緒論和第一章：常用半導體器件

關于本課程學習的幾點說明?

本課程的性質和作用：具有較強理論性和實踐性的專業(yè)（技術）基礎課大學課程基礎課專業(yè)(技術)基礎課專業(yè)課——承前啟后性質?

要求:實驗單獨開課一學期：共56學時

聽課、

作用提問、筆記、作業(yè)考核：①作業(yè)、考勤、課堂提問

②期末考試340模擬電子技術概述0.1電子技術的發(fā)展與應用0.3如何學習模擬電子技術基礎課0.2模擬電子技術基礎課程特點5一、什么是電子技術

電子技術是把電子元器件組成的電子電路應用到科學、技術、生產、生活等各領域的應用技術，研究電信號的產生、傳送、接收和處理。0.1電子技術的發(fā)展與應用模擬信號：在時間和幅值上能連續(xù)變化的信號,如圖所示。溫度、壓力、速度、聲音等。電信號：隨時間變化的電壓u或電流i,在數學上可表示為時間t的函數，即u=f(t)或i=f(t)。分為數字信號和模擬信號。6模擬電路：處理模擬信號的電路，最基本的處理是放大。常用的模擬電路有：（1）放大電路：用于信號的電壓、電流或功率的放大。（2）濾波電路：用于信號的提取、變換或抗干擾。（3）運算電路：完成信號的比例、加減、乘除、積分、微分運算。（4）信號轉換電路：電壓信號<==>電流信號，直流信號<==>交流信號，直流電壓==>與之成比例的頻率……（5）信號發(fā)生電路：產生正弦波、矩形波、三角波、鋸齒波。（6）直流電源：將220V、50Hz交流電轉換成不同輸出電壓和電流的直流電。7二、電子技術的發(fā)展史

8910111213集成芯片14集成電路板1516三、電子技術的應用

●

科學研究中，先進的儀器設備；●

傳統(tǒng)的機械行業(yè)，先進的數控機床、自動化生產線；●通信、廣播、電視、雷達、醫(yī)療設備、新型武器、交通、電力、航空、宇航等領域；●

日常生活的家用電器；●

電子計算機及信息技術等領域。0.2模擬電子技術基礎課程特點

具有很強的工程性和實踐性

模擬電子技術屬于專業(yè)基礎課，其特點是：工程性和應用性很強。二極管和三極管均為非線性元件，可以抓住主要矛盾，忽略次要因素進行線性化，簡化分析計算。

研究步驟是：進行定性分析、定量估算、實驗調整（進行有道理的近似）。一、重點掌握“基本概念、基本電路、基本分析方法、基本實驗技能”，具有能夠繼續(xù)深入學習和接收電子技術新發(fā)展的能力，將所學知識用于本專業(yè)的能力。

0.3如何學習模擬電子技術基礎課二、建立工程的觀念、系統(tǒng)的觀念、實踐的觀念，特別注意電路原理在電子電路分析中的應用。四、考察方法

會看：能看懂電路功能，并定性分析會算：能進行定量計算

會選：會選電路形式、器件、參數

會調：掌握測試方法、儀器選用、EDA三、學習方法

聽（課）：聽懂思路和工作原理；

記（筆記）：要點；

做（作業(yè)）；

調（調試電路）。第1章常用半導體器件半導體二極管晶體三極管場效應管半導體二極管晶體三極管場效應管結構（PN結）PN結的形成

特性（單向導電性）穩(wěn)壓二極管參數P型半導體N型半導體結構（2個PN結形成）晶體管的電流放大原理參數結構工作原理參數重點掌握三種管子的特性1.1圖1.1.1本征半導體結構示意圖

這里相鄰原子之間的共價鍵是比較穩(wěn)定的，但其價電子并不像絕緣體中電子被束縛那樣緊。在室溫下，部分價電子就會獲得足夠的能量（隨機振動能量）而掙脫共價鍵的束縛，成為自由電子——這種現象稱為本征激發(fā)。2、本征半導體晶體結構本征半導體：完全純凈的，結構完整的半導體晶體。Si,Ge均為四價元素，最外層原子軌道上具有4個價電子。

(帶負電)3、本征半導體中的兩種載流子由于“空穴”處原子核內質子的存在，“空穴”實際上是顯正電。在本征半導體中，自由電子和空穴是成對出現的，即自由電子和空穴的數目相等。自由電子在運動的過程中如果與空穴相遇就會填補空穴，使兩者同時消失，這種運動稱為復合運動。在一定溫度下，本征激發(fā)所產生的自由電子空穴對與復合的自由電子空穴對數目相等，叫做達到了動態(tài)平衡。正是由于有了“空穴”和“自由電子”兩種載流子，使得半導體具有了導電性。因此，半導體導電性的強弱，即電導率就取決于半導體內載流子的濃度。二、雜質半導體

摻雜后自由電子數目大量增加，自由電子導電成為這種半導體的主要導電方式，稱為電子半導體或N型半導體。摻入五價元素（磷）

Si

Si

Si

Sip+多余電子磷原子在常溫下即可變?yōu)樽杂呻娮邮ヒ粋€電子變?yōu)檎x子

在本征半導體中摻入微量的其它元素（稱為雜質）,形成雜質半導體(N型半導體和P型半導體)。

在N

型半導體中自由電子是多數載流子，空穴是少數載流子。1.N型半導體2.P型半導體

摻雜后空穴數目大量增加，空穴導電成為這種半導體的主要導電方式，稱為空穴半導體或P型半導體。摻入三價元素（硼）

Si

Si

Si

Si

在P型半導體中空穴是多數載流子，自由電子是少數載流子。雜質離子帶負電。B–硼原子接受一個電子變?yōu)樨撾x子空穴注意：無論N型或P型半導體都是中性的，對外都不顯電性。三、PN結的形成及其單向導電性1.PN結的形成多子的擴散運動內電場少子的漂移運動濃度差P型半導體N型半導體

內電場越強，漂移運動越強，而漂移運動使空間電荷區(qū)變薄。

擴散的結果使空間電荷區(qū)變寬?？臻g電荷區(qū)也稱PN結（耗盡層）

擴散和漂移這一對相反的運動最終達到動態(tài)平衡，空間電荷區(qū)的厚度固定不變。－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++形成空間電荷區(qū)－－－－－－－－++++++++2.PN結的單向導電性

（1）

PN結加正向電壓（正向偏置）PN結變窄P接正、N接負外電場IF

內電場被削弱，多子的擴散運動加強，形成較大的擴散電流。

PN結加正向電壓時，PN結變窄，正向電流較大，正向電阻較小，PN結處于導通狀態(tài)。內電場PN－－－－－－－－－－－－－－－－－－+++++++++++++++++++–R（2）PN結加反向電壓（反向偏置）外電場P接負、N接正內電場PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－–+RPN結變寬外電場

內電場被加強，少子的漂移運動加強，由于少子數量很少，形成很小的反向電流。IRP接負、N接正溫度越高少子的數目越多，反向電流將隨溫度增加。–+

PN結加反向電壓時，PN結變寬，反向電流較小，反向電阻較大，PN結處于截止狀態(tài)。內電場PN+++－－－－－－+++++++++－－－－－－－－－++++++－－－1．勢壘電容

勢壘電容（Cb）是耗盡層寬窄變化所等效的電容。當PN結外加電壓變化時，空間電荷區(qū)的寬度將隨之變化，即耗盡層的電荷量隨外加電壓而增多或減少，這種現象與電容器的充、放電過程相同，如圖所示。

當PN結加反向電壓時，Cb明顯隨U的變化而變化，利用這一特性可以制成各種變容二極管。

2．擴散電容

擴散電容是PN結正偏時所表現出的一種電容效應。PN結正向導電時，多子擴散到對方區(qū)域后，在PN結邊界上積累，并有一定的濃度分布(注入P區(qū)的少子（電子）在P區(qū)有濃度差，越靠近PN結濃度越大，即在P區(qū)有電子的積累。同理，在N區(qū)有空穴的積累)。積累的電荷量隨外加電壓的變化而變化，當PN結正向電壓加大時，正向電流隨著加大，積累的電荷多；而當正向電壓減小時，正向電流減小，積累的電荷就減少。電荷的積累和釋放過程與電容器沖、放電過程相同，這種電容效應稱為擴散電容Cd。

二極管的電容效應在交流信號作用下才會表現出來。

勢壘電容在正偏和反偏時均不能忽略。而反向偏置時，由于少數載流子數目很少，可忽略擴散電容。

小結：1、本征半導體及本征半導體的載流子；2、N型半導體的形成及其多數載流子；3、P型半導體的形成及其多數載流子；4、PN結形成；5、PN結的單向導電性。復習1、P型半導體和N型半導體各自具有什么特點2、PN結的形成以及PN結的單向導電性1.2二極管的幾種外形二極管的幾種常見結構二、二極管的伏安特性硅管0.5V,鍺0.1V。反向擊穿電壓U(BR)導通壓降

外加電壓大于死區(qū)電壓二極管才能導通。

外加電壓大于反向擊穿電壓二極管被擊穿，失去單向導電性。正向特性反向特性特點：非線性，單向導電性硅0.6~0.8V鍺0.1~0.3Vui死區(qū)電壓PN+–PN–+

反向飽和電流IS在一定電壓范圍內保持常數。端電壓溫度的電壓當量反向飽和電流電流常溫下UT=26mVD0.溫度對二極管伏安特性的影響：T（℃）↑→在電流不變情況下管壓降u↓→反向飽和電流IS↑，U(BR)↓T（℃）↑→正向特性左移，反向特性下移

溫度每升高10C，正向壓降減小2~2.5mV；溫度每升高100C，反向電流約增大一倍。四、二極管的主要參數

(1)最大整流電流IF(2)最高反向工作電壓UR

(3)反向電流IR二極管未擊穿時的反向電流。IR愈小，二極管的單向導電性愈好。IR對溫度非常敏感。二極管長期連續(xù)工作時，允許通過二極管的最大整流電流的平均值。二極管工作時允許外加的最大反向電壓，通常為擊穿電壓UBR的一半。

(4)最高工作頻率fM二極管工作的上限截止頻率。超過此值，由于結電容的存在，二極管將不能很好的體現其單向導電性。定性分析：判斷二極管的工作狀態(tài)導通截止否則，正向管壓降硅0.6~0.7V鍺0.2~0.3V

分析方法：將二極管斷開，分析二極管兩端電位的高低或所加電壓UD的正負。若V陽

>V陰或UD為正(正向偏置)，二極管導通若V陽

<V陰或UD為負(反向偏置)，二極管截止

若二極管是理想的，正向導通時正向管壓降為零，反向截止時二極管相當于斷開。（單向導電性）*二極管工作狀態(tài)的判斷電路如圖，求：UABV陽

=－6VV陰=－12VV陽>V陰二極管導通若忽略管壓降，二極管可看作短路，UAB=－6V否則，UAB低于－6V一個管壓降，為－6.3Ｖ或－6.7V例1：取B點作參考點，斷開二極管，分析二極管陽極和陰極的電位。D6V12V3kBAUAB+–兩個二極管的陰極接在一起取B點作參考點，斷開二極管，分析二極管陽極和陰極的電位。V1陽

=－6V，V2陽=0V，V1陰

=V2陰=－12VUD1=6V，UD2=12V

∵

UD2>UD1∴D2優(yōu)先導通，D1截止。若忽略管壓降，二極管可看作短路，UAB

=0V例2:D1承受反向電壓為－6V流過D2

的電流為求：UABBD16V12V3kAD2UAB+–ui>8V，二極管導通，可看作短路uo=8V

ui<8V，二極管截止，可看作開路uo=ui已知：二極管是理想的，試畫出uo

波形。8V例3：ui18V參考點二極管陰極電位為8VD8VRuoui++––五、穩(wěn)壓二極管（1）伏安特性及電路符號UZIZIZMUZIZ

穩(wěn)壓管正常工作時加反向電壓使用時要加限流電阻

二極管反向擊穿后，電流變化很大，但其兩端電壓變化很小，利用此特性，二極管在電路中可起穩(wěn)壓作用。_+uiO（2）主要參數①

穩(wěn)定電壓UZ

穩(wěn)壓管正常工作(反向擊穿)時管子兩端的電壓。②

穩(wěn)定電流IZ額定功耗PZM

穩(wěn)壓管穩(wěn)定電壓與最大穩(wěn)定電流IZM的乘積

穩(wěn)壓管的功耗超過此值，會因結溫升過高而損壞。穩(wěn)定電流是保證穩(wěn)壓管正常穩(wěn)壓的最小工作電流，電流低于此值時穩(wěn)壓效果不好。一般為毫安數量級。UZIZIZMUZIZuiO④

動態(tài)電阻rZ

rZ=△UZ/△IZ

rZ愈小，二極管的穩(wěn)壓特性愈好。例:如圖所示電路中，已知輸入電壓UI=12V，穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)定電壓UZ=6V，穩(wěn)定電流IZ=5mA,額定功率PZM=90mW，試問輸出電壓能否等于6V。+UZ-UZIZIZMUZIZuiO復習1、二極管的伏安特性2、二極管等效電路

伏安表特性折線化等效電路和微變等效電路3、穩(wěn)壓二極管uiNNP基極發(fā)射極集電極NPN型BECBECPNP型PPN基極發(fā)射極集電極符號：BECIBIEICBECIBIEICNPN型三極管PNP型三極管一、晶體管的結構和符號基區(qū)：最薄，摻雜濃度最低發(fā)射區(qū)：摻雜濃度最高發(fā)射結集電結BECNNP基極發(fā)射極集電極結構特點：集電區(qū)：面積最大晶體管的幾種常見外形小功率管中功率管大功率管二、晶體三極管的電流放大原理1.三極管放大狀態(tài)的外部條件2.三極管內部載流子的運動規(guī)律BECNNPVBBRBVCCIEIBEICEICBO

基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴散可忽略。

發(fā)射結正偏，發(fā)射區(qū)電子不斷向基區(qū)擴散，形成發(fā)射極電流IE。

少部分電子與基區(qū)的空穴復合，形成電流IBE，多數作為基區(qū)的非平衡少子到達集電結?；鶇^(qū)的非平衡少子在外電場的作用下越過基區(qū)到達集電區(qū)，形成漂移電流ICE。

集電結反偏，極電區(qū)和基區(qū)的平衡少子形成的反向飽和電流ICBO。RCICIC=ICE+ICBOICEICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOIB=IBE-ICBOIBEICE與IBE之比稱為共發(fā)射極電流放大倍數，即集－射極穿透電流，溫度ICEO(常用公式)若IB=0,則

ICICEO電流分配：IE=IB+IC3.各電極電流關系及電流放大作用IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.10<0.0010.701.502.303.103.95<0.0010.721.542.363.184.05結論:1）三個電極電流關系：IE=IB+IC2）IC

IB

，

IE

IC3）IC

IB

把基極電流的微小變化能夠引起集電極電流較大變化的特性稱為晶體管的電流放大作用。

實質:用一個微小電流的變化去控制一個較大電流的變化，是CCCS器件。BECNNPEBRBECRCIEICIB三、晶體管的共射輸入特性和輸出特性

即管子各電極電壓與電流的關系曲線，是管子內部載流子運動的外部表現，反映了晶體管的性能，是分析放大電路的依據。為什么要研究特性曲線：

1）直觀地分析管子的工作狀態(tài)；

2）合理地選擇偏置電路的參數，設計性能良好的電路。

重點討論應用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線發(fā)射極是輸入回路、輸出回路的公共端共發(fā)射極電路輸入回路輸出回路

測量晶體管特性的實驗線路ICEBmAAVUCEUBERBIBECV++––––++RCUCE

1ViB(A)uBE(V)204060800.40.8工作壓降：硅管UBE0.6~0.7V,鍺管UBE0.2~0.3VUCE=0VUCE=0.5V

死區(qū)電壓，硅管0.5V，鍺管0.2V。IB=020A40A60A80A100A36iC(mA)1234uCE(V)912O放大區(qū)輸出特性曲線通常分三個工作區(qū)：(1)放大區(qū)

在放大區(qū)有iC=iB

，也稱為線性區(qū)，具有恒流特性。

在放大區(qū)，發(fā)射結處于正向偏置、集電結處于反向偏置。

iC幾乎僅僅決定于iB，而與uCE無關，表現出i

B對iC的控制作用。飽和區(qū)截止區(qū)IB=020A40A60A80A100A36iC(mA)1234uCE(V)912O（2）截止區(qū)IB=0以下區(qū)域為截止區(qū)，有IC0

。

在截止區(qū)發(fā)射結處于反向偏置，集電結處于反向偏置，晶體管工作于截止狀態(tài)。飽和區(qū)截止區(qū)（3）飽和區(qū)

在飽和區(qū)，發(fā)射結處于正向偏置，集電結也處于正偏。

iC

不僅與iB有關，而且明顯隨uCE增大而增大。在飽和區(qū)有iC<iB

深度飽和時：硅管UCES0.3V，鍺管UCES0.1V。復習1、晶體三極管的電流放大原理2、晶體三極管的輸出特性曲線

四、溫度對晶體管特性的影響五、晶體管的主要參數1.電流放大系數（2）共基極電流放大系數：

iCE△=20uA(mA)B=40uAICu=0(V)=80uAI△BBBIBiIBI=100uACBI=60uAi一般取20~200之間2.31.5（1）共發(fā)射極電流放大系數：2.特征頻率fT

三極管的值不僅與工作電流有關，而且與工作頻率有關。由于結電容的影響，當信號頻率增加時，三極管的將會下降。當下降到1時所對應的頻率稱為特征頻率，用fT表示。

3.極限參數

Ic增加時，要下降。當值下降到線性放大區(qū)值的70％時，所對應的集電極電流稱為集電極最大允許電流ICM。（1）集電極最大允許電流ICM（2）集電極最大允許功率損耗PCM

集電極電流通過集電結時所產生的功耗，

PC=ICUCE

<PCM（3）U（BR）CEO——基極開路時，集電極與發(fā)射極之間的反向擊穿電壓。例:圖中三極管各電極電位已標出，試判斷三極管分別處于何種工作狀態(tài)（飽和、放大、截止或已損壞），若處于放大狀態(tài)或飽和狀態(tài)，請判斷是硅管還是鍺管。+6V+0.1V-0.2V(a)-3V-2V0V(c)+1V-2V(b)+0.3V+4V+4V+4V(e)+5.3V+6V+5.5V(d)1.5場效應管增強型耗盡型N溝道P溝道N溝道P溝道N溝道P溝道FET分類：結型場效應管絕緣柵型場效應管按電路結構不同

FieldEffectTransistor，簡稱FET。僅靠半導體中的多數載流子導電，又稱單極型管。除具有BJT管體積小、重量輕、壽命長等優(yōu)點外，其輸入阻抗高達107~1012Ω，耗電省，噪音低，熱穩(wěn)定性好。主要有結型和絕緣柵型兩種不同的結構。結構示意圖在同一塊N型半導體上制作兩個高摻雜的P區(qū)，并將它們連接在一起，所引出的電極稱為柵極g。N型半導體的兩端分別引出兩個電極，一個稱為漏極d，一個稱為源極s。P區(qū)與N區(qū)交界面形成耗盡層，漏極與源極的非耗盡區(qū)域稱為導電溝道。導電溝道1.5.1結型場效應管JFET

JunctionTypeFieldEffectTransistor1、結構和工作原理（N溝道）N溝道JFET的符號表示箭頭指的是PN結的方向，故從符號上可分出是哪種溝道的JFET

JFET的工作原理為使N溝道JFET正常工作，應在其柵-源之間加負電壓(即uGS＜0)，保證耗盡層承受反向電壓，通過uGS來控制耗盡層的寬度；在漏-源之間加正向電壓uDS，以形成漏極電流iD

。①當uDS=0時，uGS對溝道的控制作用:UGS(off)<uGS<0uGS≤UGS(off)

注：(b)中，雖然存在導電溝道，但D、S間無壓差，故無電流iD。

uGS<0→PN結反偏→耗盡層寬度↑→溝道寬度↓→溝道電阻↑當uGS↓溝道繼續(xù)變窄，當減小到某一數值時，耗盡層閉合，溝道消失，溝道電阻趨于無窮大，稱此時的uGS的值為夾斷電壓UGS(off)。PPP②當uGS為UGS(off)~0之間某一值時，uDS對漏極電流iD的控制作用

PNN(a)uDS

↑=0

→

iD=0→

uDS

↑→

iD↑→D-S間存在電位梯度差→漏極的PN結的反向電壓增大，耗盡層變寬→形成圖(b)所示的的契形溝道，此時iD隨uDS的增大而線性增大，D-S間呈現電阻特性。(b)當uDS↑到uGD＝uGS－uDS=UGS(off)，漏極D一邊的耗盡層出現了夾斷區(qū)。若uDS繼續(xù)↑，則uGD<UGS(off)，耗盡層部分沿溝道方向延伸，見圖(c)PNN當溝道預夾斷后，一方面，隨著uDS增大，溝道電阻進一步加大(仍有iD，只能從夾斷區(qū)窄縫中以高速通過)，iD→減小趨勢；另一方面，隨著的uDS↗，D-S間縱向電場加強，使iD→增大趨勢。上述兩種變化趨勢相抵消后，使得隨uDS的增大iD幾乎不變。增大的uDS幾乎全部降落在夾斷區(qū)（降落在增大的溝道電阻上）。因此，從外部看，在uGD＜UGS(off)時，隨uDS增大，iD幾乎不變，即iD幾乎僅決定于uGS，表現出恒流特性。(c)uDS

繼續(xù)增大uGD＜UGS(off),溝道夾斷區(qū)延長，也有iD,隨uDS增大iD基本不變，表現出恒流特性。此時可以通過改變uGS的大小來控制iD的大小，可以近似看成受uGS控制的電流源。由于漏極電流受柵-源電壓的控制，所以場效應管為電壓控制型元件。③uGD＜UGS(off)時，uGS對iD的控制作用

可見，JFET為壓控元件，與晶體管用來描述動態(tài)時iB對iC的控制作用類似，JFET用低頻跨導gm來描述動態(tài)柵源電壓uGS對漏極電流iD的控制作用。

回顧工作原理DCGBSE2、JFET的特性曲線（1）輸出特性：②恒流性：uGD＝UGS(off)恒流區(qū)（又稱為飽和區(qū)或放大區(qū)）特點：①受控性：輸入電壓uGS控制輸出電流iD輸出電流iD基本不隨輸出電壓uDS的影響。用途：可作放大管或恒流源。

iDSS—飽和漏極電流，uGS=0時的iD值?？勺冸娮鑵^(qū)：特點：①當uGS為定值時，iD是uDS的線性函數，管子的漏-源間呈現為線性電阻，且其電阻的阻值受uGS的控制。②管壓降uDS很小用途：做壓控線性電阻或無觸點、閉合狀態(tài)的電子開關。截止區(qū):特點：iD≈0用途：做無觸點的、接通狀態(tài)的電子開關擊穿區(qū)：當電壓uDS增大到u(BR)DS時，漏極電流會劇增，管子將被擊穿。其值一般在20V-50V之間。管子不能在擊穿區(qū)工作。（2）轉移特性：在恒流區(qū)iD的近似表達式為：

1.5.2絕緣柵型場效應管IGFET

絕緣柵型場效應管，也稱為金屬氧化物半導體三極管MOSFET(MetalOxide

SemiconductorFET)，簡稱MOS管。它的源極、柵極與漏極之間均采用SiO2絕緣層隔離。它的刪-源間電阻比結型場效應大得多，可達1010Ω以上，還因為它比結型場效應管溫度穩(wěn)定性好、集成化時工藝簡單，而廣泛用于大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路中。

根據uGS=0時是否有導電溝道分為：

增強型（無）N溝道、P溝道耗盡型（有）N溝道、P溝道

（1）N溝道增強型MOS管電路結構1.N溝道增強型MOS管

（1）電路結構

4個電極：漏極D，源極S，柵極G和襯底B。在P型半導體襯底上制作兩個高摻雜的N型區(qū)，并引出兩個電極，分別為源極S和漏極D，在半導體上制作一層SiO2絕緣層，引出電極為柵極G。

通常將襯底與源極連接在一起，刪極與襯底各相當于一個極板，中間是絕緣層，形成電容。當刪－源電壓變化時，將改變襯底靠近絕緣層處感應電荷的多少，從而控制漏極電流的大小。（2）工作原理（以N溝道為例）①uGS=0，漏-源間為兩個背向PN結，無導電溝道，即便加漏-源電壓，也無漏極電流iD。②uDS=0，uGS＞0時，由于絕緣層的存在使柵極金屬板聚集正電荷，排斥P區(qū)多子空穴，剩下不能移動的負離子形成耗