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文檔簡介

本章主題MOSFET結(jié)構(gòu)及工作原理(補(bǔ)充)CMOS基本邏輯單元靜態(tài)邏輯和動(dòng)態(tài)CMOS電路BiCMOS邏輯集成電路MOS存儲器

2/2/2023MOS存儲器存儲器的分類和總體結(jié)構(gòu)DRAMSRAM只讀存儲器ROM非易失性存儲器2/2/2023存儲器分類存放數(shù)據(jù)和程序的部件MOS工藝主流主要指標(biāo):存儲量和工作速度揮發(fā)性(Volatile)RAMDRAM(內(nèi)存)用電容存儲信息SRAM:靜態(tài)存儲方式,雙穩(wěn)態(tài)電路不揮發(fā)性(Nonvolatile)ROMMaskROMPROMEPROMEEPROMFlash(閃存)集成度高2/2/20232/2/2023隨機(jī)存取存儲器RAMRandomAccessMemory可以進(jìn)行寫入和讀出的半導(dǎo)體存儲器數(shù)據(jù)在斷電后消失,具有揮發(fā)性只讀存儲器ROMReadOnlyMemory專供讀出用的存儲器,一般不具備寫入,或只能特殊條件下寫入。數(shù)據(jù)在斷電后仍保持,具有非揮發(fā)性。2/2/2023L1CacheL2/L3CacheMainMemoryHardDiskDriveCPU現(xiàn)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的存儲器體系結(jié)構(gòu)DRAML3,MainMemorySRAMCache(L1,L2)2/2/2023存儲器集成電路可讀寫存儲器RWM非易失讀寫存儲器NVRWM只讀存儲器ROM隨機(jī)存取非隨機(jī)存取

2/2/2023總體結(jié)構(gòu)單元陳列—存儲信息譯碼器—選擇單元地址緩沖器—輸入緩沖,產(chǎn)生正、反碼;提高足夠大的驅(qū)動(dòng)電流(扇出很大)靈敏放大器—放大位線傳出的信號數(shù)據(jù)I/O緩沖器控制電路—用少量幾個(gè)外部控制信號產(chǎn)生一系列內(nèi)部控制信號容量=行數(shù)×列數(shù)地址緩沖控制緩沖單元陣列單元陣列行譯碼器列譯碼器靈敏放大器(S/A)I/ODATA外圍電路2/2/2023存儲器的總體結(jié)構(gòu)2/2/20232/2/2023存儲器的時(shí)序RWM的時(shí)序2/2/2023MOS存儲器存儲器的分類和總體結(jié)構(gòu)DRAMSRAM只讀存儲器ROM非易失性存儲器2/2/2023DRAM的結(jié)構(gòu)ITICDRAM的工作原理ITICDRAM的設(shè)計(jì)DRAM的總體結(jié)構(gòu)DRAM的外圍電路2/2/2023DRAM的結(jié)構(gòu)2/2/2023ITICDRAM的結(jié)構(gòu)存儲電容的上極板poly接VDD,保證硅中形成反型層存儲電容下極板上電位的不同決定了存儲信息,0,12/2/2023DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器由于存儲在電容中的電荷會泄露,需要刷新。2/2/2023ITICDRAM的工作原理x存儲電容Cs=A(COX+Cj)寫信息(字線)WL為高,M1導(dǎo)通,BL(位線)對電容充放電,寫1時(shí)有閾值損失存信息:WL為低,M1關(guān)斷,信號存在Cs上。由于pn結(jié)有泄漏,所存信息不能長期穩(wěn)定保存,一般要求保持時(shí)間內(nèi),所存高電平下降不小于20%,否則刷新讀信息:WL為高,M1導(dǎo)通,所存電荷在Cs和位線上再分配,讀出信號微弱,而且是‘破壞性’的。2/2/2023刷新操作漏電流:1納安;存儲電容:500fF求高電平變化1伏時(shí)的時(shí)間?2/2/2023工作原理續(xù)(圖4-47)MOS管柵電容上的電荷來存儲信息單管單元結(jié)構(gòu)成為標(biāo)準(zhǔn)的DRAM單元電路形式動(dòng)態(tài)單管存儲器:1T1C單元MOS管T做為門控制管,控制數(shù)據(jù)進(jìn)出電容Cs作為存儲信息柵接讀/寫選擇線(字線)源和漏分別接數(shù)據(jù)線(位線)和存儲電容寫入過程字線輸入高電平寫“1”:既是位線接高電平,所以T工作在飽和區(qū)=上升沿時(shí)間寫“0”:既是位線接低電平,放電過程,T工作在線性區(qū)=下降沿時(shí)間保持過程字線輸入低電平漏電流造成高電平下降;“0”:穩(wěn)態(tài)存儲、“1”:不穩(wěn)定狀態(tài)讀出過程位線寄生電容的影響:導(dǎo)致存儲電容上電荷的再分配讀出信號微弱:根據(jù)電荷量相等,得輸出電壓VR的值為公式(4-25)缺點(diǎn)讀出數(shù)據(jù)將破壞原來的存儲信息讀出信號微弱字線位線存儲電容電路圖2/2/2023ITICDRAM讀信息時(shí)的電荷分配Cs存“1”時(shí)M1未開啟時(shí)Cs上存的電荷為Qs1=CsVs1BL被預(yù)充到VR,其上的電荷為QB1=CBLVRM1導(dǎo)通后,Cs與CBL間電荷再分配,但總電荷不變結(jié)果BL上的電位為VB1同理,Cs存“0”時(shí)BL上的電位VB0讀出電路必須分辯的電位差對于大容量DRAM,CBL遠(yuǎn)大于Cs,一般十幾倍,因此DRAM的讀出信號VB很微弱,需要使用靈敏放大器(SA)問題:1、電荷再分配破壞了Cs原先存的信息2、讀出信號非常微弱T<1電荷傳輸效率2/2/2023ITICDRAM的設(shè)計(jì)存儲單元設(shè)計(jì)目標(biāo)高密度,提高存儲容量,減小單元面積提高性能,盡量增大T,以降低讀出電路的要求減小單元面積減小Cs,下限由讀出電路最小可分辯的電壓Vsense決定提高性能增大T減小CBL,增加Cs例由Vsense估算Cs的下限通常Vsense為百毫伏存儲電容Cs=A(COX+Cj)不可能簡單地通過增大面積A提高性能,只能改變Cs結(jié)構(gòu)-A提高CoxCs結(jié)構(gòu):槽型(Trench)結(jié)構(gòu)疊層(Stack)結(jié)構(gòu)2/2/2023考題如下圖所示電路:1T1CDRAM單元電路。設(shè)VDD=5V,VTH=1V。求在寫入時(shí)VWL=?若寫入“1”電平,則VBL=?在完成“1”寫入后,CS上的電壓VS=?為什么?若CS=30fF,位線寄生電容CB=0.6PF,由于電荷分享,位線放大器得到的輸入信號Vsense為何值?字線WL位線BL存儲電容電路圖NMOSCSCB2/2/2023槽型(Trench)結(jié)構(gòu)先做電容,后形成器件、電路2/2/2023先做器件,后形成電容,沒有pn結(jié)電容泄漏減少疊層(Stack)結(jié)構(gòu)2/2/20232/2/20232/2/2023總體結(jié)構(gòu)行Row(字線WL)、列column(位線BL)的地址線公用,分時(shí)送入。減少封裝管腳數(shù)地址緩沖器行、列譯碼器SA存儲單元數(shù)據(jù)輸入、輸出緩沖器時(shí)鐘及控制電路2/2/2023DRAM單元設(shè)計(jì)密度優(yōu)值面積小、工藝簡單性能優(yōu)值CS/CB大設(shè)計(jì)改進(jìn)把平板電容改為立體電容新材料:采用高介電常數(shù)介質(zhì)立體電容和立體晶體管2/2/2023MOS存儲器存儲器的分類和總體結(jié)構(gòu)DRAMSRAM只讀存儲器ROM非易失性存儲器2/2/2023SRAM的結(jié)構(gòu)2/2/2023電路圖2/2/2023工作原理靜態(tài)存儲方式(以雙穩(wěn)態(tài)電路作為存儲單元)如圖,共有六個(gè)管子組成保持狀態(tài)時(shí),字線WL為低電平,M5和M6都截止若單元原來存“0”,則V1=0、V2=VOH=VDD。M1導(dǎo)通、M2截止,維持V1=0若單元原來存“1”,則V1=1、V2=VOL=0。M3導(dǎo)通、M4截止,維持V1=1讀操作時(shí),選中單位的字線WL為高電平,M5和M6都導(dǎo)通,把單元的存儲節(jié)點(diǎn)輸出若單元原來存“0”,則M1和M5管導(dǎo)通,形成反向電位差若單元原來存“1”,則M2和M6管導(dǎo)通,形成正向電位差寫操作時(shí),選中單位的字線WL為高電平若寫“1”,VBL=VOH、VBL=VOL,形成V1=1、V2=0若寫“0”,VBL=VOL、VBL=VOH,形成V1=0、V2=12/2/2023SRAM讀操作讀操作時(shí),選中單元WL為高,M5,M6導(dǎo)通。位線BL,!BL預(yù)充到高電平。若讀1,BL保持VDD,!BL通過導(dǎo)通的M1、M5放電,使!BL上的電位下降。若讀0,!BL保持VDD,BL通過導(dǎo)通的M3、M6放電,使BL上的電位下降。SRAM讀1在兩側(cè)位線上形成電位差讀‘1’>0讀‘0’<0為提高速度并不等一側(cè)位線下降為低電平,而是只要位線間建立一定的信號差就送讀出放大器,放大輸出。需要靈敏放大器,不用再生2/2/2023SRAM寫操作寫操作時(shí),選中單元WL為高,M5,M6導(dǎo)通。位線BL,!BL準(zhǔn)備好待寫入的信號。寫1,BL=1=VDD,寫0,BL=0。BL、!BL通過M6、M5對Q、!Q強(qiáng)迫充放電,與單元內(nèi)原先存儲的狀態(tài)無關(guān)。寫操作結(jié)束后,雙穩(wěn)單元將信息保存。SRAM寫02/2/2023SRAM靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器工作原理不需要刷新。2/2/2023電路設(shè)計(jì)問題保持狀態(tài)的穩(wěn)定性反相器單元的轉(zhuǎn)折電壓工作速度重要的設(shè)計(jì)參數(shù)2/2/2023VDDGNDQQWLBLBLM1M3M4M2M5M66TSRAM2/2/2023電流鏡負(fù)載CMOS差分放大器v1v2作用提高讀出速度。放大微小的電壓差。差分輸入信號Vin=v1-v2,放大后產(chǎn)生的差分輸出電流為iout=i1-i2i1i2IsVout=RLiout是M1,M2的導(dǎo)電因子要求:M4,M5完全對稱。M1,M2完全對稱為了在提高靈敏度的同時(shí),又能抗干擾,有時(shí)采用二級放大2/2/2023SRAM及其外圍電路位線負(fù)載晶體管列選擇靈敏放大器(列公用)數(shù)據(jù)讀寫電路2/2/2023SRAM中的地址探測技術(shù)提高速度、節(jié)省功耗利用地址變化探測電路,一旦地址變化,產(chǎn)生ATD信號,并用ATD觸發(fā)其它時(shí)鐘及控制信號開始讀/寫操作。使SRAM工作于異步模式,按需操作,不必受同步時(shí)鐘的控制。ATD為正脈沖時(shí),SRAM開始工作2/2/2023MOS存儲器存儲器的分類和總體結(jié)構(gòu)DRAMSRAM只讀存儲器ROM非易失性存儲器2/2/2023ROM陣列例1高電平有效的行譯碼器多輸入的或非門例2采用類NMOS結(jié)構(gòu)由物理設(shè)計(jì)來完成2/2/2023結(jié)構(gòu)與原理只讀存儲器(ROM)分為掩膜式編程式可擦寫式掩膜和編程式ROM的結(jié)構(gòu)2/2/2023NORROM選中的行Ri為高電平,其余維持低無nMOS的存“1”有nMOS的存“0”2/2/2023ROM的編程方式離子注入掩膜版編程通過離子注入產(chǎn)生增強(qiáng)和耗盡型MOSFET,用這兩種晶體管表示所存的信息。有源區(qū)掩膜版編程通過有源區(qū)是否跨越多晶硅行線區(qū)分是否形成MOSFET。引線孔掩膜版編程通過MOSFET的漏是否有接地的引線孔,來區(qū)分所存的信息。2/2/20232/2/20232/2/2023ROM及其外圍電路2/2/2023MOS存儲器存儲器的分類和總體結(jié)構(gòu)DRAMSRAM只讀存儲器ROM非易失性存儲器2/2/2023非易失存儲器NVM作為可編程、可擦除的ROM,需要滿足的基本條件:編程時(shí)間短(<<1秒)、編程信息保存時(shí)間長(大于10年)2/2/2023浮柵存儲器的結(jié)構(gòu)示意圖結(jié)構(gòu)和信息存儲原理利用浮柵上是否存在電荷來表示“0”和“1”利用溝道閾值電壓不同區(qū)分信息“0”和“1”CONTROLGATEFLOATINGGATEDRAINSOURCE電可擦寫的ROM熱電子效應(yīng)隧道擊穿2/2/2023浮柵存儲器單元未編程時(shí)所有單元存儲信息“1”存儲信息的編程(寫“0”):向浮柵中注入電子存儲信息的擦除:從浮柵中排出電子注入電子編程的時(shí)間要很短注入到浮柵中的電子在不擦除時(shí)能夠長時(shí)間停留(大于十年)因此對浮柵的的電子注入和擦除過程具有不對稱特性由于對可編程、可擦除的ROM,要求:2/2/2023IMEPKU熱電子注入隧穿注入2/2/2023Floating-gateAvalanche-injectionMOS浮柵雪崩注入MOSEPROM可以逐位寫2/2/2023浮柵雪崩注入MOS浮柵上存負(fù)電荷的pMOS閾值低,足夠多將導(dǎo)通,表示存1,否則存0擦除時(shí)用光,擦1。寫入時(shí)需要很高的電壓。2/2/2023浮柵隧道氧化層MOSFloating-GateTunnelOxide(FLOTOX)EEPROM浮柵上沒有電荷時(shí)對應(yīng)的閾值電壓為Vtn0,示存0浮柵上有電荷時(shí)對應(yīng)的閾值電壓為Vtn1,示存1Vtn1=Vtn0-QF/CFVtn1>Vtn0讀操作時(shí),WL上的偏壓VR滿足Vtn1>VR>Vtn02/2/2023Floating-GateTunnelOxide(FLOTOX)擦寫時(shí)WL接高電平,BL接低電平,其它字線接低電平,位線接高電平。低高高高高2/2/2023閃存結(jié)構(gòu)與EEPROM相同,是單管結(jié)構(gòu),編程和擦除是以模塊形式進(jìn)行2/2/2023FlashEEPROM存儲器編程方式與EPROM相同,采用熱電子注入擦除方式采用FN隧穿機(jī)制浮柵氧化層厚度約10nmT型單元FlashEEPROM結(jié)構(gòu)2/2/2023DINOR(分割位線的或非結(jié)構(gòu))

寫(編程)將選中單元的閾值電壓Vth設(shè)置為低,擦除操作把所選扇區(qū)的單元管的閾值電壓Vth設(shè)置為高

2/2/2023非易失性存儲器掩膜ROM只由一個(gè)MOS管構(gòu)成,管子的柵極接字線、漏極接位線、源極共同接地。通過不同的光刻掩模版實(shí)現(xiàn)ROM中單元結(jié)構(gòu)不同離子注入掩模版編程(截止:0,導(dǎo)通:1)有源區(qū)掩模版編程引線孔掩模版編程FPROM(FusePROM)多晶硅電阻編程的PROMEPROM(ErasablePROM)浮柵雪崩注入MOS編程:在柵和漏上加高電壓(20伏)、源和襯底接地,使形成溝道、漏和襯底結(jié)雪崩擊穿,產(chǎn)生熱電子效應(yīng)。有電子穿過薄氧化層存儲在浮柵上,提高了器件的閾值電壓擦除:紫外線照射,可在SiO2上產(chǎn)生電子-孔穴對,使浮柵電子消除而恢復(fù)正常EEPROM(在浮柵和襯底

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