導(dǎo)體和電介質(zhì)_第1頁
導(dǎo)體和電介質(zhì)_第2頁
導(dǎo)體和電介質(zhì)_第3頁
導(dǎo)體和電介質(zhì)_第4頁
導(dǎo)體和電介質(zhì)_第5頁
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文檔簡(jiǎn)介

導(dǎo)體和電介質(zhì)第一頁,共三十二頁,2022年,8月28日金屬導(dǎo)體:自由電子自由電子§9—1靜電場(chǎng)中的導(dǎo)體一、靜電感應(yīng)◆導(dǎo)體不帶電或無外場(chǎng)時(shí):導(dǎo)體中的自由電子都與金屬離子的正電荷精確中和,金屬不顯電性?!舭褜?dǎo)體放入外靜電場(chǎng)時(shí):自由電子受電場(chǎng)作用做定向運(yùn)動(dòng),形成電流。在電場(chǎng)作用下,導(dǎo)體上的電荷重新分布的過程,稱為靜電感應(yīng)。靜電感應(yīng)所產(chǎn)生的電荷稱為感應(yīng)電荷。按照電荷守恒,感應(yīng)電荷的總電荷量為零。第二頁,共三十二頁,2022年,8月28日

二、靜電平衡導(dǎo)體達(dá)到靜電平衡靜電感應(yīng)的時(shí)間極短,若非特別說明,把導(dǎo)體當(dāng)做已經(jīng)處于靜電平衡的狀態(tài)來討論。這時(shí),自由電荷停止了定向流動(dòng)。金屬導(dǎo)體第三頁,共三十二頁,2022年,8月28日

三、導(dǎo)體靜電平衡條件

1、場(chǎng)強(qiáng)條件靜電平衡導(dǎo)體中的電場(chǎng)強(qiáng)度為零,導(dǎo)體表面的場(chǎng)強(qiáng)與表面垂直。1)這里的電場(chǎng)強(qiáng)度指總的場(chǎng)強(qiáng)

2、電勢(shì)條件靜電平衡導(dǎo)體是一個(gè)等勢(shì)體,表面是一個(gè)等勢(shì)面。2)導(dǎo)體表面的場(chǎng)強(qiáng)必須與表面垂直,否則,其切向分量會(huì)使表面電荷移動(dòng)第四頁,共三十二頁,2022年,8月28日推論二靜電平衡導(dǎo)體附近的電場(chǎng)強(qiáng)度的大小與表面電荷密度的關(guān)系:導(dǎo)體表面附近電場(chǎng)可看作局部勻強(qiáng)電場(chǎng)。推論一靜電平衡導(dǎo)體內(nèi)的凈電荷為零,電荷(自身帶電或感應(yīng)電荷)只分布于導(dǎo)體表面。第五頁,共三十二頁,2022年,8月28日若沒有其它電場(chǎng)的影響,導(dǎo)體表面曲率越大的地方電荷面密度也越大。推論三避雷針工作原理尖端放電現(xiàn)象第六頁,共三十二頁,2022年,8月28日例題1、如圖:兩個(gè)平行導(dǎo)體板(可近似看成無限大平板)面積均為S,分別帶電Q1、Q2

,1).試求兩個(gè)導(dǎo)體板的四個(gè)表面上電荷分布的面密度。Q1Q212第七頁,共三十二頁,2022年,8月28日Q1Q212IIIIII2).

求I,II,III區(qū)的場(chǎng)強(qiáng):3).

兩導(dǎo)體板間的電勢(shì)差:4).

按圖接地后,各面的電荷密度:第八頁,共三十二頁,2022年,8月28日++++++++Q靜電干擾咯咯嚓嚓++++++++Q+++靜電屏蔽實(shí)驗(yàn):+靜電屏蔽:導(dǎo)體空腔(不論接地與否)內(nèi)部電場(chǎng)不受腔外電荷的影響;接地導(dǎo)體空腔外部的電場(chǎng)不受內(nèi)部電荷的影響。第九頁,共三十二頁,2022年,8月28日此時(shí),空腔外的電荷q在空腔內(nèi)激發(fā)的電場(chǎng)與空腔外表面上的感應(yīng)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)疊加后,使空腔和導(dǎo)體內(nèi)的合場(chǎng)強(qiáng)為零。四、導(dǎo)體空腔和靜電屏蔽

空腔和導(dǎo)體內(nèi)場(chǎng)強(qiáng)為零1、第一類導(dǎo)體空腔

空腔內(nèi)無帶電體BA空腔內(nèi)表面也不能有電荷分布電荷只能分布在導(dǎo)體外表面q這種靜電屏蔽也叫外屏蔽。外電場(chǎng)空腔導(dǎo)體屏蔽外電場(chǎng)第十頁,共三十二頁,2022年,8月28日2、第二類導(dǎo)體空腔——腔內(nèi)有帶電體當(dāng)達(dá)到靜電平衡,導(dǎo)體內(nèi)的場(chǎng)強(qiáng)為零,必須是導(dǎo)體空腔內(nèi)表面上的感應(yīng)電荷為-q,外表面上的感應(yīng)電荷為+q。當(dāng)導(dǎo)體空腔接地時(shí),導(dǎo)體空腔外表面上的感應(yīng)電荷被中和,空腔外沒有電場(chǎng),導(dǎo)體的電勢(shì)為零。這種靜電屏蔽也叫內(nèi)屏蔽第十一頁,共三十二頁,2022年,8月28日靜電屏蔽的應(yīng)用:高壓帶電作業(yè)(500千伏帶電作業(yè)用的屏蔽服)電子儀器外的金屬罩有線電視信號(hào)線,外面就有一層金屬絲,就為了靜電屏蔽,使信號(hào)不受干擾在服務(wù)區(qū)怕被人打手機(jī),又不能關(guān)機(jī),找個(gè)金屬盒子裝進(jìn)去,就變成了“您撥打的用戶不在服務(wù)區(qū)”第十二頁,共三十二頁,2022年,8月28日屏蔽袋屏蔽線屏蔽服第十三頁,共三十二頁,2022年,8月28日

[例題2]

半徑為R1

的導(dǎo)體球,帶電為+q,球外有一內(nèi)、外半徑分別為R2和R3

的同心導(dǎo)體球殼,殼上帶電Q,(1)求導(dǎo)體球、球殼的電勢(shì)?(2)若用導(dǎo)線連接球和球殼,它們的電勢(shì)為多少?(3)若外球接地,求它們的電勢(shì)?

解:(1)當(dāng)靜電平衡時(shí),球殼內(nèi)外表面的電荷分別為-q和Q+q導(dǎo)體球的電勢(shì):球殼的電勢(shì):(2)導(dǎo)體球和球殼接線后,球上電荷q和球殼內(nèi)表面電荷-q中和,且電勢(shì)相同。(3)球殼接地后,球殼外表面電荷Q+q被中和,且其電勢(shì)為零。

問一個(gè)帶電為q的導(dǎo)體球的電勢(shì)?第十四頁,共三十二頁,2022年,8月28日例題3、在一個(gè)半徑為R,均勻帶電q的球面內(nèi)有一個(gè)半徑為r的不帶電的導(dǎo)體球,求導(dǎo)體球接地后其上的感應(yīng)電荷大小。rRq解:導(dǎo)體球沒有接地時(shí),導(dǎo)體球不帶電,其電勢(shì)不為零。設(shè)導(dǎo)體球帶電為q′,則導(dǎo)體球的電勢(shì)為:導(dǎo)體球接地后,其電勢(shì)為零,一定有電流流動(dòng),從而使導(dǎo)體球帶電,且電荷分布在導(dǎo)體球表面。q′第十五頁,共三十二頁,2022年,8月28日例題4(9.14):在半徑為R2的導(dǎo)體球內(nèi)有一半徑為R1的球形空腔,兩球心O1、O2均在空腔內(nèi)且相距為d,(1)若O1點(diǎn)放一點(diǎn)電荷q,求O2點(diǎn)的電勢(shì);(2)若O2點(diǎn)放一點(diǎn)電荷q,求O1點(diǎn)的電勢(shì)。第十六頁,共三十二頁,2022年,8月28日+電介質(zhì)中沒有自由電荷,分子中的電荷在外場(chǎng)的作用下在很小的范圍內(nèi)重新分布,新的電荷分布會(huì)削弱電介質(zhì)中的原電場(chǎng),但并不會(huì)完全減弱為零?!?—2電介質(zhì)電介質(zhì)中的高斯定理

一電介質(zhì)的極化等效電荷:把分子中的正負(fù)電荷看作兩個(gè)點(diǎn)電荷處理。有極分子:分子的正負(fù)電荷中心不重合,等效電荷形成一個(gè)電偶極子,其電矩稱為分子的固有電矩。如HCl分子。無極分子:分子的正負(fù)電荷中心重合,其電矩為零。如H2,O2,N2,CO2等。1.有極分子和無極分子-+-第十七頁,共三十二頁,2022年,8月28日2.有極分子的取向極化有極分子電介質(zhì)處在電場(chǎng)中時(shí),分子的電偶極矩會(huì)轉(zhuǎn)動(dòng)到沿電場(chǎng)方向的有序排列,電介質(zhì)表面會(huì)出現(xiàn)極化電荷,極化電荷產(chǎn)生附加電場(chǎng),使介質(zhì)中場(chǎng)強(qiáng)減小。3.無極分子的位移極化無極分子電介質(zhì)處在電場(chǎng)中時(shí),分子的正負(fù)電荷中心發(fā)生位移從而形成分子電偶極矩,稱為感生電矩。電介質(zhì)表面同樣會(huì)出現(xiàn)極化電荷,極化電荷產(chǎn)生附加電場(chǎng),使介質(zhì)中場(chǎng)強(qiáng)減小。-+-+-+-+-+-+極化電荷削弱原電場(chǎng)第十八頁,共三十二頁,2022年,8月28日二、電介質(zhì)中的電場(chǎng)當(dāng)電介質(zhì)均勻充滿電場(chǎng)后,電介質(zhì)中任意一點(diǎn)的合場(chǎng)強(qiáng)為原來真空中的場(chǎng)強(qiáng)的稱為電介質(zhì)的相對(duì)介電常量真空中的點(diǎn)電荷在某點(diǎn)P激發(fā)的場(chǎng)強(qiáng)為:電介質(zhì)中的極化電荷(看成點(diǎn)電荷)在P點(diǎn)激發(fā)的場(chǎng)強(qiáng)為:第十九頁,共三十二頁,2022年,8月28日電介質(zhì)中的合場(chǎng)強(qiáng)為:又由于:所以:即:定義:為電介質(zhì)的介電常量則電介質(zhì)中點(diǎn)電荷產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)為:第二十頁,共三十二頁,2022年,8月28日三、介質(zhì)中的高斯定理

真空中的高斯定理:介質(zhì)中的高斯定理:由于:所以這就是介質(zhì)中的高斯定理,也稱D高斯定理其中:稱為電位移矢量第二十一頁,共三十二頁,2022年,8月28日電位移矢量:D通量表示通過曲面S的D線條數(shù):通過閉合曲面的D通量:D線發(fā)于正的自由電荷,終止于負(fù)的自由電荷;而E線發(fā)于正電荷,終止于負(fù)電荷。電介質(zhì)中的高斯定理可以表述為:在靜電場(chǎng)中,通過任意閉合曲面(高斯面)的電位移通量(D通量)等于該閉合曲面內(nèi)所包圍的自由電荷的代數(shù)和。D通量與極化電荷無關(guān)。與高斯面內(nèi)的E通量比較:第二十二頁,共三十二頁,2022年,8月28日空腔導(dǎo)體屏蔽外電場(chǎng)第二十三頁,共三十二頁,2022年,8月28日四、

介質(zhì)中的高斯定理的應(yīng)用例1:

半徑為R1的導(dǎo)體球外有一個(gè)同心放置的內(nèi)半徑為R2,外半徑為R3的介質(zhì)球殼,若導(dǎo)體球帶電荷量為Q,而介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù)為,求導(dǎo)體球的電勢(shì)。R1R2R3Q解:作高斯面,利用D高斯定理:導(dǎo)體球與介質(zhì)之間的場(chǎng)強(qiáng)為:介質(zhì)內(nèi)的場(chǎng)強(qiáng):介質(zhì)以外空間的場(chǎng)強(qiáng):導(dǎo)體球的電勢(shì):第二十四頁,共三十二頁,2022年,8月28日+-電容器電容的定義:?jiǎn)挝唬悍ɡ璅=C/V常用單位:微法μF=10-6F皮法pF=10-12F性質(zhì):C

只與導(dǎo)體本身形狀、大小、相對(duì)位置及導(dǎo)體周圍電介質(zhì)的性質(zhì)有關(guān),是導(dǎo)體本身的固有屬性。而與其是否帶電及帶電Q

多少無關(guān)。表示升高單位電壓所需的電量?!?—3電容器第二十五頁,共三十二頁,2022年,8月28日1平板電容器(充介質(zhì))(L>>d)(可視為二無窮大平行板)設(shè)A,B板帶電分別為±Q,所以電荷面密度為:一常見的電容器兩板間電位移矢量大?。簝砂彘g場(chǎng)強(qiáng)為:兩板間電壓為:平板電容器的電容:不充介質(zhì)時(shí):介質(zhì)的相對(duì)電容率介質(zhì)的電容率真空的電容率第二十六頁,共三十二頁,2022年,8月28日2圓柱形電容器(充介質(zhì))設(shè)A,B筒帶電分別為±Q,且認(rèn)為電荷均勻的分布在A筒外表面和B筒內(nèi)表面,所以單位長(zhǎng)度上的電量為:兩筒間電位移矢量大?。簝赏查g場(chǎng)強(qiáng)大?。簝赏查g的電壓:圓柱形電容器的電容:第二十七頁,共三十二頁,2022年,8月28日3球形電容器(充介質(zhì))設(shè)A,B球殼帶電分別為±Q,且電荷均勻分布在A球外表面和B球內(nèi)表面。兩球殼間電位移矢量大?。簝汕驓らg場(chǎng)強(qiáng)大?。簝汕驓らg的電壓:球形電容器的電容:推廣到孤立導(dǎo)體球:第二十八頁,共三十二頁,2022年,8月28日例1

空氣擊穿場(chǎng)強(qiáng)為3kV/mm,若要求一個(gè)導(dǎo)體球電勢(shì)達(dá)到30kV,球半徑至少為多大?解:假設(shè)導(dǎo)體球的半徑為R,帶電為Q,則球面的場(chǎng)強(qiáng)為:解得:R導(dǎo)體球的電勢(shì)為:第二十九頁,共三十二頁,2022年,8月28日二電容器的串并聯(lián)1電容器的并聯(lián)(擴(kuò)容)2電容器的串聯(lián)(耐壓)第三十頁,共三十二頁,2022年,8月28日例2一平板電容器面積為S,兩板間距d(1)在兩板間加一塊導(dǎo)體板,面積也為S,厚度為d/2,且與兩極板平行,求此時(shí)電容器的電容。(2)若用相對(duì)電容率的介質(zhì)板代替導(dǎo)體板,求此時(shí)的電容。解:(1)加入導(dǎo)體板后,由于靜電感應(yīng),產(chǎn)生感應(yīng)電荷,如圖,導(dǎo)體內(nèi)部場(chǎng)強(qiáng)為零。電容器內(nèi)其它區(qū)域場(chǎng)強(qiáng)為:電容器兩板間的電壓為:電容為:(2)介質(zhì)內(nèi)的場(chǎng)強(qiáng)為:也可看成電容器的串聯(lián)進(jìn)行求解

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