內(nèi)存條編碼識(shí)別

先舉2個(gè)例子：有兩條SD內(nèi)存，一條編號(hào)是HY57V28820AT-H,雙面16片，一條是GM72V66841XT7J,單面8片，是多大的內(nèi)存？怎樣識(shí)別那些代碼??？一直都不會(huì)看。答案:HY57V28820AT-H，-H表示這是符合PC-133規(guī)范的內(nèi)存,CAS參數(shù)為3，也就是原來(lái)的T75。封裝形式為T(mén)SOP。HY57指的是現(xiàn)代SDRAM顆粒，V指的是COMS工藝3.3電壓。后面跟的28意思指的是128Mb、4K的刷新。也就是這個(gè)顆數(shù)的組織形式是*8。也就是16M*8的顆粒。GM72V66841XT7J，原LGS的，后與HY公司的內(nèi)存部門(mén)合并，這片內(nèi)存是10ns的，PC100，64M的SDRAM內(nèi)存下面是識(shí)別方法：HY5abcccddefghii-jj其中5a中的a表示芯片類(lèi)別，7---SDRAM;D—DDRSDRAM.b表示電壓,V—3.3V;U---2.5V;空白一5V.CCC表示容量，16—16M;65—64M;129—129M;256—256M.dd表示帶寬。f表示界面，0—LVTTL；1—SSTL(3)；2—SSTL_2.g表示版本號(hào)，B—第三代。h表示電源功耗，L—低功耗；空白一普通型。ii表示封裝形式，TC—400milTSOP—H.jj表示速度，7—143MHZ;75—133MHZ;8—125MHZ;10P—100MHZ(CL=2);10S—100MHZ(CL=3)10—100MHZ(非PC100)。例：1)HY57V651620BTC-75按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：SDRAM，3.3V,64M,133MHZ.2)HY57V653220BTC-7按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：SDRAM，3.3V,64M,143MHZ下面給各位個(gè)參考數(shù)據(jù)：各廠商內(nèi)存芯片編號(hào)HYUNDAI(現(xiàn)代)現(xiàn)代的SDRAM內(nèi)存兼容性非常好，支持DIMM的主板一般都可以順利的使用它，其SDRAM芯片編號(hào)格式為：HY5abcdefghijklm-no其中HY代表現(xiàn)代的產(chǎn)品；5a表示芯片類(lèi)型(57二SDRAM，5D=DDRSDRAM)；b代表工作電壓(空白=5V，V=3.3V,U=2.5V)；cde代表容量和刷新速度(16=16Mbits、4KRef，64=64Mbits、8KRef，65=64Mbits、4KRef，128=128Mbits、8KRef，129=128Mbits、4KRef，256=256Mbits、16KRef，257=256Mbits、8KRef)；fg代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬(40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位)；h代表內(nèi)存芯片內(nèi)部由幾個(gè)Bank組成(1、2、3分別代表2個(gè)、4個(gè)和8個(gè)Bank，是2的幕次關(guān)系)；I代表接口(0二LVTTL[LowVoltageTTL]接口)；j代表內(nèi)核版本（可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新）；k代表功耗（L二低功耗芯片，空白二普通芯片）；lm代表封裝形式（JC=400milSOJ，TC=400milTSOP-II，TD=13mmTSOP-II，TG=16mmTSOP-II）；no代表速度（7=7ns[143MHz],8=8ns[125MHz]，10p=10ns[PC-100CL2或3]，10s=10ns[PC-100CL3]，10=10ns[100MHz]，12=12ns[83MHz]，15=5ns[66MHz]）。例如HY57V658010CTC-10s，HY表示現(xiàn)代的芯片，57代表SDRAM，65是64Mbit和4Krefreshcycles/64ms，8是8位輸出，10是2個(gè)Bank，C是第4個(gè)版本的內(nèi)核，TC是400milTSOP-II封裝，10S代表CL=3的PC-100。市面上HY常見(jiàn)的編號(hào)還有HY57V65XXXXXTCXX、HY57V651XXXXXATC10，其中ATC10編號(hào)的SDRAM上133MHz相當(dāng)困難；編號(hào)ATC8的可超到124MHz，但上133MHz也不行；編號(hào)BTC或-7、-10p的SDRAM上133MHz很穩(wěn)定。一般來(lái)講，編號(hào)最后兩位是7K的代表該內(nèi)存外頻是PC100，75的是PC133的，但現(xiàn)代內(nèi)存目前尾號(hào)為75的早已停產(chǎn)，改換為T(mén)-H這樣的尾號(hào)，可市場(chǎng)上PC133的現(xiàn)代內(nèi)存尾號(hào)為75的還有很多，這可能是以前的屯貨，但可能性很小，假貨的可能性較大，所以最好購(gòu)買(mǎi)T-H尾號(hào)的PC133現(xiàn)代內(nèi)存。（2） LGS[LGSemicon]LGs如今已被HY兼并，市面上LGs的內(nèi)存芯片也很常見(jiàn)。LGSSDRAM內(nèi)存芯片編號(hào)格式為：GM72Vabcde1fgThi其中GM代表LGS的產(chǎn)品；72代表SDRAM；ab代表容量（16=16Mbits，66=64Mbits）；cd表示數(shù)據(jù)位寬（一般為4、8、16等）；e代表Bank（2=2個(gè)Bank，4=4個(gè)Bank）；f表示內(nèi)核版本，至少已排到E；g代表功耗（L=低功耗，空白二普通）；T代表封裝（T二常見(jiàn)的TSOPI封裝，I=BLP封裝）；hi代表速度（7.5=7.5ns[133MHz]，8=8ns[125MHz]，7K=10ns[PC-100CL2或3]，7J=10ns[100MHz]，10K=10ns[100MHz]，12=12ns[83MHz]，15=15ns[66MHz]）。例如GM72V661641CT7K，表示LGsSDRAM，64Mbit，16位輸出，4個(gè)Bank，7K速度即PC-100、CL=3。LGS編號(hào)后綴中，7.5是PC133內(nèi)存；8是真正的8nsPC100內(nèi)存，速度快于7K/7J；7K和7J屬于PC100的SDRAM，兩者主要區(qū)別是第三個(gè)反應(yīng)速度的參數(shù)上，7K比7J的要快，上133MHz時(shí)7K比7丁更穩(wěn)定；10K屬于非PC100規(guī)格的，速度極慢，由于與7J/7K外型相似，不少奸商把它們冒充7J/7K的來(lái)賣(mài)。（3） Kingmax（勝創(chuàng)）Kingmax的內(nèi)存采用先進(jìn)的TinyBGA封裝方式，而一般SDRAM內(nèi)存都采用TSOP封裝。采用TinyBGA封裝的內(nèi)存，其大小是TSOP封裝內(nèi)存的三分之一，在同等空間下TinyBGA封裝可以將存儲(chǔ)容量提高三倍，而且體積要小、更薄，其金屬基板到散熱體的最有效散熱路徑僅有0.36mm，線路阻抗也小，因此具有良好的超頻性能和穩(wěn)定性，不過(guò)Kingmax內(nèi)存與主板芯片組的兼容性不太好，例如KingmaxPC150內(nèi)存在某些KT133主板上竟然無(wú)法開(kāi)機(jī)。KingmaxSDRAM內(nèi)存目前有PC150、PC133、PC100三種。其中PC150內(nèi)存（下圖）實(shí)際上是能上150外頻且能穩(wěn)定在CL=3（有些能上CL=2）的極品PC133內(nèi)存條，該類(lèi)型內(nèi)存的REV1.2版本主要解決了與VIA694X芯片組主板兼容問(wèn)題，因此要好于REV1.1版本。購(gòu)買(mǎi)Kingmax內(nèi)存時(shí)，你要注意別買(mǎi)了打磨條，市面上JS常把原本是8ns的KingmaxPC100內(nèi)存打磨成7ns的PC133或PC150內(nèi)存，所以你最好用SISOFTSANDRA2001等軟件測(cè)試一下內(nèi)存的速度，注意觀察內(nèi)存上字跡是否清晰，是否有規(guī)則的刮痕，芯片表面是否發(fā)白等，看看芯片上的編號(hào)。KINGMAXPC150內(nèi)存采用了6納秒的顆粒，這使它的速度得到了很大程度的提升，即使你用它工作在PC133，其速度也會(huì)比一般的PC133內(nèi)存來(lái)的快；Kingmax的PC133內(nèi)存芯片是-7的，例如編號(hào)KSV884T4A1A-07；而PC100內(nèi)存芯片有兩種情況：部分是-8的（例如編號(hào)KSV884T4A0-08），部分是-7的（例如編號(hào)KSV884T4A0-07）。其中KINGMAXPC133與PC100的區(qū)別在于：PC100的內(nèi)存有相當(dāng)一部分可以超頻到133,但不是全部;而PC133的內(nèi)存卻可以保證100%穩(wěn)定工作在PC133外頻下（CL=2）。（4）Geil（金邦、原樵風(fēng)金條）金邦金條分為〃金、紅、綠、銀、藍(lán)〃五種內(nèi)存條，各種金邦金條的SPD均是確定的，對(duì)應(yīng)不同的主板。其中紅色金條是PC133內(nèi)存；金色金條P針對(duì)PC133服務(wù)器系統(tǒng)，適合雙處理器主板；綠色金條是PC100內(nèi)存；藍(lán)A色金條針對(duì)AMD750/760K7系主板，面向超頻玩家；藍(lán)V色金條針對(duì)KX133主板；藍(lán)T色金條針對(duì)KT-133主板；銀色金條是面向筆記本電腦的PC133內(nèi)存。金邦內(nèi)存芯片編號(hào)例如GL2000GP6LC16M84TG-7AMIR0032其中GL2000代表芯片類(lèi)型（GL2000二千禧條TSOPs即小型薄型封裝，金SDRAM二BLP）；GP代表金邦科技的產(chǎn)品；6代表產(chǎn)品家族（6=SDRAM）；LC代表處理工藝（C=5VVccCMOS，LC=0.2微米3.3VVddCMOS，V=2.5VVddCMOS）；16M8是設(shè)備號(hào)碼（深度*寬度，內(nèi)存芯片容量二內(nèi)存基粒容量*基粒數(shù)目=16*8=128Mbit，其中16=內(nèi)存基粒容量；8=基粒數(shù)目；M=容量單位，無(wú)字母二Bits，K=KB，M=MB，G=GB）；4表示版本；TG是封裝代碼（DJ=SOJ，DW=寬型SOJ，F(xiàn)=54針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16FBGA，F(xiàn)C=60針11*13FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，TG=TSOP（第二代），U=mBGA）；-7是存取時(shí)間（7=7ns（143MHz））；AMIR是內(nèi)部標(biāo)識(shí)號(hào)。以上編號(hào)表示金邦千禧條，128MB，TSOP（第二代）封裝，0.2微米3.3VVddCMOS制造工藝，7ns、143MHz速度。（5） SEC（SamsungElectronics，三星）三星EDODRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM416C254D表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類(lèi)（4=DRAM）；16代表內(nèi)存芯片組成x16（1=x1[以1的倍數(shù)為單位]、4=x4、8=x8、16=x16）；C代表電壓（C=5V、V=3.3V）；254代表內(nèi)存密度256Kbit（256[254]=256Kx、512（514）=512Kx、1=1Mx、4=4Mx、8=8Mx、16=16Mx）；D代表內(nèi)存版本（空白二第1代、A二第2代、B二第3代、C二第4代、D二第5代）即三星256Kbit*16=4Mb內(nèi)存。三星SDRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM416S16230A-G10表示：KM表示三星內(nèi)存;4代表RAM種類(lèi)（4=DRAM）；16代表內(nèi)存芯片組成x16（4=x4、8=x8、16=x16）；S代表SDRAM；16代表內(nèi)存芯片密度16Mbit（1=1M、2=2M、4=4M、8=8M、16=16M）；2代表刷新（0=4K、1=2K、2=8K）；3表示內(nèi)存排數(shù)（2=2排、3=4排）；0代表內(nèi)存接口（0二LVTTL、1=SSTL）；A代表內(nèi)存版本（空白二第1代、A二第2代、B二第3代）；G代表電源供應(yīng)（G二自動(dòng)刷新、F二低電壓自動(dòng)刷新）；10代表最高頻率（7=7ns[143MHz]、8=8ns[125MHz]、10=10ns[100MHz]、H=100MHz@CAS值為2、L=100MHz@CAS值為3）。三星的容量需要自己計(jì)算一下，方法是用"S〃后的數(shù)字乘S前的數(shù)字，得到的結(jié)果即為容量，即三星16M*16=256MbitSDRAM內(nèi)存芯片，刷新為8K，內(nèi)存Banks為3，內(nèi)存接口LVTTL，第2代內(nèi)存，自動(dòng)刷新，速度是10ns（100MHz）。三星PC133標(biāo)準(zhǔn)SDRAM內(nèi)存芯片格式如下：Unbuffered型：KMM3xxsxxxxBT/BTS/ATS-GARegistered型：KMM390sxxxxBTI/ATI-GA三星DDR同步DRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM416H4030T表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類(lèi)（4=DRAM）；16表示內(nèi)存芯片組成x16（4=x4、8=x8、16=x16、32=x32）；H代表內(nèi)存電壓（H=DDRSDRAM[3.3V]、L=DDRSDRAM[2.5V]）；4代表內(nèi)存密度4Mbit（4=4M、8=8M、16=16M、32=32M、64=64M、12=128M、25=256M、51=512M、1G=1G、2G=2G、4G=4G）；0代表刷新（0=64m/4K[15.6ps]、1=32m/2K[15.6ps]、2=128m/8K[15.6ps]、3=64m/8K[7.8ps]、4=128m/16K[7.8ps]）；3表示內(nèi)存排數(shù)（3=4排、4=8排）；0代表接口電壓（0=混合接口LVTTL+SSTL_3（3.3V）、1=SSTL_2（2.5V））；T表示封裝類(lèi)型（T=66針TSOPII、B=BGA、C二微型BGA（CSP））；Z代表速度133MHz（5=5ns,200MHz（400Mbps）、6=6ns,166MHz（333Mbps）、Y=6.7ns,150MHz（300Mbps）、Z=7.5ns,133MHz（266Mbps）、8=8ns,125MHz（250Mbps）、0=10ns,100MHz（200Mbps））。即三星4Mbit*16=64Mbit內(nèi)存芯片，3.3VDDRSDRAM，刷新時(shí)間0=64m/4K（15.6ps），內(nèi)存芯片排數(shù)為4排（兩面各兩排），接口電壓LVTTL+SSTL_3（3.3V），封裝類(lèi)型66針TSOPII，速度133MHZ。三星RAMBUSDRAM內(nèi)存芯片編號(hào)例如KM418RD8C表示：KM表示三星內(nèi)存；4代表RAM種類(lèi)（4=DRAM）；18代表內(nèi)存芯片組成x18（16=x16、18=x18）；RD表示產(chǎn)品類(lèi)型（RD=DirectRAMBUSDRAM）；8代表內(nèi)存芯片密度8M（4=4M、8=8M、16=16M）；C代表封裝類(lèi)型（C=微型BGA、D二微型BGA[逆轉(zhuǎn)CSP]、W=WL-CSP）；80代表速度（60=600Mbps、80=800Mbps）。即三星8M*18bit=144M，BGA封裝，速度800Mbps。（6）Micron（美光）Micron公司是世界上知名內(nèi)存生產(chǎn)商之一（如右圖MicronPC143SDRAM內(nèi)存條），其SDRAM芯片編號(hào)格式為：MT48abcdMefAgTG-hij其中MT代表Micron的產(chǎn)品；48代表產(chǎn)品家族（48二SDRAM、4二DRAM、46=DDRSDRAM、6=Rambus）；ab代表處理工藝（C=5VVccCMOS，LC=3.3VVddCMOS，V=2.5VVddCMOS）；cdMef設(shè)備號(hào)碼（深度*寬度），無(wú)字母二Bits，K=Kilobits（KB），M=Megabits（MB），G=Gigabits（GB）Mricron的容量二cd*ef；ef表示數(shù)據(jù)位寬（4、8、16、32分別代表4位、8位、16位和32位）；Ag代表WriteRecovery[Twr]（A2=Twr=2clk）；TG代表封裝（TG=TSOPII封裝，DJ=SOJ，DW二寬型SOJ，F(xiàn)=54針4行FBGA，F(xiàn)B=60針8*16FBGA，F(xiàn)C=60針11*13FBGA，F(xiàn)P=反轉(zhuǎn)芯片封裝，F(xiàn)Q=反轉(zhuǎn)芯片密封，F(xiàn)1=62針2行FBGA，F(xiàn)2=84針2行FBGA，LF=90針FBGA，LG=TQFP，R1=62針2行微型FBGA，R2=84針2行微型FBGA，U=pBGA）；j代表功耗（L二低耗，空白二普通）；hj代表速度，分成以下四類(lèi)：（A）、DRAM-4=40ns，-5=50ns，-6=60ns，-7=70nsSDRAM，x32DDRSDRAM（時(shí)鐘率@CL3）-15=66MHz,-12=83MHz,-10+=100MHz,-8x+=125MHz,-75+=133MHz,-7x+=143MHz,-65=150MHz,-6=167MHz,-55=183MHz,-5=200MHzDDRSDRAM(x4,x8,x16)時(shí)鐘率@CL=2.5-8+=125MHz,-75+=133MHz,-7+=143MHz、Rambus(時(shí)鐘率)-4D=400MHz40ns,-4C=400MHz45ns,-4B=400MHz50ns,-3C=356MHz45ns,-3B=356MHz50ns,-3M=300MHz53ns+的含義-8E支持PC66和PC100(CL2和CL3)-75支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL=3)-7支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL2和CL3)-7E支持PC66、PC100(CL2和CL3)、PC133(CL2+和CL3)、DDRSDRAM-8支持PC200(CL2)-75支持PC200(CL2)和PC266B(CL=2.5)-7支持PC200(CL2),PC266B(CL2),PC266A(CL=2.5)。例如MT48LC16M8A2TG-75L_ESR示美光的SDRAM,16M8=16*8MB=128MB,133MHz其它內(nèi)存芯片編號(hào)NEC的內(nèi)存芯片編號(hào)例如pPD4564841G5-A80-9JF表示：pPD4代表NEC的產(chǎn)品；5代表SDRAM；64代表容量64MB；8表示數(shù)據(jù)位寬(4、8、16、32分別代表4位、8位、16位、32位，當(dāng)數(shù)據(jù)位寬為16位和32位時(shí)，使用兩位)；4代表Bank數(shù)(3或4代表4個(gè)Bank，在16位和32位時(shí)代表2個(gè)Bank；2代表2個(gè)Bank)；1代表LVTTL(如為16位和32位的芯片，則為兩位，第2位雙重含義，如1代表2個(gè)Bank和LVTTL,3代表4個(gè)Bank和LVTTL)；G5為T(mén)SOPII封裝；-A80代表速度：在CL=3時(shí)可工作在125MHZ下，在100MHZ時(shí)CL可設(shè)為2(80=8ns[125MHzCL3],10=10ns[PC100CL3],10B=10ns較10慢，Tac為7,不完全符合PC100規(guī)范，12=12ns,70=[PC133],75=[PC133])；JF代表封裝外型(NF=44-pinTSOP-II；JF=54-pinTSOPII；JH=86-pinTSOP-II)。HITACHI的內(nèi)存芯片編號(hào)例如HM5264805F-B60表示：HM代表日立的產(chǎn)品；52是SDRAM類(lèi)型(51二EDODRAM,52=SDRAM)；64代表容量64MB；80表示數(shù)據(jù)