GB/T 33657-2017納米技術(shù)晶圓級(jí)納米尺度相變存儲(chǔ)單元電學(xué)操作參數(shù)測(cè)試規(guī)范

ICS31200

L56.

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T33657—2017

納米技術(shù)晶圓級(jí)納米尺度相變存儲(chǔ)

單元電學(xué)操作參數(shù)測(cè)試規(guī)范

Nanotechnologies—Electricaloperatingparametertest

specificationofwaferlevelnano-scalephasechangememorycells

2017-05-12發(fā)布2017-12-01實(shí)施

中華人民共和國(guó)國(guó)家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布

中國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T33657—2017

目次

前言

…………………………Ⅲ

引言

…………………………Ⅳ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語(yǔ)和定義

3………………1

測(cè)試儀器和設(shè)備

4…………………………2

測(cè)試樣本結(jié)構(gòu)

5……………3

測(cè)試參數(shù)的選擇

6…………………………3

測(cè)試流程

7…………………4

測(cè)試報(bào)告

8…………………5

附錄資料性附錄相變存儲(chǔ)單元測(cè)試系統(tǒng)的構(gòu)建

A()…………………6

附錄資料性附錄相變存儲(chǔ)單元的初始化方法

B()……………………7

Ⅰ

GB/T33657—2017

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)科學(xué)院提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)納米技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)歸口

(SAC/TC279)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國(guó)科學(xué)院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所

:。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人陳一峰陳小剛宋志棠

:、、。

Ⅲ

GB/T33657—2017

引言

相變存儲(chǔ)器是一種非易失性存儲(chǔ)器其存儲(chǔ)單元在外部電場(chǎng)的電熱學(xué)作用下可在高阻的非晶態(tài)和

,

低阻的多晶態(tài)間進(jìn)行高速可逆的結(jié)構(gòu)變化變化前后的電阻差別可達(dá)倍以上從而實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的

,10,

功能

。

相變存儲(chǔ)單元的電學(xué)操作參數(shù)包括寫操作參數(shù)以及擦操作參數(shù)這些參數(shù)可以通過本標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試

。

規(guī)范準(zhǔn)確的提取它們不僅可以有效評(píng)估由相變存儲(chǔ)單元構(gòu)成的相變存儲(chǔ)器的若干性能指標(biāo)還將為

。,

相變存儲(chǔ)器的驅(qū)動(dòng)電路讀出電路以及存儲(chǔ)陣列的設(shè)計(jì)提供依據(jù)

、。

相變存儲(chǔ)單元可使用的相變材料種類繁多可實(shí)現(xiàn)的器件結(jié)構(gòu)也不唯一本標(biāo)準(zhǔn)的測(cè)試規(guī)范可以

,。

為不同相變材料不同相變單元器件結(jié)構(gòu)的性能表征以及相變存儲(chǔ)器量產(chǎn)過程中工藝穩(wěn)定性的監(jiān)控提

、

供有效的手段

。

由于操作電流和相變存儲(chǔ)單元的電極尺寸關(guān)系密切過大的電極尺寸會(huì)導(dǎo)致操作電流和功耗激增

,,

相應(yīng)的電學(xué)操作參數(shù)測(cè)試規(guī)范也可能超出本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的范圍具體到本標(biāo)準(zhǔn)我們制定適用于存儲(chǔ)器

。,

的電極尺度小于的相變存儲(chǔ)單元的相變存儲(chǔ)單元也可參照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行

100nm,100nm~300nm。

Ⅳ

GB/T33657—2017

納米技術(shù)晶圓級(jí)納米尺度相變存儲(chǔ)

單元電學(xué)操作參數(shù)測(cè)試規(guī)范

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了納米尺度相變存儲(chǔ)單元讀寫擦參數(shù)的晶圓測(cè)試規(guī)范其測(cè)試結(jié)果可用于表征相變存

,

儲(chǔ)材料或器件的電學(xué)可操作性能

。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于以硫系化合物為主要原料基于半導(dǎo)體晶圓工藝加工制造的電極尺度小于

,100nm

的相變存儲(chǔ)單元的相變存儲(chǔ)單元也可參照本標(biāo)準(zhǔn)執(zhí)行

,100nm~300nm。

本標(biāo)準(zhǔn)不適用于包含外圍驅(qū)動(dòng)電路的存儲(chǔ)單元

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文

。,

件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件

。,()。

測(cè)量控制和實(shí)驗(yàn)室用電氣設(shè)備的安全要求第部分通用要求

GB4793.1—2007、1:(IEC61010-

1:2001,IDT)

集成電路術(shù)語(yǔ)

GB/T9178

電子測(cè)量?jī)x器術(shù)語(yǔ)

GB/T11464

數(shù)字儀表基本參數(shù)術(shù)語(yǔ)

GB/T13970

數(shù)字多用表

GB/T13978

3術(shù)語(yǔ)和定義

和界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本

GB/T9178、GB/T11464、GB/T13970GB/T13978

文件

。

31

.

相變存儲(chǔ)