GB/T 16935.4-2011低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第4部分：高頻電壓應(yīng)力考慮事項(xiàng)

ICS29120

K30.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T169354—2011/IEC60664-42005

.:

低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合

第4部分高頻電壓應(yīng)力考慮事項(xiàng)

:

Insulationcoordinationforequipmentwithinlow-voltagesystems—

Part4Considerationofhih-freuencvoltaestress

:gqyg

(IEC60664-4:2005,IDT)

2011-12-30發(fā)布2012-05-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T169354—2011/IEC60664-42005

.:

目次

前言…………………………

Ⅰ

引言…………………………

Ⅱ

范圍………………………

11

規(guī)范性引用文件…………………………

21

術(shù)語(yǔ)和定義………………

32

電氣間隙…………………

42

爬電距離…………………

55

固體絕緣…………………

67

高頻試驗(yàn)…………………

79

非正弦電壓………………

811

附錄資料性附錄高頻電壓下電氣間隙的絕緣特性………………

A()13

附錄資料性附錄高頻電壓下爬電距離的絕緣特性………………

B()18

附錄資料性附錄高頻電壓下固體絕緣的絕緣特性………………

C()21

附錄規(guī)范性附錄高頻電壓下的絕緣試驗(yàn)…………

D()27

附錄資料性附錄非正弦高頻電壓作用下的絕緣特性……………

E()38

附錄資料性附錄絕緣尺寸確定程序框圖…………

F()43

參考文獻(xiàn)……………………

45

GB/T169354—2011/IEC60664-42005

.:

前言

低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合分為以下個(gè)部分

GB/T16935《》4:

第部分原理要求和試驗(yàn)

———1:、;

第部分利用涂層罐封和模壓進(jìn)行防污保護(hù)

———3:、;

第部分高頻電壓應(yīng)力考慮事項(xiàng)

———4:;

第部分不超過(guò)的電氣間隙和爬電距離的確定方法

———5:2mm。

本部分是的第部分

GB/T169354。

本部分按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本部分使用翻譯法等同采用低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第部分高頻電壓

IEC60664-4:2005《4:

應(yīng)力考慮事項(xiàng)

》。

本部分應(yīng)與低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第部分原理要求和試驗(yàn)

GB/T16935.1—2008《1:、》

及低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第部分不超過(guò)

(IEC60664-1:2007,IDT)GB/T16935.5—2008《5:

的電氣間隙和爬電距離的確定方法配合使用

2mm》(IEC60664-5:2007,IDT)。

本部分由中國(guó)電器工業(yè)協(xié)會(huì)提出

。

本部分由全國(guó)低壓設(shè)備絕緣配合標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC417)。

本部分起草單位上海電器科學(xué)研究院

:。

本部分主要起草人章建兵包革吳慶云

:、、。

Ⅰ

GB/T169354—2011/IEC60664-42005

.:

引言

低壓設(shè)備內(nèi)也可產(chǎn)生較高的電壓應(yīng)力低壓設(shè)備電壓頻率通常情況下為但在某些情況

。50/60Hz,

下低壓系統(tǒng)中可存在較高的電壓頻率或較低的頻率及直流電壓一個(gè)更特殊的

,(400Hz)(162/3Hz)。

情況是大功率射頻發(fā)送器這類設(shè)備的開(kāi)發(fā)使得針對(duì)射頻條件下設(shè)備的絕緣耐受能力的研究得以較早

。

地開(kāi)展然而伴之而來(lái)的高頻電壓應(yīng)力問(wèn)題則未得到足夠重視

,。

當(dāng)前頻率超過(guò)的高頻工作電壓越來(lái)越頻繁地被應(yīng)用到低壓設(shè)備中對(duì)于兆赫茲級(jí)別的高

,30kHz,

頻電壓的應(yīng)用也將逐步展開(kāi)這些高頻電壓常常不是正弦波形為了微縮電氣部件并獲得設(shè)計(jì)的高

。。,

效需要將絕緣尺寸降至很小的范圍從而對(duì)固體絕緣造成很高的電壓應(yīng)力

,,。

電壓頻率增高的同時(shí)局部放電對(duì)絕緣材料性能造成的退化效應(yīng)也愈明顯兩者大致成正比關(guān)系

,,。

從而在高電壓頻率情況下局部放電對(duì)絕緣尺寸的影響遠(yuǎn)較工頻情況下顯著

,。

隨著電壓頻率的越來(lái)越高及絕緣尺寸的越來(lái)越小且未來(lái)這種情況會(huì)愈發(fā)加劇為保證操作人員安

,,

全及設(shè)備的可靠性由頻率高至的高頻電壓形成的電壓應(yīng)力應(yīng)納入低壓設(shè)備絕緣配合的考慮

,100MHz

事項(xiàng)之中

。

本部分概括總結(jié)了有關(guān)高頻絕緣應(yīng)力的一些最為重要的數(shù)據(jù)并闡釋高頻絕緣應(yīng)力對(duì)絕緣材料及

,

其尺寸的影響規(guī)定了電氣間隙爬電距離及固體絕緣的數(shù)據(jù)本部分亦給出了有關(guān)高頻應(yīng)力的試驗(yàn)

,、。

方法

。

Ⅱ

GB/T169354—2011/IEC60664-42005

.:

低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合

第4部分高頻電壓應(yīng)力考慮事項(xiàng)

:

1范圍

的本部分按電氣設(shè)備的性能標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了電氣設(shè)備的電氣間隙爬電距離及固體絕緣

GB/T16935、

的要求本部分包含了有關(guān)絕緣配合的電氣試驗(yàn)方法

。。

本部分規(guī)定的最小電氣間隙的值不適用于存在離子化氣體的情況針對(duì)該情況的特殊要求將由相

,

關(guān)技術(shù)委員會(huì)規(guī)定

。

本部分適用于低壓設(shè)備內(nèi)耐受高頻電壓應(yīng)力的基本絕緣附加絕緣及加強(qiáng)絕緣本部分中的絕緣

、。

尺寸數(shù)據(jù)直接適用于基本絕緣對(duì)于加強(qiáng)絕緣中給出的附加要求適用本部分適用于基

;,IEC60664-1;

波頻率在至范圍之內(nèi)的任意類型的周期電壓作用條件下的電氣間隙爬電距離及固體

30kHz10MHz、

絕緣尺寸的確定

。

本部分應(yīng)與或配合使用通過(guò)上述三項(xiàng)標(biāo)準(zhǔn)的配合使用可使得

IEC60664-1IEC60664-5。,

及的電壓頻率限值提高至以上

IEC60664-1IEC60664-530kHz。

在電壓頻率超過(guò)時(shí)本部分也適用于及對(duì)類型的保護(hù)對(duì)于類型的保護(hù)

30kHz,IEC60664-31。2

仍在考慮之中

。

注1頻率范圍超過(guò)的尺寸數(shù)據(jù)在考慮之中

:10MHz。

注2本部分未考慮對(duì)主電路的高頻放射在設(shè)備的正常使用過(guò)程中一般認(rèn)為放射到主電路上的高頻電壓所形成

:。,

的干擾與絕緣應(yīng)力相比可忽略故可不予考慮

,。

本部分適用于應(yīng)用在海拔不超過(guò)環(huán)境中額定電壓不超過(guò)交流的電器設(shè)備

2000m、1000V。

本部分不適用于以下場(chǎng)合

:

在液態(tài)環(huán)境中

———;

除空氣外的其余氣體環(huán)境中

———;

在壓縮空氣中

———。

注3在電器設(shè)備的內(nèi)部電路中可能會(huì)存在更高的電壓

:。

注4用于海拔超過(guò)場(chǎng)合的要求可從附錄的表中給出

:2000mIEC60664-1AA.2。

本部分旨在為負(fù)責(zé)各種不同電器設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)委員會(huì)提供指導(dǎo)以協(xié)調(diào)各設(shè)備的相關(guān)要求使得

,,

在規(guī)定空氣中的電氣間隙爬電距離及固體絕緣時(shí)可達(dá)到絕緣配合的目的

、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅