標(biāo)準(zhǔn)解讀
GB/T 38532-2020《微束分析 電子背散射衍射 平均晶粒尺寸的測定》是一項國家標(biāo)準(zhǔn),旨在規(guī)范使用電子背散射衍射(EBSD)技術(shù)來測定材料平均晶粒尺寸的方法。該標(biāo)準(zhǔn)適用于金屬和合金材料,并且對于其他類型材料,在滿足特定條件下也可適用。
根據(jù)GB/T 38532-2020的規(guī)定,測定過程主要包括樣品準(zhǔn)備、數(shù)據(jù)采集與處理幾個關(guān)鍵步驟。首先,需要制備出適合進行EBSD分析的高質(zhì)量表面,這通常涉及到機械拋光及后續(xù)的電解或化學(xué)腐蝕處理,以去除表面層可能存在的變形區(qū)域,確保獲得清晰的晶體學(xué)信息。接著利用掃描電子顯微鏡配備的EBSD探測器對選定區(qū)域進行數(shù)據(jù)收集,通過調(diào)整加速電壓、工作距離等參數(shù)優(yōu)化圖像質(zhì)量。最后是數(shù)據(jù)分析階段,基于獲取到的數(shù)據(jù)集計算出晶粒大小分布情況,并據(jù)此得出平均晶粒尺寸值。
在執(zhí)行上述流程時,還應(yīng)遵循一些基本原則,比如保證足夠大的統(tǒng)計樣本量以提高結(jié)果準(zhǔn)確性;合理選擇感興趣區(qū)域,避免因局部特征而產(chǎn)生偏差;以及采用合適的方法評估測量不確定度等。此外,該標(biāo)準(zhǔn)也提供了關(guān)于如何報告實驗結(jié)果的具體指導(dǎo),包括但不限于使用的儀器型號、測試條件設(shè)置、所采取的數(shù)據(jù)分析策略等內(nèi)容。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2020-03-06 頒布
- 2021-02-01 實施
文檔簡介
ICS7104040
G04..
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T38532—2020/ISO130672011
:
微束分析電子背散射衍射
平均晶粒尺寸的測定
Microbeamanalysis—Electronbackscatterdiffraction—
Measurementofaveragegrainsize
(ISO13067:2011,IDT)
2020-03-06發(fā)布2021-02-01實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T38532—2020/ISO130672011
:
目次
前言
…………………………Ⅰ
引言
…………………………Ⅱ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………1
與晶粒尺寸測量相關(guān)的術(shù)語
3.1EBSD………………1
測定的與晶粒和晶界有關(guān)的術(shù)語
3.2EBSD…………3
晶粒尺寸測定相關(guān)術(shù)語
3.3……………4
與數(shù)據(jù)修正和取向圖不確定度有關(guān)的術(shù)語
3.4EBSD………………5
用于晶粒尺寸測定的圖像的獲取
4EBSD………………5
硬件要求
4.1……………5
軟件要求
4.2……………5
測量晶粒尺寸的圖像采集
5EBSD………………………5
樣品制備
5.1……………5
確定樣品軸
5.2…………………………6
樣品臺定位和校準(zhǔn)
5.3…………………6
線性校正
5.4……………6
初步檢查
5.5……………6
步長選擇
5.6……………6
所需角精度水平的確定
5.7……………6
分析區(qū)域和圖像尺寸的選擇
5.8………………………8
測量塑性變形材料時的注意事項
5.9…………………8
分析過程
6…………………9
晶界的確定
6.1…………………………9
原始數(shù)據(jù)的后處理
6.2…………………9
數(shù)據(jù)清理步驟
6.3………………………10
晶粒尺寸的測量
6.4……………………13
數(shù)據(jù)的發(fā)布
6.5…………………………13
測量不確定度
7……………13
分析結(jié)果的報告
8…………………………14
附錄資料性附錄晶粒尺寸的測量
A()…………………15
參考文獻
……………………17
GB/T38532—2020/ISO130672011
:
前言
本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草
GB/T1.1—2009。
本標(biāo)準(zhǔn)使用翻譯法等同采用微束分析電子背散射衍射平均晶粒尺寸的測
ISO13067:2011《
定
》。
與本標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)范性引用的國際文件有一致性對應(yīng)關(guān)系的我國文件如下
:
微束分析電子探針顯微分析術(shù)語
———GB/T21636—2008(EPMA)(ISO23833:2006,IDT)
檢測和校準(zhǔn)實驗室能力的通用要求
———GB/T27025—2008(ISO/IEC17025:2005,IDT)
微束分析掃描電鏡圖像放大倍率校準(zhǔn)導(dǎo)則
———GB/T27788—2011(ISO16700:2004,IDT)
微束分析電子背散射衍射取向分析方法導(dǎo)則
———GB/T30703—2014(ISO24173:2009,IDT)
本標(biāo)準(zhǔn)由全國微束分析標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會提出并歸口
(SAC/TC38)。
本標(biāo)準(zhǔn)起草單位中國寶武鋼鐵集團中央研究院上海發(fā)電設(shè)備成套設(shè)計研究院中國科學(xué)院上海
:、、
硅酸鹽研究所
。
本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人姚雷張作貴曾毅鄭芳
:、、、。
Ⅰ
GB/T38532—2020/ISO130672011
:
引言
工程材料的晶粒尺寸和分布顯著影響其力學(xué)和電磁性能例如材料的強度韌性和硬度這些重要的
,、
力學(xué)性能塊狀材料和薄膜即使是很窄的二維結(jié)構(gòu)其性能也受晶粒尺寸的影響因此對于材料的
。,,。,
晶粒尺寸和分布測定需要有標(biāo)準(zhǔn)的方法和統(tǒng)一術(shù)語本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范了應(yīng)用電子背散射衍射取向分布圖測
。
定平均晶粒尺寸的程序
。
Ⅱ
GB/T38532—2020/ISO130672011
:
微束分析電子背散射衍射
平均晶粒尺寸的測定
1范圍
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了用電子背散射衍射法對拋光截面進行平均晶粒尺寸的測定方法包含與晶
(EBSD),
體試樣中的位置相關(guān)的取向取向差和花樣質(zhì)量因子的測量要求[1]
、。
注1使用光學(xué)顯微鏡測定晶粒尺寸已為大家普遍接受與其相比具有很多技術(shù)優(yōu)勢如高的空間分辨率和
:,,EBSD,
晶粒取向的定量描述等
。
注2該方法還可用于一些復(fù)雜材料如雙相材料的晶粒尺寸測量
:()。
注3對變形程度較大的試樣進行分析時需謹(jǐn)慎處理結(jié)果
:,。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的凡是注日期的引用文件僅注日期的版本適用于本文
。,
件凡是不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于本文件
。,()。
微束分析掃描電鏡圖像放大倍數(shù)校準(zhǔn)通則
ISO16700(Microbeamanalysis—Scanningelec-
tronmicroscopy—Guidelinesforcalibratingimagemagnification)
檢測和校準(zhǔn)實驗室能力的通用要求
ISO/IEC17025(Generalrequirementsforthecompetenceof
testingandcalibrationlaboratories)
在測量不確定度評估中可重復(fù)性再現(xiàn)性和正確性評估的使用指南
ISO21748、(Guidanceforthe
useofrepeatability,reproducibilityandtruenessestimatesinmeasurementuncertaintyestimation)
微束分析電子探針顯微分析術(shù)語
ISO23833
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