GB/T 29332-2012半導體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT)

ICS31080013108030

;

L42....

中華人民共和國國家標準

GB/T29332—2012/IEC60747-92007

:

半導體器件分立器件

第9部分絕緣柵雙極晶體管IGBT

:()

Semiconductordevices—Discretedevices—

Part9Insulated-atebiolartransistorsIGBT

:gp()

(IEC60747-9:2007,IDT)

2012-12-31發(fā)布2013-06-01實施

中華人民共和國國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布

中國國家標準化管理委員會

中華人民共和國

國家標準

半導體器件分立器件

第9部分絕緣柵雙極晶體管IGBT

:()

GB/T29332—2012/IEC60747-9:2007

*

中國標準出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100013)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

/p>

年月第一版

20135

*

書號

:155066·1-46864

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T29332—2012/IEC60747-92007

:

目次

前言…………………………

Ⅴ

范圍………………………

11

規(guī)范性引用文件…………………………

21

術(shù)語和定義………………

31

的圖形符號…………………

3.1IGBT1

一般術(shù)語……………

3.21

額定值和特性的術(shù)語電壓和電流………………

3.32

額定值和特性的術(shù)語其他特性…………………

3.44

文字符號…………………

46

通則…………………

4.16

補充的通用下標……………………

4.26

文字符號……………

4.36

基本額定值和特性………………………

57

額定值極限值……………………

5.1()7

特性…………………

5.28

測試方法…………………

610

通則…………………

6.110

額定值極限值試驗………………

6.2()11

測量方法……………

6.319

接收和可靠性……………

734

一般要求……………

7.134

特殊要求……………

7.234

型式試驗和例行試驗………………

7.337

附錄規(guī)范性附錄集電極發(fā)射極擊穿電壓試驗方法……………

A()-39

附錄規(guī)范性附錄在規(guī)定條件下電感性負載關(guān)斷電流試驗方法………………

B(),41

附錄規(guī)范性附錄正偏安全工作區(qū)………

C()FBSOA43

附錄規(guī)范性附錄管殼不破裂………………………

D()47

參考文獻……………………

48

圖集電極發(fā)射極電壓VVV試驗電路……………………

1-CES、CER、CEX11

圖柵極發(fā)射極電壓V試驗電路…………………

2-±GES12

圖集電極電流試驗電路………………

313

圖集電極峰值電流試驗電路…………

414

圖反偏安全工作區(qū)試驗電路………………

5(RBSOA)14

Ⅰ

GB/T29332—2012/IEC60747-92007

:

圖關(guān)斷期間的柵極發(fā)射極電壓V和集電極電流I波形…………

6-GEC15

圖負載短路時安全工作脈沖寬度試驗電路……………

7(SCSOA1),16

圖負載短路期間的柵極發(fā)射極電壓V集電極電流I和集電極電壓V波形…

8(SCSOA1)-GE、CCE16

圖短路安全工作區(qū)試驗電路…………

92(SCSOA2)17

圖期間的波形……………

10SCSOA218

圖集電極發(fā)射極維持電壓V*測量電路………

11-CEsus19

圖集電極電流的運行軌跡……………

1220

圖集電極發(fā)射極飽和電壓V測量電路…………

13-CEsat21

圖柵極發(fā)射極閾值電壓基本測量電路……………

14-21

圖集電極截止電流測量電路…………

1522

圖柵極漏電流測量電路………………

1623

圖輸入電容測量電路…………………

1724

圖輸出電容測量電路…………………

1825

圖反向傳輸電容測量電路……………

1926

圖柵極電荷測量電路…………………

2026

圖柵極電荷基本波形…………………

2127

圖短路柵極內(nèi)阻測量電路……………

2228

圖開通期間的各時間間隔和開通能量測量電路……………………

2329

圖開通期間的電流電壓波形………………………

24、29

圖關(guān)斷期間的各時間間隔和關(guān)斷能量測量電路……………………

2530

圖關(guān)斷期間的電流電壓波形………………………

26、30

圖小測量電流I下V隨溫度變化和大電流I加熱被測器件的測量電路……………

27C1CEC2DUT31

圖小測量電流I下V隨管殼溫度T外加熱即TT時的典型變化……

28C1CEc(,c=j)32

圖熱阻和瞬態(tài)熱阻抗測量電路方法……………

29(2)33

圖小測量電流I下V隨管殼溫度T外加熱即TT時的典型變化…

30C1GE(th)c(,c=j)33

圖IV和T與時間的關(guān)系………………………

31C、GEc34

圖高溫阻斷試驗電路…………………

3235

圖高溫柵極偏置試驗電路……………

3336

圖間歇工作壽命試驗電路……………

3436

圖期望循環(huán)次數(shù)與溫升T的關(guān)系…………………

35Δj37

圖集電極發(fā)射極擊穿電壓試驗電路………………

A.1-39

圖電感性負載關(guān)斷電流試驗電路…………………

B.141

圖關(guān)斷期間集電極電流I和集電極電壓V波形……………

B.2,CCE41

圖試驗電路方法………………………

C.1FBSOA(1)43

圖V與集電極發(fā)射極電壓V的典型特性……………………

C.2ΔCE-CE44

圖典型……………………

C.3FBSOA44

圖試驗電路方法………………………

C.4FBSOA(2)45

Ⅱ

GB/T29332—2012/IEC60747-92007

:

圖閉鎖模式運行波形………………

C.545

圖閉鎖模式伏安特性………………

C.645

表接收判定特性………………………

111

表耐久性和可靠性試驗接收判定特性………………

235

表最少的型式試驗和例行試驗項目適用時………

3()37

Ⅲ

GB/T29332—2012/IEC60747-92007

:

前言

半導體器件分立器件系列國家標準的預(yù)計結(jié)構(gòu)如下

《》:

第部分總則

———1:(GB/T17573—1998,idtIEC60747-1:1983);

第部分整流二極管及其修正案和修正

———2:(GB/T4023—1997,eqvIEC60747-2:19831:1992

案

2:1993);

第部分信號包括開關(guān)和調(diào)整二極管

———3:()(GB/T6571—1995,idtIEC60747-3:1985);

第部分微波器件

———4:(GB/T20516—2006,IEC60747-4:2001,IDT);

第部分光電子器件總則

———5-1:(IEC60747-5-1:2002);

第部分晶閘管及其修正案

———6:(GB/T15291—1994,eqvIEC60747-6:19831:1991);

第部分雙極型晶體管

———7:(GB/T4587—1994,idtIEC60747-7:1988);

第部分場效應(yīng)晶體管

———8:(GB/T4586—1994,idtIEC60747-8:1984);

第部分絕緣柵雙極晶體管

———9:(IEC60747-9:2007);

第部分分立器件和集成電路總規(guī)范

———10:(GB/T4589.1—2006,IEC60747-10:1991,IDT);

第部分分立器件分規(guī)范

———11:(GB/T12560—1999,idtIEC60747-11:1985);

第部分半導體傳感器總則和分類

———14-1:(GB/T20521—2006,IEC60747-14-1:2000,IDT);

第部分絕緣功率半導體器件

———15:(IEC60747-15:2010);

第部分基本絕緣和加強絕緣的磁性和電容性耦合

———17:(IEC/PAS60747-17:2011)。

本標準為半導體器件分立器件系列國家標準的第部分

《》9。

本標準按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標準使用翻譯法等同采用半導體器件分立器件第部分絕緣柵雙極晶

IEC60747-9:2007《9:

體管

》。

與本標準中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應(yīng)關(guān)系的我國文件如下

:

半導體器件分立器件和集成電路第部分整流二極管

———GB/T4023—19972:

及其修正案和修正案

(eqvIEC60747-2:19831:19922:1993)

半導體器件第部分晶閘管及其修正案

———GB/T15291—19946:(eqvIEC60747-6:19831:

1991)

半導體器件第部分總則

———GB/T17573—19981:(idtIEC60747-1:1983)

本標準做了下列編輯性修改和勘誤

:

和三條術(shù)語的定義中在文字端后面增加電極二字

———3.2.5、3.2.63.2.7,“……”“()”;

結(jié)溫的文字符號T統(tǒng)一為T

———vjj;

柵極發(fā)射極電壓的第二個下標統(tǒng)一為

———-“E”;

規(guī)定條件中溫度條件的位置統(tǒng)一為列項

———“”,1;

為突出被測受試器件相應(yīng)的用被測受試器件的英文縮略語代替

———(),IGBT()DUT;

中補充了遺漏的電壓文字符號V

———,CEXsus;

在中增加如下說明

———:

其中y小信號共發(fā)射極短路輸入導納

“,ie———;

y小信號共發(fā)射極短路輸出導納

oe———”;

和中補充了測量頻率的文字符號f

———、,;

中yωC更正為ωCyyωC更正為ωCy

———,“|ie|?1”“1?|ie|”,“|os|?2”“2?|oe|”;

Ⅴ

GB/T29332—2012/IEC60747-92007

:

圖圖題中的I更正為I

———30“C2”“C1”;

中列項下面的三個列項按二級列項處理

———A.4,2。

本標準由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本標準由全國半導體器件標準化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC78)。

本標準起草單位西安電力電子技術(shù)研究所西安愛帕克電力電子有限公司英飛凌科技中國有

:、、()

限公司威海新佳電子有限公司江蘇宏微科技有限公司

、、。

本標準主要起草人蔚紅旗張立陳子穎乜連波王曉寶秦賢滿

:、、、、、。

Ⅵ

GB/T29332—2012/IEC60747-92007