標(biāo)準(zhǔn)解讀

《GB/T 36358-2018 半導(dǎo)體光電子器件 功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范》是針對功率發(fā)光二極管（LED）制定的一項(xiàng)國家標(biāo)準(zhǔn)，旨在為制造商、用戶以及第三方測試機(jī)構(gòu)提供一套統(tǒng)一的技術(shù)要求和試驗(yàn)方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于作為光源使用的高功率LED產(chǎn)品，涵蓋其性能參數(shù)、可靠性指標(biāo)及測試條件等方面的規(guī)定。

在內(nèi)容上，本標(biāo)準(zhǔn)首先明確了適用范圍，即主要面向用于照明或其他需要高亮度輸出的應(yīng)用場景下的大功率LED。接著定義了術(shù)語與定義部分，確保行業(yè)內(nèi)對于關(guān)鍵概念有一致的理解。例如，對“正向電壓”、“反向電流”等基本電學(xué)特性進(jìn)行了說明，并且給出了“色溫”、“顯色指數(shù)”等光學(xué)屬性的定義。

性能要求章節(jié)中，詳細(xì)列舉了不同工作條件下LED應(yīng)達(dá)到的各項(xiàng)電氣參數(shù)值及其允許偏差范圍，包括但不限于最大正向電流、典型正向電壓、熱阻等。此外，還特別強(qiáng)調(diào)了關(guān)于光通量、發(fā)光效率、顏色坐標(biāo)等光學(xué)性能的具體要求，以保證產(chǎn)品的穩(wěn)定性和一致性。

為了驗(yàn)證上述各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)是否符合規(guī)定，《GB/T 36358-2018》進(jìn)一步制定了詳盡的測試方法。這其中包括靜態(tài)特性測量如正向電壓測試、反向漏電流檢測；動態(tài)特性評估比如溫度循環(huán)實(shí)驗(yàn)、濕度敏感性等級評定；以及長期穩(wěn)定性考察項(xiàng)目，如壽命預(yù)測模型建立等。所有這些測試均需遵循嚴(yán)格的操作流程，并使用經(jīng)過校準(zhǔn)的專業(yè)儀器完成。

最后，該標(biāo)準(zhǔn)還提出了質(zhì)量保證條款，要求生產(chǎn)企業(yè)建立健全的質(zhì)量管理體系，實(shí)施有效的過程控制措施，確保每批次出廠的產(chǎn)品都能夠滿足既定規(guī)格。同時鼓勵采用國際先進(jìn)的生產(chǎn)技術(shù)和管理經(jīng)驗(yàn)，不斷提升產(chǎn)品質(zhì)量水平。


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  • 現(xiàn)行
  • 正在執(zhí)行有效
  • 2018-06-07 頒布
  • 2019-01-01 實(shí)施
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GB/T 36358-2018半導(dǎo)體光電子器件功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范_第1頁
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GB/T 36358-2018半導(dǎo)體光電子器件功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范-免費(fèi)下載試讀頁

文檔簡介

ICS31260

L53.

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T36358—2018

半導(dǎo)體光電子器件

功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范

Semiconductoroptoelectronicdevices—

Blankdetailspecificationforpowerlight-emittingdiodes

2018-06-07發(fā)布2019-01-01實(shí)施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

中國國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

中華人民共和國

國家標(biāo)準(zhǔn)

半導(dǎo)體光電子器件

功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范

GB/T36358—2018

*

中國標(biāo)準(zhǔn)出版社出版發(fā)行

北京市朝陽區(qū)和平里西街甲號

2(100029)

北京市西城區(qū)三里河北街號

16(100045)

網(wǎng)址

:

服務(wù)熱線

:400-168-0010

年月第一版

20186

*

書號

:155066·1-60057

版權(quán)專有侵權(quán)必究

GB/T36358—2018

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識別這些專利的責(zé)任

。。

本標(biāo)準(zhǔn)由中華人民共和國工業(yè)和信息化部電子歸口

()。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院中國電子科技集團(tuán)公司第十三研究所國家半導(dǎo)體

:、、

器件質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心廈門市三安光電科技有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人趙英劉秀娟黃杰彭浩趙敏邵小娟

:、、、、、。

Ⅰ

GB/T36358—2018

半導(dǎo)體光電子器件

功率發(fā)光二極管空白詳細(xì)規(guī)范

引言

本空白詳細(xì)規(guī)范是半導(dǎo)體光電子器件的一系列空白詳細(xì)規(guī)范之一

。

相關(guān)文件

:

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GB/T12565—1990

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SJ/T11394—2009

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IEC60749-21:201121:(Semiconductorde-

vices—Mechanicalandclimatictestsmethods—Part21:Solderability)

要求資料

下列所要求的各項(xiàng)內(nèi)容應(yīng)列入規(guī)定的相應(yīng)空欄中

,。

詳細(xì)規(guī)范的識別

:

授權(quán)發(fā)布詳細(xì)規(guī)范的國家標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)名稱

[1]。

詳細(xì)規(guī)范號

[2]IECQ。

總規(guī)范和分規(guī)范的版本號和標(biāo)準(zhǔn)號

[3]。

詳細(xì)規(guī)范的國家編號發(fā)布日期及國家標(biāo)準(zhǔn)體系要求的任何更詳細(xì)的資料

[4]、。

器件的識別

:

主要功能和型號

[5]。

典型結(jié)構(gòu)材料主要工藝和封裝的資料如果一種器件有幾種派生的產(chǎn)

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