標準解讀
《GB/T 29507-2013 硅片平整度、厚度及總厚度變化測試 自動非接觸掃描法》是一項國家標準,主要針對半導體行業(yè)中硅片的質量控制。該標準規(guī)定了使用自動非接觸式掃描方法來測量硅片的平整度、厚度以及總厚度變化(TTV, Total Thickness Variation)的具體要求和方法。
根據標準內容,首先明確了適用范圍,適用于直徑為150mm及以上單晶硅片或外延硅片的平整度、厚度及其變化量的測定。對于不同尺寸規(guī)格的硅片,給出了具體的測試條件與參數設置建議,確保了測試結果的一致性和可比性。
在儀器設備方面,提出了對測試系統(tǒng)的基本要求,包括但不限于分辨率、重復性誤差等性能指標,并且強調了定期校準的重要性以保證長期使用的準確性。此外,還詳細描述了樣品準備步驟,如清洗處理方式、放置位置等,這些都是為了減少外界因素對最終數據的影響。
關于測試過程,文檔中提供了詳細的指導流程,從初始設置到數據采集再到分析報告生成都有明確說明。特別地,對于如何正確讀取并解釋測量結果也給予了充分指導,幫助操作人員理解各種可能影響結果的因素及其解決方案。
最后,標準還涵蓋了質量控制方面的內容,比如推薦的數據記錄格式、異常值處理原則等,旨在通過標準化的操作流程提高整個行業(yè)內的產品質量管理水平。
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....
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- 現行
- 正在執(zhí)行有效
- 2013-05-09 頒布
- 2014-02-01 實施
文檔簡介
ICS29045
H80.
中華人民共和國國家標準
GB/T29507—2013
硅片平整度厚度及總厚度變化測試
、
自動非接觸掃描法
Testmethodformeasurinflatnessthicknessandtotalthicknessvariation
g,
onsiliconwafers—Automatednon-contactscanning
2013-05-09發(fā)布2014-02-01實施
中華人民共和國國家質量監(jiān)督檢驗檢疫總局發(fā)布
中國國家標準化管理委員會
GB/T29507—2013
前言
本標準按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標準由全國半導體設備和材料標準化技術委員會提出并歸口
(SAC/TC203)。
本標準起草單位上海合晶硅材料有限公司有研半導體材料股份有限公司
:、。
本標準主要起草人徐新華王珍孫燕曹孜
:、、、。
Ⅰ
GB/T29507—2013
硅片平整度厚度及總厚度變化測試
、
自動非接觸掃描法
1范圍
本標準規(guī)定了直徑不小于厚度不小于的切割研磨腐蝕拋光外延或其他表面
50mm,100μm、、、、
狀態(tài)的硅片平整度厚度及總厚度變化的測試
、。
本標準為非破壞性無接觸的自動掃描測試方法適用于潔凈干燥硅片的平整度和厚度測試且不
、,、,
受硅片的厚度變化表面狀態(tài)和硅片形狀的影響
、。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注明日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
半導體材料術語
GB/T14264
3術語和定義
31界定的術語和定義適用于本文件
.GB/T14264。
32硅片平整度參數的縮寫及定義見表
.1。
表1硅片平整度參數的縮寫及定義
測試基準面
縮寫基準面測試參數
方法基準面構成區(qū)域
GBIR質量
總的背表面理想背表面
(globalflatnessbacksidereferenceplane合格區(qū)TIR
idealrange)
GF3R
總的正表面三點構成的基準面
(globalflatnessfrontsidereferenceplaneTIR
3pointsrange)
GF3D
總的正表面三點構成的基準面
(globalflatnessfrontsidereference3FPD
pointsdeviation)
GFLR質量
總的正表面最小二乘法構成的基準面
(globalflatnessfr
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