標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 12632-1990 單晶硅太陽(yáng)電池總規(guī)范》是中國(guó)關(guān)于單晶硅太陽(yáng)電池產(chǎn)品的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，旨在規(guī)定單晶硅太陽(yáng)電池的技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則以及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存要求，以確保產(chǎn)品的性能和質(zhì)量一致性。該標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容涵蓋以下幾個(gè)關(guān)鍵方面：

  1. 適用范圍：明確了本標(biāo)準(zhǔn)適用于以單晶硅片為基底，通過(guò)擴(kuò)散、鍍膜、印刷電極等工藝制備的太陽(yáng)電池。這些電池主要用于光電轉(zhuǎn)換，將太陽(yáng)光能轉(zhuǎn)換為電能。

  2. 分類與命名：規(guī)定了單晶硅太陽(yáng)電池的分類依據(jù)，通常包括電池的尺寸、結(jié)構(gòu)、應(yīng)用類型等，并對(duì)電池的命名規(guī)則進(jìn)行了說(shuō)明，便于產(chǎn)品識(shí)別和分類管理。

  3. 技術(shù)要求：詳細(xì)列出了單晶硅太陽(yáng)電池在電氣性能、機(jī)械性能、外觀質(zhì)量等方面的具體要求。例如，規(guī)定了電池的開(kāi)路電壓、短路電流、最大功率、轉(zhuǎn)換效率等電氣參數(shù)的最低標(biāo)準(zhǔn)；同時(shí)，也對(duì)電池的尺寸公差、表面缺陷、封裝材料等有明確要求，以確保電池的可靠性和使用壽命。

  4. 試驗(yàn)方法：介紹了如何對(duì)單晶硅太陽(yáng)電池進(jìn)行性能測(cè)試和質(zhì)量檢驗(yàn)的具體步驟和條件，包括光照條件、測(cè)試設(shè)備、測(cè)試程序等，確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可重復(fù)性。

  5. 檢驗(yàn)規(guī)則：規(guī)定了產(chǎn)品出廠前應(yīng)進(jìn)行的檢驗(yàn)類型（如全檢、抽樣檢）及合格判定準(zhǔn)則，明確了不合格品的處理方式，確保只有符合標(biāo)準(zhǔn)要求的產(chǎn)品才能進(jìn)入市場(chǎng)。

  6. 標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和儲(chǔ)存：要求產(chǎn)品上需有清晰、耐久的標(biāo)識(shí)，標(biāo)明制造商信息、產(chǎn)品型號(hào)、生產(chǎn)日期等；同時(shí)，對(duì)電池的包裝材料、方式、運(yùn)輸條件及儲(chǔ)存環(huán)境提出了具體要求，以防止在流通和存儲(chǔ)過(guò)程中對(duì)電池造成損害。

該標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)施，為單晶硅太陽(yáng)電池的生產(chǎn)、檢測(cè)、銷售提供了統(tǒng)一的技術(shù)指導(dǎo)和質(zhì)量控制依據(jù)，促進(jìn)了太陽(yáng)能光伏行業(yè)的規(guī)范化發(fā)展。


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  • 1990-12-28 頒布
  • 1991-10-01 實(shí)施
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DC621.352K83中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)GB12632-90單晶硅太陽(yáng)電池總規(guī)范Generalspecificationofsinglesiliconsolarcells1990-12-28發(fā)布1991-10-01實(shí)施國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)單晶硅太陽(yáng)電池總規(guī)范GB12632-90中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行北京西城區(qū)復(fù)興門外三里河北街16號(hào)郵政編碼：100045電話：63787337、637874471991年7月第一版2004年12月電子版制作書(shū)號(hào)：155066·1-8160版權(quán)專有侵權(quán)必究舉報(bào)電話：（010）68533533

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)單晶硅太陽(yáng)電池總規(guī)范GB12632-90Generalspccificationotsinglesiliconsolarcells主題內(nèi)容與適用范圍本規(guī)范規(guī)定了未封裝的硅太陽(yáng)電池的一般要求。本規(guī)范適用于地面、航天應(yīng)用的單品硅太陽(yáng)電池。2引用標(biāo)準(zhǔn)GB1550硅單晶導(dǎo)電類型測(cè)定方法GB1551硅單品電阻率直流二探針測(cè)量方法GB1552硅單品電阻率直流四探針測(cè)量方法GB1553硅單晶壽命直流光電導(dǎo)衰退測(cè)量方法GB1554硅單品(111)晶面位錯(cuò)蝕坑腐蝕顯示測(cè)量方法·GB1555硅單晶晶向光圖測(cè)量方法GB1556硅單品晶向×光衍射測(cè)量方法B2828逐批檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于連續(xù)批的檢查)GB2829周期檢查計(jì)數(shù)抽樣程序及抽樣表(適用于生產(chǎn)過(guò)程穩(wěn)定性的檢查）GB.6494航天用太陽(yáng)電池電性能測(cè)試方法GB6495地面用太陽(yáng)電池電性能測(cè)試方法技術(shù)要求3.1設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu)3.1.1基體設(shè)計(jì)按產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)范要求,選用單品硅片為基體材料和制備有光電效應(yīng)的P-N結(jié)。3.1.2電極根據(jù)電池使用條件的要求，設(shè)制有一定形狀尺寸的單層或多層金屬結(jié)構(gòu)系統(tǒng)的上、下電極，其熱膨脹系數(shù)應(yīng)與硅基體材料相匹配，接觸電阻小，有良好的導(dǎo)電性和可焊性，有效光照面積不小于90%。3.1.3減反射膜為減少光反射，提高輸出功率，電池光照面應(yīng)設(shè)制減反射膜。。減反射膜材料的光學(xué)性質(zhì)應(yīng)與電池相匹配，要求層數(shù)應(yīng)在產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)范中規(guī)定。3.1.4電極焊接區(qū)電池的上電極應(yīng)設(shè)制有電極焊接區(qū)，電極焊接區(qū)的厚度、光潔度、導(dǎo)電性、熱物理性能、形狀尺寸、選材、力學(xué)疲勞強(qiáng)度應(yīng)在產(chǎn)品詳細(xì)規(guī)范中規(guī)定。3.1.5尺寸和

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