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文檔簡(jiǎn)介

電容觸摸屏原理及其驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)李紅華2016年09月09日主要內(nèi)容:一.觸摸屏簡(jiǎn)介二.電容觸摸屏的工作原理三.電容觸摸屏的結(jié)構(gòu)四.電容觸摸屏硬件接口五.MTK平臺(tái)驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)

常見的觸摸屏技術(shù):電阻式、表面電容式(surfacecapacitivetouchpanel)、投射電容式(projectcapacitivetouchpanel)、電磁式、紅外感應(yīng)式等等;如今應(yīng)用于手機(jī)、平板產(chǎn)品的主要是投射電容式、電磁式(主要突出的是手寫筆功能,如三星的GalaxyNote系列)。

目前生產(chǎn)觸控IC的廠家有新思、賽普拉斯、ATMEL、敦泰、匯頂、奕力、義隆、晨星、美發(fā)思、矽創(chuàng)等。

國(guó)內(nèi)的模組廠有歐菲、信利、勝華、帝晶、華意、TPK、合力泰、超聲、創(chuàng)維等。一、觸摸屏簡(jiǎn)介

投射式電容觸控技術(shù)就是利用了平行板電容的基本原理,在兩層ITO(錫氧化銦)導(dǎo)電玻璃涂層上蝕刻出不同的ITO導(dǎo)電線路模塊。兩個(gè)模塊上蝕刻的圖形相互垂直,可以把它們看作是X和Y方向連續(xù)變化的通道。由于X、Y架構(gòu)在不同表面,其相交處形成一節(jié)點(diǎn)電容,根據(jù)平行板電容計(jì)算公式有:C=e*S/(4兀KD),其中:S為正對(duì)面積,D為正對(duì)距離,e為材料的介電常數(shù)。其中一個(gè)通道可以當(dāng)成驅(qū)動(dòng)線,另外一個(gè)通道當(dāng)成是偵測(cè)線。當(dāng)電流經(jīng)過驅(qū)動(dòng)線中的一條導(dǎo)線時(shí),如果外界有電容變化的信號(hào),那么就會(huì)引起另一層導(dǎo)線上電容節(jié)點(diǎn)的變化。偵測(cè)電容值的變化可以通過與之相連的電子回路測(cè)量得到,再經(jīng)由A/D控制器轉(zhuǎn)為數(shù)字訊號(hào)讓計(jì)算機(jī)做運(yùn)算處理取得(X,Y)軸位置,進(jìn)而達(dá)到定位的目地。

操作時(shí),控制器先后提供電流給驅(qū)動(dòng)線,因而使各節(jié)點(diǎn)與導(dǎo)線間形成一特定電場(chǎng)。然后逐列掃描感應(yīng)線測(cè)量其電極間的電容變化量,從而達(dá)成多點(diǎn)定位。當(dāng)手指或觸動(dòng)媒介接近時(shí),控制器迅速測(cè)知觸控節(jié)點(diǎn)與導(dǎo)線間的電容值改變,進(jìn)而確認(rèn)觸控的位置。這種一根軸通過一套AC信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng),而穿過觸摸屏的響應(yīng)則通過其它軸上的電極感測(cè)出來(lái)。使用者們把這稱為“橫穿式”感應(yīng),也可稱為投射式感應(yīng)。傳感器上鍍有X,Y軸的ITO圖案,當(dāng)手指觸摸觸控屏幕表面時(shí),觸碰點(diǎn)下方的電容值根據(jù)觸控點(diǎn)的遠(yuǎn)近而增加,傳感器上連續(xù)性的掃描探測(cè)到電容值的變化,控制芯片計(jì)算出觸控點(diǎn)并回報(bào)給處理器。二、電容觸摸屏(CTP)工作原理(1)用特殊的導(dǎo)電體如ITO(氧化銦錫,透明、高導(dǎo)電性、高穩(wěn)定性、高靈敏度)按照設(shè)計(jì)好的X、Y交互圖案電鍍?cè)诨纳希ㄈ鏕lass或者Film板)組成感應(yīng)器,公差一般≤0.01mm。(2)驅(qū)動(dòng)IC可以感應(yīng)到行、列通道的模擬信號(hào)量。Sensor設(shè)計(jì):常見ITO圖案:IC對(duì)原始信號(hào)進(jìn)行處理,轉(zhuǎn)化為觸摸點(diǎn)重心的坐標(biāo)信息ITO做成”菱形/矩形/六邊形/三角形”,分割為驅(qū)動(dòng)和接受通道感應(yīng)原理手指與CTP形成耦合電容耦合電容使得CTP寄生電容Cp改變,通過檢測(cè)Cp是否變化,從而感知”被觸摸”1.CTP按照驅(qū)動(dòng)方式分類:◎自電容(Selfcapacitor)——檢測(cè)每個(gè)感應(yīng)單元自身電容(對(duì)GND)的變化。當(dāng)手指靠近或觸摸到觸摸屏?xí)r,手指的電容疊加到屏體電容上,是屏體電容增加。在觸摸檢測(cè)時(shí),一次分別檢測(cè)M個(gè)X軸和N個(gè)Y軸點(diǎn)擊陣列。跟進(jìn)觸摸前后所有自電容量的變化,確定手指所在的X坐標(biāo)和Y坐標(biāo),最后組合成平面的觸摸坐標(biāo)?!蚧ル娙?Mutualcapacitor)

——檢測(cè)兩個(gè)交叉感應(yīng)塊之間形成的電容,兩個(gè)感應(yīng)塊分別構(gòu)成電容的兩級(jí)?;ル娙轀y(cè)量方法,橫向電極以此提供激勵(lì)信號(hào),縱向所有電極同時(shí)接受信號(hào),這樣可以得到所有橫向和縱向點(diǎn)擊交匯點(diǎn)的電容大小,即整個(gè)觸摸屏的二維平面大小。根據(jù)觸摸屏的二維電容變化量資料,可以計(jì)算出每一個(gè)觸摸點(diǎn)的坐標(biāo)。因此,即使評(píng)上有多個(gè)觸摸點(diǎn),也能計(jì)算出每個(gè)觸摸點(diǎn)的真實(shí)坐標(biāo),基于這種測(cè)量方法,可以準(zhǔn)確測(cè)量多點(diǎn)絕對(duì)坐標(biāo)。2.自電容驅(qū)動(dòng)模式:3.互電容驅(qū)動(dòng)模式:CoverLENS固態(tài)/液態(tài)OCAFilm/GlasssensorFPC1.基本結(jié)構(gòu):三、電容觸摸屏結(jié)構(gòu)2.CTP按照Sensor結(jié)構(gòu)分類:3.常見CTP結(jié)構(gòu):疊構(gòu)圖◎OGS結(jié)構(gòu):OneGlassSolution,單層玻璃集成LENS跟Sensor功能Sensor圖G+G結(jié)構(gòu)模型圖,又分為SITO(單面ITO)和DITO(雙面ITO)兩種,早期iphone用DITO結(jié)構(gòu)◎G+G結(jié)構(gòu):2.GG(DITO)結(jié)構(gòu):LENS+OCA+ITO-GLASS+TAC+FPC單層玻璃雙面走線結(jié)構(gòu),又叫GGD,TAC層用于消除底影、保護(hù)ITO圖案和金屬走線?!騁+F結(jié)構(gòu):GF結(jié)構(gòu):LENS+OCA+ITO-FILM+FPC——單層菲林圖案結(jié)構(gòu),可以做GF(單點(diǎn)加手勢(shì)觸摸功能),也可以做GFM(多點(diǎn)觸摸功能),ITO面朝上?!騁+F+F結(jié)構(gòu):

電容觸控IC用到的基本通訊接口有三種:IIC、UART、SPI,目前一般只用IIC接口,主要的接口引腳有:VDD、GND、SCL、SDA、INT、RESET。定義描述VDDTP電源端口,為TP供電,一般為3.3V/2.8VGNDTP的地線SCLIIC通訊接口時(shí)鐘線,控制IIC總線傳輸速率SDAIIC通訊接口數(shù)據(jù)線,傳輸主機(jī)與TP之間的數(shù)據(jù)INTTP中斷信號(hào)接口,由TP端發(fā)出,用于通知主機(jī)讀取坐標(biāo)數(shù)據(jù),一般為低電平觸發(fā)RESETTP的復(fù)位信號(hào),由有主機(jī)端發(fā)出,一般為低電平時(shí)TP會(huì)復(fù)位VDDIOTP的IO口電壓,一般為2.8V/1.8V,須低于VDD,四、電容觸摸屏硬件接口電氣連接框圖:TP端主機(jī)端VDDGNDSCLSDAINTRESETVDDIO硬件原理圖1.TP的軟件基本操作流程:◎

主機(jī)端初始化TP的接口方式(I2C端口初始化);◎

TPIC初始化(主要是為TP上電、復(fù)位及下發(fā)配置參數(shù),讓TP工作起來(lái),不同廠家的IC初

始化方式不同,有些TP不需要主機(jī)端下發(fā)配置參數(shù));◎

設(shè)置TPINT引腳(中斷方式:低/高電平中斷、下降沿/上升沿中斷),裝載中斷向量表;◎

等待中斷信號(hào),讀取手指觸摸坐標(biāo)數(shù)據(jù),并上報(bào)給系統(tǒng)。五、MTK平臺(tái)驅(qū)動(dòng)實(shí)現(xiàn)2.TP驅(qū)動(dòng)流程3.驅(qū)動(dòng)移植:(1)在kernel-3.10\drivers\input\touchscreen\mediatek目錄下,新建ft6x36_sp603文件夾,把廠家提供的驅(qū)動(dòng)文件放在該文件夾下。(2)修改TP驅(qū)動(dòng)的Kconfig配置文件

修改kernel-3.10\drivers\input\touchscreen\Kconfig文件,增加配置項(xiàng)“configTPD_CUSTOM_FT6X36_SP603”,如下圖所示:(4)修改配置文件修改/kernel-3.18/arch/arm64/configs/lava6750_sp603_th_debug_defconfig與lava6750_sp603_th_defconfig文件,配置CONFIG_INPUT_TOUCHSCREEN=yCONFIG_TOUCHSCREEN_MTK=y增加配置項(xiàng):CONFIG_TPD_CUSTOM_FT6X36_SP603=y把新增的TP驅(qū)動(dòng)文件夾編譯進(jìn)內(nèi)核(3)修改TP驅(qū)動(dòng)的makefile編譯文件修改kernel-3.10\drivers\input\touchscreen\mediatek\makefile文件,增加編譯選項(xiàng)

obj-$(CONFIG_MSG5846_SP466) +=msg5846_sp466/(5)配置codegen.dws文件◎I2C相關(guān)配置◎電源配置,如TP采用了內(nèi)部ldo供電,則需要配置PMIC◎GPIO相關(guān)配置,按原理圖配置I2C、INT、RESET引腳(6)dts文件配置◎修改/kernel-3.18/arch/arm64/boot/dts/mt6755.dtsi,配置節(jié)點(diǎn)compatible=“mediatek,mt6755-touch”;◎修改/kernel-3.18/arch/arm64/boot/dts/cust_i2c.dtsi,配置I2C節(jié)點(diǎn)compatible=“mediatek,cap_touch”;

5d為觸摸屏I2C地址◎修改/kernel-3.18/arch/arm64/boot/dts/mt6755.dtsi,配置TP的分辨率、虛擬按鍵、引腳等信息NameDescriptiontpd-resolution分辨率use-tpd-button如果TP有帶按鍵,則定義值為1TPD_BUTTON_HEIGH按鍵的高度tpd-key-num按鍵的數(shù)量tpd-key-local按鍵的編碼,一般為KEY_MENU,KEY_HOMEPAGE,KEY_BACK的鍵值tpd-key-dim-local按鍵的布局信息,包含按鍵的寬度、高度、中心點(diǎn)的坐標(biāo)tpd-max-touch-num支持的最大觸摸點(diǎn)數(shù)其中<90,833,100,40>代表了KEY_MENU的坐標(biāo)信息,(90,833)是該keycenter的坐標(biāo),100是該鍵的寬度,40是該鍵的高度。例如:MENUHOMEBACK720x1280tpd-key-dim-local=<908831004023088310040370883100400000>;參數(shù)說(shuō)明4.

驅(qū)動(dòng)流程:5.

驅(qū)動(dòng)函數(shù)分析:mtk_tpd.c文件,注冊(cè)INPUT子系統(tǒng)驅(qū)動(dòng)設(shè)備注冊(cè)平臺(tái)驅(qū)動(dòng)……驅(qū)動(dòng)探測(cè)函數(shù)分配input設(shè)備存儲(chǔ)空間特定TP初始化input設(shè)備注冊(cè),把設(shè)備加入input設(shè)備鏈表,生成“dev/input/eventX”

節(jié)點(diǎn)按鍵初始化注冊(cè)callback回調(diào),LCDON/OFF時(shí)調(diào)用亮屏resume滅屏suspendFocaltech_driver.c文件,注冊(cè)I2C總線從設(shè)備驅(qū)動(dòng)獲取TP節(jié)點(diǎn)信息添加TP驅(qū)動(dòng)到鏈表注冊(cè)I2C從設(shè)備驅(qū)動(dòng)設(shè)置按鍵電源設(shè)置上電…啟動(dòng)中斷線程復(fù)位腳設(shè)置讀chipID中斷注冊(cè)……報(bào)點(diǎn)事件處理函數(shù)讀取坐標(biāo)上報(bào)按壓事件上報(bào)抬手事件調(diào)用i2c函數(shù)讀取報(bào)點(diǎn)信息解析(X,Y)坐標(biāo)抬手處理函數(shù)給系統(tǒng)上報(bào)按鍵給系統(tǒng)上報(bào)坐標(biāo)(3)相關(guān)調(diào)用函數(shù)說(shuō)明手指按壓處理函數(shù)同步事件,通知系統(tǒng)本次報(bào)點(diǎn)已全部完成同步事件,通知系統(tǒng)單次報(bào)點(diǎn)事件已完成6.

問題排查:(1)adb查看系統(tǒng)節(jié)點(diǎn)是否掛載。如果節(jié)點(diǎn)沒有生成,則核查dws配置

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