GB/T 13388-2009硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向X射線測(cè)試方法

犐犆犛２９．０４５

犎８０

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

犌犅／犜１３３８８—２００９

代替ＧＢ／Ｔ１３３８８—１９９２

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向犡射線測(cè)試方法

犕犲狋犺狅犱犳狅狉犿犲犪狊狌狉犻狀犵犮狉狔狊狋犪犾犾狅犵狉犪狆犺犻犮狅狉犻犲狀狋犪狋犻狅狀狅犳犳犾犪狋狊狅狀狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾

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２００９１０３０發(fā)布２０１００６０１實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局

發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

書(shū)

中華人民共和國(guó)

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向犡射線測(cè)試方法

ＧＢ／Ｔ１３３８８—２００９

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

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２０１０年１月第一版２０１０年１月第一次印刷

書(shū)號(hào)：１５５０６６·１３９８６４

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書(shū)

犌犅／犜１３３８８—２００９

前言

本標(biāo)準(zhǔn)修改采用ＳＥＭＩＭＦ８４７０７０５《硅片參考面晶向Ｘ射線測(cè)試方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＳＥＭＩＭＦ８４７０７０５相比，有以下不同：

———將ＳＥＭＩ標(biāo)準(zhǔn)中引用的部分國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，采用直接引用對(duì)應(yīng)的我國(guó)標(biāo)準(zhǔn)；

———主要格式內(nèi)容按ＧＢ／Ｔ１．１的要求編排。

本標(biāo)準(zhǔn)代替ＧＢ／Ｔ１３３８８—１９９２《硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向Ｘ射線測(cè)試方法》。

本標(biāo)準(zhǔn)與ＧＢ／Ｔ１３３８８—１９９２相比，主要有如下變化：

———增加了方法２———?jiǎng)诙虮撤瓷洌厣渚€法；

———取消了硅片的直徑和參考面長(zhǎng)度的具體規(guī)定；

———修訂前的國(guó)標(biāo)中規(guī)定“該方法不適用于硅片規(guī)定取向在與參考面和硅片表面相垂直的平面內(nèi)

的投影與硅片表面法線之間夾角不小于３°的硅片的測(cè)量”；而ＳＥＭＩＭＦ８４７０７０５，僅適用于角

度偏離從－５°到＋５°的硅片；

———規(guī)范性引用文件有所增加；

———修改了精密度采用了ＳＥＭＩＭＦ８４７０７０５中通過(guò)對(duì)一個(gè)硅片進(jìn)行５０次（每面２５次）的測(cè)量，得

到對(duì)這一測(cè)試方面的單個(gè)儀器、單個(gè)操作者的再現(xiàn)性評(píng)價(jià)：α計(jì)算值的１－α分布為１．９４′；

———增加了相關(guān)安全條款。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)（ＳＡＣ／ＴＣ２０３）提出。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)材料分技術(shù)委員會(huì)歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：有研半導(dǎo)體材料股份有限公司。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人：孫燕、盧立延、杜娟、翟富義、高玉銹。

本標(biāo)準(zhǔn)所代替標(biāo)準(zhǔn)的歷次版本發(fā)布情況為：

———ＧＢ／Ｔ１３３８８—１９９２。

Ⅰ

書(shū)

犌犅／犜１３３８８—２００９

硅片參考面結(jié)晶學(xué)取向犡射線測(cè)試方法

１目的

１．１硅片的參考面結(jié)晶學(xué)取向（晶向）是一個(gè)重要的材料驗(yàn)收參數(shù)。在半導(dǎo)體器件工藝中，一般利用參

考面來(lái)校準(zhǔn)半導(dǎo)體器件的幾何圖形陣列與結(jié)晶學(xué)晶面及晶向的一致性。

１．２硅片的參考面（位于片子邊緣）晶向是參考面表面的結(jié)晶學(xué)取向，參考面通常用規(guī)定為一個(gè)相關(guān)的

低指數(shù)晶面，如（１１０）晶面，在這種情況下，參考面的晶向可以用其偏離低指數(shù)晶面的角度來(lái)描述。

１．３本標(biāo)準(zhǔn)包括兩個(gè)測(cè)定方法。

１．４兩個(gè)測(cè)試方法都能用于工藝開(kāi)發(fā)和質(zhì)量保證方面。但在該方法的多個(gè)實(shí)驗(yàn)室間精度（再現(xiàn)性限）

確定之前，如雙方未圓滿完成兩個(gè)方法的相關(guān)性研究，不推薦在供需雙方使用該方法。

２范圍

２．１本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了α角的測(cè)量方法，α角為垂直于圓型硅片基準(zhǔn)參考平面的晶向與硅片表面參考面

間角。

２．２本標(biāo)準(zhǔn)適用于硅片的參考面長(zhǎng)度范圍應(yīng)符合ＧＢ／Ｔ１２９６４和ＧＢ／Ｔ１２９６５中的規(guī)定，且硅片角度

偏離應(yīng)在－５°到＋５°范圍之內(nèi)。

２．３由本標(biāo)準(zhǔn)測(cè)定的晶向精度直接依賴于參考表面與基準(zhǔn)擋板的匹配精度和擋板與相對(duì)于的Ｘ射線

的取向精度。

２．４本標(biāo)準(zhǔn)包含如下兩種測(cè)試方法：

測(cè)試方法１———Ｘ射線邊緣衍射法

測(cè)試方法２———?jiǎng)诙虮撤瓷洌厣渚€法

２．４．１測(cè)試方法１是非破壞性的，為了使硅片唯一的相對(duì)于Ｘ射線測(cè)角器定位，除了使用特殊的硅片

夾具外，與ＧＢ／Ｔ１５５５測(cè)試方法１類(lèi)似。與勞厄背反射法相比，該技術(shù)測(cè)量參考面的晶向能得到更高

的精度。

２．４．２方法２也是非破壞性的，為了使參考面相對(duì)于Ｘ射線束定位，除了使用“瞬時(shí)”底片