GB/T 39157-2020靶材技術(shù)成熟度等級劃分及定義

ICS7715001

H00..

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T39157—2020

靶材技術(shù)成熟度等級劃分及定義

Classificationanddefinitionofthetechnologyreadinesslevelsfortargets

2020-11-19發(fā)布2021-10-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T39157—2020

前言

本標(biāo)準(zhǔn)按照給出的規(guī)則起草

GB/T1.1—2009。

本標(biāo)準(zhǔn)由中國有色金屬工業(yè)協(xié)會提出

。

本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC243)。

本標(biāo)準(zhǔn)起草單位有研億金新材料有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院寧波江豐電子材料股份有

:、、

限公司貴研鉑業(yè)股份有限公司

、。

本標(biāo)準(zhǔn)主要起草人高巖韓知為熊曉東騰海濤趙永善賀昕邊逸軍陳明王傳軍姚力軍

:、、、、、、、、、、

聞明徐國進(jìn)管麗梅

、、。

Ⅰ

GB/T39157—2020

靶材技術(shù)成熟度等級劃分及定義

1范圍

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了靶材技術(shù)成熟度的術(shù)語和定義等級劃分和判定規(guī)則

、。

本標(biāo)準(zhǔn)適用于靶材技術(shù)成熟度評價

。

2術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

21

.

靶材target

在濺射沉積技術(shù)中的陰極部分該陰極材料在帶正電荷的陽離子撞擊下以分子原子或離子的形

。、

式脫離陰極而在陽極表面沉積

。

22

.

技術(shù)成熟度technologyreadiness

技術(shù)滿足預(yù)期靶材應(yīng)用目標(biāo)的程度

。

23

.

技術(shù)成熟度等級technologyreadinesslevels

用于衡量靶材技術(shù)滿足預(yù)期應(yīng)用目標(biāo)程度的尺度

。

注改寫定義

:GB/T37264—2018,2.2。

24

.

技術(shù)參數(shù)technicalparameter

針對某一事物在規(guī)定的檢測條件下得出的相對數(shù)據(jù)

。

注一般是指設(shè)計或生產(chǎn)時做出的性能測試報告

:。

25

.

靶材樣品targetsamples

在實驗室階段根據(jù)靶材設(shè)計要求而制備的用于測試主要性能結(jié)構(gòu)和檢驗工藝性能的實物具備

,、,

了靶材的部分特性

。

注改寫定義

:GB/T37264—2018,2.3。

26

.

靶材試制品targetdevelopedproducts

在靶材工程化階段考慮最終形式并在實驗室環(huán)境或使用環(huán)境下對靶材關(guān)鍵性能和功能進(jìn)行測

,,,

試通過小批量或小規(guī)模制備的實物

,。

注改寫定義

:GB/T37264—2018,2.4。

27

.

實驗室環(huán)境laboratoryenvironments

實驗室的檢測和校準(zhǔn)設(shè)施以及環(huán)境條件用于驗證技術(shù)原理和使用功能

,。

28

.

模擬環(huán)境simulationenvironments

模擬真實使用環(huán)境用以驗證靶材的關(guān)鍵