻刻膠等化學、物理理過程或兩兩者結(jié)合：：濕法和干干法各向同性與與各向異性性：選擇性性或覆蓋刻刻蝕選擇性刻蝕蝕轉(zhuǎn)移光刻刻膠上的IC設計圖形到到晶圓表面面其它應用:制造掩膜,印制電路板板,藝術品,等等8.2刻蝕工藝Etch1）柵掩膜對對準GateMaskAlignment2）柵掩膜曝曝光GateMaskExposure3）顯影/堅膜/檢查Development/HardBake/Inspection4）刻蝕多晶晶硅EtchPolysilicon刻蝕工藝舉舉例5）刻蝕多晶晶EtchPolysilicon6）光刻膠剝剝離StripPhotoresist7）離子注入入IonImplantation8）快速退火火RTA刻蝕工藝舉舉例8.2.1濕法刻蝕特點：各相同性腐腐蝕。優(yōu)點：工藝藝簡單，腐蝕選擇性性好。缺點：鉆蝕嚴重（各向異性性差），難于獲得精精細圖形。。（刻蝕3μm以上線條條）刻蝕的材料料：Si、、SiO2、Si3N4及金屬；利用化學溶液溶解硅表面面的材料三個基本過過程：刻蝕蝕、漂洗、、干燥Si的濕法刻蝕蝕常用腐蝕劑劑①HNO3-HF-H2O(HAC)混合液Si+HNO3+HF→H2[SiF6]+HNO2+H2O+H2HNO3：強氧化劑劑；HF：腐蝕SiO2；HAC：抑制HNO3的分解；②KOH-異丙醇常用配方：：HF:NH4F:H2O=3ml:6g:10ml(HF溶液濃度為為48％)HF：腐蝕劑，，SiO2+HF→H2[SiF6]+H2ONH4F：緩沖劑，，NH4F→NH3↑+HFSiO2的濕法刻蝕蝕8.2.1濕法刻蝕Si3N4的濕法腐蝕蝕腐蝕液：熱熱H3PO4，180℃；被刻蝕材料Si3N4SiO2Si刻蝕速率（nm/min）1010.5熱H3PO4刻蝕速率對對比8.2.1濕法刻蝕干法刻蝕：：等離子體體氣體刻蝕蝕（PlasmaEtch）優(yōu)點：各向異性腐腐蝕強；分辨率高；；刻蝕3μm以下線條條。類型：①等離子體體刻蝕：化化學性刻蝕蝕；②濺射刻蝕蝕：純物理理刻蝕；③反應離子子刻蝕（RIE）：：結(jié)合①、、②；8.2.2干法刻蝕刻蝕原理a.產(chǎn)生等離子子體:刻蝕氣體經(jīng)經(jīng)輝光放電電后，成為為具有很強強化學活性性的離子及及游離基--等離子體。。CF4RFCF3*、CF2*、CF*、F*BCl3RFBCl3*、BCl2*、Cl*b.等離子體活活性基團與與被刻蝕材材料發(fā)生化化學反應。。特點：選擇擇性好；各各向異性差差。刻蝕氣體：：CF4、BCl3、CCl4、CHCl3、SF6等。等離子體刻刻蝕8.2.2干法刻蝕刻蝕原理a.形成能量很很高的等離離子體；b.等離子體轟轟擊被刻蝕蝕的材料，，使其被撞撞原子飛濺濺出來，形形成刻蝕。。特點：各向向異性好；；選擇性差差。刻蝕氣體：：惰性氣體體，Ar氣；濺射刻蝕原原理8.2.2干法刻蝕原理：同時時利用了等等離子刻蝕蝕和濺射刻刻蝕機制(化學刻蝕和和物理刻蝕蝕的結(jié)合)刻蝕氣體：：活性等離離子（化學學反應）＋＋惰性等離離子（轟擊擊）特點：刻蝕蝕速率高且且可控；刻刻蝕剖面各各向異性且且可控；選擇性好且且可控目前8-12英寸制造中中所有圖形形都是由RIE刻蝕的反應離子刻刻蝕8.2.2干法刻蝕RIE試驗8.2.2干法刻蝕SiO2和Si的干法刻蝕蝕刻蝕劑：CF4、CHF3、C2F6、SF6、C3F8；等離子體：：CF4→CF3*、CF2*、CF*、F*化學反應刻刻蝕：F*+Si→SiF4↑F*+SiO2→SiF4↑+O2↑CF3*+SiO2→SiF4↑+CO↑↑+CO2↑8.2.2干法刻蝕實際工藝：：①CF4中加入O2：調(diào)整選擇擇比；機理：CF4+O2→F*+O*+COF*+COF2+CO+CO2（初期：F*比例增加；；后期：O2比例增加））O2吸附在Si表面，影響響Si刻蝕；SiO2和Si的干法刻蝕蝕8.2.2干法刻蝕②CF4中加H2作用：調(diào)整整選擇比；；機理：F*+H*(H2)→HFCFX*(x≤3)+Si→→SiF4+C(吸附附在Si表表面）CFX*(x≤3)+SiO2→SiF4+CO+CO2+COF2SiO2和Si的干法刻蝕蝕8.2.2干法刻蝕Si3N4的干法刻蝕蝕刻蝕劑：與與刻蝕Si、SiO2相同。Si3N4＋F*→SiF4↑+N2↑刻蝕速率：：刻蝕速率率介于SiO2與Si之間；（Si-N鍵強度介于于Si-O鍵和Si-Si鍵）選擇性：①CF4：刻蝕Si3N4/SiO2--選擇性差；；②CHF3：刻蝕Si3N4/SiO2--選擇性為2-4?？涛gSi3N4/Si--選擇性為為3-5；刻蝕SiO2/Si--選擇性大大于10；8.2.2干法刻蝕蝕多晶硅與與金屬硅硅化物的的干法刻刻蝕多晶硅/金屬硅化化物結(jié)構(gòu)構(gòu)：MOS器件的柵柵極；柵極尺寸寸：決定定MOSFET性能的關關鍵；金屬硅化化物：WSi2、TiSi2；腐蝕要求求：各向向異性和和選擇性性都高刻蝕劑：：CF4、SF6、Cl2、HCl；腐蝕硅化化物：CF4+WSi2→WF4↑+SiF4↑+CCl2+WSi2→WCl4↑+SiCl4↑腐蝕poly-Si：氟化物物（CF4、SF6）--各向同性性；氯化物（（Cl2、HCl）--各向異性性，選擇性好好（多晶晶硅/SiO2）。8.2.2干法刻蝕蝕鋁及鋁合合金的干干法腐蝕蝕幾個工藝藝問題：：①Al2O3的去除：：濺射、、濕法腐腐蝕；②CuCl2的去除：：濕法腐腐蝕、濺濺射；③刻蝕后的的侵蝕：：HCl+Al→→AlCl3↑+H2鋁及鋁合合金的用用途：柵柵電極、、互連線線、接觸觸；鋁合金：：Al-Si、Al-Au、Al-Cu；刻蝕方法法：RIE、等離子子體；刻蝕劑：：BCl3、CCl4、CHCl3；Cl*+Al→AlCl3↑Cl*+Al-Si→AlCl3↑+SiCl4↑Cl*+Al-Cu→AlCl3↑+CuCl2（不揮發(fā)發(fā)）8.2.2干法刻蝕蝕8.2.3干法刻蝕蝕和濕法法刻蝕的的比較8.2.4刻蝕總結(jié)結(jié)濕法刻蝕蝕：刻蝕3μm以上線線條優(yōu)點：工工藝簡單單，選擇擇性好。。缺點：各各向異性性差，難難于獲得得精細圖圖形。干法腐蝕蝕：刻蝕3μm以下線線條優(yōu)點：各各向異性性強；分分辨率高高；9、靜夜夜四無無鄰，，荒居居舊業(yè)業(yè)貧。。。12月月-2212月月-22Wednesday,December28,202210、雨中黃葉葉樹，燈下下白頭人。。。21:59:2021:59:2021:5912/28/20229:59:20PM11、以我獨沈久久，愧君相見見頻。。12月-2221:59:2021:59Dec-2228-Dec-2212、故故人人江江海海別別，，幾幾度度隔隔山山川川。。。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