存儲器芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢分析

存儲器芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢分析一、存儲器芯片概述存儲器芯片是半導體存儲產(chǎn)品的核心，是電子系統(tǒng)中負責數(shù)據(jù)存儲的核心硬件單元，其存儲量與讀取速度直接影響電子設備性能。半導體存儲按照掉電后是否保存數(shù)據(jù)，分為易失性存儲和非易失性存儲。易失性存儲主要以隨機存取器RAM為主，使用量最大的為動態(tài)隨機存儲DRAM。非易失性存儲中最常見的為NORFlash與NANDFlash，其中NORFlash因其讀取速度快且可擦除寫入，被作為代碼存儲的主要器件，NANDFlash在高容量時具有成本優(yōu)勢，且讀寫速度比傳統(tǒng)的光學、磁性存儲器快，是現(xiàn)在主流的大容量數(shù)據(jù)存儲器件。二、存儲器芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀近五年來，受PC及移動端電子設備內(nèi)存容量不斷擴大，以TWS為代表的可穿戴設備新型消費級市場快速擴張，以及大數(shù)據(jù)云計算技術不斷釋放對企業(yè)級存儲的需求等多方因素的影響，中國存儲器芯片行業(yè)整體不斷發(fā)展，市場規(guī)模（以銷售額計）從2015年的45.2億美元增長到了2020年183.5億美元。由于當前存儲器芯片應用廣泛，同時下游消費電子市場份額逐年擴大，且未來5G及物聯(lián)網(wǎng)技術將進一步為中國存儲器芯片的整體發(fā)展賦能，預計未來中國存儲器芯片還將繼續(xù)保持穩(wěn)定增長的態(tài)勢。到2022年，中國存儲器芯片市場份額有望突破300億美元。在眾多的存儲芯片中，應用最為廣泛的為內(nèi)存DRAM和閃存NANDFLASH、NORFLASH。DRAM一般作為計算機CPU實時處理數(shù)據(jù)時的存儲介質(zhì)，占整個存儲器芯片市場的53%；NAND一般用作大容量存儲介質(zhì)，占整個存儲器芯片市場的42%；Nor一般用作物聯(lián)網(wǎng)設備中的小容量存儲介質(zhì)，僅占整個存儲器芯片市場的3%。三、存儲器芯片細分市場現(xiàn)狀1、DRAMDRAM下游領域中，智能終端及其他移動設備領域占比最大，2018-2020年占比均超過35%，服務器為DRAM的第二大應用領域，2018-2020年占比約為25%-30%，第三大領域為消費電子市場，2018-2020年占比約為15-18%。PC領域占比約為12%-14%。繪圖用DRAM市場占比較小。DRAM市場規(guī)模在2017-2018年呈快速上漲趨勢，市場規(guī)模從2016-2018年的721億美元增長到2018年的999億美元，2019年因半導體整體處于下行周期，DRAM市場規(guī)模下降到622億美元，2020年DRAM市場規(guī)模恢復到659億美元。未來DRAM市場成長空間很大，預計到2022年DRAM市場規(guī)模將突破1100億美元。2、NANDFlashNANDFlash下游應用眾多，從分布領域看，SSD占比最大，占比將近50%，其次是移動終端，主要是智能手機和平板電腦中的eMMC、eMCP等，占比約40%，第三是移動存儲，包括USB和閃存卡，目前市場份額較低。NANDFlash主要為大數(shù)據(jù)量的非易失性存儲設備，其三大下游領域中嵌入式存儲和閃存卡存儲相較于SSD，存儲量相對偏小，SSD產(chǎn)品多用在服務器等領域，未來將隨著數(shù)據(jù)中心的大量建設，推動NANDFlash需求快速增長。根據(jù)數(shù)據(jù)顯示，2016年SSD市場規(guī)模約為140億美元，預計到2021年SSD行業(yè)市場規(guī)模將達到360億美元，復合年增長率為20.8%。SSD市場規(guī)模增長拉動NANDFlash快速增長，預計至2022年，NAND市場收入將達到845億美元。四、中國存儲器芯片行業(yè)相關政策法規(guī)集成電路在電子信息產(chǎn)業(yè)的地位促使國家近二十年來不斷出臺政策鼓勵行業(yè)發(fā)展，其中最直接的政策是2011年《國務院關于印發(fā)進一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策的通知》中明確對IC設計和軟件企業(yè)實施所得稅“兩免三減半”優(yōu)惠政策，該政策一直延續(xù)至今。存儲器芯片作為重要的分立器件細分應用領域，其行業(yè)的穩(wěn)定發(fā)展與中國分立器件的整體發(fā)展密切相關。五、中國存儲器芯片行業(yè)發(fā)展趨勢1、存儲芯片迎來黃金發(fā)展期全球內(nèi)存及閃存產(chǎn)品在國際競爭市場上，基本均被韓國、日本、美國等國壟斷。在DRAM領域，三星、海力士及美光為行業(yè)龍頭，在NAND領域，三星、東芝、新帝，海力士以及美光、英特爾共同掌握全球話語權。當前，中國已初步完成在存儲芯片領域的戰(zhàn)略布局，但由于中國起步晚，且受到技術封鎖，市場份額較少，距離全面國產(chǎn)替代還有較大的發(fā)展空間。存儲芯片良好的發(fā)展態(tài)勢將為中國在這一領域的發(fā)展提供源源不斷的需求保障。2、IP創(chuàng)新與自主制造對于存儲器芯片，由于存儲器芯片制程的難點在于IP和制造，頭部廠商的主流經(jīng)營模式為IDM模式，受制于歐美日韓對中國半導體行業(yè)的限制，中方獲得IP的主要方式為合作授權與自主研發(fā)相結(jié)合的方式。由于在DRAM領域中國廠商總體起步較晚，專利積累相對薄弱。但由于DRAM總體來說技術發(fā)展相對成熟，國際領先企業(yè)在研發(fā)領域資本投入已有所減少，這為中國廠商繼續(xù)提高資本投入已實現(xiàn)國產(chǎn)替代提供了良好的機會。在此基礎上中國廠商加快IP自主研發(fā)，降低成本的同時提高產(chǎn)品性能，從而在議價能力及定價彈性達到國際領先水平。NANDFlash的IP方面，3DNANDFlash堆疊技術自2D平面技術升級而來，由于3D堆疊技術為近年來出現(xiàn)的新技術，中國頭部企業(yè)長江存儲與國際大廠的技術差距相對較小。但在IP儲備領域，中國廠商仍處于弱勢地位，三星、東芝、閃迪、海力士等存儲器芯片巨頭廠商仍具有壓倒性優(yōu)勢。在半導體產(chǎn)業(yè)向中國轉(zhuǎn)移的大趨勢下，國際大廠紛紛在大陸地區(qū)設廠或增大中國大陸建廠規(guī)模。據(jù)SEMI數(shù)據(jù)顯示，近